JPS62170089A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
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- JPS62170089A JPS62170089A JP61009906A JP990686A JPS62170089A JP S62170089 A JPS62170089 A JP S62170089A JP 61009906 A JP61009906 A JP 61009906A JP 990686 A JP990686 A JP 990686A JP S62170089 A JPS62170089 A JP S62170089A
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- JP
- Japan
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- transfer
- connection
- memory element
- magnetic bubble
- bubble memory
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
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- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
イオン注入転送路とパーマロイ転送路と両転送路の接続
部を？１数個所に有するハイブリッド型磁気バブルメモ
リ素子であって、前記接続部にバブルの転送方向が互い
に１２０°異なる接続部を用いることにより、バブル転
送特性の悪い接続部を排除可能とする。
部を？１数個所に有するハイブリッド型磁気バブルメモ
リ素子であって、前記接続部にバブルの転送方向が互い
に１２０°異なる接続部を用いることにより、バブル転
送特性の悪い接続部を排除可能とする。
本発明は磁気バブルメモリ素子に関するもので、さらに
詳しく言えば、イオン注入転送路とパーマロイ転送路と
を有するハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の転送路
接続部の改良に関するものである。
詳しく言えば、イオン注入転送路とパーマロイ転送路と
を有するハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の転送路
接続部の改良に関するものである。
磁気バブルメモリ素子は、従来そのバブル転送路として
パーマロイ等の軟磁性薄膜パターンが用いられて来たが
、最近では記ｔα密度の高度化に伴ってパターンが微細
化し、その形成が光りソグラフィでは困難となって来て
いる。このためパターン間にギャップを必要としないイ
オン注入方式によるバブル転送路力ｑ主目されている。
パーマロイ等の軟磁性薄膜パターンが用いられて来たが
、最近では記ｔα密度の高度化に伴ってパターンが微細
化し、その形成が光りソグラフィでは困難となって来て
いる。このためパターン間にギャップを必要としないイ
オン注入方式によるバブル転送路力ｑ主目されている。
しかし素子全体をイオン注入転送路で措成した場合には
ゲート特性が悪くマージンの劣化が生ずる。このため。
ゲート特性が悪くマージンの劣化が生ずる。このため。
ゲート等の機能部は従来のパーマロイ転送路を用いたハ
イブリッド型の素子が主流となりつつある。
イブリッド型の素子が主流となりつつある。
このハイブリッド型ではイオン注入転送路とパーマロイ
転送路間の接続部のマージンの改善が大きな課題となっ
ている。
転送路間の接続部のマージンの改善が大きな課題となっ
ている。
第２図は従来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の
マイナーループの構成を示す図である。
マイナーループの構成を示す図である。
同図において、■はイオン注入領域、２はイオン注入転
送路、３はパーマロイ転送路、矢印ａはバブルの転送方
向である。
送路、３はパーマロイ転送路、矢印ａはバブルの転送方
向である。
上記従来方式において、通常イオン注入転送路をグツド
トラックとするため（１１２）と（１１２）の２方向が
接続部として用いられているが、特にイオン注入転送路
２からパーマロイ転送路への接続部Ａ及びＢのうち転送
方向ａが（１１２）方向の接続部Ｂの転送特性が第３図
に示すようにＡに比し劣るという欠点があった。
トラックとするため（１１２）と（１１２）の２方向が
接続部として用いられているが、特にイオン注入転送路
２からパーマロイ転送路への接続部Ａ及びＢのうち転送
方向ａが（１１２）方向の接続部Ｂの転送特性が第３図
に示すようにＡに比し劣るという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて案出されたちので、転送
特性の悪い接続部を有しないハイブリッド型磁気バブル
メモリ素子を提供することを目的としている。
特性の悪い接続部を有しないハイブリッド型磁気バブル
メモリ素子を提供することを目的としている。
このため本発明においては、イオン注入転送路とパーマ
ロイ転送路と両転送路の接続部を複数個所に有するハイ
ブリッド型磁気バブルメモリ素子において、前記複数の
接続部にバブルの転送方向が１２０°異なる少なくとも
２種の接続部を用いたことを特徴としている。
ロイ転送路と両転送路の接続部を複数個所に有するハイ
ブリッド型磁気バブルメモリ素子において、前記複数の
接続部にバブルの転送方向が１２０°異なる少なくとも
２種の接続部を用いたことを特徴としている。
（作 用〕
イオン注入転送路とパーマロイ転送路との接続部に、バ
ブルの転送方向が互いに１２０°異なる接続部を用いる
ことにより転送特性の悪い接続部を使用しないようにす
ることができ特性の向上が可能となる。
ブルの転送方向が互いに１２０°異なる接続部を用いる
ことにより転送特性の悪い接続部を使用しないようにす
ることができ特性の向上が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。同図において
、１０はイオン注入領域、１１はイオン注入転送路、１
２はパーマロイ転送路、矢印ａはバブルの転送方向、Ａ
及びＢはイオン注入転送路からパーマロイ転送路への接
続部である。
、１０はイオン注入領域、１１はイオン注入転送路、１
２はパーマロイ転送路、矢印ａはバブルの転送方向、Ａ
及びＢはイオン注入転送路からパーマロイ転送路への接
続部である。
本実施例は第１図に示すようにバブルの進行方向ａが（
１１２）方向である特性の良好な接続部Ａはそのままと
し、第２図で説明した特性の悪い接続部Ｂを特性の良い
接続部Ａに対して１２０°回転した位置に配置したこと
である。但しこの場合、イオン注入転送路１１も曲げる
必要がある。
１１２）方向である特性の良好な接続部Ａはそのままと
し、第２図で説明した特性の悪い接続部Ｂを特性の良い
接続部Ａに対して１２０°回転した位置に配置したこと
である。但しこの場合、イオン注入転送路１１も曲げる
必要がある。
このように構成された本実施例は接続部Ｂにおけるバブ
ルの転送方向が（１２１）方向となり、結晶の持つ磁化
容易方向が１２０°間隔の３回対称であることから、接
続部Ｂの特性は八と同一となる。なお本実施例は接続部
Ｂを（１２１）方向としたが更に＋２０°回転した（２
１１）方向でも同様の効果か得られることは勿論である
。
ルの転送方向が（１２１）方向となり、結晶の持つ磁化
容易方向が１２０°間隔の３回対称であることから、接
続部Ｂの特性は八と同一となる。なお本実施例は接続部
Ｂを（１２１）方向としたが更に＋２０°回転した（２
１１）方向でも同様の効果か得られることは勿論である
。
以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡単な
構成によりハイブリッド磁気バブルメモリ素子において
、特性の悪い転送路接続部を使用する必要がなく、従来
に比して特性の向上ができ、実用的には極めて有用であ
る。
構成によりハイブリッド磁気バブルメモリ素子において
、特性の悪い転送路接続部を使用する必要がなく、従来
に比して特性の向上ができ、実用的には極めて有用であ
る。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は従来のハイブリッド型磁気バブルメモリ素子の
マイナーループ構成を結晶方位と共に示す図、 第３図はイオン注入転送路とパーマロイ転送路との接続
部での結晶方位による特性の違いを示す図である。 第１図において、 １０はイオン注入領域、 １１はイオン注入転送路、 １２はパーマロイ転送路、 Ａ、Ｂは接続部である。
マイナーループ構成を結晶方位と共に示す図、 第３図はイオン注入転送路とパーマロイ転送路との接続
部での結晶方位による特性の違いを示す図である。 第１図において、 １０はイオン注入領域、 １１はイオン注入転送路、 １２はパーマロイ転送路、 Ａ、Ｂは接続部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン注入転送路とパーマロイ転送路と両転送路の
接続部を複数個所に有するハイブリッド型磁気バブルメ
モリ素子において、 前記複数の接続部にバブルの転送方向が１２０°異なる
少なくとも２種の接続部を用いたことを特徴とする磁気
バブルメモリ素子。 ２、上記接続部のバブル転送方向が結晶の （＠１＠＠１＠２）、（＠１＠２＠１＠）、（２＠１＠
＠１＠）方向のうちの２方向であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61009906A JPS62170089A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61009906A JPS62170089A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170089A true JPS62170089A (ja) | 1987-07-27 |
Family
ID=11733153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61009906A Pending JPS62170089A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62170089A (ja) |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP61009906A patent/JPS62170089A/ja active Pending
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