JPS6037993B2 - 磁気バブルの連接形転送パタ−ン - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はストレッチ電流による磁気バブルの発生を抑制
する磁気バブルの連接形転送パターンに関する。

イオン注入法により形成される磁気バブルメモリデバイ
スにおいては一触異方性磁界のために磁性ガーネット結
晶膜面に垂直方向に配列している磁化の方向がネオンイ
オン（Ｎｅ十）、水素イオン（Ｈ＋）などのイオン注入
によって結晶膜面と平行な方に倒れることを利用し磁気
バブル（以下バブル）の転送パターンが形成されている
。

すなわち磁性ガーネット結晶膜面上にレジスト或は金（
Ａｕ）蒸着腰などにより連接形転送パターン（コニテイ
ギニアス デイスクパターン）を作りこの上からイオン
注入を行うことによりイオン注入された部分とイオン注
入されない連接形転送パターンとを形成したものであっ
てイオン注入部に存在するバブルは駆動磁界に従った方
向にこの連接形転送パターンに沿って伝播する性質があ
り、これを利用してバブル転送が行われている。

こ）でバブル検出のための検出器はか）る連接形転送パ
ターン上に金属薄膜形成技術と写真蝕刻技術とを用いて
形成されている。

本発明はバブル検出器が設けられる連接形転送パターン
の改良に関するもので以下図面により本発明の特徴を説
明する。

第１図はバブル検出器が設けられている蓬綾形転送パタ
ーンの部分正面図で、本実施例の場合、三角形状の連接
形転送パターン１とヘアピン形導体パターン形成位置２
が磁性結晶ゥェハー上にイオン非注入部としてパターン
形成され、この上に第２図に示すように検出素子３とヘ
アピン形導体パターン４がパターン形成されて検出器が
作られている。

すなわち連接形転送パターン内のカスプ５を中央にとり
囲む形で例えばＡｕからなるヘアピン形導体パターン４
が形成されており、この下に絶縁層例えば酸化桂素Ｓｉ
０２）層を介してパーマロイからなる磁気抵抗素子３が
検出器６をヘアピン形導体パターン４の中央部間隙に位
置するようにして形成されている。

このヘアピン形導体パターン４はバブルストレッチャと
呼ばれるもので転送パターンの拡大と引き伸ばしを行い
、検出素子３の磁気抵抗効果によりバブルが検出される
。

こ）でバブルストレッチャを用いる検出方法を説明する
といま第２図において連接形転送パターン１に沿って存
在するバブル７は駆動磁界が反時計方向に回転している
と２回転後にヘアピン形導体パターン４により囲われた
連接形転送パターンのカスブ位置５に達する。

次にこの状態のときヘアピン形導体パターン４にヘアピ
ン内部のバイアス磁界が弱まる方向にパルス電流を通電
するとバブル７はヘアピン内部にストレッチされて拡大
し、検出素子３により検出される。

こ）で検出素子３は厚さが３００〜４００Ａのパーマロ
ィ薄膜から形成されており、この場合磁化容易軸は電流
と同一の方向に形成されているのでバブルよりの浮遊磁
界によりこれが電流と直角方向に回転する結果抵抗値変
化を生じこの変化量が検出電圧としてとり出されるので
ある。

このようなバブルストレッチによる検出方法はイオン注
入法により形成されたバブルメモリデバイスに広く用い
られているが、従来はバブルストレッチャであるヘアピ
ン形導体パターン４を通る３パルス電流によってバブル
が発生（ニュークリエイト）され易い欠点があり、その
ためヘアピン形導体パターン４を通るパルス電流を大き
くすることができず、そのため検出電圧を大きくとれな
い欠点があった。

３すなわち、バブル信
号はバブルの有無により形成されているものでメジャ・
マィナル−フ。で瓜ｄ・Ｅｖｅｎ構成をとる本集施例の
場合、バブル信号は奇数（瓜ｄ）列と偶数（ｏｄｄ）列
と偶数（Ｅｖｅｎ）列により別々に処理されているいま
例え４ば奇数列の情報に着目すると、１個置きに配列さ
れたバブル信号は連接形転送パターンの上を転送されて
マイナループへの書き込み或はマィナル−フ。からの読
み出しが行われている。さて、第２図においてバブル７
が奇数列の信号とすると、１個置きに構成された奇数列
の信号がヘアピン形導体パターン４で囲まれた連接形転
送パターンのカスプ５位置に来る度び毎にバブルの有無
に拘わらずヘアピン形導体パターン４にはバブルストレ
ッチのためのパルス電流が通電される。

この場合カスプ５に転送バブルが存在する場合はストレ
ッチされて検出素子３により検出されるため問題はない
が、カスプ５に転送バブルが存在しないにも拘らずヘア
ピン形導体パターン４に通電された場合このパルス電流
によりバブルが発生すると、これがストレッチされて誤
情報の検出が起ることになる。

そのため従来はストレッチ電流の大きさには制限があり
そのため大きな検出電圧はとることができないクく点が
あった。

本発明はこのような制限を無くしてパルス電流範囲を拡
大すると共にバブル検出についての信頼度を高めるのを
目的とし、その方法としてヘアピン形導体パターン４の
下にある連接形転送パターン１のカスプ位置５に深い切
れ込み部を設けるものである。

以下図面により本発明を説明する。

第３図は本発明を実施した連接形転送パターンでカスプ
位置にバブル径にほゞ等しい幅の切り込み部８を設けて
ある。

すなわち本実施例の場合は切り込み部８までイオン注入
されてヘアピン形導体パターン形成位置２を含む連接形
転送パターン１が形成されておりか）る磁性ガーネット
結晶基板上に第４図に示すように従来と同じ方法で検出
器３とヘアピン形導体パターン４が作られている。

本発明はヘアピン形導体パターンにパルス電流を通電し
てバブルを発生する場合に結晶基板に対するイオン注入
層の厚さによりバブル発生に必要なパルス電流値が左右
されると云う実験結果に基づいている。

すなわち一触異方性磁界により結晶に垂直に磁化してい
る磁性ガーネット膜においてイオン注入により、水平方
向に磁化方向が変つこ層に比率が増すに従ってバブルの
発生は起りにくくなる。また異方性磁界の変化する部分
ではバ、しが発生しやすい。例えば厚さ４０００ＡのＡ
収蒸着膜を用いて導体幅２山ｍとして形成したヘアピン
間隔２りｍとして形成したヘアピン形導体パタ−ンの場
合、結晶基板にイオン注入が行なわない場合は２仇ｈＡ
のパルス電流の通電により容易にバブルが発生するが、
イオン注入層の厚さを増すに従ってバブル発生に必要な
電流値は上昇し、注入層の厚さが連接形転送パターン形
成に必要な厚さすなわち全体の厚さの約さ‘捜する場合
‘ま１胸Ａ似順轍樋更によってもバブルは発生しなくな
る。

本発明はこのようにイオン注入層部分にはバブルが発生
いこくいことを利用し一方バブルの転送には支障のない
方法としてカスプ部にバブル蚤とほゞ等しい深い切り込
み部８を設けたものであり深い切り込み部８の幅がバブ
ル蚤程度である場合はバブル転送には支障はないが、こ
れを大きく越す場合はバブルが切り込み部８に吸引され
て、バブル転送に支障を来してくる。

本発明は従来検出電流によりバブルが発生し易いことか
ら検出電流の範囲が限定されていたのを連接形転送パタ
ーンのヘアピン形バブルストレッチ対応位置に切り込み
を設けることによりバブルの発生を抑制したもので、本
発明の実施によりパルス電流の許容範囲を増すと共にメ
モリデバイスの信頼度を向上することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の連接形転送パターンの部分正面図で、第
２図はこの上に形成された検出器の正面図、第３図は本
発明にか）る連接形転送パターンの部分正面図、第４図
はこの上に形成された検出器の正面図である。 図において １は連接形転送パターン、２はヘアピン形
導体パターン形成位置、３は検出器、４はヘアピン形導
体パターン、５はカスプ、７はバブル、８は切り込み部
。 繁丁図 ※２図 終う図 ※４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ イオン注入法により磁気バブルの転送パターンが形
   成され、ヘアピン形ストレツチ導体パターンの中央部に
   設けられた検出器により磁気バブルの検出を行う磁気バ
   ブルメモリデバイスにおいて、磁気バブルストレツチ位
   置にある連接パターンのカスプ位置にイオン注入層より
   なる切り込み部を設けてなることを特徴とする磁気バブ
   ルの連接形転送パターン。