JPS63205887A - イオン注入バブル転送路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 イオン注入バブル転送路であって、使用バブルの直径が
０．９〜０．９４μｍの場合、アウトサイドターン近傍
に、該アウトサイドターンから１．５〜２．５μｍ離れ
て長さ１２μｍ以上のダミーループを設けたことにより
、核部の動作マージンの拡大を可能とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリのイオン注入バブル転送路に関するものであ
る。

磁気バブルメモリ装置は不揮発性、高記憶密度、低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全（含
まない固体素子であることから非常に高い倍額性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては情
報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密度の増
加を行なうため、バブル転送路をイオン注入法により形
成する方法が用いられている。

〔従来の技術〕

イオン注入法によるバブル転送路は、第５図ａの平面図
及び第５図すの断面図に示すように、ガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板１の上に液相エピタ
キシャル成長させた磁性ガーネットのバブル用結晶２に
対し、バブル転送用パターン３以外の領域４に水素、ネ
オン、へりつム等のイオンを注入して形成される。この
ようにパターン３を形成した素子はイオンが注入された
領域４の磁化容易軸方向が矢印Ａの如く面内方向と一致
し、パターン３の非イオン注入領域の磁化容易軸方向は
矢印Ｂの如く面内方向と垂直であるので、バブル５は回
転磁界によってパターン３の周縁に沿って転送される。

そしてこのパターン３は従来のパーマロイパターンの如
くギャップを必要としないのでその作成工程のホトリソ
グラフィ工程において寸法精度が緩くとも良く従ってパ
ターンが小さくでき高密度化が実現できる。そして記憶
密度が８〜１６Ｍビット程度になるとバブル径は０．９
μｍ〜０．９４μｍとなり、イオン注入部のセルサイズ
は３　Ｘ　３．５μＭとなり、メジャマイナー構成の素
子ではそのマイナーループに第６図ａの如くスネークパ
ターン１を繰り返し往復させた折り畳みループが使用さ
れる。

〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来の構成では、イオン注入バブル転送路のスネー
クパターン６にはインサイドターン７及びアウトサイド
ターン８が必要であるが、特にアウトサイドターン８で
は、第６図すに示すようにバイアス下限においてＡ部に
いるバブルがＢ部の隣接ループへ飛び移るエラーがラン
ダムに起こり、動作マージンが小さくなるという問題が
ある。

本発明はこのような点にかんがみて創作されたもので、
アウトサイドターンでのエラーを生じないようにしたイ
オン注入バブル転送路を提供することを目的としている
。

〔問題点を解決するための手段〕

このため本発明においては、第１図に例示するように、
直径が０．９〜０．９４μｍのバブルを使用するイオン
注入バブル転送路１０であって、そのアウトサイドター
ン１０ａ近傍にダミーループ１２を配置し、該ダミール
ープ１２とアウトサイドターン１０ａ先端との最小パタ
ーン距離ｌを１．５〜２．５μｍとし、且つ該ダミール
ープ１２の長さしを１２μｍ以上としたことを特徴とし
ている。

〔作　用〕

アウトサイドターン１０ａ近傍にダミーループ１２を設
けたことによりアウトサイドターンから隣接ループへの
バブルの飛び移りが防止でき、アウトサイドターンのバ
イアス下限のバラツキ及びバイアス値の低下により動作
マージンの拡大が可能となる。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例を示す図である。

本実施例は第１図に示すように、直径０．９０〜０．９
４μｍのバブルを用いるイオン注入バブル転送路１０に
おいて、イオン注入領域１１に転送路と同じ形状の非イ
オン注入部（以下ダミーループと称す）１２をアウトサ
イドターン１０ａの近傍に配置し、該アウトサイドター
ン１０ａからダミーループ１２までの最小パターン間距
離ｌを１．５μｍ〜２．５μｍとし、ダミーループ１２
の長さしを１２μｍ（パターン周期３μｍの４倍）以上
としたことである。なお結晶方向とバブル転送方向（回
転磁界の向き）は図中に示すとおりである。このように
構成した理由を次に説明する。

第２図に実験により求めたアウトサイドターンのバイア
ス下限及びバラツキのｌ依存性を示す。

同図よりｌは１．５μｍから２．５μｍまでが好ましい
。なおｌが１．５μｍ以下ではアウトサイドターンから
ダミーループへのバブルの飛び移りエラーが起きる。ま
たｌが２．５μｍ以上ではバラツキが大きくなりダミー
ループの効果が弱まる。

次にダミーループの長さしについては第３図にアウトサ
イドターンバイアス下限値のＬ依存性を示す。同図より
Ｌの値は転送路パターン周期３μｍとしてその４倍の１
２μｍ以上が必要であることがわかる。

第４図は本発明の他の実施例を示した。ａ、ｂ。

Ｃに示す３種類の実施例はアウトサイドターンの形状と
ダミーループの端部の形状の組合わせが異なるものであ
るが、何れもアウトサイドターン１０ａとダミーループ
１２との距離２は１．５〜２．５μｍとし、ダミールー
プ１２の長さしは１２μｍ以上としたことは前実施例と
同様であり、従ってその効果も前実施例と同様な効果が
得られる。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明によれば、第２図かられ
かるようにアウトサイドターンのバイアス下限のバラツ
キ及びバイアス値の低下により動作マージンを拡大する
ことができ、実用的には極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す図、 第２図はアウトサイドターンのバイアス下限値及びバラ
ツキのｉ依存性を示す図、 第３図はアウトサイドターンのバイアス下限値のし依存
性を示す図、 第４図は本発明の他の実施例を示す図、第５図は従来の
イオン注入バブル転送路を説明するための図、 第６図は従来のイオン注入バブル転送路の折畳みループ
とアウトサイドターンを示す図である。 第１図、第４図において、 １０はイオン注入バブル転送路、 １０ａはアウトサイドターン、 １１はイオン注入領域、 １２はダミーループ、 βはアウトサイドターンとダミーループとの最小パター
ン間距離、 Ｌはダミーループの長さである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、直径が０．９〜０．９４μｍのバブルを使用するイ
   オン注入バブル転送路（１０）であって、そのアウトサ
   イドターン（１０ａ）近傍にダミーループ（１２）を配
   置し、該ダミーループ（１２）とアウトサイドターン（
   １０ａ）先端との最小パターン距離（１）を１．５〜２
   ．５μｍとし、且つ該ダミーループ（１２）の長さ（Ｌ
   ）を１２μｍ以上としたことを特徴としたイオン注入バ
   ブル転送路。