JPS58166586A - イオン注入磁気バブルデバイス - Google Patents
イオン注入磁気バブルデバイスInfo
- Publication number
- JPS58166586A JPS58166586A JP57048125A JP4812582A JPS58166586A JP S58166586 A JPS58166586 A JP S58166586A JP 57048125 A JP57048125 A JP 57048125A JP 4812582 A JP4812582 A JP 4812582A JP S58166586 A JPS58166586 A JP S58166586A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- magnetic domain
- conductor
- magnetic
- cusp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子計算装置などの記憶装置として用いられる
イオン注入磁気パズルデバイスに関するものである。
イオン注入磁気パズルデバイスに関するものである。
（２）従来技術と問題点
最近、磁気バブルメモリデバイスにおいて、そのバブル
転退路をイオン注入法によ多形成し、記憶密縦を高度化
する方法が用いられている。このイオン注入磁気パズル
デバイスは第１図の平（１１図及び第２−の断面図に示
す如くガドリニウ＾・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）
基＆１の上にＭＵエピタキシャル成長させたｉ性ガーネ
ットの＃ＪＩ２に刺し、パターン５以外の慣域４に水嵩
、ネ第４ヘリウム等のイオンを注入したものでめる。こ
のようにパターン６を形成した菓子はイオンが注入され
た積載４の磁化容易軸方向が矢印掘の如く回内方向と一
致し、パターン５の磁化容易軸方向は矢印すの如くもと
のままの面内方向と垂直でるる１３従ってバブル５は回
転磁界によってパターン３０Ｍ１縁１ｆｌｆって矢印Ｃ
の如く転送される１、そしてこのパターン３は円形や四
角形を一部が１なるようにして列状に配列した彰状であ
るため、ギャップを必要とした従来のパーマロイパター
ンに比し寸法精度が緩くとも曳く、従ってパターンが小
さくでき高密度仕が実現される。
転退路をイオン注入法によ多形成し、記憶密縦を高度化
する方法が用いられている。このイオン注入磁気パズル
デバイスは第１図の平（１１図及び第２−の断面図に示
す如くガドリニウ＾・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）
基＆１の上にＭＵエピタキシャル成長させたｉ性ガーネ
ットの＃ＪＩ２に刺し、パターン５以外の慣域４に水嵩
、ネ第４ヘリウム等のイオンを注入したものでめる。こ
のようにパターン６を形成した菓子はイオンが注入され
た積載４の磁化容易軸方向が矢印掘の如く回内方向と一
致し、パターン５の磁化容易軸方向は矢印すの如くもと
のままの面内方向と垂直でるる１３従ってバブル５は回
転磁界によってパターン３０Ｍ１縁１ｆｌｆって矢印Ｃ
の如く転送される１、そしてこのパターン３は円形や四
角形を一部が１なるようにして列状に配列した彰状であ
るため、ギャップを必要とした従来のパーマロイパター
ンに比し寸法精度が緩くとも曳く、従ってパターンが小
さくでき高密度仕が実現される。
従来このイオン注入磁気バブルデバイスのＶプリケード
ゲートとしては、第３図に示す如くメジャーループ６と
マイナーループ７との１蘭にバブル消減磁界の低い領域
８と、０字状の導体ノ（ターン−９を設け、このＵ字状
の導体パターン９に電流を流してパズルを伸長させ、前
記の消減磁界の低い領域８で切断する方法が用いられて
いｉ、、ところがこのレプリケートゲートは輩１作マー
ジンが狭いという欠点があ二た。
ゲートとしては、第３図に示す如くメジャーループ６と
マイナーループ７との１蘭にバブル消減磁界の低い領域
８と、０字状の導体ノ（ターン−９を設け、このＵ字状
の導体パターン９に電流を流してパズルを伸長させ、前
記の消減磁界の低い領域８で切断する方法が用いられて
いｉ、、ところがこのレプリケートゲートは輩１作マー
ジンが狭いという欠点があ二た。
（３）Ａ明のｈ的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、動作マージンの広いレ
プリケートゲートを有するイオン注入山気バブルデバイ
ス’ｉ＊供することを目的とするものである。
プリケートゲートを有するイオン注入山気バブルデバイ
ス’ｉ＊供することを目的とするものである。
（４）発明の構成
そしてこの目的は、本発明によればバブル磁Ｖを分割し
て情報１に＆［＆する、レプリケートゲート？有するイ
オン注入磁気バブルデバイスＶＣおいて、レプリケート
ゲートは少なくとも２本の導体パターンよりなる１組の
導体を諷備Ｌ１両刀の導体に電流ｆ流してバブル磁区を
伸長させた後、少なくとも一方の導体に電流を流して伸
長せしめ九バブル磁区を切断し、情報を複製することを
特徴とするイオン注入磁気バブルデバイスを提供するこ
とＫよって連成される。
て情報１に＆［＆する、レプリケートゲート？有するイ
オン注入磁気バブルデバイスＶＣおいて、レプリケート
ゲートは少なくとも２本の導体パターンよりなる１組の
導体を諷備Ｌ１両刀の導体に電流ｆ流してバブル磁区を
伸長させた後、少なくとも一方の導体に電流を流して伸
長せしめ九バブル磁区を切断し、情報を複製することを
特徴とするイオン注入磁気バブルデバイスを提供するこ
とＫよって連成される。
（５）発明の実施例
以下本発明実施例ｔ＆Ａ面によって許述すゐ１、第４因
は本発明によるイオン注入磁気パズルデバイスのレプリ
ケートゲートを示す図でおる。同図に、おいて、１０は
メジャーループ、１１はマイナーループ、１２はＵ字状
をなす第１の導体、１３ＦｉＵ字状をなす第２の導体ｔ
それぞれ示している１、そして第１１ｉＬび第２の導体
はメジャーループ１０のカスプ＾とマイナーループ１１
のカスプＢとを結ぶ線上に設けられている。
は本発明によるイオン注入磁気パズルデバイスのレプリ
ケートゲートを示す図でおる。同図に、おいて、１０は
メジャーループ、１１はマイナーループ、１２はＵ字状
をなす第１の導体、１３ＦｉＵ字状をなす第２の導体ｔ
それぞれ示している１、そして第１１ｉＬび第２の導体
はメジャーループ１０のカスプ＾とマイナーループ１１
のカスプＢとを結ぶ線上に設けられている。
図により本発明のイオン注入バブルデバイスのレプリケ
ートゲートの動作を次に説明する。ｍｌの導体１２と第
２の導体１３はそれぞれパルス電流源に接続されている
ものとする。そしてバブル磁区１４が駆動磁界の１０転
にともなってマイナーループ１１を転送され、カスプＢ
に来た時に、第１の導体１２及び第２の導体１３に、そ
れぞれのＵ字状の中側の局部磁界が低下する方向に電流
を流すとカスプＢにあるバブル磁区は該カスプＢとメジ
ャーループ１００カスプＡとの間に伸長される。このと
き発生するａ、−ａ′上の磁界ｔ′卓５図に集線で示す
、１次いで喚１の導体１２の電流を減少させるか、ぬる
いは第２の導体１３のＩＩＬ流を増大させる。このとき
発生する磁界′に第５図に点線で示す。その結果、ｊｓ
２の導体１３の外側の外部−界と同方向の磁界は強めら
れ、パターンエツジ部Ｃの近傍の磁界はバブル消１１１
６８界以上となり、伸長されているバブル磁区は顔部で
ジノｍざノＬ４）１その後切−ｆされたバブル磁区ば駆
動磁界の回転に伴って縮小し、一方はマイナーループ１
１のカスプｉｓＫ吸引ｇｒ１．．１ｔｆｌ刀やゴメジャ
ーライン１Ωのカスプ＾に吸引されゐ。こりようＶＣし
てバブルの１＃報は蒸製６する。（−Ｌ−てバブル磁区
の切−「特番゛（二ぼける第’ ＊ ｓＡ ２の尋％１
２．１５４０内−はバブル磁区を保持する方間であるの
で電流マージンが広く、ひいてＩＪ励佳作マージン人き
くなる。
ートゲートの動作を次に説明する。ｍｌの導体１２と第
２の導体１３はそれぞれパルス電流源に接続されている
ものとする。そしてバブル磁区１４が駆動磁界の１０転
にともなってマイナーループ１１を転送され、カスプＢ
に来た時に、第１の導体１２及び第２の導体１３に、そ
れぞれのＵ字状の中側の局部磁界が低下する方向に電流
を流すとカスプＢにあるバブル磁区は該カスプＢとメジ
ャーループ１００カスプＡとの間に伸長される。このと
き発生するａ、−ａ′上の磁界ｔ′卓５図に集線で示す
、１次いで喚１の導体１２の電流を減少させるか、ぬる
いは第２の導体１３のＩＩＬ流を増大させる。このとき
発生する磁界′に第５図に点線で示す。その結果、ｊｓ
２の導体１３の外側の外部−界と同方向の磁界は強めら
れ、パターンエツジ部Ｃの近傍の磁界はバブル消１１１
６８界以上となり、伸長されているバブル磁区は顔部で
ジノｍざノＬ４）１その後切−ｆされたバブル磁区ば駆
動磁界の回転に伴って縮小し、一方はマイナーループ１
１のカスプｉｓＫ吸引ｇｒ１．．１ｔｆｌ刀やゴメジャ
ーライン１Ωのカスプ＾に吸引されゐ。こりようＶＣし
てバブルの１＃報は蒸製６する。（−Ｌ−てバブル磁区
の切−「特番゛（二ぼける第’ ＊ ｓＡ ２の尋％１
２．１５４０内−はバブル磁区を保持する方間であるの
で電流マージンが広く、ひいてＩＪ励佳作マージン人き
くなる。
なお第４図に示し大実施例罠おいて、メジャーループ１
０と１イナ一ループ１１０位置を逆にして構成しても同
様な効果を得ることができる。
０と１イナ一ループ１１０位置を逆にして構成しても同
様な効果を得ることができる。
（６）発明の効果
世上、・←細に説明したように、本発明のイオン注入磁
気バブルデバイスはそのレプリケートゲート１０２本の
導体パターンよシなる１組の導体を諷偏せしめることに
よル広い動作マージンが得られ、磁気バブルデバイスの
性能同上に寄与するといった幼木人なるものである。。
気バブルデバイスはそのレプリケートゲート１０２本の
導体パターンよシなる１組の導体を諷偏せしめることに
よル広い動作マージンが得られ、磁気バブルデバイスの
性能同上に寄与するといった幼木人なるものである。。
第１図はイオン注入磁気バブルデバイスｔｍ明するため
の図、＠２図は第１図のト」線における飴面図、第！１
図は従来のレプリケートゲートｒ貌明するための図、第
４図は本発明によるイオン注入磁気バブルデバイスのレ
プリケートゲートの構造を示す図、第５図は第４−のａ
−１′縁に訃ける発生磁界の状態を示す図である３、 図面ｙｃ於いて、１０はメジャーループ、１１はマイナ
ーループ、１２は第１の導体、１５は第２の導体、１４
はバブル磁区をそれぞれ示す１、特許出願人 富士通株式会社 ＆ｌｌ１Ｆ軒出願代理人 弁理士 宵 木 朗 弁理士 西 耀 和 之 弁理士 内 １） ◆ 男 弁理士 山 口 昭 之 ！Ｊ４図 １ ゛。 蒙
の図、＠２図は第１図のト」線における飴面図、第！１
図は従来のレプリケートゲートｒ貌明するための図、第
４図は本発明によるイオン注入磁気バブルデバイスのレ
プリケートゲートの構造を示す図、第５図は第４−のａ
−１′縁に訃ける発生磁界の状態を示す図である３、 図面ｙｃ於いて、１０はメジャーループ、１１はマイナ
ーループ、１２は第１の導体、１５は第２の導体、１４
はバブル磁区をそれぞれ示す１、特許出願人 富士通株式会社 ＆ｌｌ１Ｆ軒出願代理人 弁理士 宵 木 朗 弁理士 西 耀 和 之 弁理士 内 １） ◆ 男 弁理士 山 口 昭 之 ！Ｊ４図 １ ゛。 蒙
Claims (1)
- １、 バブル磁区を分割してｍｗｔ＊ａするレプリケー
トゲートを有するイオン注入磁気パブルナバイスにおい
て、レプリケートゲートは少なくとも２本の導体パター
ンよシなる１組の導体’ｌｒＸ４ｍし、両方の導体く電
流を流してバブル−区會伸長させた後、少なくとも一部
の導体に１１Ｒｔｔｌｔして伸長せしめたバブル磁区を
切断し、悄＠を彼奴することを特徴とするイオン注入磁
気バブルデバイス。 □
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048125A JPS58166586A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | イオン注入磁気バブルデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048125A JPS58166586A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | イオン注入磁気バブルデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166586A true JPS58166586A (ja) | 1983-10-01 |
| JPS6346917B2 JPS6346917B2 (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=12794602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048125A Granted JPS58166586A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | イオン注入磁気バブルデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166586A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2627619A1 (fr) * | 1988-02-24 | 1989-08-25 | Hitachi Ltd | Generateur de bulles magnetiques et dispositif a bulles magnetiques contenant un tel generateur |
| JPH0828044A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-01-30 | Buresuto Kogyo Kenkyusho:Kk | スリーブ固定金具及び固定方法 |
-
1982
- 1982-03-27 JP JP57048125A patent/JPS58166586A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2627619A1 (fr) * | 1988-02-24 | 1989-08-25 | Hitachi Ltd | Generateur de bulles magnetiques et dispositif a bulles magnetiques contenant un tel generateur |
| JPH0828044A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-01-30 | Buresuto Kogyo Kenkyusho:Kk | スリーブ固定金具及び固定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6346917B2 (ja) | 1988-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4040019A (en) | Ion implanted magnetic bubble memory device having major and minor rows | |
| JP2619365B2 (ja) | ブロッホラインメモリの書き込み方法 | |
| EP0011137B1 (en) | Manufacture of a magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins | |
| Lin et al. | Manipulation of 1‐μm bubbles with coarse (≳ 4 μm) overlay patterns | |
| JPS58166586A (ja) | イオン注入磁気バブルデバイス | |
| US4528645A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| US3925769A (en) | Disk generator | |
| US4334291A (en) | Ion-implanted magnetic bubble memory with domain confinement rails | |
| Nelson et al. | Field nucleation of magnetic bubbles | |
| US4434476A (en) | Magnetic bubble memory device and method for operating the same | |
| Michaelis | A new method of propagating domains in thin ferromagnetic films | |
| US4525808A (en) | Hybrid magnetic bubble memory device | |
| US4357683A (en) | Magnetic bubble memory with ion-implanted layer | |
| US4744052A (en) | Hybrid magnetic bubble memory device | |
| Nelson | Progress in All‐Permalloy Bubble Control Functions | |
| JPS592991B2 (ja) | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 | |
| JPS6040109B2 (ja) | カレントストレッチバブル検出法 | |
| Fujita et al. | Dynamic behavior of plane wall in bubble garnet films (computer simulation) | |
| US4441166A (en) | Passive annihilator for contiguous-disk bubble devices | |
| JPS6338795B2 (ja) | ||
| US4559617A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| US4507755A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| US3641523A (en) | Magnetic domain circulating shift register | |
| JPS5829192A (ja) | 磁気バブルメモリのレプリケ−トゲ−ト | |
| Asama et al. | Operation of 3µm bubble serial loop devices designed on single level masking |