JPH01217789A - 磁気バブル発生器 - Google Patents
磁気バブル発生器Info
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- JPH01217789A JPH01217789A JP63039388A JP3938888A JPH01217789A JP H01217789 A JPH01217789 A JP H01217789A JP 63039388 A JP63039388 A JP 63039388A JP 3938888 A JP3938888 A JP 3938888A JP H01217789 A JPH01217789 A JP H01217789A
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- conductor pattern
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はイオン打込み転送路を用いた磁気ノ（プルメモ
リ素子に係り、特にイオン打込み転送路と２層のコンダ
クタパターンで構成した磁気ノベブル発生器に係る。
リ素子に係り、特にイオン打込み転送路と２層のコンダ
クタパターンで構成した磁気ノベブル発生器に係る。
（従来の技術〕
イオン打込み転送路とコンダクタパターンとを用いて構
成した磁気バブル発生器については、たとえば「ベル
システム テクニカル ジャーナル、第５９巻、２号（
１９８０年）第２２９頁から第２５７頁（Ｔｈｅ Ｂａ
１ｌ Ｓｙｓｔａｗ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＪｏｕｒｎａ
ｌ、 Ｖｏｌ、５９ 、 Ｎｏ、２ （１９８０） 。
成した磁気バブル発生器については、たとえば「ベル
システム テクニカル ジャーナル、第５９巻、２号（
１９８０年）第２２９頁から第２５７頁（Ｔｈｅ Ｂａ
１ｌ Ｓｙｓｔａｗ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＪｏｕｒｎａ
ｌ、 Ｖｏｌ、５９ 、 Ｎｏ、２ （１９８０） 。
ｐｐ、２２９−２５７）Ｊにおいて論じられている。
第２図に示す様にイオン打込み転送路１上にＳｉ０，１
などの絶縁層を重ねその上にヘアピン型のコンダクタパ
ターン５を置く、ヘアピンコンダクタ５に１００〜２０
０ｍＡ程度の電流パルスを流してヘアピンコンダクタ５
の内側にバイアス磁界と逆向きの磁界を発生させる。こ
の磁界により、バブル磁性膜の磁化を極部的に反転させ
ることにより磁気バブルを発生させる。磁気バブルの発
生に必要な電流パルスの幅は１００〜２００ｎｓ程度で
ある。
などの絶縁層を重ねその上にヘアピン型のコンダクタパ
ターン５を置く、ヘアピンコンダクタ５に１００〜２０
０ｍＡ程度の電流パルスを流してヘアピンコンダクタ５
の内側にバイアス磁界と逆向きの磁界を発生させる。こ
の磁界により、バブル磁性膜の磁化を極部的に反転させ
ることにより磁気バブルを発生させる。磁気バブルの発
生に必要な電流パルスの幅は１００〜２００ｎｓ程度で
ある。
上記の従来技術によるイオン打込み転送路１とヘアピン
コンダクタ５を用いた発生器には同時に２個以上の磁気
バブルが発生する問題がある。第２図に示したヘアピン
コンダクタ５に電流パルスを印加するとヘアピンコンダ
クタ５の内側に沿って磁化が反転した領域が伸長する。
コンダクタ５を用いた発生器には同時に２個以上の磁気
バブルが発生する問題がある。第２図に示したヘアピン
コンダクタ５に電流パルスを印加するとヘアピンコンダ
クタ５の内側に沿って磁化が反転した領域が伸長する。
電流パルスが立下がると磁区は収縮し始め、数百ｎｓの
間に円形磁区に戻る。この動作の途中で磁区の一部が分
離するために２個以上の磁気バブルが発生する。
間に円形磁区に戻る。この動作の途中で磁区の一部が分
離するために２個以上の磁気バブルが発生する。
この現象はパーマロイ転送路とコンダクタパターンとを
組み合わせた発生器で生じることが、「アイ・イー・イ
ー・イー、トランザクション オンマグネティックス、
エムエージ−１５，ナンノ４−６、（１９７９年）第１
７１５頁から第１７１７頁（Ｔ ＥＥＥ、 ’Ｉ’ｒａ
ｎｓ、 Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 ＭＡＧ −１５、Ｎｏ
、６ （１９７９）ｐｐ、１７１５−１７１７）Ｊに記
載されている。
組み合わせた発生器で生じることが、「アイ・イー・イ
ー・イー、トランザクション オンマグネティックス、
エムエージ−１５，ナンノ４−６、（１９７９年）第１
７１５頁から第１７１７頁（Ｔ ＥＥＥ、 ’Ｉ’ｒａ
ｎｓ、 Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 ＭＡＧ −１５、Ｎｏ
、６ （１９７９）ｐｐ、１７１５−１７１７）Ｊに記
載されている。
パーマロイ転送路とヘアピンコンダクタとを用いる発生
器では電流パルスの立下り時間を１００〜４００ｎ ｓ
と大きくする・ことにより、伸長した磁区が収縮する時
に生じる誤動作を防止していた。
器では電流パルスの立下り時間を１００〜４００ｎ ｓ
と大きくする・ことにより、伸長した磁区が収縮する時
に生じる誤動作を防止していた。
この方法は直径が１．５μｍ以上の磁気バブルを用いる
場合には効果があったが、直径１μｍ程度のバブルを用
いる素子の発生器では立下り時間を大きくしても充分な
効果がない。この原因は以下の通りと考えられる。
場合には効果があったが、直径１μｍ程度のバブルを用
いる素子の発生器では立下り時間を大きくしても充分な
効果がない。この原因は以下の通りと考えられる。
バブル径が大きい場合には、バブルが発生した直後に磁
区１０は第５図（Ａ）の様に伸長する。
区１０は第５図（Ａ）の様に伸長する。
ヘアピンコンダクタのギャップ部の外側まで伸長した部
分が収縮する時に磁壁（磁区１０の境界）が波状になる
。さらに波状の部分の一部が分離して余分なバブルの発
生を引起こす。これに対しては電流パルスの立下り時間
を大きくすることにより、収縮時間を長くする方法が有
効であった。
分が収縮する時に磁壁（磁区１０の境界）が波状になる
。さらに波状の部分の一部が分離して余分なバブルの発
生を引起こす。これに対しては電流パルスの立下り時間
を大きくすることにより、収縮時間を長くする方法が有
効であった。
ところが同一のヘアピンコンダクタパターンを用いても
バブル径が小さい場合には、ヘアピンコンダクタのギャ
ップ内で発生したバブルはヘアピンの方向だけでなく、
これと直交する方向にも広がる。第５図（Ｂ）に示した
様に左右に波状に伸長する。このため、電流パルスを印
加してバブルが発生した直後に波状の磁壁が発生するこ
とになる。従ってパルス電流の立下り時間を１００〜４
００ｎｓと大きくしても、磁区１０が２個以上に分割す
る誤動作を防止できない。すなわち、ヘアピンコンダク
タに電流パルスを印加した時に、バイアス磁界と逆向き
の磁界パルスが発生する領域の幅がバブル径の３倍以上
あると、この様な波状の磁壁が発生し、バブルが２個以
上発生する誤動作を生じる。
バブル径が小さい場合には、ヘアピンコンダクタのギャ
ップ内で発生したバブルはヘアピンの方向だけでなく、
これと直交する方向にも広がる。第５図（Ｂ）に示した
様に左右に波状に伸長する。このため、電流パルスを印
加してバブルが発生した直後に波状の磁壁が発生するこ
とになる。従ってパルス電流の立下り時間を１００〜４
００ｎｓと大きくしても、磁区１０が２個以上に分割す
る誤動作を防止できない。すなわち、ヘアピンコンダク
タに電流パルスを印加した時に、バイアス磁界と逆向き
の磁界パルスが発生する領域の幅がバブル径の３倍以上
あると、この様な波状の磁壁が発生し、バブルが２個以
上発生する誤動作を生じる。
この問題を解決するには、ヘアピンコンダクタのパター
ンの幅およびギャップの幅をバブル径に比例して小さく
すればよい。すなわち磁界パルスが印加される領域の幅
を狭くすればよい。ところが、コンダクタのパターン幅
を狭くすると、パルス電流の印加によるコンダクタパタ
ーンのマイグレーションの影響が大きくなり、コンダク
タパターンの寿命が不充分となる。またギャップの輻を
狭くするのは、パターン形成の技術の点で震しい。
ンの幅およびギャップの幅をバブル径に比例して小さく
すればよい。すなわち磁界パルスが印加される領域の幅
を狭くすればよい。ところが、コンダクタのパターン幅
を狭くすると、パルス電流の印加によるコンダクタパタ
ーンのマイグレーションの影響が大きくなり、コンダク
タパターンの寿命が不充分となる。またギャップの輻を
狭くするのは、パターン形成の技術の点で震しい。
本発明の目的は、コンダクタパターンの幅、ギャップの
幅を小さくすることなく、２個以上のバブルが同時に発
生する誤動作が生じない磁気バブル発生器を提供するこ
とにある。
幅を小さくすることなく、２個以上のバブルが同時に発
生する誤動作が生じない磁気バブル発生器を提供するこ
とにある。
上記目的は、磁気バブル発生器をイオン打込み転送路と
、相互に絶縁された上・下２層のコンダクタパターンと
を用いて構成し、この上・下２層のコンダクタパターン
を共にヘアピン型とし、且つ、この２個のヘアピンコン
ダクタパターンのギャップの先端をイオン打込み転送路
のカスプ近傍に配置することによって達成される。
、相互に絶縁された上・下２層のコンダクタパターンと
を用いて構成し、この上・下２層のコンダクタパターン
を共にヘアピン型とし、且つ、この２個のヘアピンコン
ダクタパターンのギャップの先端をイオン打込み転送路
のカスプ近傍に配置することによって達成される。
上下２層のヘアピンコンダクタパターンのギャップ部に
、同じ方向の磁界パルス（バイアス磁界の方向と逆向き
の磁界パルス）が発生する様に電流振幅５０〜１００ｍ
Ａ、パルス幅１００〜２００ｎｓの電流パルスを印加す
る。上下２層のヘアピンコンダクタパターンのギャップ
の交叉部分では、２個のヘアピンコンダクタパターンが
発生する磁界パルスが同一方向であるので、一方のヘア
ピンコンダクタが発生する磁界パルスのほぼ２倍の振幅
を有する磁界パルスが発生する。このため、それぞれの
ヘアピンコンダクタパターンに流すパルス電流振幅は小
さくてすむ、また、ヘアピンコンダクタパターンのギャ
ップ部とヘアピンコンダクタパターンの外側とでは電流
パルスによって生じる磁界パルスの方向が逆となる。従
って。
、同じ方向の磁界パルス（バイアス磁界の方向と逆向き
の磁界パルス）が発生する様に電流振幅５０〜１００ｍ
Ａ、パルス幅１００〜２００ｎｓの電流パルスを印加す
る。上下２層のヘアピンコンダクタパターンのギャップ
の交叉部分では、２個のヘアピンコンダクタパターンが
発生する磁界パルスが同一方向であるので、一方のヘア
ピンコンダクタが発生する磁界パルスのほぼ２倍の振幅
を有する磁界パルスが発生する。このため、それぞれの
ヘアピンコンダクタパターンに流すパルス電流振幅は小
さくてすむ、また、ヘアピンコンダクタパターンのギャ
ップ部とヘアピンコンダクタパターンの外側とでは電流
パルスによって生じる磁界パルスの方向が逆となる。従
って。
２個のヘアピンコンダクタパターンのギャップが交叉す
る位置の周囲では電流パルスを印加する時に生じる磁界
パルスの振幅は、ギャップの交叉部分における磁界パル
スの振幅より低くなる。従ってバブルが発生する位置は
ギャップの交叉位置に限定される。また発生したバブル
の周囲の位置で、磁界パルスの振幅が大きい領域は狭い
、従って発生したバブルの伸長を防ぐことができ、伸長
したバブルが収縮する時に２個以上に分割する誤動作を
防止することができる。
る位置の周囲では電流パルスを印加する時に生じる磁界
パルスの振幅は、ギャップの交叉部分における磁界パル
スの振幅より低くなる。従ってバブルが発生する位置は
ギャップの交叉位置に限定される。また発生したバブル
の周囲の位置で、磁界パルスの振幅が大きい領域は狭い
、従って発生したバブルの伸長を防ぐことができ、伸長
したバブルが収縮する時に２個以上に分割する誤動作を
防止することができる。
実施例１゜
以下本発明の第一の実施例を第１図により説明する１図
において、イオン打込み転送路１は水素などのイオンを
打込んだイオン打込み領域２と。
において、イオン打込み転送路１は水素などのイオンを
打込んだイオン打込み領域２と。
非打込み領域３の境界に形成される。イオン打込み転送
路１のカスプ４の近傍にギャップの先端を有する第１層
のヘアピンコンダクタパターン５および同様にカスプ４
の近傍にギャップの先端と有する第２層のヘアピンコン
ダクタパターン６を配置する。ヘアピンパターン５のギ
ャップの方向とヘアピンパターン６のギャップの方向の
なす角θはほぼ１８０１とする。第−層のヘアピンコン
ダクタパターン５とバブル磁性膜との間には０．０５〜
０．４μｍの厚さのＳｉＯ２などにより形成した第一の
絶縁層を置く、第−層導体の上にＳ ｉ０２などにより
形成した厚さ０．１〜０．５μｍの第二の絶縁層を置く
、さらにこの上に第二層のヘアピンコンダクタパターン
６を形成する。第−層ヘアピンコンダクタパターンのギ
ャップおよび第二層ヘアピンコンダクタパターンのギャ
ップが重る部分はイオン打込み転送路のカスプ４の近傍
に配置する。ヘアピンコンダクタパターン５の左側の部
分とヘアピンコンダクタパターン６の左側の部分をスル
ーホール（図示省略）により接続して才９き、ヘアピン
コンダクタパターン６の右側がらヘアピンコンダクタパ
ターンの右側に向かって電流パルスを印加する時に第１
図のＡ−Ａ’の線上に発生する磁界パルスの振幅は第４
図に示す様になる。ヘアピンコンダクタパターン５で発
生する磁界パルスの振幅は第４図の曲線８．ヘアピンコ
ンダクタパターン６で発生する磁界パルスの振幅は第４
図の曲線７９両方のヘアピンコンダクタパターンで発生
する磁界を合成すると曲線９となる。二層のヘアピンコ
ンダクタパターンを用いる場合には、−層のヘアピンコ
ンダクタパターンだけを用いる場合よりも同じ印加電流
パルスによって発生する磁界パルスの振幅が大きいため
、（発生するパルス磁界はギャップ内で負の値とする。
路１のカスプ４の近傍にギャップの先端を有する第１層
のヘアピンコンダクタパターン５および同様にカスプ４
の近傍にギャップの先端と有する第２層のヘアピンコン
ダクタパターン６を配置する。ヘアピンパターン５のギ
ャップの方向とヘアピンパターン６のギャップの方向の
なす角θはほぼ１８０１とする。第−層のヘアピンコン
ダクタパターン５とバブル磁性膜との間には０．０５〜
０．４μｍの厚さのＳｉＯ２などにより形成した第一の
絶縁層を置く、第−層導体の上にＳ ｉ０２などにより
形成した厚さ０．１〜０．５μｍの第二の絶縁層を置く
、さらにこの上に第二層のヘアピンコンダクタパターン
６を形成する。第−層ヘアピンコンダクタパターンのギ
ャップおよび第二層ヘアピンコンダクタパターンのギャ
ップが重る部分はイオン打込み転送路のカスプ４の近傍
に配置する。ヘアピンコンダクタパターン５の左側の部
分とヘアピンコンダクタパターン６の左側の部分をスル
ーホール（図示省略）により接続して才９き、ヘアピン
コンダクタパターン６の右側がらヘアピンコンダクタパ
ターンの右側に向かって電流パルスを印加する時に第１
図のＡ−Ａ’の線上に発生する磁界パルスの振幅は第４
図に示す様になる。ヘアピンコンダクタパターン５で発
生する磁界パルスの振幅は第４図の曲線８．ヘアピンコ
ンダクタパターン６で発生する磁界パルスの振幅は第４
図の曲線７９両方のヘアピンコンダクタパターンで発生
する磁界を合成すると曲線９となる。二層のヘアピンコ
ンダクタパターンを用いる場合には、−層のヘアピンコ
ンダクタパターンだけを用いる場合よりも同じ印加電流
パルスによって発生する磁界パルスの振幅が大きいため
、（発生するパルス磁界はギャップ内で負の値とする。
）小さな電流パルスでバブルを発生できる。また。
バブルの発生は磁界パルスの絶対値が最も大きい位置で
生じる。生じたバブルは近接した位置の磁界パルスの大
きさが、バブルが発生するのに必要な磁界パルスの振幅
の６０〜７０％程度の所まで伸長する。−層のヘアピン
コンダクタパターンだけを用いた場合にはヘアピン部全
体にわたって伸長するのに対して２層のヘアピンコンダ
クタパターンを用いた場合には、伸長するのは２層のヘ
アピンコンダクタパターンのギャップが重なりあった部
分の近傍に限定される。伸長する長さは１７５〜１／１
０と小さくできる。この結果、伸長したバブルが収縮す
る時にその一部分が分割して２個以上のバブルが同時に
発生する誤動作を防止できる。
生じる。生じたバブルは近接した位置の磁界パルスの大
きさが、バブルが発生するのに必要な磁界パルスの振幅
の６０〜７０％程度の所まで伸長する。−層のヘアピン
コンダクタパターンだけを用いた場合にはヘアピン部全
体にわたって伸長するのに対して２層のヘアピンコンダ
クタパターンを用いた場合には、伸長するのは２層のヘ
アピンコンダクタパターンのギャップが重なりあった部
分の近傍に限定される。伸長する長さは１７５〜１／１
０と小さくできる。この結果、伸長したバブルが収縮す
る時にその一部分が分割して２個以上のバブルが同時に
発生する誤動作を防止できる。
実施例２゜
以下本発明の第２の実施例を第３図を用いて説明する０
本実施例においては、実施例１と同様にイオン打込み転
送路１のカスプ４近傍にギャップの先端を有する第１層
のヘアピンコンダクタパターン５および第２層のヘアピ
ンコンダクタパターン６とを配置する。また、第−層の
ヘアピンコンダクタパターン５および第２層のヘアピン
コンダクタパターン６および磁性膜、第一絶縁層、第二
絶縁層の関係も実施例１と同様である。異るのは２個の
ヘアピンコンダクタパターン５．６の位置関係である。
本実施例においては、実施例１と同様にイオン打込み転
送路１のカスプ４近傍にギャップの先端を有する第１層
のヘアピンコンダクタパターン５および第２層のヘアピ
ンコンダクタパターン６とを配置する。また、第−層の
ヘアピンコンダクタパターン５および第２層のヘアピン
コンダクタパターン６および磁性膜、第一絶縁層、第二
絶縁層の関係も実施例１と同様である。異るのは２個の
ヘアピンコンダクタパターン５．６の位置関係である。
実施例１では、ヘアピンコンダクタパターン５，６のギ
ャップのなす角θをほぼｔｓｏ’にしたのに対して、本
実施例ではθの値を６０〜１２０°の範囲とした。また
、ヘアピンコンダクタパターン５，６のギャップの方向
は近接して配置されるイオン打込み転送路１のイオン打
込み領域２と非打込み領域３の境界にほぼ沿う方向とし
た。本実施例において、ヘアピンコンダクタパターン５
，６が発生する磁界パルスの強い領域を狭くする効果は
第１の実施例と同様である６さらに発生したバブルが伸
長する場所をイオン打込み領域２と非打込み領域３の境
界の近傍に限定することができる。この結果１発生した
バブルが伸長しても、収縮する時にイオン打込み境界に
発生する吸引磁極の影響により磁区の境界が波状になる
のを防止する効果が強められる。
ャップのなす角θをほぼｔｓｏ’にしたのに対して、本
実施例ではθの値を６０〜１２０°の範囲とした。また
、ヘアピンコンダクタパターン５，６のギャップの方向
は近接して配置されるイオン打込み転送路１のイオン打
込み領域２と非打込み領域３の境界にほぼ沿う方向とし
た。本実施例において、ヘアピンコンダクタパターン５
，６が発生する磁界パルスの強い領域を狭くする効果は
第１の実施例と同様である６さらに発生したバブルが伸
長する場所をイオン打込み領域２と非打込み領域３の境
界の近傍に限定することができる。この結果１発生した
バブルが伸長しても、収縮する時にイオン打込み境界に
発生する吸引磁極の影響により磁区の境界が波状になる
のを防止する効果が強められる。
実施例３゜
以下本発明の第３の実施例を第６図を用いて説明する。
本実施例においては、実施例１と同様にイオン打込み転
送路１のカスプ４近傍にギャップの先端を有する第１層
のヘアピンコンダクタパターン５および第２層のヘアピ
ンコンタクタパターン６とを配置する。また、第１層の
ヘアピンコンダクタパターン５および第２層のヘアピン
コンダクタパターン６および磁性膜、第１絶縁層、第２
絶縁層の関係も実施例１と同様である。異なるのは、２
個のヘアピンコンダクタパターンとイオン打込み転送路
１との位置関係である。実施例１では、２個のヘアピン
コンダクタパターンのギャップの方向とイオン打込み転
送路１とのなす角が約９０＠であったのに対して、本実
施例では約０″′である。第１層のヘアピンコンダクタ
パターン５と第２層のヘアピンコンダクタパターン６と
を電気的に結合するために、第２絶縁層にスルーホール
７を設けた。このような構造の発生器においては、ヘア
ピンコンダクタパターンのギャップ位置がカスプ４のイ
オン打込み転送路境界でふさが九でいる。イオン打込み
転送路境界にはバブルの伸長を妨げるポテンシャルバリ
アが存在するので、第４図に示した磁界分布９にこのバ
リアが重畳され１発生した磁気バブルの伸長をさらに狭
い部分に限定できる。実施例１においては、ギャップ方
向の一方（第１図の下方向）に対しては、バブル径の２
〜３倍程度まで磁区が伸長する。この結果、電流振幅を
大きくすると２個に分割する誤動作が生じる。これに対
して、本実施例の発生器では、発生したバブルの伸長を
抑制する効果が大きいので、電流振幅マージンを実施例
１の場合より約３０％広げることができた。
送路１のカスプ４近傍にギャップの先端を有する第１層
のヘアピンコンダクタパターン５および第２層のヘアピ
ンコンタクタパターン６とを配置する。また、第１層の
ヘアピンコンダクタパターン５および第２層のヘアピン
コンダクタパターン６および磁性膜、第１絶縁層、第２
絶縁層の関係も実施例１と同様である。異なるのは、２
個のヘアピンコンダクタパターンとイオン打込み転送路
１との位置関係である。実施例１では、２個のヘアピン
コンダクタパターンのギャップの方向とイオン打込み転
送路１とのなす角が約９０＠であったのに対して、本実
施例では約０″′である。第１層のヘアピンコンダクタ
パターン５と第２層のヘアピンコンダクタパターン６と
を電気的に結合するために、第２絶縁層にスルーホール
７を設けた。このような構造の発生器においては、ヘア
ピンコンダクタパターンのギャップ位置がカスプ４のイ
オン打込み転送路境界でふさが九でいる。イオン打込み
転送路境界にはバブルの伸長を妨げるポテンシャルバリ
アが存在するので、第４図に示した磁界分布９にこのバ
リアが重畳され１発生した磁気バブルの伸長をさらに狭
い部分に限定できる。実施例１においては、ギャップ方
向の一方（第１図の下方向）に対しては、バブル径の２
〜３倍程度まで磁区が伸長する。この結果、電流振幅を
大きくすると２個に分割する誤動作が生じる。これに対
して、本実施例の発生器では、発生したバブルの伸長を
抑制する効果が大きいので、電流振幅マージンを実施例
１の場合より約３０％広げることができた。
本発明によれば、イオン打込み転送路と２層のヘアピン
コンダクタパターンを用いた発生器を用いることにより
、発生したバブルが伸長する長さを充分に小さくするこ
とができる。この結果、バブル径が１．５μｍ以下の場
合においても１発生したバブルが伸長して２個に分割す
る誤動作を防止することができる。従来の１層のヘアピ
ンコンタクタパターンを用いた発生器では発生器電流パ
ルスの振幅マージンが１２０ｍＡ〜１４０ｍＡであった
のに対して、振幅マージンを８０ ｍ Ａ〜１５０ｍＡ
と３倍以上に拡大することができる。
コンダクタパターンを用いた発生器を用いることにより
、発生したバブルが伸長する長さを充分に小さくするこ
とができる。この結果、バブル径が１．５μｍ以下の場
合においても１発生したバブルが伸長して２個に分割す
る誤動作を防止することができる。従来の１層のヘアピ
ンコンタクタパターンを用いた発生器では発生器電流パ
ルスの振幅マージンが１２０ｍＡ〜１４０ｍＡであった
のに対して、振幅マージンを８０ ｍ Ａ〜１５０ｍＡ
と３倍以上に拡大することができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は従来
の発生器を示す図、第３図は本発明の第２の実施例を示
す図、第４図は本発明の発生器のヘアピンコンダクタパ
ターンが発生する磁界パルスの分布を示す図、第５図は
発生器におけるバブルの伸長の状態を示す図、第６図は
本発明の第３の実施例を示す図である。 １・・・イオン打込み転送路、２・・・イオン打込み領
域、３・・・非打込み領域、４・・・カスプ、５・・・
第−層ヘアピンコンダクタパターン、６・・・第二層ヘ
アピンコンダクタパターン、７・・・スルーホール。 第３目
の発生器を示す図、第３図は本発明の第２の実施例を示
す図、第４図は本発明の発生器のヘアピンコンダクタパ
ターンが発生する磁界パルスの分布を示す図、第５図は
発生器におけるバブルの伸長の状態を示す図、第６図は
本発明の第３の実施例を示す図である。 １・・・イオン打込み転送路、２・・・イオン打込み領
域、３・・・非打込み領域、４・・・カスプ、５・・・
第−層ヘアピンコンダクタパターン、６・・・第二層ヘ
アピンコンダクタパターン、７・・・スルーホール。 第３目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン打込み転送路と、相互に絶縁された上・下２
層のコンダクタパターンとを用いて構成し、該上・下２
層のコンダクタパターンが共にヘアピン型であり、且つ
、該２個のヘアピンコンダクタパターンのギャップの先
端をイオン打込み転送路のカスプ近傍に配置したことを
特徴とする磁気バブル発生器。 ２、請求項１記載の磁気バブル発生器を有することを特
徴とする磁気バブル素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039388A JPH01217789A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 磁気バブル発生器 |
| US07/308,081 US5014239A (en) | 1988-02-24 | 1989-02-09 | Magnetic bubble generator using plural conductors with common current source |
| FR898902353A FR2627619B1 (fr) | 1988-02-24 | 1989-02-23 | Generateur de bulles magnetiques et dispositif a bulles magnetiques contenant un tel generateur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039388A JPH01217789A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 磁気バブル発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217789A true JPH01217789A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12551623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63039388A Pending JPH01217789A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 磁気バブル発生器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5014239A (ja) |
| JP (1) | JPH01217789A (ja) |
| FR (1) | FR2627619B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5564038A (en) * | 1994-05-20 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for providing a trial period for a software license product using a date stamp and designated test period |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143485A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Nec Corp | 磁気バブル発生器 |
| JPS58166586A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-01 | Fujitsu Ltd | イオン注入磁気バブルデバイス |
| FR2562706B1 (fr) * | 1984-04-05 | 1987-12-18 | Commissariat Energie Atomique | Duplicateur dans une memoire a bulles a motifs non implantes, procede pour la mise en oeuvre dudit duplicateur et memoire a bulles de type serie-parallele comportant au moins un desdits duplicateurs |
| JPS62262293A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Hitachi Ltd | 磁気バブル装置 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63039388A patent/JPH01217789A/ja active Pending
-
1989
- 1989-02-09 US US07/308,081 patent/US5014239A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-23 FR FR898902353A patent/FR2627619B1/fr not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2627619B1 (fr) | 1992-11-27 |
| US5014239A (en) | 1991-05-07 |
| FR2627619A1 (fr) | 1989-08-25 |
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