JPS60229295A - 磁気バブル発生器 - Google Patents
磁気バブル発生器Info
- Publication number
- JPS60229295A JPS60229295A JP7095685A JP7095685A JPS60229295A JP S60229295 A JPS60229295 A JP S60229295A JP 7095685 A JP7095685 A JP 7095685A JP 7095685 A JP7095685 A JP 7095685A JP S60229295 A JPS60229295 A JP S60229295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- bubbles
- transfer path
- magnetic bubble
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気バブルメモリ素子における磁気バブル発
生器、とくに、イオン打込みによって磁気バブルの転送
路を形成する素子(コンティギエアス・ディスク素子)
に好適な磁気バブル発生器に関するものである。
生器、とくに、イオン打込みによって磁気バブルの転送
路を形成する素子(コンティギエアス・ディスク素子)
に好適な磁気バブル発生器に関するものである。
なお、磁気バブル発生器に関しては、特開昭48−10
2935号公報に記載さnている。
2935号公報に記載さnている。
従来、磁気バブルメモリ素子における磁気バブル発生器
では、磁気バブルの存在し得る磁性ガーネット膜上にヘ
アピン状のコンダクタパターンヲ形成し、このコンダク
タにパルス電流を流してヘアピン部内側(コンダクタギ
ヤ、グ)に強い局所磁界を与えること罠よって磁気バブ
ルを発生させていた。イオン打込み素子においては、第
1図に示すように、ヘアピンコンダクタ4を磁性ガーネ
ット膜の面内(112>方向に沿って形成し、発生した
磁気バブルを転送させるメジャーライン1を(110>
方向に沿って形成することによって動作させていfc(
図中、黒丸は磁気バブルを、矢印は磁気バブルの転送方
向を表わしている。)。
では、磁気バブルの存在し得る磁性ガーネット膜上にヘ
アピン状のコンダクタパターンヲ形成し、このコンダク
タにパルス電流を流してヘアピン部内側(コンダクタギ
ヤ、グ)に強い局所磁界を与えること罠よって磁気バブ
ルを発生させていた。イオン打込み素子においては、第
1図に示すように、ヘアピンコンダクタ4を磁性ガーネ
ット膜の面内(112>方向に沿って形成し、発生した
磁気バブルを転送させるメジャーライン1を(110>
方向に沿って形成することによって動作させていfc(
図中、黒丸は磁気バブルを、矢印は磁気バブルの転送方
向を表わしている。)。
このような従来の磁気バブル発生器においても、ある条
件下では十分に動作することが確かめられている。しか
し、磁気バブルを発生させるため、ヘアピンコンダクタ
4に流すパルスの条件を変えることなく、広い動作温度
範囲を得るためには、磁気バブル発生器の動作マージン
を拡大することが必要である。とくに、上述のヘアピン
型の磁気バブル発生器では、ヘアピンコンダクタ4に流
すパルスの高さや幅を大きくすると余分な磁気バブルが
発生しやすくなり、その結果、誤動作を引き起していた
。
件下では十分に動作することが確かめられている。しか
し、磁気バブルを発生させるため、ヘアピンコンダクタ
4に流すパルスの条件を変えることなく、広い動作温度
範囲を得るためには、磁気バブル発生器の動作マージン
を拡大することが必要である。とくに、上述のヘアピン
型の磁気バブル発生器では、ヘアピンコンダクタ4に流
すパルスの高さや幅を大きくすると余分な磁気バブルが
発生しやすくなり、その結果、誤動作を引き起していた
。
したがって、本発明の目的は、余分に発生した磁気パズ
ルが磁気バブル転送路に入りこむことを防止してその動
作マージンを拡大した磁気バブル発生器を提供すること
にある。
ルが磁気バブル転送路に入りこむことを防止してその動
作マージンを拡大した磁気バブル発生器を提供すること
にある。
余分な磁気バブルが湧く原因は、パルス電流の印加時に
ヘアピン・コンダクタの内側(コンダクタギャップ)に
沿って伸長したへび状磁区が、パルス電流を切った直後
に縮んでバブル磁区(磁気バブル)になるとき、二つ以
上に分裂するためであることが最近の研究によってわか
ってきた。したがって、上記目的の達成のためには、分
裂して残さf′した余分な磁気バブルが磁気バブル転送
路に到達しないようKすればよいことKなる。そのため
に、本発明ではヘアピンコンダクタのコンダクタギャッ
プ開口部近傍にマージ回路を設けて磁気バブル発生器を
構成したことを特徴としている。
ヘアピン・コンダクタの内側(コンダクタギャップ)に
沿って伸長したへび状磁区が、パルス電流を切った直後
に縮んでバブル磁区(磁気バブル)になるとき、二つ以
上に分裂するためであることが最近の研究によってわか
ってきた。したがって、上記目的の達成のためには、分
裂して残さf′した余分な磁気バブルが磁気バブル転送
路に到達しないようKすればよいことKなる。そのため
に、本発明ではヘアピンコンダクタのコンダクタギャッ
プ開口部近傍にマージ回路を設けて磁気バブル発生器を
構成したことを特徴としている。
かかる本発明の特徴的な構成により、コンダクタギャッ
プ開口部近傍内部で発生した余分な磁気バブルはマージ
回路によっては外部にはき出さn。
プ開口部近傍内部で発生した余分な磁気バブルはマージ
回路によっては外部にはき出さn。
かつ、外部で発生した余分な磁気バブルはマージ回路に
よって内部に入nないようになる。その結果、動作マー
ジンが非常に広い磁気バブル発生器を提供できるように
なる。
よって内部に入nないようになる。その結果、動作マー
ジンが非常に広い磁気バブル発生器を提供できるように
なる。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。第2
図は、本発明による磁気バブル発生器を説明するために
示した磁気バブル発生器の模式図(平面図)である。図
中、白ぬきの部分1.2は磁性ガーネット膜中にイオン
打込みを施してない領域(ただし、異常磁気バブル抑制
用のイオン打込みは有り)、3は磁気バブルが存在し得
るイオン打込み領域、4はヘアピン・コンダクタを各々
示す。通常、コンダクタ4にパルス電流を印加して磁気
バブルをヘアピンコンダクタ4のコーナ部に発生させる
と、この磁気バブルは回転磁界HRにより、メジャーラ
インlに沿って転送さnる。
図は、本発明による磁気バブル発生器を説明するために
示した磁気バブル発生器の模式図(平面図)である。図
中、白ぬきの部分1.2は磁性ガーネット膜中にイオン
打込みを施してない領域(ただし、異常磁気バブル抑制
用のイオン打込みは有り)、3は磁気バブルが存在し得
るイオン打込み領域、4はヘアピン・コンダクタを各々
示す。通常、コンダクタ4にパルス電流を印加して磁気
バブルをヘアピンコンダクタ4のコーナ部に発生させる
と、この磁気バブルは回転磁界HRにより、メジャーラ
インlに沿って転送さnる。
しかし、パルス条件や磁気バブルメモリ素子温度がある
範囲を越えるとヘアピンコンダクタ4の開口部に5や6
で示したような余分な磁気バブルが生じる。従来の余分
な磁気バブルの運動は不定であるが、回転磁気HRによ
ってヘアピンコンダクタ4の内部を動き、メジャーライ
ン1に達することが多いと考えらnている。そこで本実
施例においては、このような余分な磁気バブル5.6が
発生しやすいコンダクタ4の開口部近傍に、いわゆるマ
ージ型バブル転送路(マージ回路と略す)2を設ケタこ
とが特徴である。ここで、マージ回路2とは2人、2B
で示したような非イオン打込み領域からなる磁気バブル
転送路が、結晶方位<110>に沿って配置さn、かつ
、転送路2人、2B間の距離gが磁気バブルの直径dに
対してg=d〜1.5dの関係にある複合転送路のこと
である。m3図は、このようなマージ回路における磁気
バブルの動きを説明するために示したものである。磁気
バブル7は回転磁界によって転送路Aと転送路Bとのギ
ャップを、あたかもギャップが無いと同様に転送するの
に対して、転送路B上の磁気バブル8は、転送路A、B
間のギャップを通って転送路BK&って転送するもので
ある。
範囲を越えるとヘアピンコンダクタ4の開口部に5や6
で示したような余分な磁気バブルが生じる。従来の余分
な磁気バブルの運動は不定であるが、回転磁気HRによ
ってヘアピンコンダクタ4の内部を動き、メジャーライ
ン1に達することが多いと考えらnている。そこで本実
施例においては、このような余分な磁気バブル5.6が
発生しやすいコンダクタ4の開口部近傍に、いわゆるマ
ージ型バブル転送路(マージ回路と略す)2を設ケタこ
とが特徴である。ここで、マージ回路2とは2人、2B
で示したような非イオン打込み領域からなる磁気バブル
転送路が、結晶方位<110>に沿って配置さn、かつ
、転送路2人、2B間の距離gが磁気バブルの直径dに
対してg=d〜1.5dの関係にある複合転送路のこと
である。m3図は、このようなマージ回路における磁気
バブルの動きを説明するために示したものである。磁気
バブル7は回転磁界によって転送路Aと転送路Bとのギ
ャップを、あたかもギャップが無いと同様に転送するの
に対して、転送路B上の磁気バブル8は、転送路A、B
間のギャップを通って転送路BK&って転送するもので
ある。
ここで第2図に戻ると、マージ回路2近傍に湧いた磁気
バブル5.6のうち、ヘアピン側にある磁気バブル6は
、マージ回路2のギャップから外側へはき出され、一方
、マージ回路2の外側で湧いfca気バブル5は、ギャ
ップから中に入ることは出きない。すなわち、上記のよ
うに余分な磁気バフル5.6が湧きやすいヘアピンコン
ダクタ4の開口部近傍にマージ回路2を設けることによ
って、この余分な磁気バブル5.6に起因する磁気バブ
ルメモリ素子の誤動作を防止することができるようにな
った。
バブル5.6のうち、ヘアピン側にある磁気バブル6は
、マージ回路2のギャップから外側へはき出され、一方
、マージ回路2の外側で湧いfca気バブル5は、ギャ
ップから中に入ることは出きない。すなわち、上記のよ
うに余分な磁気バフル5.6が湧きやすいヘアピンコン
ダクタ4の開口部近傍にマージ回路2を設けることによ
って、この余分な磁気バブル5.6に起因する磁気バブ
ルメモリ素子の誤動作を防止することができるようにな
った。
尚、このマージ回路2はイオン打込み素子の場合、磁気
バブル転送路を作成するマスク上の一部に形成す1′L
Fiよく、磁気バブルメモリ素子の作製の工程数は何ら
増えない。
バブル転送路を作成するマスク上の一部に形成す1′L
Fiよく、磁気バブルメモリ素子の作製の工程数は何ら
増えない。
また、上述した本発明による磁気バブル発生器は従来の
パーマロイ転送路を主体とした磁気バブルメモリ素子圧
おける磁気バブル発生器にも適用可能である。
パーマロイ転送路を主体とした磁気バブルメモリ素子圧
おける磁気バブル発生器にも適用可能である。
以上述べた如く、本発明によって余分な磁気バブルが主
転送路に入り込むことを防止したヘアピンコンダクタ型
磁気バブル発生器が提供可能となり、その結果、このよ
うな磁気バブル発生器はその動作マージンを著しく向上
できるようになった。
転送路に入り込むことを防止したヘアピンコンダクタ型
磁気バブル発生器が提供可能となり、その結果、このよ
うな磁気バブル発生器はその動作マージンを著しく向上
できるようになった。
第1図は、従来のヘアピンコンダクタ型の磁気バブル発
生器の構成図、第2図は、本発明の実施例であるマージ
型磁気バブル転送路を具備した磁気バブル発生器の構成
図、第3図は、第2図に示したマージン型磁気バブル転
送路の動作を説明するための説明図である。 図中IVi磁気バブルの転送するメジャーライン(非イ
オン打込み領域)、2はマージ型転送路(非イオン打込
み領域)、3はバブルが存在し得るイオン打込み領域、
4はヘアピン型コンダクタ、5.6Viコンダクタ内部
に湧いた部分の磁気バブルを示す。 S ノ m
生器の構成図、第2図は、本発明の実施例であるマージ
型磁気バブル転送路を具備した磁気バブル発生器の構成
図、第3図は、第2図に示したマージン型磁気バブル転
送路の動作を説明するための説明図である。 図中IVi磁気バブルの転送するメジャーライン(非イ
オン打込み領域)、2はマージ型転送路(非イオン打込
み領域)、3はバブルが存在し得るイオン打込み領域、
4はヘアピン型コンダクタ、5.6Viコンダクタ内部
に湧いた部分の磁気バブルを示す。 S ノ m
Claims (1)
- 1、ヘアピン型コンダクタにパルス電流を流すことによ
って磁気バブルを発生させる磁気バブル発生器において
、上記ヘアピン型コンダクタの開口部近傍にイオン打込
みによってマージ型磁気バブル転送路を設けてなること
t−特徴とする磁気バブル発生器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7095685A JPS60229295A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気バブル発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7095685A JPS60229295A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気バブル発生器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60229295A true JPS60229295A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13446473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7095685A Pending JPS60229295A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気バブル発生器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60229295A (ja) |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7095685A patent/JPS60229295A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60229295A (ja) | 磁気バブル発生器 | |
KR20050096666A (ko) | 2파장 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 | |
JPS62298080A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
JPH0376088A (ja) | イオン打込み磁気バブルメモリ素子 | |
JPS6120956B2 (ja) | ||
JPS5910596B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPS5911987B2 (ja) | 磁気バブル発生器 | |
JPS62239492A (ja) | 磁気バブルスワツプゲ−ト | |
JPH01159885A (ja) | バブル磁区検出器 | |
JPS62137792A (ja) | 磁気バブル発生器 | |
JPH03260990A (ja) | 磁気バブル装置 | |
JPS5982692A (ja) | 磁気バブル素子 | |
JPH0196892A (ja) | 磁気バブル素子 | |
JPH03272084A (ja) | イオン打込み方式転送路を備えた磁気バブル素子 | |
JPH01105385A (ja) | イオン注入バブルデバイス用バブル発生器 | |
JPS62204492A (ja) | 磁気バブル発生器 | |
JPS62109286A (ja) | イオン注入磁気バブル素子の駆動方法 | |
JPH02312093A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
JPH0646503B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
JPS63152191A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
JPS6032197A (ja) | 磁気バブル素子 | |
JPS6245631B2 (ja) | ||
JPS6116092A (ja) | バブル磁区制御装置 | |
JPS61230321A (ja) | 荷電粒子線描画方法 | |
JPS6275994A (ja) | 複合型磁気バブル装置 |