JPS6330716B2 - - Google Patents
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- JPS6330716B2 JPS6330716B2 JP549381A JP549381A JPS6330716B2 JP S6330716 B2 JPS6330716 B2 JP S6330716B2 JP 549381 A JP549381 A JP 549381A JP 549381 A JP549381 A JP 549381A JP S6330716 B2 JPS6330716 B2 JP S6330716B2
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- pattern
- transfer
- bubble
- magnetization axis
- axis
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- Expired
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 38
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 31
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバブル磁区（以下単にバブルと称す）
素子に関する。
素子に関する。
従来、バブル素子にはバブル保持層の上に軟磁
性体パターンを互いに間隙を設けて面内磁場回転
によりバブルを転送させる方式が採用されてき
た。しかし、前記のパターンの間隙は、バブル密
度の低下、バブルの高速度転送に対する障害そし
てパターン微細加工の限界という点で好ましくな
かつた。
性体パターンを互いに間隙を設けて面内磁場回転
によりバブルを転送させる方式が採用されてき
た。しかし、前記のパターンの間隙は、バブル密
度の低下、バブルの高速度転送に対する障害そし
てパターン微細加工の限界という点で好ましくな
かつた。
これに対し、米国特許第3828329号公報に無間
隙のパターンを用いてバブルを転送させる素子が
提示され、最近急速に開発が進められてきた。そ
こではパターンはイオン注入法で形成されてい
る。その素子は転送パターンが円に連らねた形状
であつたことから、その後に開発された形状のも
のも含めてコンテイギユアス・デイスク（以下
CDと称す）素子と言われている。
隙のパターンを用いてバブルを転送させる素子が
提示され、最近急速に開発が進められてきた。そ
こではパターンはイオン注入法で形成されてい
る。その素子は転送パターンが円に連らねた形状
であつたことから、その後に開発された形状のも
のも含めてコンテイギユアス・デイスク（以下
CDと称す）素子と言われている。
このCD素子では、バブル保持層の上に面内磁
化層を設け、その面内磁化層内に磁荷壁
（Charged wall）を発生させてバブルを転送させ
る。この面内磁化層は通常結晶異方性をもつため
CD素子は、アイ・イー・イー・イー・トランザ
クシヨンズ・オン・マグネテイクス（IEEE
Trans.Magn.）第Mag−15巻（1979年）第1323
頁（以下文献という）に記載されているように、
転送路の結晶面方位により転送が異なる特徴をも
つ。特に、面内の磁化困難軸と垂直でかつ磁化困
難軸側の転送路はバツド（bad）トラツク、逆側
の転送路はスーパー（super）トラツク、磁化困
難軸と平行な転送路はグツド（good）トラツク
とそれぞれ呼ばれ、バブル転送はバツドトラツク
で最も悪く、スーパートラツクで最も良いことが
知られている。CD素子では、グツドトラツク、
スーパートラツクが主に使われているが、バツド
トラツクでの転送特性の悪さがCD素子を機能さ
せるときの障害になつている。
化層を設け、その面内磁化層内に磁荷壁
（Charged wall）を発生させてバブルを転送させ
る。この面内磁化層は通常結晶異方性をもつため
CD素子は、アイ・イー・イー・イー・トランザ
クシヨンズ・オン・マグネテイクス（IEEE
Trans.Magn.）第Mag−15巻（1979年）第1323
頁（以下文献という）に記載されているように、
転送路の結晶面方位により転送が異なる特徴をも
つ。特に、面内の磁化困難軸と垂直でかつ磁化困
難軸側の転送路はバツド（bad）トラツク、逆側
の転送路はスーパー（super）トラツク、磁化困
難軸と平行な転送路はグツド（good）トラツク
とそれぞれ呼ばれ、バブル転送はバツドトラツク
で最も悪く、スーパートラツクで最も良いことが
知られている。CD素子では、グツドトラツク、
スーパートラツクが主に使われているが、バツド
トラツクでの転送特性の悪さがCD素子を機能さ
せるときの障害になつている。
バツドトラツクの転送の改善の試みは、前記文
献のルーフトツプ（roof−top）パターンの例が
ある。しかしルーフトツプパターンは第１図の様
に小さいパターン要素１１と大きいパターン要素
１２とが交互に配列されているため機能部構成の
設計が難かしい点、また大きいパターン１２で転
送エラーが多い点など、難点が残されている。し
かし乍ら、現状では、それ以上の有効な改善策は
末だ知られていない。
献のルーフトツプ（roof−top）パターンの例が
ある。しかしルーフトツプパターンは第１図の様
に小さいパターン要素１１と大きいパターン要素
１２とが交互に配列されているため機能部構成の
設計が難かしい点、また大きいパターン１２で転
送エラーが多い点など、難点が残されている。し
かし乍ら、現状では、それ以上の有効な改善策は
末だ知られていない。
本発明は、バツドトラツクの従来の転送パター
ンの難点を解決し、バブル転送特性を改善したパ
ターン形状をもつCD素子を提供することを目的
とする。
ンの難点を解決し、バブル転送特性を改善したパ
ターン形状をもつCD素子を提供することを目的
とする。
本発明によれば、バブル保持層の上に面内磁化
層を設けて転送パターンを形成し、面内磁化層の
磁荷壁によりバブルをパターンに沿つて転送させ
るCD素子において、面内の磁化困難軸と垂直で
かつ磁化困難軸側の転送路はパターン要素が隙間
なく周期的に連結され、かつ、その各パターン要
素の２個の立ち上り部の一方が磁化困難軸とほぼ
平行に、他方の立ち上り部が磁化困難軸と45〜70
度の角度をもつように形成されているバブル素子
が得られる。
層を設けて転送パターンを形成し、面内磁化層の
磁荷壁によりバブルをパターンに沿つて転送させ
るCD素子において、面内の磁化困難軸と垂直で
かつ磁化困難軸側の転送路はパターン要素が隙間
なく周期的に連結され、かつ、その各パターン要
素の２個の立ち上り部の一方が磁化困難軸とほぼ
平行に、他方の立ち上り部が磁化困難軸と45〜70
度の角度をもつように形成されているバブル素子
が得られる。
以下、本発明について実施例をもつて詳細に説
明する。
明する。
実施例 １
第２図は本発明の転送パターンの一例を示す。
ここで、第２図右隅の円のまわりの黒丸方向２
１，２２，２３は磁化困難軸を示す。第２図の様
に磁化困難軸２１と垂直で、かつ、軸２１側の転
送路（バツドトラツク）は、その転送路のパター
ン要素の一方の立ち上り部が困難軸２１とほぼ平
行に、他の立ち上り部が磁化困難軸２１と約60度
の角度をもつように形成され、かつ、そのパター
ン要素がパターン周期Ｐで間隙なしに設けられて
いる。
ここで、第２図右隅の円のまわりの黒丸方向２
１，２２，２３は磁化困難軸を示す。第２図の様
に磁化困難軸２１と垂直で、かつ、軸２１側の転
送路（バツドトラツク）は、その転送路のパター
ン要素の一方の立ち上り部が困難軸２１とほぼ平
行に、他の立ち上り部が磁化困難軸２１と約60度
の角度をもつように形成され、かつ、そのパター
ン要素がパターン周期Ｐで間隙なしに設けられて
いる。
この転送路でのバブル転送実験には、
Gd3Ga5O12（111）単結晶基板上に、厚さ約0.8μ
ｍ、ストライプ幅約1.0μｍ、飽和磁化約700ガウ
スの（SmLuBiCa）3（FeGe）5C12ガーネツトから
なるバブル保持層を用いた。本実施例では、更
に、（GdSmTmCa）3（FeGe）5O12ガーネツトから
なる厚さ約0.4μｍ、飽和磁化約590ガウス、Ｑ値
約1.7のドライブ層を用いた。この上にHe+イオ
ンを100KeVで５×1015／cm2注入しCD素子を形成
した。
Gd3Ga5O12（111）単結晶基板上に、厚さ約0.8μ
ｍ、ストライプ幅約1.0μｍ、飽和磁化約700ガウ
スの（SmLuBiCa）3（FeGe）5C12ガーネツトから
なるバブル保持層を用いた。本実施例では、更
に、（GdSmTmCa）3（FeGe）5O12ガーネツトから
なる厚さ約0.4μｍ、飽和磁化約590ガウス、Ｑ値
約1.7のドライブ層を用いた。この上にHe+イオ
ンを100KeVで５×1015／cm2注入しCD素子を形成
した。
本実施例の4μｍ周期パターンの準静的単純転
送マージンを第３図実線３１に示す。第３図で
Hrは面内回転磁場、Hzはバイアス磁場を表わす。
第３図破線３２は、比較のため、第１図のルーフ
トツプパターンの結果を示したものである。また
通常の円を連らねた4μｍ周期パターンのマージ
ンは破線３２より劣つていた。第３図示したよう
にバツドトラツクのバブル転送マージンは本実施
例パターン（第２図）において、従来の円を連ら
ねたパターン、更には第１図の様なルーフトツプ
パターンに比べ、著しく転送改善効果があつた。
送マージンを第３図実線３１に示す。第３図で
Hrは面内回転磁場、Hzはバイアス磁場を表わす。
第３図破線３２は、比較のため、第１図のルーフ
トツプパターンの結果を示したものである。また
通常の円を連らねた4μｍ周期パターンのマージ
ンは破線３２より劣つていた。第３図示したよう
にバツドトラツクのバブル転送マージンは本実施
例パターン（第２図）において、従来の円を連ら
ねたパターン、更には第１図の様なルーフトツプ
パターンに比べ、著しく転送改善効果があつた。
実施例 ２
実施例１と比べて、パターン要素の磁化困難軸
２１と平行でない方の立ち上り部が磁化困難軸と
なす角を45度と小さくした第４図の場合、その準
静的単純転送マージンは実施例１に比べて狭くは
なつたが、従来のルーフトツプパターンと同程度
の転送マージンが得られた。本実施例は転送マー
ジンがルーフトツプパターンと同程度であつて
も、同じパターン要素の繰り返しである点で製作
が容易になる利点がある。
２１と平行でない方の立ち上り部が磁化困難軸と
なす角を45度と小さくした第４図の場合、その準
静的単純転送マージンは実施例１に比べて狭くは
なつたが、従来のルーフトツプパターンと同程度
の転送マージンが得られた。本実施例は転送マー
ジンがルーフトツプパターンと同程度であつて
も、同じパターン要素の繰り返しである点で製作
が容易になる利点がある。
実施例 ３
実施例１と比べてパターン要素の磁化困難軸２
１と平行でない方の立ち上り部が磁化困難軸とな
す角を70度と大きくした第５図の場合、その準静
的単純転送マージンは実施例１と同程度になつ
た。
１と平行でない方の立ち上り部が磁化困難軸とな
す角を70度と大きくした第５図の場合、その準静
的単純転送マージンは実施例１と同程度になつ
た。
実施例 ４
実施例１と比べて、パターン要素の一方の立ち
上り部が磁化困難軸２１となす角が60度である点
は同じであるが、他方の立ち上り部は磁化困難軸
２１と平行ではなく約10度をなす第６図の場合に
も、その準静的単純転送マージンは実施例１のも
のと同程度になつた。
上り部が磁化困難軸２１となす角が60度である点
は同じであるが、他方の立ち上り部は磁化困難軸
２１と平行ではなく約10度をなす第６図の場合に
も、その準静的単純転送マージンは実施例１のも
のと同程度になつた。
以上、本発明によればCD素子のバツドトラツ
クにおける従来のパターンの難点を減らし、転送
特性の改善を図ることが出来、CD素子を機能さ
せる上での効果が大きい。なお、パターン形成に
より、パターンは丸味を帯びるが、本発明のパタ
ーン形状は勿論この種の丸味を帯びたパターン形
状も含む。
クにおける従来のパターンの難点を減らし、転送
特性の改善を図ることが出来、CD素子を機能さ
せる上での効果が大きい。なお、パターン形成に
より、パターンは丸味を帯びるが、本発明のパタ
ーン形状は勿論この種の丸味を帯びたパターン形
状も含む。
第１図はバツドトラツク転送改善のための従来
のルーフトツプパターンを示す図、第２，４，
５，６図はそれぞれ本発明の実施例を示す転送パ
ターンを示す図、第３図は実施例１でのバブルの
準静的単純転送マージンを示す図である。 図において、１１と１２はループトツプパター
ンのパターン要素、２１，２２，２３は磁化困難
軸の３方向、３１は実施例１の転送マージン、３
２は従来のルーフトツプパターンの転送マージン
を表わす。
のルーフトツプパターンを示す図、第２，４，
５，６図はそれぞれ本発明の実施例を示す転送パ
ターンを示す図、第３図は実施例１でのバブルの
準静的単純転送マージンを示す図である。 図において、１１と１２はループトツプパター
ンのパターン要素、２１，２２，２３は磁化困難
軸の３方向、３１は実施例１の転送マージン、３
２は従来のルーフトツプパターンの転送マージン
を表わす。
Claims (1)
- １ バブル磁区保持層の上に面内磁化層を設けて
転送パターンを形成し、面内磁化層の磁荷壁によ
りバブル磁区をパターンに沿つて転送させるコン
テイギユアス・デイスク・バブル磁区素子におい
て、面内の磁化困難軸と垂直でかつ磁化困難軸側
の転送路はパターン要素が隙間なく周期的に連結
され、かつ、その各パターン要素の２個の立ち上
り部の一方が前記磁化困難軸とほぼ平行に、他方
の立ち上り部が前記磁化困難軸と45〜70度の角度
をもつように形成されていることを特徴とするバ
ブル磁区素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP549381A JPS57120289A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Bubble magnetic domain element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP549381A JPS57120289A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Bubble magnetic domain element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57120289A JPS57120289A (en) | 1982-07-27 |
| JPS6330716B2 true JPS6330716B2 (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=11612758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP549381A Granted JPS57120289A (en) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | Bubble magnetic domain element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57120289A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826386A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-16 | Nec Corp | バブル磁区素子 |
-
1981
- 1981-01-16 JP JP549381A patent/JPS57120289A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57120289A (en) | 1982-07-27 |
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