JPS613387A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS613387A JPS613387A JP59121838A JP12183884A JPS613387A JP S613387 A JPS613387 A JP S613387A JP 59121838 A JP59121838 A JP 59121838A JP 12183884 A JP12183884 A JP 12183884A JP S613387 A JPS613387 A JP S613387A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- magnetic
- transfer
- magnetic field
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に係わシ、特に磁気バブ
ル転送路の直線転送部を構成する基本構成要素パターン
の構造に関するものである。
ル転送路の直線転送部を構成する基本構成要素パターン
の構造に関するものである。
一般に磁気バブル転送回路としては、例えばオルソフェ
ライトやガーネットからなる磁性薄膜上にパーマロイ等
の微細パターンを形成し、当該パターン面内を回転する
面内磁界を加えることにより当該パター／を磁化するフ
ィールドアクセス方式が例えば特開昭５１−１１５７４
０号公報などに論じられている。
ライトやガーネットからなる磁性薄膜上にパーマロイ等
の微細パターンを形成し、当該パターン面内を回転する
面内磁界を加えることにより当該パター／を磁化するフ
ィールドアクセス方式が例えば特開昭５１−１１５７４
０号公報などに論じられている。
第１図はこの種の磁気バブル転送回路の一例を示す要部
拡大平面図である。同図において、１ａ。
拡大平面図である。同図において、１ａ。
ｉｂ、ｉｃ、１ｄ、Ｉｅは磁気バブルを転送させる転送
パターン、２ａ、２ｂ、２ｅ、２ｄ、２ｅは各転送パタ
ーｙ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅに磁気バブルを転入
させる入力側脚部、３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｄ、３ｅ、は
各転送パターン１ａ、Ｉｂ、１ｃ、１ｄ、ｌｅから磁気
バブルを転出させる出力側脚部、４ａ、４ｂ、４ｅ、４
ｄ、４ｅは各転送パター７１ ＆ 、 １ ｂ 、 １
ｃ 、 １ ｄ 、 １ ｅの入力側胴体部、５ａ、
５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ Ｆｉその出力側胴体部、６は
各転送バク−ｙｌａ、ｌｂ、１ｃ、ｌｄ、１ｅを多数個
所定間隔を介してループ状に配列してなる磁気パズル転
送路、７１Ｌ＋ＴｂｒＴｃ＋７’＋７８Ｆｉ、各転送パ
ター７１ａ、１ｂ、１ｅ、Ｉｄ、Ｉｅ上を転送される磁
気バブル、８は各磁気バブル７ ｍ 、 ７ ｂ 、
７ ｃ 、 ７ ｄ 。
パターン、２ａ、２ｂ、２ｅ、２ｄ、２ｅは各転送パタ
ーｙ１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅに磁気バブルを転入
させる入力側脚部、３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｄ、３ｅ、は
各転送パターン１ａ、Ｉｂ、１ｃ、１ｄ、ｌｅから磁気
バブルを転出させる出力側脚部、４ａ、４ｂ、４ｅ、４
ｄ、４ｅは各転送パター７１ ＆ 、 １ ｂ 、 １
ｃ 、 １ ｄ 、 １ ｅの入力側胴体部、５ａ、
５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ Ｆｉその出力側胴体部、６は
各転送バク−ｙｌａ、ｌｂ、１ｃ、ｌｄ、１ｅを多数個
所定間隔を介してループ状に配列してなる磁気パズル転
送路、７１Ｌ＋ＴｂｒＴｃ＋７’＋７８Ｆｉ、各転送パ
ター７１ａ、１ｂ、１ｅ、Ｉｄ、Ｉｅ上を転送される磁
気バブル、８は各磁気バブル７ ｍ 、 ７ ｂ 、
７ ｃ 、 ７ ｄ 。
７ｅを駆動させる回転磁界Ｈ１ｌの軌跡、９は回転磁界
Ｈ１の回転方向、１０は各磁気バブル７１，７ｂ。
Ｈ１の回転方向、１０は各磁気バブル７１，７ｂ。
ＩＣ１γｄ、γｅの転送方向、１１Ｆｉ磁気バブル転送
路６の面に平行に印加されたホールド磁界である。
路６の面に平行に印加されたホールド磁界である。
このような構成において、回転磁界Ｈ１が除去された場
合には、磁気バブル７ｍ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅはホ
ールド磁界１１によって、転送パターン１ａ。
合には、磁気バブル７ｍ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅはホ
ールド磁界１１によって、転送パターン１ａ。
１ｂ、１ｃの入力側胴体部４ａ、４ｂ、４ｃおよび転送
パターン１ｄ、１ｅの出力側胴体部５ｄ、Ｓｓ に引き
つけられて保持される。
パターン１ｄ、１ｅの出力側胴体部５ｄ、Ｓｓ に引き
つけられて保持される。
しかしながら、このような転送路を構成する転送パター
ン１ａ、ｌｂ、’ｉｃ、１ｄ、１ｓは、その出力側胴体
部５ｄ、５ｅのパターン幅Ｗ１と、入力側胴体部４ｍ、
４ｂ、４ｅのパターン幅ｗ２との差によシ、出力側胴体
部５ｄ、５ｅのポテンシャルウェルの深さと入力側胴体
部わｔ、４ｂ、４ｃのポテンシャルウェルの深さとに差
が生じる。このため、両者の間にバイアス磁界マージン
のアンバランスが生じるという問題があった。
ン１ａ、ｌｂ、’ｉｃ、１ｄ、１ｓは、その出力側胴体
部５ｄ、５ｅのパターン幅Ｗ１と、入力側胴体部４ｍ、
４ｂ、４ｅのパターン幅ｗ２との差によシ、出力側胴体
部５ｄ、５ｅのポテンシャルウェルの深さと入力側胴体
部わｔ、４ｂ、４ｃのポテンシャルウェルの深さとに差
が生じる。このため、両者の間にバイアス磁界マージン
のアンバランスが生じるという問題があった。
したがって本発明は前述した問題に鑑みてなされたもの
であシ、その目的とするところは、バイアス磁界マージ
ンのアンバランスを低減させ、大きなバイアス磁界マー
ジンが得られる磁気バブルメモリ素子を提供することに
ある。
であシ、その目的とするところは、バイアス磁界マージ
ンのアンバランスを低減させ、大きなバイアス磁界マー
ジンが得られる磁気バブルメモリ素子を提供することに
ある。
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリ素子は、磁気バブルな転入させる入力側脚部と
、転出させる出力側脚部とを有する磁気バブル転送パタ
ーンを、各脚部を対向させて周期的に配列して構成する
磁気バブル転送路において、前記転送パターンの入力側
胴体部のパターン幅をＷ２、出力側胴体部のパターン幅
をＷｌとしたとき、０．６≦Ｗ１／Ｗ２≦１．０の関係
を満たす磁気バブル転送パターンによシ磁気バブル転送
路を構成したものである。
ルメモリ素子は、磁気バブルな転入させる入力側脚部と
、転出させる出力側脚部とを有する磁気バブル転送パタ
ーンを、各脚部を対向させて周期的に配列して構成する
磁気バブル転送路において、前記転送パターンの入力側
胴体部のパターン幅をＷ２、出力側胴体部のパターン幅
をＷｌとしたとき、０．６≦Ｗ１／Ｗ２≦１．０の関係
を満たす磁気バブル転送パターンによシ磁気バブル転送
路を構成したものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一例を示
す磁気バブル転送路の要部拡大平面図であり、第１図と
同一部分は同一゛符号を付す。同図において、磁気バブ
ル転送路６を構成する各磁気バブル転送パターン１ 、
／ 、 １ ｂ／、 Ｉ Ｃ／ 、 １ａ／ 、 １
、／は、その入力側胴体部４ｍ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４
ｅのパターン幅をｗ２ 、その出力側胴体部５ａ、５ｂ
、５ｃ、５ｄ。
す磁気バブル転送路の要部拡大平面図であり、第１図と
同一部分は同一゛符号を付す。同図において、磁気バブ
ル転送路６を構成する各磁気バブル転送パターン１ 、
／ 、 １ ｂ／、 Ｉ Ｃ／ 、 １ａ／ 、 １
、／は、その入力側胴体部４ｍ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４
ｅのパターン幅をｗ２ 、その出力側胴体部５ａ、５ｂ
、５ｃ、５ｄ。
５Ｃのパターン幅をＷｌとしたとき、パターン幅Ｗ１と
Ｗ２とが０．６＜Ｗ＋／Ｗｔ≦１．０の関係を満足して
形成されている。
Ｗ２とが０．６＜Ｗ＋／Ｗｔ≦１．０の関係を満足して
形成されている。
このような磁気パズル転送パターン１１′、１ｂ′。
１ ｃ′、１ 、ＩＺ １ 、／を採用することによシ
、回転磁界Ｈ１が除去された場合に各磁気バブル７ｍ、
７ｂ、７ｃ 。
、回転磁界Ｈ１が除去された場合に各磁気バブル７ｍ、
７ｂ、７ｃ 。
７ｄ、７ｓが引き付けられる入力側胴体部わ１４ｂ。
４ｃのポテンシャルウェルの深さと、その出力側胴体ｓ
ｓ ａ 、 ｓ ｅのポテンシャルウェルの深さとの
差が小さくなることによシ、磁気バブル転送パターン１
ｍ’ 、 １ ｂ’、 １ ｅ’のバイアス磁界マー
ジンと、磁気バブル転送パターン１ ｄ’、 １ ｅ’
のバイアス識界マージンとのアンバランスが低減され、
大きなバイアス磁界マージンを得ることができた。
ｓ ａ 、 ｓ ｅのポテンシャルウェルの深さとの
差が小さくなることによシ、磁気バブル転送パターン１
ｍ’ 、 １ ｂ’、 １ ｅ’のバイアス磁界マー
ジンと、磁気バブル転送パターン１ ｄ’、 １ ｅ’
のバイアス識界マージンとのアンバランスが低減され、
大きなバイアス磁界マージンを得ることができた。
第３図は第２図で説明した転送パターン胴体部のパター
ン幅比Ｗ１／Ｗ２を種々変化させた場合における磁気バ
ブル転送パターンｌ ａ’、 ｉ ｂ’、 ｌ ｃ’と
転送パターン１ ｄ’、 １・′とのバイアス磁界マー
ジンのアンバランス量の測定結果を示したものである。
ン幅比Ｗ１／Ｗ２を種々変化させた場合における磁気バ
ブル転送パターンｌ ａ’、 ｉ ｂ’、 ｌ ｃ’と
転送パターン１ ｄ’、 １・′とのバイアス磁界マー
ジンのアンバランス量の測定結果を示したものである。
同図から明らかなようにパターン幅比Ｗ１／Ｗ２を０．
６以上とすることにより、バイアス磁界マージンのアン
バランス量を約４０ｅ以下に、またＷ、／Ｗ２を０．６
５以上とすることにより、約２０ｅ以トに低減でき、き
らにＷＩＡｌ、を１．０とすることによυ、そのアンバ
ランス量を零とすることができた。
６以上とすることにより、バイアス磁界マージンのアン
バランス量を約４０ｅ以下に、またＷ、／Ｗ２を０．６
５以上とすることにより、約２０ｅ以トに低減でき、き
らにＷＩＡｌ、を１．０とすることによυ、そのアンバ
ランス量を零とすることができた。
以上説明したように本発明によれば、磁気バブル転送パ
ターンにおけるバイアス磁界マージンのアンバランス量
を低減できるので、大きなバイアス磁界マージンが得ら
れるという極めて仔れた効果を有する。
ターンにおけるバイアス磁界マージンのアンバランス量
を低減できるので、大きなバイアス磁界マージンが得ら
れるという極めて仔れた効果を有する。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子の磁気バプル転送
路の一例を示す要部拡大平面図、第２図は本発明による
磁気バブルメモリ素子の一例を示す磁気バブル転送路の
要部拡大平面図、第３図は磁気バブル転送路のバイアス
磁界マージンのアンバランス量の測定結果を示す図であ
る。 １ ａ／ 、 １ ｂ／ 、 １ ｃ／ 、 １ ｄ／
、 １ ｅ／ 、・・−磁気バブル転送パターン、２
ａ、２ｂ、２ｅ、２ｄ、２＠ｓ ＊ ｅ ｅ入力側脚部
、３ ’ 、３ ｂｒ ３ ｃ ＋ ３ ｄ ＋ ３
ｅ ・＊ ＊ 町出力側脚部、４ｇ、４ｂ、４ｃ、４ｄ
、４＠ ｅ ＃ ＩＩ ＠入力側胴体部、５ｍ、５ｈ、
５ｃ、５ｄ、５ｅａ ｅ ＊ ｅ出力側胴体部、６＠ｓ
ｅｅ磁気バブル転送路、７ ａ ＋ ７ ｂ！ ７ ｃ
＋ ７ ｄ＋７０ ・・・・磁気バブル、８・・・・回
転磁界ＨＲの軌跡、９・・・・回転磁界ＨＲの回転方向
、１゜・・・・磁気バブル転送方向、１１・・・・ホー
第１図 第２図 ６−Ｈヒ〜６ 第３図 Ｗ＋／ｗ２
路の一例を示す要部拡大平面図、第２図は本発明による
磁気バブルメモリ素子の一例を示す磁気バブル転送路の
要部拡大平面図、第３図は磁気バブル転送路のバイアス
磁界マージンのアンバランス量の測定結果を示す図であ
る。 １ ａ／ 、 １ ｂ／ 、 １ ｃ／ 、 １ ｄ／
、 １ ｅ／ 、・・−磁気バブル転送パターン、２
ａ、２ｂ、２ｅ、２ｄ、２＠ｓ ＊ ｅ ｅ入力側脚部
、３ ’ 、３ ｂｒ ３ ｃ ＋ ３ ｄ ＋ ３
ｅ ・＊ ＊ 町出力側脚部、４ｇ、４ｂ、４ｃ、４ｄ
、４＠ ｅ ＃ ＩＩ ＠入力側胴体部、５ｍ、５ｈ、
５ｃ、５ｄ、５ｅａ ｅ ＊ ｅ出力側胴体部、６＠ｓ
ｅｅ磁気バブル転送路、７ ａ ＋ ７ ｂ！ ７ ｃ
＋ ７ ｄ＋７０ ・・・・磁気バブル、８・・・・回
転磁界ＨＲの軌跡、９・・・・回転磁界ＨＲの回転方向
、１゜・・・・磁気バブル転送方向、１１・・・・ホー
第１図 第２図 ６−Ｈヒ〜６ 第３図 Ｗ＋／ｗ２
Claims (1)
- 磁気バブルを転入する入力側脚部と転出する出力側脚部
とを有する磁気バブル転送パターンを、各脚部を対向さ
せて複数個周期的に配列して形成される磁気バブル転送
路を備えた磁気バブルメモリ素子において、前記転送パ
ターンを、その入力側脚部の胴体部のパターン幅をＷ＿
２、その出力側脚部の胴体部のパターン幅をＷ＿１とす
るとき、０．６≦Ｗ＿１／Ｗ＿２≦１．０の関係を有し
て磁気バブル転送路を構成したことを特徴とする磁気バ
ブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59121838A JPS613387A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59121838A JPS613387A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613387A true JPS613387A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14821180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59121838A Pending JPS613387A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613387A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108086A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル転送回路 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59121838A patent/JPS613387A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108086A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル転送回路 |
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