JPS5948187A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS5948187A JPS5948187A JP57157475A JP15747582A JPS5948187A JP S5948187 A JPS5948187 A JP S5948187A JP 57157475 A JP57157475 A JP 57157475A JP 15747582 A JP15747582 A JP 15747582A JP S5948187 A JPS5948187 A JP S5948187A
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- Japan
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- recording medium
- naphthoquinone
- colorant
- recording
- medium
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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-
- G—PHYSICS
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｔよし・−ザ）Ｙ；によって情ｖ１４を記録再生
することのできるブＣ学記録媒体に関し、さらに詳しく
は半導体レーザの発振波長の光エネルギーにより物置状
態の変化を利用して記録を行う光学記Ｑθす。
することのできるブＣ学記録媒体に関し、さらに詳しく
は半導体レーザの発振波長の光エネルギーにより物置状
態の変化を利用して記録を行う光学記Ｑθす。
体に関する。
従来、この種の光学記録媒体としてＩｌｌ ｅ合金。
Ｔｅ酸化物、バブル形成媒体及び有機色素等が用いられ
ていた。
ていた。
Ｔｅ合金ｔよ、Ｔｅと半導体１例え１ｊＡＳ、Ｈｅ等の
固溶合金として用いられている。このａｌｌ、体は、比
較的書き込み感度が高く、又記録再生の）Ｙ、学系を小
型にし得る半導体レーザにも適合するが、化学的に不安
定でおり、空気中放置で容易に劣化することと、構成材
料（Ｔｅ、Ａｓ、８ｅ等）が前件を示すという問題点が
ある。
固溶合金として用いられている。このａｌｌ、体は、比
較的書き込み感度が高く、又記録再生の）Ｙ、学系を小
型にし得る半導体レーザにも適合するが、化学的に不安
定でおり、空気中放置で容易に劣化することと、構成材
料（Ｔｅ、Ａｓ、８ｅ等）が前件を示すという問題点が
ある。
Ｔｅ酸化物は、 Ｔｅ合金よシ安定であるが、その光学
特性２例えば吸収率９反射率がＰ化状態に敏感に依存す
る。そのため、この媒体はＳ体形成時に酸化状態′５Ｃ
厳しく制御しなければならないという欠点を有する。
特性２例えば吸収率９反射率がＰ化状態に敏感に依存す
る。そのため、この媒体はＳ体形成時に酸化状態′５Ｃ
厳しく制御しなければならないという欠点を有する。
バブル形成媒体は２反射層、透過摘、吸収層から成る層
４１り造であり、繰り返し反射干渉により尤の吸収率を
的めｌＩ４１感度化を図っている。しだかっ）て、この
媒体は現在量も篩感度な媒体の一つであるが、多層４？
￥造のため成膜回数が多いことと、繰り返し反射干渉が
竹屑の厚さに大きく依任するため、成膜時の膜厚制御を
厳しく行なわなければならないという欠点がある。
４１り造であり、繰り返し反射干渉により尤の吸収率を
的めｌＩ４１感度化を図っている。しだかっ）て、この
媒体は現在量も篩感度な媒体の一つであるが、多層４？
￥造のため成膜回数が多いことと、繰り返し反射干渉が
竹屑の厚さに大きく依任するため、成膜時の膜厚制御を
厳しく行なわなければならないという欠点がある。
一方、有機色素媒体は種々の形態で開発されている。そ
れらを大別すると色素単体型と色素１ｆｃ商分子樹脂中
に溶剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体
はたとえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されてい
るように、高分子樹）１１１であるポリビニールアセテ
ートに色素としてポリエステルイエローを溶剤で相溶し
２回転塗布法で基板」二に形成される。この媒体は、比
較的短波長領域（４００〜５００ ｎｍ）に吸収？ｉ：
示すが、半導体レーザの波長域（〜８００ ｎｍ ）で
けはとんど吸収が無く、半導体レーザを使用する記録装
置の媒体としては使用することができない。又、一般に
相溶型の礁体は、媒体形成法が溶媒塗布に限られ、基板
に樹脂を使用する場合は、樹脂を溶解しｉい溶剤を選択
しなければならないという制約がある。一方２色素単体
型の媒体としては、たとえばスクアリリウム色素を蒸漸
法で形成する媒体が特開昭５６−４６２２１号に商示さ
れｔいる。この色素は半導体し・−ザの発振波長である
近赤外波長領域に比較的大きな吸収かめるが、記録感度
はｒ１＋ ｅ合金よりも悲い。
れらを大別すると色素単体型と色素１ｆｃ商分子樹脂中
に溶剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体
はたとえば特開昭５５−１６１６９０号に開示されてい
るように、高分子樹）１１１であるポリビニールアセテ
ートに色素としてポリエステルイエローを溶剤で相溶し
２回転塗布法で基板」二に形成される。この媒体は、比
較的短波長領域（４００〜５００ ｎｍ）に吸収？ｉ：
示すが、半導体レーザの波長域（〜８００ ｎｍ ）で
けはとんど吸収が無く、半導体レーザを使用する記録装
置の媒体としては使用することができない。又、一般に
相溶型の礁体は、媒体形成法が溶媒塗布に限られ、基板
に樹脂を使用する場合は、樹脂を溶解しｉい溶剤を選択
しなければならないという制約がある。一方２色素単体
型の媒体としては、たとえばスクアリリウム色素を蒸漸
法で形成する媒体が特開昭５６−４６２２１号に商示さ
れｔいる。この色素は半導体し・−ザの発振波長である
近赤外波長領域に比較的大きな吸収かめるが、記録感度
はｒ１＋ ｅ合金よりも悲い。
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、半導
体レーザの波長領域において高感度で化学的に安定な光
記録媒体を提供することである。
体レーザの波長領域において高感度で化学的に安定な光
記録媒体を提供することである。
すなわち本発明は、基板の片側または両側に記録層を設
け、情報をレーザ光線によってｉ【〕録し。
け、情報をレーザ光線によってｉ【〕録し。
かつ読み取る光学記録媒体において、前記記録層として
（式中几はＯＨ，ＮＩＪ、２ 、ＮＨＸ又はＮＸ２を表
わし。
わし。
（ｆｔ、’）ｎ）よアルコキシル基？七表わす。（ここ
で又はアルギル基（／−表わす。））で表わされるナフ
トキノン色素を主成分とする有機薄膜を形成したことを
ｉ時機とする。
で又はアルギル基（／−表わす。））で表わされるナフ
トキノン色素を主成分とする有機薄膜を形成したことを
ｉ時機とする。
Ｊ： ｔｉｒ２の−ＡＲ式で表わされるナフトキノン色
素は。
素は。
２．３−ジシアノ−１，４−ナツトキノ／と総称され、
５．８１ｑの助色団の椎病により゛【吸収ヒークｒＩｌ
長が可視領域から近赤外領域に変化する。上記例示した
助色団はどれも近赤外領域に吸収ピーク波長があるが、
上記一般式中の１もとしてＮ１１２を伺加した化合物が
半導体レーザの発振波長と峡も良く適合し、さらに（ｌ
も＋）ｎをアルコギシル基としたものが他の諸状件に対
して最も好ましいものである。
５．８１ｑの助色団の椎病により゛【吸収ヒークｒＩｌ
長が可視領域から近赤外領域に変化する。上記例示した
助色団はどれも近赤外領域に吸収ピーク波長があるが、
上記一般式中の１もとしてＮ１１２を伺加した化合物が
半導体レーザの発振波長と峡も良く適合し、さらに（ｌ
も＋）ｎをアルコギシル基としたものが他の諸状件に対
して最も好ましいものである。
（Ｊ（、：Ｈ３
で表わされる５−アミノ−２，３−ジシアノ−８−〔（
４−メトキシ）フヱニルアミノ）−１，４＝ナフトキノ
ンをアセトン溶剤中で測定１．７た場合。
４−メトキシ）フヱニルアミノ）−１，４＝ナフトキノ
ンをアセトン溶剤中で測定１．７た場合。
この１！！、累のスベク）・ルの吸収極大波長λｍａｘ
ｔＪニア７０ｎｒｎ であり、半導体レーザの発振波
長と良く遊合することが判る。前記ナフトキノン色素化
合物は、比較的高温、島湿の環境条件でも安尻であり、
Ｔｅ合伸のような空気中酸化による劣化は示さ々い。こ
のことは、保ｆｉ膜無（７で長期間の使用に船ることを
意味する。又この化合物は、一般の有機色素とＩＷ様に
低い熱伝導率を有しており。
ｔＪニア７０ｎｒｎ であり、半導体レーザの発振波
長と良く遊合することが判る。前記ナフトキノン色素化
合物は、比較的高温、島湿の環境条件でも安尻であり、
Ｔｅ合伸のような空気中酸化による劣化は示さ々い。こ
のことは、保ｆｉ膜無（７で長期間の使用に船ることを
意味する。又この化合物は、一般の有機色素とＩＷ様に
低い熱伝導率を有しており。
その値は金島の１−〜・−ニーである。、１．たがって
、し１０ １００ 一ザ光記録時の媒体中での熱の拡散が少なくなり。
、し１０ １００ 一ザ光記録時の媒体中での熱の拡散が少なくなり。
光照射部の媒体温度を効率良く高めることがでへる。
記録媒体は、上記ナフトキノン色素を蒸着又は溶剤塗布
法によシ基板の片面又は両面に付着して形成される。基
板材料としては種々のものが使用できるが、一般にはガ
ラス、Ａｌ、合成樹脂が望ましい。
法によシ基板の片面又は両面に付着して形成される。基
板材料としては種々のものが使用できるが、一般にはガ
ラス、Ａｌ、合成樹脂が望ましい。
合成樹脂としてはポリメチルメタクリル（ＰＭＭＡ）。
ポリビニールクロライド（１’ＶＣ）、 ポリサルホ
ン。
ン。
ポリカーボネート等がある。基板形状は円板形状。
デープ形状、シート形状が適用できる。
ｉｋ版板上形成されたナツトキノン色素膜に坐導体し−
リ゛光全レンズで収光して照射すると、照射部の色素Ｉ
１１が除去されて孔が形成される。この孔形成の＋ｈ％
４ｔｉｔはす１］確ではないが、蒸発（＃ｆ華）をと
もなう融解凝集に因ると考えられる。形成される孔の大
きさは、レーザ光の収光径、レーザパワー。
リ゛光全レンズで収光して照射すると、照射部の色素Ｉ
１１が除去されて孔が形成される。この孔形成の＋ｈ％
４ｔｉｔはす１］確ではないが、蒸発（＃ｆ華）をと
もなう融解凝集に因ると考えられる。形成される孔の大
きさは、レーザ光の収光径、レーザパワー。
照射時間に依存するが、大体０．２〜３μｍであること
が望ましい。このような孔形成に磨機なレーザエネルギ
ーは小さなものであシ、シたがつて、短時間で孔形成が
可能である。具体的には、波長８３０ ｎｍのＡｌＧａ
Ａ３半導体レーザ光をビーム径１．４μｍに収光した場
合１色素膜面上でのパワーは２〜１０ｍＷ、照射時間は
５０〜３００ ｎ５ｅｃの範囲で孔を形成することがで
きる。当然のことながら。
が望ましい。このような孔形成に磨機なレーザエネルギ
ーは小さなものであシ、シたがつて、短時間で孔形成が
可能である。具体的には、波長８３０ ｎｍのＡｌＧａ
Ａ３半導体レーザ光をビーム径１．４μｍに収光した場
合１色素膜面上でのパワーは２〜１０ｍＷ、照射時間は
５０〜３００ ｎ５ｅｃの範囲で孔を形成することがで
きる。当然のことながら。
」二記パワー、あるいは照射時間の上限値以上の条件で
も孔に形成することができるが、上記条件は望ましい使
用条件である。情報の記録は、２進情報を孔の有無に対
応させてることによりなされる。
も孔に形成することができるが、上記条件は望ましい使
用条件である。情報の記録は、２進情報を孔の有無に対
応させてることによりなされる。
通常円板状媒体を等速回転させて、記録情報に合わせて
孔を形成して情報を記録する。なお２以上の場合におい
て色素膜の膜厚は０．０１〜０．５μｍで。
孔を形成して情報を記録する。なお２以上の場合におい
て色素膜の膜厚は０．０１〜０．５μｍで。
好適には０．０２〜０．２μｍである。
このように記録された情報（孔）の読み出しは。
媒体からの反射光又は透過光の光量変化を検出すること
によりなされる。一般に反射光を検出する方法が採用さ
れる。これは１反射光検出の方がＸ：学系が簡単になる
ためである。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能で
あるためである。読み出しはレーザ光を連続させて照射
する。その時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない
弱いエネルギーに設定され９通常記録時の光量の・１〜
人であ５ １．０ る。
によりなされる。一般に反射光を検出する方法が採用さ
れる。これは１反射光検出の方がＸ：学系が簡単になる
ためである。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能で
あるためである。読み出しはレーザ光を連続させて照射
する。その時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない
弱いエネルギーに設定され９通常記録時の光量の・１〜
人であ５ １．０ る。
記録、再生時の光の入射方向として、媒体面（ｆｕｌｌ
と基板面側の２通９がある。本例の如き単層媒体では両
方向の配置とも使用可能である。基板面ｆＩｌｌｌ入射
では、媒体面上に付着した塵埃に影響されることなく記
録、再生がｉＴ［能であり、より望ましい形ｐ）〕であ
る。な卦、媒体が形成されている面の反対側の、ＩＩＭ
而」−に付着したｐ〉（埃及びその面のギズ等の欠陥ｒ
、１′、、基板厚さが１開以上であれば、その間でのビ
ーム径がプ１″、分大きいので記録、再生に悪Ｌｔ；
３ｉ：、ｌ）全与えない。
と基板面側の２通９がある。本例の如き単層媒体では両
方向の配置とも使用可能である。基板面ｆＩｌｌｌ入射
では、媒体面上に付着した塵埃に影響されることなく記
録、再生がｉＴ［能であり、より望ましい形ｐ）〕であ
る。な卦、媒体が形成されている面の反対側の、ＩＩＭ
而」−に付着したｐ〉（埃及びその面のギズ等の欠陥ｒ
、１′、、基板厚さが１開以上であれば、その間でのビ
ーム径がプ１″、分大きいので記録、再生に悪Ｌｔ；
３ｉ：、ｌ）全与えない。
情報は孔列として記録される。孔列は一般に同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックな形成する。＋’＞生
する場合９元ビームは特定トランクの孔夕Ｌ１−を梢Ｉ
Ｊｊ′、艮く追白・する必鮫がある。これを実現する一
つの手段として回転機構のｖＩｖ度を？化気１１１１１
１受などを使用ｌ〜ＣＡめるという方法がある。しかし
、このＶｔ＆は１回転系が複雑となり、又西側となるの
で実用的ではない。より望ましいのは、基板」−に尤の
案内ｒｉ’＃を設ける方法である。ビーム径程度の溝に
光が入射すると、光が回折される。ビーノ・中心が溝か
らずれるにつれて回折光強度の空間分布が畳なり、これ
を検出して、ビームを溝の中心に入射させるよつにサー
ボ系を構成することができる。連當溝のａｔｔよ、（）
６〜１．２μＩｎ 、その深１ さけ使用する記録再生波長の８＝４の範囲に設定される
。したがって記録層はＷｒｔ付基板基板面上成される。
はスパイラル状の多数のトラックな形成する。＋’＞生
する場合９元ビームは特定トランクの孔夕Ｌ１−を梢Ｉ
Ｊｊ′、艮く追白・する必鮫がある。これを実現する一
つの手段として回転機構のｖＩｖ度を？化気１１１１１
１受などを使用ｌ〜ＣＡめるという方法がある。しかし
、このＶｔ＆は１回転系が複雑となり、又西側となるの
で実用的ではない。より望ましいのは、基板」−に尤の
案内ｒｉ’＃を設ける方法である。ビーム径程度の溝に
光が入射すると、光が回折される。ビーノ・中心が溝か
らずれるにつれて回折光強度の空間分布が畳なり、これ
を検出して、ビームを溝の中心に入射させるよつにサー
ボ系を構成することができる。連當溝のａｔｔよ、（）
６〜１．２μＩｎ 、その深１ さけ使用する記録再生波長の８＝４の範囲に設定される
。したがって記録層はＷｒｔ付基板基板面上成される。
２．３−ジシアノ−１，４ナフトギノン色素の薄Ｊｌ；
ｉ ｔｉｔ通常の抵抗、加熱蒸着法によりｆφ易に形成
することができる。蚕温に保持されたメル板−ヒに湧ｊ
１【４を形成すると、その結晶性は無定形、 ？’Ｉｔ
も非晶質となる。非晶ｙｊｉ、膜からの反射光に奴、多
結晶１１ｃ！で見られる粒界ノイズが含まｉしないので
非晶質ｌｌｌ−鴨＝使用した時の再生の８７Ｎは良好で
ある。
ｉ ｔｉｔ通常の抵抗、加熱蒸着法によりｆφ易に形成
することができる。蚕温に保持されたメル板−ヒに湧ｊ
１【４を形成すると、その結晶性は無定形、 ？’Ｉｔ
も非晶質となる。非晶ｙｊｉ、膜からの反射光に奴、多
結晶１１ｃ！で見られる粒界ノイズが含まｉしないので
非晶質ｌｌｌ−鴨＝使用した時の再生の８７Ｎは良好で
ある。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は実際に蒸着で基板上に作成した５−アミノ−２
，３−ジシアノ−８〔（４−メトキシ）フェニルアミノ
）−１，，４−ナフトキノン色素の薄膜の吸収スペクト
ルを示したものである。これより、ＡｌＧａＡｓ坐導体
レーザの発振波長である〜８００ ｎｍ付近に吸収轡大
があり１本色素が半導体レーザを使用する光学記録媒体
として好適であることが確認された。なお１本＃着膜の
煩累ル１折率は波長８３０ｎｍで２．２−ｉｏ、７であ
る。
，３−ジシアノ−８〔（４−メトキシ）フェニルアミノ
）−１，，４−ナフトキノン色素の薄膜の吸収スペクト
ルを示したものである。これより、ＡｌＧａＡｓ坐導体
レーザの発振波長である〜８００ ｎｍ付近に吸収轡大
があり１本色素が半導体レーザを使用する光学記録媒体
として好適であることが確認された。なお１本＃着膜の
煩累ル１折率は波長８３０ｎｍで２．２−ｉｏ、７であ
る。
次に１．２朋厚の円板上の））ＭＭＡ基板上シ゛こ、５
−アミ、’ −２，：（−ジシアノ−８〔（４−メトキ
シ）フェニルアミノ：Ｉ−Ｌ ４−ナフトキノン色素を
抵抗加熱７．１；、で蒸−・こ１し、膜厚９３５Ｎの膜
を得た。抵抗加熱ニジ・−ト月はｋｌｏであり、蒸着時
の真空度は１、５ Ｘ ｌ Ｏ”Ｌ’ｏｎ 以Ｆとし
た。基板は室温目然放ｆ”Ｑとし＋ 惑Ａｆｌこよる；
２％ ４反ＬｊＡ Ｉ？ｔ 」’：、昇はＣＬとんど、
ｅめらｉしなかった。ボート？１１．Ｘ度を１別々に上
げて行くと２３３°゛Ｃで色〃、がｆｆ、ＩＩ！ ）’
Ｊ’Ｆ ｔ、 、この温度に置屋して蒸／ｉ１シた。蒸
着速ＩんＩよ５ Ａ／ ｓｅ Ｃである。
−アミ、’ −２，：（−ジシアノ−８〔（４−メトキ
シ）フェニルアミノ：Ｉ−Ｌ ４−ナフトキノン色素を
抵抗加熱７．１；、で蒸−・こ１し、膜厚９３５Ｎの膜
を得た。抵抗加熱ニジ・−ト月はｋｌｏであり、蒸着時
の真空度は１、５ Ｘ ｌ Ｏ”Ｌ’ｏｎ 以Ｆとし
た。基板は室温目然放ｆ”Ｑとし＋ 惑Ａｆｌこよる；
２％ ４反ＬｊＡ Ｉ？ｔ 」’：、昇はＣＬとんど、
ｅめらｉしなかった。ボート？１１．Ｘ度を１別々に上
げて行くと２３３°゛Ｃで色〃、がｆｆ、ＩＩ！ ）’
Ｊ’Ｆ ｔ、 、この温度に置屋して蒸／ｉ１シた。蒸
着速ＩんＩよ５ Ａ／ ｓｅ Ｃである。
なお、５：色素の汁解温度４７１：２９５℃であジ、蒸
着６１船川よｐ十分高い。
着６１船川よｐ十分高い。
第２図は、このようにして形成された媒体１を示し′Ｃ
いる。）ｊＭ Ｍ、Ａ基板１０上に色素膜２０が形成さ
れている。この媒体１に矢印３０の方向からθν長８３
０ｎｍ の半導体レーザ光衾光学系（図示−けず）で
集光して照射した。この場合、レーザ元１．１： ６Ｂ
＋体面上のパワーで２〜１０ｍＷ、 照射時間５０＝３
００ ｎ５ｅｃ 、媒体移動線速［１，３ｍ／ ｓ ｅ
ｃの条件で行なった。この記録波長での記録ｊｐ度は
約４０ｍＪ／ｉメであった。この記録により９色素膜２
０中に約１μｍ前後の径の孔４ｏが形成１Ｎれた、この
ような記録は、基板１０を介して、Ｒ１１ち矢印５０の
方向から元を入射しても同様に可能であった。
いる。）ｊＭ Ｍ、Ａ基板１０上に色素膜２０が形成さ
れている。この媒体１に矢印３０の方向からθν長８３
０ｎｍ の半導体レーザ光衾光学系（図示−けず）で
集光して照射した。この場合、レーザ元１．１： ６Ｂ
＋体面上のパワーで２〜１０ｍＷ、 照射時間５０＝３
００ ｎ５ｅｃ 、媒体移動線速［１，３ｍ／ ｓ ｅ
ｃの条件で行なった。この記録波長での記録ｊｐ度は
約４０ｍＪ／ｉメであった。この記録により９色素膜２
０中に約１μｍ前後の径の孔４ｏが形成１Ｎれた、この
ような記録は、基板１０を介して、Ｒ１１ち矢印５０の
方向から元を入射しても同様に可能であった。
上記央２ｉＩｔｊ例から明らかな尤９に２本発明により
得られる光♀１ＩＵＪ録媒体砿２商感度でありかつ化学
的に安だで長期保存に閣」え、加えて７（１，体形成が
容易であるという■れた利点を有していることが判る。
得られる光♀１ＩＵＪ録媒体砿２商感度でありかつ化学
的に安だで長期保存に閣」え、加えて７（１，体形成が
容易であるという■れた利点を有していることが判る。
なお、木実１１！ｉ例ではアルコキンル基（１モつｎと
してメトキシル基ＣＨａＯ−を用いる例を示したがこの
他にエトキシル基Ｃ２１１５ｕ−、グロポキシル基（：
３）ｉ７０−等の炭素の多いものでもｅｌぼ実施例と等
しい鳴動性が得られる。
してメトキシル基ＣＨａＯ−を用いる例を示したがこの
他にエトキシル基Ｃ２１１５ｕ−、グロポキシル基（：
３）ｉ７０−等の炭素の多いものでもｅｌぼ実施例と等
しい鳴動性が得られる。
ＭＵＪ１図は５−アミノ−２，３ジシアノ−８−〔（４
−メトキシ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノン
色素４．ｉｉの吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図
は２本発明による光学記録媒体の断ｔ１４１図であり図
中１０は基板、２０は色素１１ｑ 、 ３０５０はプＹ
、の入射方向、４（ｌｔｊ、孔を示す。 代圧入／ｆＪ！Ｊ！ｔ１勺 原 祇 第１図 ：皮 長 （ｎｒｎ） 第２図 手続補正書（耐・１） 特許庁長官 殿 １．１Ｂ ｒ’ｌの表示 昭和５７年 ′１と
、′１−願第１Ｒ７４７５針２ 発用の６柄、 ）
Ｙ；学制（）がＬ体３、補正を４−る者 事ｆ’ｌとの関係 出 願 人東京都港区
芝１ｉ、 Ｉ−１１３３番１′１−′１（４２３）
日本電気株式会社 代表／ｌ 開木忠弘 ４、代哩人 〒１０８ 束中”品温１ｘ芝／ｉ、 Ｉ’ｌ １３７
ｆｆｒ ８５．’ ＩＩ友ソ１１１ビル５、補正の対
像 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲の欄を別紙のように補正する。 ２）明細書第４頁第１７行目に とあるのを と補正する。 ３）明細書第５頁第１４行目Ｋｌ’−諸状件」とあるの
を１諸条件」と補正する。 ４）明細書第５頁第１６行目に ＯＣＨ３」 とあるのを と補正する。 ５）明細書第８頁第２行目に「対応させてる」とちるの
を「対応させる」と補正する。 ６）明細書第９頁第９行目に「特定トランク」とあるの
を「特定トラック」と補正する。 ７）明細書筒１０頁＠１３行目に＋８（（４−メトキシ
）」とあるのを＋８−（（４−メトキシ）」と補正する
。 ８）明細書第１０頁第２０行目に’ｉ” ２．２− ｉ
ｏ、７Ｊとあるのを「２．４−＋０．７」と補正する。 ９）明細書第１１頁第１行目に「円板上」とあるのを「
円板状」と補正する。 １０）明細書第１１頁第２行目に［８〔（４−メトキシ
）」とあるのを＋８−（’（４−メトキシ）」と補正す
る。 １１）明細書第１１頁第６行目に「１５Ｘ１０−５Ｔｏ
ｎＪとあるのを「１．５ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ Ｊと
補正する。 １２）明細書第１１頁第８行目に「除々に」とあるのを
「徐々に」と補正する。 １３）明細書第１１頁第１９行目に［１，３ｍ／ｓｅｅ
Ｊとあるのを［１３ｍ／５ｅｃＪと補正する。 １４）明細書第１２頁第１３行目に［炭素の多い１とあ
るのを「炭素数の多い」と補正する。 別紙 特許請求の範囲 基板の片側または両側圧記録層を設け、情報をレーザ光
線によって記録し、かつ請み取る光学記録媒体において
、前記記録層として （式中ＲはＯＨ，ＮＨ，、ＮＨＸ又はＮＸ２を表わし、
（Ｒ’）Ｆｉアルコキシル基を表わす。（ここでｘＦｉ
アルキル基を表わす。））で表わされるナフトキノン色
素を主成分とする有機薄膜を形成したことを特徴とする
光学記録媒体。
−メトキシ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノン
色素４．ｉｉの吸収スペクトルを表わすグラフ、第２図
は２本発明による光学記録媒体の断ｔ１４１図であり図
中１０は基板、２０は色素１１ｑ 、 ３０５０はプＹ
、の入射方向、４（ｌｔｊ、孔を示す。 代圧入／ｆＪ！Ｊ！ｔ１勺 原 祇 第１図 ：皮 長 （ｎｒｎ） 第２図 手続補正書（耐・１） 特許庁長官 殿 １．１Ｂ ｒ’ｌの表示 昭和５７年 ′１と
、′１−願第１Ｒ７４７５針２ 発用の６柄、 ）
Ｙ；学制（）がＬ体３、補正を４−る者 事ｆ’ｌとの関係 出 願 人東京都港区
芝１ｉ、 Ｉ−１１３３番１′１−′１（４２３）
日本電気株式会社 代表／ｌ 開木忠弘 ４、代哩人 〒１０８ 束中”品温１ｘ芝／ｉ、 Ｉ’ｌ １３７
ｆｆｒ ８５．’ ＩＩ友ソ１１１ビル５、補正の対
像 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲の欄を別紙のように補正する。 ２）明細書第４頁第１７行目に とあるのを と補正する。 ３）明細書第５頁第１４行目Ｋｌ’−諸状件」とあるの
を１諸条件」と補正する。 ４）明細書第５頁第１６行目に ＯＣＨ３」 とあるのを と補正する。 ５）明細書第８頁第２行目に「対応させてる」とちるの
を「対応させる」と補正する。 ６）明細書第９頁第９行目に「特定トランク」とあるの
を「特定トラック」と補正する。 ７）明細書筒１０頁＠１３行目に＋８（（４−メトキシ
）」とあるのを＋８−（（４−メトキシ）」と補正する
。 ８）明細書第１０頁第２０行目に’ｉ” ２．２− ｉ
ｏ、７Ｊとあるのを「２．４−＋０．７」と補正する。 ９）明細書第１１頁第１行目に「円板上」とあるのを「
円板状」と補正する。 １０）明細書第１１頁第２行目に［８〔（４−メトキシ
）」とあるのを＋８−（’（４−メトキシ）」と補正す
る。 １１）明細書第１１頁第６行目に「１５Ｘ１０−５Ｔｏ
ｎＪとあるのを「１．５ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ Ｊと
補正する。 １２）明細書第１１頁第８行目に「除々に」とあるのを
「徐々に」と補正する。 １３）明細書第１１頁第１９行目に［１，３ｍ／ｓｅｅ
Ｊとあるのを［１３ｍ／５ｅｃＪと補正する。 １４）明細書第１２頁第１３行目に［炭素の多い１とあ
るのを「炭素数の多い」と補正する。 別紙 特許請求の範囲 基板の片側または両側圧記録層を設け、情報をレーザ光
線によって記録し、かつ請み取る光学記録媒体において
、前記記録層として （式中ＲはＯＨ，ＮＨ，、ＮＨＸ又はＮＸ２を表わし、
（Ｒ’）Ｆｉアルコキシル基を表わす。（ここでｘＦｉ
アルキル基を表わす。））で表わされるナフトキノン色
素を主成分とする有機薄膜を形成したことを特徴とする
光学記録媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の片ｉ！ｌｌＩまたは両１１１１に記録層を設け、
１ｗ報金レーザ光線によって記録し、かつ読み取る光学
記録媒体において、前記記録層として 一般式 （式中１ｔはＯＨ，ＮＨ２、ＮＨＸ又はＮＸ２ を表
わし、 （１（、’ ）ｎはアルコキシル基を表わす。 （ここでＸはアルキル基を表わす。））で表わされるす
７トキノン色素を主成分とする有機薄膜を形成したこと
を特徴とする光学記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157475A JPS5948187A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 光学記録媒体 |
| US06/507,312 US4504548A (en) | 1982-06-25 | 1983-06-23 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| DE8383106192T DE3366578D1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| EP19830106192 EP0097929B1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157475A JPS5948187A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 光学記録媒体 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232329A Division JPS59131494A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光記録方式 |
| JP58232328A Division JPS59131493A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 光学記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948187A true JPS5948187A (ja) | 1984-03-19 |
| JPH0415115B2 JPH0415115B2 (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=15650487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157475A Granted JPS5948187A (ja) | 1982-06-25 | 1982-09-10 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948187A (ja) |
Cited By (129)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131494A (ja) * | 1983-12-09 | 1984-07-28 | Nec Corp | 光記録方式 |
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