JPS60150241A - 光学記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光学記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS60150241A JPS60150241A JP58236739A JP23673983A JPS60150241A JP S60150241 A JPS60150241 A JP S60150241A JP 58236739 A JP58236739 A JP 58236739A JP 23673983 A JP23673983 A JP 23673983A JP S60150241 A JPS60150241 A JP S60150241A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- naphthoquinone
- substrate
- optical recording
- recording medium
- medium
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは有機色素を用
いる光学記録媒体に関する。
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは有機色素を用
いる光学記録媒体に関する。
従来、この種の光学記録媒体としてTe合金、 Te酸
化物及び有機色素等が用いられている。有機色素は、一
般に高感度で無公害の媒体を安価に製作し得るという優
れた特性を有するので、これまで種々の媒体系開発され
ている。それらを大別すると色素単体型と色素を高分子
樹脂中に溶剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型
の媒体は、た′ とえば特開昭55−161690号に
開示されているように篩分子樹脂であるポリビニールア
セテートに色素としてポリエステルイエローを溶剤で相
溶し、回転塗布法で基板上に形成される。一般に相溶型
の媒体は、媒体形成法が溶媒塗布に限られる。
化物及び有機色素等が用いられている。有機色素は、一
般に高感度で無公害の媒体を安価に製作し得るという優
れた特性を有するので、これまで種々の媒体系開発され
ている。それらを大別すると色素単体型と色素を高分子
樹脂中に溶剤で溶解させた相溶型に分けられる。相溶型
の媒体は、た′ とえば特開昭55−161690号に
開示されているように篩分子樹脂であるポリビニールア
セテートに色素としてポリエステルイエローを溶剤で相
溶し、回転塗布法で基板上に形成される。一般に相溶型
の媒体は、媒体形成法が溶媒塗布に限られる。
このため基板に樹脂を使用する場合は、樹脂を溶解しな
い溶剤を選択しなければならないという制約がある。一
方、蒸着で形成される色素単体媒体は、基板の選択に制
約を与えないので実用上望ましい媒体である。但し、蒸
着色素膜は一般に会合(凝集)による表面性の劣化を示
す。この劣化が媒体の寿命を決めるので、色素単体媒体
の場合、会合性の低い色素材料を用いることが重要であ
るが、これまで光分な寿命を有する媒体は開発されてい
ない。
い溶剤を選択しなければならないという制約がある。一
方、蒸着で形成される色素単体媒体は、基板の選択に制
約を与えないので実用上望ましい媒体である。但し、蒸
着色素膜は一般に会合(凝集)による表面性の劣化を示
す。この劣化が媒体の寿命を決めるので、色素単体媒体
の場合、会合性の低い色素材料を用いることが重要であ
るが、これまで光分な寿命を有する媒体は開発されてい
ない。
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、長期
保存性に優れた有機色素薄膜を含む光学記録媒体を提供
することである。
保存性に優れた有機色素薄膜を含む光学記録媒体を提供
することである。
すなわち本発明は、基板の片側または両側に京乙録層を
設け、情報をレーザ光線によって記録し、かつ読み取る
光学記録媒体において、記録層として 一般式 %式% (式中Xはハロゲン原子を表わし、nは置換数を表わす
。)で表わ、されるナフトキノン色素を主成分とする有
機薄膜を形成したこと′Jk!徴とする。
設け、情報をレーザ光線によって記録し、かつ読み取る
光学記録媒体において、記録層として 一般式 %式% (式中Xはハロゲン原子を表わし、nは置換数を表わす
。)で表わ、されるナフトキノン色素を主成分とする有
機薄膜を形成したこと′Jk!徴とする。
また、本発明に係る光学記録媒体の製造方法は、前記ナ
フトキノン色素を蒸着法で基板上に形成することを特徴
とする。
フトキノン色素を蒸着法で基板上に形成することを特徴
とする。
上記の一般式で表わされるナフトキノン色素は、5−ア
ミノ−2,3−ジシアノ−8−(置換アニリノ)−1,
4−ナフトキノンと総称される。置換アニリノの置換基
としてハロゲン原子を選択することによシ、蒸着による
成膜性および蒸着膜の会合性が無置換7ニリノ(−NH
−Q)よシ優れる。
ミノ−2,3−ジシアノ−8−(置換アニリノ)−1,
4−ナフトキノンと総称される。置換アニリノの置換基
としてハロゲン原子を選択することによシ、蒸着による
成膜性および蒸着膜の会合性が無置換7ニリノ(−NH
−Q)よシ優れる。
置換基のハロゲン原子としては、F、C4,Brを用い
ることができ、またその置換位置および置換数は任意に
選択することができる。但し、色素の合成の容易さおよ
び蒸着による成膜性から、ハロゲン原子としてCtヲ選
択した、m−モノクロロアニリノ、p−モノクロロアニ
リノ、3,4−ジクロロアニリノ、3.5−ジクロロア
ニリノ等が最も望ましい。これらのナフトキノン色素は
、近赤外部に吸収極大を示し、記録再生のレーザとして
半導体レーザを用いるとその発振波長と良く適合し、高
感度媒体を形成し得ることが期待できる。
ることができ、またその置換位置および置換数は任意に
選択することができる。但し、色素の合成の容易さおよ
び蒸着による成膜性から、ハロゲン原子としてCtヲ選
択した、m−モノクロロアニリノ、p−モノクロロアニ
リノ、3,4−ジクロロアニリノ、3.5−ジクロロア
ニリノ等が最も望ましい。これらのナフトキノン色素は
、近赤外部に吸収極大を示し、記録再生のレーザとして
半導体レーザを用いるとその発振波長と良く適合し、高
感度媒体を形成し得ることが期待できる。
前記一般式で表わされるナフトキノン系色素の合成例を
次に示す。
次に示す。
まず公知の2,3−ジクロロ−1,4−ナフトキノンを
硝酸と硫酸でニトロ化して5−ニトロ−2,3−ジクロ
ロ−1,4−ナフトキノンを得る。
硝酸と硫酸でニトロ化して5−ニトロ−2,3−ジクロ
ロ−1,4−ナフトキノンを得る。
次に青酸ソーダでシアノ化を行ない5−ニトロ−2,3
−ジシアノ−1,4−ジヒドロキシナフタレンを得る。
−ジシアノ−1,4−ジヒドロキシナフタレンを得る。
続いて、塩化第1スズと塩酸で遷元処理後、塩化第2鉄
で酸化処理して5−アミノ−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノンCI)を得る。[I]ll′t−よく粉
砕し、エタノール400祷に分散させ還流しておく。こ
れにp−クロロアニリン1.14f(2モル比)のエタ
ノ−#(10ml)溶液を滴下し、還元下に10分かき
まぜる。反応後熱時許過し、P液を氷冷して生じた沈殿
を濾過し、乾燥後クロロホルムから再結晶すると550
rR9(収率35チ)の精製品(mp297℃)が得ら
れる。
で酸化処理して5−アミノ−2,3−ジシアノ−1,4
−ナフトキノンCI)を得る。[I]ll′t−よく粉
砕し、エタノール400祷に分散させ還流しておく。こ
れにp−クロロアニリン1.14f(2モル比)のエタ
ノ−#(10ml)溶液を滴下し、還元下に10分かき
まぜる。反応後熱時許過し、P液を氷冷して生じた沈殿
を濾過し、乾燥後クロロホルムから再結晶すると550
rR9(収率35チ)の精製品(mp297℃)が得ら
れる。
この精製品の同定結果は、
(1) λmax 775nm (クロロホルム中)(
2)質量分析(相対強度) 350(45)。
2)質量分析(相対強度) 350(45)。
348(100)、313(64)
(3) 元素分析値
計算値C:61.99チ、N:16.07%、H:2.
60チ、 C1: 10.17qb実験値C:61.8
5条lN;亘612%、H:2.81俤、C1:10.
02チのようになシ、これは5−アミノ−2,3−ジシ
アノ−8−(4−クロロアニリノ)−1,4−ナフトキ
ノンであることが確認された。
60チ、 C1: 10.17qb実験値C:61.8
5条lN;亘612%、H:2.81俤、C1:10.
02チのようになシ、これは5−アミノ−2,3−ジシ
アノ−8−(4−クロロアニリノ)−1,4−ナフトキ
ノンであることが確認された。
他のナフトキノン色素も上記合成例と同様に合成するこ
とができる。
とができる。
前記す7トキノン色素の薄膜は、通常の抵抗加熱蒸着法
によシ基板上に形成し得る。基板材料としては種々のも
のが使用できるが、一般にはガラス、AI、合成樹脂が
望ましい。合成樹脂としてはポリメチルメタクリル(P
MMA)、ポリビニールクロライド(PVC)、ポリサ
ルホン、ポリカーボネート、エポキシ等がある。基板形
状は円板形状、テープ形状、シート形状が適用できる。
によシ基板上に形成し得る。基板材料としては種々のも
のが使用できるが、一般にはガラス、AI、合成樹脂が
望ましい。合成樹脂としてはポリメチルメタクリル(P
MMA)、ポリビニールクロライド(PVC)、ポリサ
ルホン、ポリカーボネート、エポキシ等がある。基板形
状は円板形状、テープ形状、シート形状が適用できる。
基板上に形成されたナフトキノン色素膜に半導体レーザ
光をレンズで収光して照射すると、照射部の色素膜が除
去されて孔が形成される。この孔形成の機構は明確では
ないが、蒸発(昇華)をともなう融解凝集に因ると考え
られる。形成される孔の大きさは、レーザ光の収光径、
レーザパワー。
光をレンズで収光して照射すると、照射部の色素膜が除
去されて孔が形成される。この孔形成の機構は明確では
ないが、蒸発(昇華)をともなう融解凝集に因ると考え
られる。形成される孔の大きさは、レーザ光の収光径、
レーザパワー。
照射時間に依存するが、大体0.2〜3μmであること
が望ましい。このような孔形成に必要なレーザエネルギ
ーは小さなものであシ、したがって、短( 時間で孔形成が可能である。具体的には、波長830n
mのAIGaAa半導体レーザ光をビーム径1.4μm
に収光した場合、色素膜面上でのパワーは2〜10mW
、照射時間線照射〜300nsecの範囲で孔を形成す
ることができる。当然のことながら、上記パワー、ある
いは照射時間の上限値以上の条件でも孔を形成すること
ができるが、上記条件は望ましい使用条件である。情報
の記録は、2進情報を孔の有無に対応させてることによ
りなされる。
が望ましい。このような孔形成に必要なレーザエネルギ
ーは小さなものであシ、したがって、短( 時間で孔形成が可能である。具体的には、波長830n
mのAIGaAa半導体レーザ光をビーム径1.4μm
に収光した場合、色素膜面上でのパワーは2〜10mW
、照射時間線照射〜300nsecの範囲で孔を形成す
ることができる。当然のことながら、上記パワー、ある
いは照射時間の上限値以上の条件でも孔を形成すること
ができるが、上記条件は望ましい使用条件である。情報
の記録は、2進情報を孔の有無に対応させてることによ
りなされる。
通常円板状媒体を等速回転させて、記録情報に合わせて
孔を形成して情報を記録する。なお、以上の場合におい
て色素膜の膜厚は0.01〜0.5μmで、好適には0
.02〜0.2μmである。
孔を形成して情報を記録する。なお、以上の場合におい
て色素膜の膜厚は0.01〜0.5μmで、好適には0
.02〜0.2μmである。
このように記録された情報(孔)の読み出しは、媒体か
らの反射光又は透過光の光量変化を検出することによシ
なされる。一般に反射光を検出する方法が採用される。
らの反射光又は透過光の光量変化を検出することによシ
なされる。一般に反射光を検出する方法が採用される。
これは、反射光検出の方が光学系が簡単になるためであ
る。即ち、一つの光学系で投光と収光が可能であるため
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ルギーに設定され、通常記録時の光量の1〜1である。
る。即ち、一つの光学系で投光と収光が可能であるため
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ルギーに設定され、通常記録時の光量の1〜1である。
10
記録、再生時の光の入射方向として、媒体面側と基板面
側の2通りがある。本例の如き単層媒体では両方向の配
置とも使用可能である。基板面側入射では、媒体面上に
付着した塵埃に影響されることなく記録、再生が可能で
あり、よシ望ましい形態である。なお、媒体が形成され
ている面の反対側の基板面上に付着した塵埃及びその面
のキズ等の欠陥は、基板厚さが1酊以上であれば、その
面でのビーム径が充分大きいので記録、再生に悪影響を
与えない。
側の2通りがある。本例の如き単層媒体では両方向の配
置とも使用可能である。基板面側入射では、媒体面上に
付着した塵埃に影響されることなく記録、再生が可能で
あり、よシ望ましい形態である。なお、媒体が形成され
ている面の反対側の基板面上に付着した塵埃及びその面
のキズ等の欠陥は、基板厚さが1酊以上であれば、その
面でのビーム径が充分大きいので記録、再生に悪影響を
与えない。
情報は孔列として記録される。孔列は一般に同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実現する一つの手段として回転
機構の程度を空気軸受などを使用して高めるという方法
がある。しかし、この場合は、回転系が複雑となシ、又
高価となるので実用的ではない。よシ望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径程度の
溝に光が入射すると、光が回折される。ビーム中心が溝
からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なり、こ
れを検出して、ビームを溝の中心に入射させるようにサ
ーボ系を構成することができる。通常溝の幅は、0.6
〜1.2μm、その深さは使用する記録再生波長の1〜
1の範囲に設定4 される。したがって記録層は溝付基板面上に形成される
。
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実現する一つの手段として回転
機構の程度を空気軸受などを使用して高めるという方法
がある。しかし、この場合は、回転系が複雑となシ、又
高価となるので実用的ではない。よシ望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径程度の
溝に光が入射すると、光が回折される。ビーム中心が溝
からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なり、こ
れを検出して、ビームを溝の中心に入射させるようにサ
ーボ系を構成することができる。通常溝の幅は、0.6
〜1.2μm、その深さは使用する記録再生波長の1〜
1の範囲に設定4 される。したがって記録層は溝付基板面上に形成される
。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は実際に蒸着で基板上に作成した5−アミノ−2
,3〜ジシアノ−8−(4−クロロアニリノ)−1,4
−ナフトキノン色素の薄膜の吸収スペクトルを示したも
のである。これよう。
,3〜ジシアノ−8−(4−クロロアニリノ)−1,4
−ナフトキノン色素の薄膜の吸収スペクトルを示したも
のである。これよう。
AI GaAs半導体レーザの発振波長である〜800
nm付近に吸収極大があシ1本色素が半導体レーザを使
用する光学記録媒体として好適であることが確認された
。なお、本蒸着膜の複素屈折率は波長830nmで2.
2− i 0.6である。
nm付近に吸収極大があシ1本色素が半導体レーザを使
用する光学記録媒体として好適であることが確認された
。なお、本蒸着膜の複素屈折率は波長830nmで2.
2− i 0.6である。
次に1.2鰭厚の円板上のpMMA基板上に、5−アミ
ノ−2,3−ジシアノ−8−(4−クロロア=lJ/)
−1,4−ナフトキノン色素を抵抗加熱法で蒸着し、膜
厚650Aのうぐいす色の膜を得た。
ノ−2,3−ジシアノ−8−(4−クロロア=lJ/)
−1,4−ナフトキノン色素を抵抗加熱法で蒸着し、膜
厚650Aのうぐいす色の膜を得た。
抵抗加熱ボート材はMoであし、蒸着時の真9度は2X
10−’Torr以下とした。基板は室温自然放置とし
、蒸着による基板温度上昇はほとんど認められなかった
。ボート温度を徐々に上げて行くと210℃で色素が融
解し、この温度に固定して蒸着した。蒸着膜にはIA/
(8)である。なお前記温度よシ数十度扁い温度(約4
0〜60℃)まで本色素は分解せずに蒸着可能であった
。
10−’Torr以下とした。基板は室温自然放置とし
、蒸着による基板温度上昇はほとんど認められなかった
。ボート温度を徐々に上げて行くと210℃で色素が融
解し、この温度に固定して蒸着した。蒸着膜にはIA/
(8)である。なお前記温度よシ数十度扁い温度(約4
0〜60℃)まで本色素は分解せずに蒸着可能であった
。
第2図はこのようにして形成された媒体を示している。
PMMA基板10上に色素膜20が形成されている。こ
の媒体に矢印30の方向から波長830nmの半導体レ
ーザ光を光学系(図示せず)で集光して照射した。なお
、対物レンズのNA’ti0.55である。レーザ光の
媒体面上でのパワーを10mWとし、記録周波数2.5
MHz 、 ll!!速度12 m /secの条件
で記録を行うと、色素膜20中に約0.8μmの径の孔
(ピッ))40が形成された。このような記録は、媒体
の裏面側、即ち矢印50の方向から光を入射しても同様
に可能であった。記録したビットを0.7mWの連続光
で再生すると54dBのC/N比が得られた。なお、バ
ンド幅は30 kllzである。
の媒体に矢印30の方向から波長830nmの半導体レ
ーザ光を光学系(図示せず)で集光して照射した。なお
、対物レンズのNA’ti0.55である。レーザ光の
媒体面上でのパワーを10mWとし、記録周波数2.5
MHz 、 ll!!速度12 m /secの条件
で記録を行うと、色素膜20中に約0.8μmの径の孔
(ピッ))40が形成された。このような記録は、媒体
の裏面側、即ち矢印50の方向から光を入射しても同様
に可能であった。記録したビットを0.7mWの連続光
で再生すると54dBのC/N比が得られた。なお、バ
ンド幅は30 kllzである。
記録膜の長期安定性を次の方法で評価した。蒸着膜を2
,000倍の光学顕微鏡で観察し、膜表面に発生する凝
集粒の有無を劣化の判定基準として、加速試験を行なう
ことによシ室温(25℃)での寿命をめたところ1年以
上を得た。
,000倍の光学顕微鏡で観察し、膜表面に発生する凝
集粒の有無を劣化の判定基準として、加速試験を行なう
ことによシ室温(25℃)での寿命をめたところ1年以
上を得た。
上記実施例から明らかなように、本発明により良好な特
性の光学記録媒体およびその製造方法が得られる。
性の光学記録媒体およびその製造方法が得られる。
第1図は5−アミノ−2,3−ジシアノ−8−(4−ク
ロロアニリノ)−1,4−ナフトキノン色素蒸着膜の吸
収スペクトルを表わす図、第2図社本発明による光学記
録媒体の断面図であシ、図において、10は基板、20
は色素膜、30.50は光の入射方向、40は孔を示す
。 オ 1 図 吸収率(%)゛ 波長(nm) 第2図 手続補正書(自発) 60.2.21 1、事件の表示 昭和58年 特許願第236739号
2、発明の名称 光学記録媒体およびその製造方法3、
補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目33番1号 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東京都港区芝五丁目37番8号 住人三田ビ
ル5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 1)明細書第6頁第5行目に「還元」とあるのを「還元
」と補正する。 2)明細書第8頁第14行目に「対応させてる」とある
のを「対応させる」と補正する。
ロロアニリノ)−1,4−ナフトキノン色素蒸着膜の吸
収スペクトルを表わす図、第2図社本発明による光学記
録媒体の断面図であシ、図において、10は基板、20
は色素膜、30.50は光の入射方向、40は孔を示す
。 オ 1 図 吸収率(%)゛ 波長(nm) 第2図 手続補正書(自発) 60.2.21 1、事件の表示 昭和58年 特許願第236739号
2、発明の名称 光学記録媒体およびその製造方法3、
補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目33番1号 (423) 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 4、代理人 〒108 東京都港区芝五丁目37番8号 住人三田ビ
ル5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 1)明細書第6頁第5行目に「還元」とあるのを「還元
」と補正する。 2)明細書第8頁第14行目に「対応させてる」とある
のを「対応させる」と補正する。
Claims (2)
- (1)基板の片側または両側に記録層を設け、情報をレ
ーザ光線によって記録し、かつ読み取る光学記録媒体に
おいて前記記録層として 一般式 (式中Xはハロゲン原子を表わし、nは置換数を表わす
。)で表わされるナフトキノン色素金主成分とする有機
薄膜を形成したことを特徴とする光学記録媒体。 - (2)基板の片側または両側に記録層を設け、情報をレ
ーザ光線によって記録し、かつ読み取る光学記録媒体の
製造方法において前記記録層として一般式 (式中Xはハロゲン原子を表わし、nは置換数を表わす
。)で表わされるナフトキノン色素を蒸着法で前記基板
上に形成することを特徴とする光学記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58236739A JPS60150241A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58236739A JPS60150241A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60150241A true JPS60150241A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=17005063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58236739A Pending JPS60150241A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60150241A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6291031B1 (en) * | 1998-01-27 | 2001-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for preparing optical recording medium and preparation apparatus therefor |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58236739A patent/JPS60150241A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6291031B1 (en) * | 1998-01-27 | 2001-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for preparing optical recording medium and preparation apparatus therefor |
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