JPS60149490A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS60149490A JPS60149490A JP58250139A JP25013983A JPS60149490A JP S60149490 A JPS60149490 A JP S60149490A JP 58250139 A JP58250139 A JP 58250139A JP 25013983 A JP25013983 A JP 25013983A JP S60149490 A JPS60149490 A JP S60149490A
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- JP
- Japan
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- dicyano
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- naphthoquinone
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- optical recording
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは有機色素を用
いる光学記録媒体に関する。 パ（従来技術とその問題
点） 従来、この種の光学記録媒体としてＴｅ合金。
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは有機色素を用
いる光学記録媒体に関する。 パ（従来技術とその問題
点） 従来、この種の光学記録媒体としてＴｅ合金。
Ｔｅ酸化物及び有機色素等が用いられている。有機色素
は、一般に高感度で無公害の媒体を安価に製作し得ると
いう優れた特性を有するので、これまで種々の媒体が開
発されている。それらを大別すると色素単体型と色素を
高分子樹脂中に溶剤で溶解させた相溶型に分けられる。
は、一般に高感度で無公害の媒体を安価に製作し得ると
いう優れた特性を有するので、これまで種々の媒体が開
発されている。それらを大別すると色素単体型と色素を
高分子樹脂中に溶剤で溶解させた相溶型に分けられる。
相溶型の媒体は、たとえば特開昭５５−１６１６９０号
に開示されているように高分子樹脂であるポリビニール
アセテートに色素としてポリエステルイエローを溶剤で
相溶し、回転塗布法で基板上に形成される。一般に相溶
型の媒体は、媒体形成法が溶媒塗布に限られる。このた
め基板に樹脂を使用する場合は、樹脂を溶解しない溶剤
を選択しなければならないという制約がある。一方、蒸
着で形成される色素単体媒体は、基板の選択に制約を与
えないので実用上望ましい媒体である。但し、蒸着色素
膜は一般に会合（凝集）による表面性の劣化を示す。こ
の劣化が媒体の寿命を決めるので色素単体媒体の場合、
会合性の低い色素材料を用いることが重要であるが、こ
れまで充分な寿命を有する媒体は開発されていない。
に開示されているように高分子樹脂であるポリビニール
アセテートに色素としてポリエステルイエローを溶剤で
相溶し、回転塗布法で基板上に形成される。一般に相溶
型の媒体は、媒体形成法が溶媒塗布に限られる。このた
め基板に樹脂を使用する場合は、樹脂を溶解しない溶剤
を選択しなければならないという制約がある。一方、蒸
着で形成される色素単体媒体は、基板の選択に制約を与
えないので実用上望ましい媒体である。但し、蒸着色素
膜は一般に会合（凝集）による表面性の劣化を示す。こ
の劣化が媒体の寿命を決めるので色素単体媒体の場合、
会合性の低い色素材料を用いることが重要であるが、こ
れまで充分な寿命を有する媒体は開発されていない。
（発明の目的）
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、長期
保存性に優れた有機色素から成る光学記録媒体を提供す
ることである。
保存性に優れた有機色素から成る光学記録媒体を提供す
ることである。
（発明の構成）
本発明は基板の片側または両側に記録層を設け、情報を
レーザ光線によって記録しかつ読み取る光学記録媒体に
おいて、前記記録層として５−アミノ−８−（置換アニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素
の金属錯体或いは５゜８−（置換アニリノ）−２，３−
ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素の金属錯体を主成
分とする有機薄膜を形成したことを特徴とする。また、
本発明に係る光学記録媒体の製造方法は、前記ナフトキ
ノン色素の金属錯体を蒸着法で前記基板上に形成するこ
とを特徴とする。
レーザ光線によって記録しかつ読み取る光学記録媒体に
おいて、前記記録層として５−アミノ−８−（置換アニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素
の金属錯体或いは５゜８−（置換アニリノ）−２，３−
ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素の金属錯体を主成
分とする有機薄膜を形成したことを特徴とする。また、
本発明に係る光学記録媒体の製造方法は、前記ナフトキ
ノン色素の金属錯体を蒸着法で前記基板上に形成するこ
とを特徴とする。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問題
点を解決した。
点を解決した。
５−アミノ−８−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ
−１，４−ナフトキノン色素或いは５゜８−（置換アニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナフトキノン色素
の置換アニリノの置換基としてアルキル基、アルコキシ
ル基、アリル基、アミン基、置換アミン基を選択するこ
とによジ、蒸着による成膜性および蒸着膜の会合性が無
置換アニリノ（−ＮＨ−（））よシ優れる。これらの色
素を金属錯体とすることにより会合性はさらに小さくな
る。置換基のアルキル基およびアルコキシル基の炭素数
は１〜４がよシ望ましい。
−１，４−ナフトキノン色素或いは５゜８−（置換アニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナフトキノン色素
の置換アニリノの置換基としてアルキル基、アルコキシ
ル基、アリル基、アミン基、置換アミン基を選択するこ
とによジ、蒸着による成膜性および蒸着膜の会合性が無
置換アニリノ（−ＮＨ−（））よシ優れる。これらの色
素を金属錯体とすることにより会合性はさらに小さくな
る。置換基のアルキル基およびアルコキシル基の炭素数
は１〜４がよシ望ましい。
これらのナフトキノン色素の金属錯体は、近赤外部に吸
収極太を示し、記録・再生のレーザとして半導体レーザ
を用いるとその発振波長と良く適合し、高感度媒体を形
成し得ることが期待できる。
収極太を示し、記録・再生のレーザとして半導体レーザ
を用いるとその発振波長と良く適合し、高感度媒体を形
成し得ることが期待できる。
前記ナフトキノン色素の金属錯体の合成例を次に示す。
まず公知の２，３−ジクロロ−１，４−ナフトキノンを
硝酸と硫酸でニトロ化して５−ニトロ−２，３−ジクロ
ロ−１，４−ナフトキノンを得る。
硝酸と硫酸でニトロ化して５−ニトロ−２，３−ジクロ
ロ−１，４−ナフトキノンを得る。
次に、青酸ソーダでシアン化を行ない５−ニトロ−２，
３−ジシアノ−１，４−ジヒドロキシナフタレンを得る
。つづいて、塩化第１スズと塩酸で還元処理後、塩化第
２鉄で酸化処理して５−アミノ−２，３−ジシアノ−１
，４−ナフトキノン〔１〕を得る。（１）１＆をよく粉
砕し、エタノール４００ ｍｌｌに分散させ還流してお
く。これにＰ−エトキシアニリン１．２３Ｆ（２モル比
）のエタノール（１０ｍｌ）溶液を滴下し、還元下に１
０分かきまぜる。反応後熱時濾過し、Ｐ液を氷冷して生
じた沈澱を沖過し、乾燥後クロロホルムから再結晶する
と３８０ ｍｌｌ （収率２４チ）の精製品（ｍｐ２５
４〜２５６°Ｃ）が得られる。
３−ジシアノ−１，４−ジヒドロキシナフタレンを得る
。つづいて、塩化第１スズと塩酸で還元処理後、塩化第
２鉄で酸化処理して５−アミノ−２，３−ジシアノ−１
，４−ナフトキノン〔１〕を得る。（１）１＆をよく粉
砕し、エタノール４００ ｍｌｌに分散させ還流してお
く。これにＰ−エトキシアニリン１．２３Ｆ（２モル比
）のエタノール（１０ｍｌ）溶液を滴下し、還元下に１
０分かきまぜる。反応後熱時濾過し、Ｐ液を氷冷して生
じた沈澱を沖過し、乾燥後クロロホルムから再結晶する
と３８０ ｍｌｌ （収率２４チ）の精製品（ｍｐ２５
４〜２５６°Ｃ）が得られる。
この精製品の同定結果は、
（１）人ｍａｘ ７６０ ｍｍ （アセトニトリル中）
（２）質量分析（Ｍ／ ｅ ） ３５８ 、３３０ 、
３２９（３）元素分析直 計算値 Ｃ： ６７．０３チＮ：１５．６４％ Ｈ：３
．９４％実鋏値 Ｃ： ６７．０９チＮ：１５．８５チ
Ｈ：３．８５チのようになシ、これは５−アミノ−８−
（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン（Ｉ［）であることが確認された。
（２）質量分析（Ｍ／ ｅ ） ３５８ 、３３０ 、
３２９（３）元素分析直 計算値 Ｃ： ６７．０３チＮ：１５．６４％ Ｈ：３
．９４％実鋏値 Ｃ： ６７．０９チＮ：１５．８５チ
Ｈ：３．８５チのようになシ、これは５−アミノ−８−
（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン（Ｉ［）であることが確認された。
次に、（ＩＩ）２００ｍｇをアセトニトリル３００ ｍ
ｌに溶かし、これに５０ｍＪのアセトニトリルに溶かし
た塩化コバル） ７２ ｍ１９ （１モル比）の溶液を
加え、アセトニトリルの沸点で３時間還流しておく。そ
の後、減圧蒸留し、残渣をアセトニトリルで洗浄して〔
■〕を洗い流し、さらに水洗した後乾燥させると、５−
アミノ−８−（ｐ＝エトキシアニリノ）−２，３−ジシ
アノ−１，４−ナフトキノン色素のコバルト錯体１３０
ｍ１１のｙｎ！製品が得られた。
ｌに溶かし、これに５０ｍＪのアセトニトリルに溶かし
た塩化コバル） ７２ ｍ１９ （１モル比）の溶液を
加え、アセトニトリルの沸点で３時間還流しておく。そ
の後、減圧蒸留し、残渣をアセトニトリルで洗浄して〔
■〕を洗い流し、さらに水洗した後乾燥させると、５−
アミノ−８−（ｐ＝エトキシアニリノ）−２，３−ジシ
アノ−１，４−ナフトキノン色素のコバルト錯体１３０
ｍ１１のｙｎ！製品が得られた。
この精製品をシリカゲル薄層クロマトグラフ法でアセト
ニトリルを展開剤として分析したところ、錯体は展開し
なかった。
ニトリルを展開剤として分析したところ、錯体は展開し
なかった。
なお、ＣＩ）のＲｆ値は０９である。
他のナフトキノン色素の金属錯体も上記合成例と同様に
合成することができる。
合成することができる。
前記ナフトキノン色素の金属錯体の薄膜は、通常の抵抗
加熱蒸着法によシ基板上に形成し得る。
加熱蒸着法によシ基板上に形成し得る。
基板材料としては種々の・ものが使用できるが、一般に
はガラス、アルミニウム合金２含成樹脂が望ましい。合
成樹脂としてはポリメチルメタクリレ−） （ＰＭＭＡ
）ポリカーボネート、エポキシ、ポリエーテルイミド、
ポリサルホン、ポリビニルクロライド等がある。基板形
状は円板形状、テープ形状、シート形状が適用できる。
はガラス、アルミニウム合金２含成樹脂が望ましい。合
成樹脂としてはポリメチルメタクリレ−） （ＰＭＭＡ
）ポリカーボネート、エポキシ、ポリエーテルイミド、
ポリサルホン、ポリビニルクロライド等がある。基板形
状は円板形状、テープ形状、シート形状が適用できる。
基板上に形成されたナフトキノン色素の金属錯体の薄膜
に半導体レーザ光をレンズで収光して照射すると、照射
部の薄膜が除去されて孔が形成される。この孔形成の機
構は明確ではないが、蒸発（昇華）をともなう融解凝集
に因ると考えられる。
に半導体レーザ光をレンズで収光して照射すると、照射
部の薄膜が除去されて孔が形成される。この孔形成の機
構は明確ではないが、蒸発（昇華）をともなう融解凝集
に因ると考えられる。
形成される孔の大きさは、レーザ光の収光径、レーザパ
ワー照射時間に依存するが、大体０．２〜３μｍである
ことが望ましい。このような孔形成に必要なレーザエネ
ルギーは小さなものであり、したかって、短時間で孔形
成が可能である。具体的には、波長８３０ ｎｍのＡ、
１ＧａＡｓ半導体レーザ光をビーム径１．４μｍに収光
した場合、薄膜面上でのパワーは２〜１３ｍＷ１照射時
間は５０〜３００ｎｓｅｃの範囲で孔を形成することが
できる。当然のことながら、上記パワー、あるいは照射
時間の上限値以上の条件でも孔を形成することができる
が、上記 ４条件は望ましい使用条件である。情報の記
録は、２進情報を孔の有無に対応させてることによりな
される。通常用板状媒体を等速回転させて、記録情報に
合わせて孔を形成して情報を記録する。なお、以上の場
合において薄膜の膜厚は００１〜０．５μｍで、好適に
は０．０２〜０．２μｍである。
ワー照射時間に依存するが、大体０．２〜３μｍである
ことが望ましい。このような孔形成に必要なレーザエネ
ルギーは小さなものであり、したかって、短時間で孔形
成が可能である。具体的には、波長８３０ ｎｍのＡ、
１ＧａＡｓ半導体レーザ光をビーム径１．４μｍに収光
した場合、薄膜面上でのパワーは２〜１３ｍＷ１照射時
間は５０〜３００ｎｓｅｃの範囲で孔を形成することが
できる。当然のことながら、上記パワー、あるいは照射
時間の上限値以上の条件でも孔を形成することができる
が、上記 ４条件は望ましい使用条件である。情報の記
録は、２進情報を孔の有無に対応させてることによりな
される。通常用板状媒体を等速回転させて、記録情報に
合わせて孔を形成して情報を記録する。なお、以上の場
合において薄膜の膜厚は００１〜０．５μｍで、好適に
は０．０２〜０．２μｍである。
このように記録された情報（孔）の読み出しは、媒体か
らの反射光又は透過光の光量変化を検出することによシ
なされる。一般に反射光を検出する方法が採用される。
らの反射光又は透過光の光量変化を検出することによシ
なされる。一般に反射光を検出する方法が採用される。
これは、反射光検出の方が光学系が簡単になるためであ
る。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能であるだめ
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ル１ ギーに設定され、通常記録時の光量の百〜市である。
る。即ち、一つの光学系で投光と集光が可能であるだめ
である。読み出しはレーザ光を連続させて照射する。そ
の時の光量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネ
ル１ ギーに設定され、通常記録時の光量の百〜市である。
記録、再生時の光の入射方向として、媒体面側と基板面
側の２通りがある。本例の如き単層媒体では両方向の配
置とも使用可能である。基板面側入射では、媒体面上に
付着した塵埃に影響されることなく記録、再生が可能で
あシ、より望ましい形態である。なお、媒体が形成され
ている面の反対側の基板面上に付着した塵埃及びその面
のキズ等の欠陥は、基板厚さが１ｉｌ＋ｌ１以上であれ
ば、その面でのビーム径が充分大きいので記録、再生に
悪影響を与えない。
側の２通りがある。本例の如き単層媒体では両方向の配
置とも使用可能である。基板面側入射では、媒体面上に
付着した塵埃に影響されることなく記録、再生が可能で
あシ、より望ましい形態である。なお、媒体が形成され
ている面の反対側の基板面上に付着した塵埃及びその面
のキズ等の欠陥は、基板厚さが１ｉｌ＋ｌ１以上であれ
ば、その面でのビーム径が充分大きいので記録、再生に
悪影響を与えない。
情報は孔列として記録される。孔列は一般に同心円状又
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実現する一つの手段として回転
機構の精度を空気軸受などを使用して高めるという方法
がある。しかし、この場合は、回転系が複雑とカシ、又
高価となるので実用的ではない。より望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径程度の
溝に光が入射すると、光が回折される。ビーム中心が溝
からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なシ、こ
れを検出して、ビームを溝の中心に入射させるようにサ
ーボ系を構成することができる。通常溝の幅は、０．４
〜１．２μｍ１その１ 深さは使用する記録再生波長の百〜１の範囲に設定され
る。したがって記録層は溝付基板面上に形成される。
はスパイラル状の多数のトラックを形成する。再生する
場合、光ビームは特定トラックの孔列上を精度良く追跡
する必要がある。これを実現する一つの手段として回転
機構の精度を空気軸受などを使用して高めるという方法
がある。しかし、この場合は、回転系が複雑とカシ、又
高価となるので実用的ではない。より望ましいのは、基
板上に光の案内溝を設ける方法である。ビーム径程度の
溝に光が入射すると、光が回折される。ビーム中心が溝
からずれるにつれて回折光強度の空間分布が異なシ、こ
れを検出して、ビームを溝の中心に入射させるようにサ
ーボ系を構成することができる。通常溝の幅は、０．４
〜１．２μｍ１その１ 深さは使用する記録再生波長の百〜１の範囲に設定され
る。したがって記録層は溝付基板面上に形成される。
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
（実施例１）
第１図は実際に蒸着で基板上に作製しだ５−アミノ−８
−（ｐ−メトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素のコバルト錯体の薄膜の吸収スペ
クトルを示したものである。
−（ｐ−メトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素のコバルト錯体の薄膜の吸収スペ
クトルを示したものである。
これよｐ 、Ａ Ｉ ＧａＡｓ半導体レーザの発振波長
である〜８００ ｆｉｇ付近に吸収極大があシ、本薄膜
が半導体レーザを使用する光学記録媒体として好適であ
ることが確認された。なお、本蒸着膜の複素屈折率は波
長８３０ｍ１１１で２．２−＋０．７であった。
である〜８００ ｆｉｇ付近に吸収極大があシ、本薄膜
が半導体レーザを使用する光学記録媒体として好適であ
ることが確認された。なお、本蒸着膜の複素屈折率は波
長８３０ｍ１１１で２．２−＋０．７であった。
次に１．２′ＭＬ厚、直径１２０龍の円板状のＰＭＭＡ
基板上に、５−アミノ−８−（ｐ−メトキシアニリノ）
−２，３−ジシ“アノ−１，４−ナフトキノン色素のコ
バルト錯体を抵抗加熱法で蒸着し、膜厚６２０Ｘのピン
ク色の膜を得た。抵抗加熱ボート材はＭｏであり、蒸着
時の真空度は１．５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒ以下とした。基
板は室温自然放置とし、蒸着による基板温度上昇はほと
んど認められなかった。
基板上に、５−アミノ−８−（ｐ−メトキシアニリノ）
−２，３−ジシ“アノ−１，４−ナフトキノン色素のコ
バルト錯体を抵抗加熱法で蒸着し、膜厚６２０Ｘのピン
ク色の膜を得た。抵抗加熱ボート材はＭｏであり、蒸着
時の真空度は１．５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒ以下とした。基
板は室温自然放置とし、蒸着による基板温度上昇はほと
んど認められなかった。
ボート温度はおよそ２２０℃に固定して蒸着した。
蒸着速度はおよそ０．５ Ｘ ／ ｓｅｅである。
第２図はこのようにして形成された媒体を示している。
ＰＭＭＡ基板１０上に色素膜２０が形成されている。こ
の媒体に矢印３０の方向から波長８３０ ｎｍの半導体
レーザ光を光学系（図示せず）で集光して照射した。々
お、対物レンズのＮＡは０．５５である。レーザ光の媒
体面上でのパワーを１０ｍＷとし、記録周波数２．５
ＭＨｚ 、線速度１２ｍ／ ｓｅｃの条件で記録を行う
と、色素膜２０中に約０６８μｍの径の孔（ビット）４
０が形成された。
の媒体に矢印３０の方向から波長８３０ ｎｍの半導体
レーザ光を光学系（図示せず）で集光して照射した。々
お、対物レンズのＮＡは０．５５である。レーザ光の媒
体面上でのパワーを１０ｍＷとし、記録周波数２．５
ＭＨｚ 、線速度１２ｍ／ ｓｅｃの条件で記録を行う
と、色素膜２０中に約０６８μｍの径の孔（ビット）４
０が形成された。
このような記録は、媒体の表面側、即ち矢印５０の方向
から光を入射しても同様に可能であった。
から光を入射しても同様に可能であった。
記録したピットを０．７ ｍＷの連続光で再生すると５
４ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。なお、バンド幅は３０Ｋ
Ｈｚである。
４ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。なお、バンド幅は３０Ｋ
Ｈｚである。
記録膜の長期安定性を次の方法で評価した。蒸着膜を２
．０００倍の光学顕微鏡で観察し、膜表面に発生する凝
集粒の有無を劣化の判定基準として、加速試験を行なう
ことにより室温（２５℃）での寿命をめたところ２５年
以上を得た。この値は５−アミノ−８−（ｐ−メトキシ
アニリノ）−２゜３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素の値（数年〜１０年）よシも大幅に大きい値である
。
．０００倍の光学顕微鏡で観察し、膜表面に発生する凝
集粒の有無を劣化の判定基準として、加速試験を行なう
ことにより室温（２５℃）での寿命をめたところ２５年
以上を得た。この値は５−アミノ−８−（ｐ−メトキシ
アニリノ）−２゜３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素の値（数年〜１０年）よシも大幅に大きい値である
。
なお同様の方法で評価した５−アミノ−８−（無置換ア
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色
素はその寿命が数十日取内であった。
ニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色
素はその寿命が数十日取内であった。
（実施例２）
実施例１と同様にして、５−アミノ−８−（ｐ−エトキ
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナフトキノ
ン色素のコバルト錯体を膜厚７２０又で成膜した。基板
は室温自然放置、真空度は２Ｘ １０−１ｌＴｏｒｒ以
下、ボート温度は２３５℃、蒸着速度はＩＸ／ｓｅｅで
ある。波長８３０ ｎｍでの複素屈折率は２．３−ｉｏ
、７であった。
シアニリノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナフトキノ
ン色素のコバルト錯体を膜厚７２０又で成膜した。基板
は室温自然放置、真空度は２Ｘ １０−１ｌＴｏｒｒ以
下、ボート温度は２３５℃、蒸着速度はＩＸ／ｓｅｅで
ある。波長８３０ ｎｍでの複素屈折率は２．３−ｉｏ
、７であった。
実施例１と同様にして記録・再生したところ、５４ ｄ
ＢのＣＮ比が得られた。記録膜の長期安定性を同様にし
て評価したところ、金属錯体化することによシ実絶倒１
とほぼ同等の長寿命となることが認められた。
ＢのＣＮ比が得られた。記録膜の長期安定性を同様にし
て評価したところ、金属錯体化することによシ実絶倒１
とほぼ同等の長寿命となることが認められた。
なお実施例１． ２でボート温度はそれぞれ３０℃〜５
０℃高い温度まで可能である。
０℃高い温度まで可能である。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により長期安定
性に優れ、良好表特性の光学記録媒体およびその製造方
法が得られる。
性に優れ、良好表特性の光学記録媒体およびその製造方
法が得られる。
第１図は５−アミノ−８−（ｐ−メトキシアニリノ）−
２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素のコバル
ト錯体蒸着膜の吸収スペクトルを表わす図、第２図は本
発明による光学記録媒体の概略図であシ、図において、
１０は基板、２０は有機薄膜、３０．５０は光の入射方
向、４０は孔オ １ 図 吸収率（％） 波長（ｎｍ） 第２図 手続補正書く自発） ６０．２．２１ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第２５０１３９
号２、発明の名称 光学記録媒体およびその製造方法３
、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 電話 東京（０３）４５６−３１１１（大代表）（連絡
先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）明細書第６頁第５行目に「７６０Ｍｊとあるのを［
７６０ｎｍＪと補正する。 ２）明細書第７頁第１３行目に「（ＰＭＭＡ ）ポリカ
ーボネート」とあるのを「（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネ
ート」と補正する。 ３）明細書第８頁第３行目に「パワー照射時間」とある
のを「パワー照射時間」と補正する。 ４）明細書第８頁第１４行目に「対応させてる」とある
のを「対応させる」と補正する。 ５）明細書第１１頁第４行目に［８０ｃ）ｍｌとあるの
を［８００ｎｍＪと補正する。 ６）明細書第１１頁第７行目に「８３０ｎ」とあるのを
「８３０ｎｍＪと補正する。
２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素のコバル
ト錯体蒸着膜の吸収スペクトルを表わす図、第２図は本
発明による光学記録媒体の概略図であシ、図において、
１０は基板、２０は有機薄膜、３０．５０は光の入射方
向、４０は孔オ １ 図 吸収率（％） 波長（ｎｍ） 第２図 手続補正書く自発） ６０．２．２１ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第２５０１３９
号２、発明の名称 光学記録媒体およびその製造方法３
、補正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 電話 東京（０３）４５６−３１１１（大代表）（連絡
先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 １）明細書第６頁第５行目に「７６０Ｍｊとあるのを［
７６０ｎｍＪと補正する。 ２）明細書第７頁第１３行目に「（ＰＭＭＡ ）ポリカ
ーボネート」とあるのを「（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネ
ート」と補正する。 ３）明細書第８頁第３行目に「パワー照射時間」とある
のを「パワー照射時間」と補正する。 ４）明細書第８頁第１４行目に「対応させてる」とある
のを「対応させる」と補正する。 ５）明細書第１１頁第４行目に［８０ｃ）ｍｌとあるの
を［８００ｎｍＪと補正する。 ６）明細書第１１頁第７行目に「８３０ｎ」とあるのを
「８３０ｎｍＪと補正する。
Claims (2)
- （１） 基板の片側または両側に記録層を設け、情報を
レーザ光線によって記録しかつ読み取る光学記録媒体に
おいて、前記記録層として５−アミノ−８−（を換アニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１゜４−ナフトキノン色素
の金属錯体或いは５，８−（置換アニリノ）−２，３−
ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素の金属錯体を主成
分とする有機薄膜を形成したことを特徴とする光学記録
媒体。 - （２）基板の片側まだは両側に記録層を設け、情報をレ
ーザ光線によって記録しかつ読み取る光学記録媒体の製
造方法において、前記記録層として５−アミノ−８−（
置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素の金属錯体或いは５，８−（置換アニリノ）−
２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素の金属錯
体を蒸着法で前記基板上に形成したことを特徴とする光
学記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250139A JPS60149490A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250139A JPS60149490A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149490A true JPS60149490A (ja) | 1985-08-06 |
| JPH0441672B2 JPH0441672B2 (ja) | 1992-07-09 |
Family
ID=17203396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250139A Granted JPS60149490A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149490A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58112793A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録部材 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58250139A patent/JPS60149490A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58112793A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441672B2 (ja) | 1992-07-09 |
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