JPS59201245A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS59201245A JPS59201245A JP58075000A JP7500083A JPS59201245A JP S59201245 A JPS59201245 A JP S59201245A JP 58075000 A JP58075000 A JP 58075000A JP 7500083 A JP7500083 A JP 7500083A JP S59201245 A JPS59201245 A JP S59201245A
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- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光の照射による形状変化によって情報を
記録し、形状変化による反射率変化を用いて記録情報を
再生することのできる光学記録媒体に関する。
記録し、形状変化による反射率変化を用いて記録情報を
再生することのできる光学記録媒体に関する。
従来、レーザ光の照射によυ非１Ｊ２１！！的な特性あ
るいは形状変化をオＵ用して情報を記録する、いわゆる
ＤＲＡＷ型の記録媒体としては、Ｔｅ、Ｂｉ等の低融点
金属およびその合金、化合物が用いられてきた。これら
の媒体は、比教的低い工坏ルギー密度の光照射によシ孔
を形成することができ、又形成された孔の形状も滑らか
で比軟的良好な再生信号を与える。しかし、装置を小型
化する上で強く望まれる半導体レーザを記録光源とする
には、これらの媒体の記録感夏は十分でなく、よシ高感
度の媒体が望まれている。記録感度を向上させる方法と
して媒体の層構成を三層にして、三層間の光の多重反射
干渉を利用するいわゆる三層構造媒体が知られている。
るいは形状変化をオＵ用して情報を記録する、いわゆる
ＤＲＡＷ型の記録媒体としては、Ｔｅ、Ｂｉ等の低融点
金属およびその合金、化合物が用いられてきた。これら
の媒体は、比教的低い工坏ルギー密度の光照射によシ孔
を形成することができ、又形成された孔の形状も滑らか
で比軟的良好な再生信号を与える。しかし、装置を小型
化する上で強く望まれる半導体レーザを記録光源とする
には、これらの媒体の記録感夏は十分でなく、よシ高感
度の媒体が望まれている。記録感度を向上させる方法と
して媒体の層構成を三層にして、三層間の光の多重反射
干渉を利用するいわゆる三層構造媒体が知られている。
この構造は、反射層、透明層、吸収層から成膜、とのＩ
Ｉで基板に積層されている。
Ｉで基板に積層されている。
吸収層側から光、を入射させると、反射光量は吸収層と
透明：層の厚さに依存して変化する。、反射光量が小さ
くなるよ５にこれらの厚さを選択することＫより吸収層
の吸収率を大きくすることができる。
透明：層の厚さに依存して変化する。、反射光量が小さ
くなるよ５にこれらの厚さを選択することＫより吸収層
の吸収率を大きくすることができる。
したがって、吸収層が単層で基板に形成されている場合
よシ、三層構造とすることＫよシ吸収層の単位厚さ当り
の吸収率を大幅に高めることができ、その結果低い記録
レーザパワーで記録できる高感度媒体を実現し得る。
よシ、三層構造とすることＫよシ吸収層の単位厚さ当り
の吸収率を大幅に高めることができ、その結果低い記録
レーザパワーで記録できる高感度媒体を実現し得る。
吸収層としては、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｔ、Ｔｉ等が使用され
ているが、奸体の感度は吸収層の融点に依存し、Ｔｅ。
ているが、奸体の感度は吸収層の融点に依存し、Ｔｅ。
Ｂｉ等の低融点金属では高感度であるが、Ａｔ、Ｔｉで
はＴｅ、Ｂｉよ！１１４〜５倍の記録エネルギーを必要
とし、半導体レーザを記録光源とするには感朋不足であ
る。Ｔｅ＋旧等低融点金属は、空気中放置で酸化し徐々
に透明体となる。したがって、これらの金属を用いる媒
体は保存性に問題があり、空気中放置で劣化しない安定
金属を用いる筒感度媒体が望まれている。
はＴｅ、Ｂｉよ！１１４〜５倍の記録エネルギーを必要
とし、半導体レーザを記録光源とするには感朋不足であ
る。Ｔｅ＋旧等低融点金属は、空気中放置で酸化し徐々
に透明体となる。したがって、これらの金属を用いる媒
体は保存性に問題があり、空気中放置で劣化しない安定
金属を用いる筒感度媒体が望まれている。
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、半導
体レーザで記録再生できる高ｇｌ＆で安定な光学記録媒
体を提供することである。
体レーザで記録再生できる高ｇｌ＆で安定な光学記録媒
体を提供することである。
すなわち本発明は、基板の片側または両側に記録層を設
け、情報をレーザ光線によって記録しがつ＆み取る光学
記録媒体において、前記記録層として前記基板の表面を
覆って形成され、前記レーザ光線に対して高い反射率を
示す第１のｊ−と、前記第１の層を覆って形成さ扛前記
レーザ光線に対して実質的に透明な第２の層と、前記第
２の層を覆って形成され 一般式 （式中Ｒ、Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素を主成分とする第３の層と、前記第３の層を覆
って形成され前記レーザ光線に対して高い反射率、吸収
率を示す第４の層とを具備してなることを特徴とする。
け、情報をレーザ光線によって記録しがつ＆み取る光学
記録媒体において、前記記録層として前記基板の表面を
覆って形成され、前記レーザ光線に対して高い反射率を
示す第１のｊ−と、前記第１の層を覆って形成さ扛前記
レーザ光線に対して実質的に透明な第２の層と、前記第
２の層を覆って形成され 一般式 （式中Ｒ、Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素を主成分とする第３の層と、前記第３の層を覆
って形成され前記レーザ光線に対して高い反射率、吸収
率を示す第４の層とを具備してなることを特徴とする。
上記の一般式で表わされるナフトキノン色素は、２．３
−ジシアノ−１，４ナフトキノンと総称され、５，８位
の助色団の２ＪＨｕによって吸収ピーク波長がｏＪ視光
領域から近赤外光領域に変化する。
−ジシアノ−１，４ナフトキノンと総称され、５，８位
の助色団の２ＪＨｕによって吸収ピーク波長がｏＪ視光
領域から近赤外光領域に変化する。
近赤外光領域に吸収ピークがある助色団としては、上記
一般式中のＲとしてアミン基（ＮＨ２）または置換アミ
ノ基（ＮＨＸ 、 ＮＸＸ’ 、ここでｘ、ｘ’はアル
キル基を表わす）、Ｒ′としてフェニルアミノ基（ＮＨ
−Ｑ）または置換フェニルアミノ基（ＮＨ−（）８．こ
こでＹは置換基を表わす）であることか望ましい。置換
フェニルアミノ基の置換基Ｙとしては、アルキル基、ア
リル基、アミン基置換アミノ基あるいはアルコキシル基
が使用される。Ｒがアミン基である色素は２，３−ジシ
アノ−５−アミノ−８−アリルアミノ−１，４−ナフト
キノンと総称され、合成が容易で、光堅ロウで、吸収特
性も半導体レーザ波長に適合するという優れた特性を示
す。吸収特性をベンゼンを溶媒として測定すると、近赤
外の吸収ピーク波長はフェニルアミノ基のバラ位の置換
基の影響を受けるが、置換基がメチル基、エチル基、グ
ロビル基、ブチル基等のアルキル基、メトキシル基、エ
トキシル基、グロポキシル基等のアルコキシル基では約
７８０ｎｍであシ、半導体レーザ波長（〜８００ｎｍ）
とよく適合する。
一般式中のＲとしてアミン基（ＮＨ２）または置換アミ
ノ基（ＮＨＸ 、 ＮＸＸ’ 、ここでｘ、ｘ’はアル
キル基を表わす）、Ｒ′としてフェニルアミノ基（ＮＨ
−Ｑ）または置換フェニルアミノ基（ＮＨ−（）８．こ
こでＹは置換基を表わす）であることか望ましい。置換
フェニルアミノ基の置換基Ｙとしては、アルキル基、ア
リル基、アミン基置換アミノ基あるいはアルコキシル基
が使用される。Ｒがアミン基である色素は２，３−ジシ
アノ−５−アミノ−８−アリルアミノ−１，４−ナフト
キノンと総称され、合成が容易で、光堅ロウで、吸収特
性も半導体レーザ波長に適合するという優れた特性を示
す。吸収特性をベンゼンを溶媒として測定すると、近赤
外の吸収ピーク波長はフェニルアミノ基のバラ位の置換
基の影響を受けるが、置換基がメチル基、エチル基、グ
ロビル基、ブチル基等のアルキル基、メトキシル基、エ
トキシル基、グロポキシル基等のアルコキシル基では約
７８０ｎｍであシ、半導体レーザ波長（〜８００ｎｍ）
とよく適合する。
これらの色素は、抵抗加熱の蒸層法で薄膜を容易に形成
することができる。蒸着時のボート温度を各色素の分解
温度より５０〜６０℃低い温度に維持することにより、
ソース材料が分解することなく良好に成膜し得る。これ
らの色素の分解温度は助色団の影響を受けるが２，３−
ジシアノ−５−アミノ−８−アリルアミノ−１，４−ナ
ツトキノンでは大体２５０〜３００℃の範囲にある。
することができる。蒸着時のボート温度を各色素の分解
温度より５０〜６０℃低い温度に維持することにより、
ソース材料が分解することなく良好に成膜し得る。これ
らの色素の分解温度は助色団の影響を受けるが２，３−
ジシアノ−５−アミノ−８−アリルアミノ−１，４−ナ
ツトキノンでは大体２５０〜３００℃の範囲にある。
本発明で使用される吸収層の材料としては、化学的に安
定なＴｉ ＋Ｃｒ＋Ａｔ＋Ｆｅ＋Ｎｉ ＋Ｃｏ＋Ｇｅ＋
Ｔａ＋Ｒｈ＋Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｂおよびこれら
金属の多層膜ならびＫこれら金属の合金炭化物、窒化物
等が使用できる。透明層としては、半導体レーザ波長（
〜８００ｎｍ）で実質的に透明な５ｉ０１． Ｓｉ３Ｎ
４および上記金属の酸化物あるいは窒化物ならびに希土
類金属の酸化物が使用できる。又透明な合成樹脂。
定なＴｉ ＋Ｃｒ＋Ａｔ＋Ｆｅ＋Ｎｉ ＋Ｃｏ＋Ｇｅ＋
Ｔａ＋Ｒｈ＋Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｂおよびこれら
金属の多層膜ならびＫこれら金属の合金炭化物、窒化物
等が使用できる。透明層としては、半導体レーザ波長（
〜８００ｎｍ）で実質的に透明な５ｉ０１． Ｓｉ３Ｎ
４および上記金属の酸化物あるいは窒化物ならびに希土
類金属の酸化物が使用できる。又透明な合成樹脂。
例えばポリメチルメタクリル、ポリイミド、ポリアミド
、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等が使用できる。反
射層としては半導体レーザ波長で反射率の高いＡｔ ＋
Ａｇ ｒ Ａ ｕ ｒ Ｃｒ 、Ｃｕ ｒ Ｒｈ ｒ
Ｔ ｉｒ Ｔ ａ等が使用できる。又誘電体の多層膜
も使用することができる。
、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等が使用できる。反
射層としては半導体レーザ波長で反射率の高いＡｔ ＋
Ａｇ ｒ Ａ ｕ ｒ Ｃｒ 、Ｃｕ ｒ Ｒｈ ｒ
Ｔ ｉｒ Ｔ ａ等が使用できる。又誘電体の多層膜
も使用することができる。
媒体を支持する基板としては、通常ガラス、合成樹脂、
アルミニウム合金等が使用される。合成樹月盲としては
、ポリメチルメタクリル、ポリビニールクロライド、ポ
リサルホン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等がある
。基板の形状は、円板状、テープ状、シート状などが使
用されるが、本例では円板状基板を使用した場合につい
て説明する。円板状基板の望ましい形態として、トラッ
キング用の案内溝（プリグループ）および、トラック、
セクター識別用の情報ビットを有することである。溝お
よびビットの寸法は、幅が約０．８μｍ。
アルミニウム合金等が使用される。合成樹月盲としては
、ポリメチルメタクリル、ポリビニールクロライド、ポ
リサルホン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等がある
。基板の形状は、円板状、テープ状、シート状などが使
用されるが、本例では円板状基板を使用した場合につい
て説明する。円板状基板の望ましい形態として、トラッ
キング用の案内溝（プリグループ）および、トラック、
セクター識別用の情報ビットを有することである。溝お
よびビットの寸法は、幅が約０．８μｍ。
深さが約ｏ、ｏ ｇμｍである。このような溝および情
報ビットを有する基板は、通常のレコード盤と同様のプ
ロセスで作成される。ａち、ラッカ盤に相当する原盤を
ガラス基板上に塗布されたホトレジストにアルゴンイオ
ンレーザで記録後現像してパｐ−：ｉｔ得、その後ニッ
ケルメッキによシマスタースタンパを作成し、これを金
型として注型、圧縮、射出等の成型法で仙腸加工する。
報ビットを有する基板は、通常のレコード盤と同様のプ
ロセスで作成される。ａち、ラッカ盤に相当する原盤を
ガラス基板上に塗布されたホトレジストにアルゴンイオ
ンレーザで記録後現像してパｐ−：ｉｔ得、その後ニッ
ケルメッキによシマスタースタンパを作成し、これを金
型として注型、圧縮、射出等の成型法で仙腸加工する。
これらの成型法以外に紫外線硬化樹脂を用いてレプリカ
を作成することもできる。
を作成することもできる。
以下図面を用いて本発明をよシ詳細に説明する。
第１図は、本発明の媒体の一実施例の基本イ再成を示し
、基＆１０上に反射層２０．坊明層３０１色素層４０、
吸収層５０が積層されている。半導体レーザ光６０を対
物レンズ（図示せず）で収光して媒体に照射する。入射
光６０の一部は反射光７０となり残シの大部分は吸収層
５０および色素層４０に吸収される。媒体反射率および
吸収層の吸収率を具体的な層構成について示す。反射層
２０として１１００ｎのＡｔ 、色素層４０として５ｎ
ｍの２，３−ジシアノ−５−アミノ−８−（（４−エト
キシ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノン、吸収
層５０として１０ｎｍのＣｒを取シ、透明層３０として
Ｓｉｎ、を用いて、５ｉ０２の厚さをパラメータとした
ときの媒体反射率Ｒおよび吸収層の吸収率Ａを第２図に
示す。反射率、吸収率は５ｉ０２の厚さによシ変化する
が、反射率が極小となる５ｉ０２の厚さで吸収率が極大
となる。したがって、５ｉ０２の膜厚を反射率が小さく
なるように選択することによシ、高感度媒体を形成し得
る。但し、反射率が小さ過ぎるとサーボ信号を得るのが
困難となるので、反射率は１０チ以上に設定することが
実用的には望ましい。なお、反射率が極小となる（吸収
率が極太となるン透明層（Ｓ １ｏ２）の膜厚は縁υ返
えし現われるので所望の反射率あるいは吸収率を満す膜
厚は多値となる。
、基＆１０上に反射層２０．坊明層３０１色素層４０、
吸収層５０が積層されている。半導体レーザ光６０を対
物レンズ（図示せず）で収光して媒体に照射する。入射
光６０の一部は反射光７０となり残シの大部分は吸収層
５０および色素層４０に吸収される。媒体反射率および
吸収層の吸収率を具体的な層構成について示す。反射層
２０として１１００ｎのＡｔ 、色素層４０として５ｎ
ｍの２，３−ジシアノ−５−アミノ−８−（（４−エト
キシ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノン、吸収
層５０として１０ｎｍのＣｒを取シ、透明層３０として
Ｓｉｎ、を用いて、５ｉ０２の厚さをパラメータとした
ときの媒体反射率Ｒおよび吸収層の吸収率Ａを第２図に
示す。反射率、吸収率は５ｉ０２の厚さによシ変化する
が、反射率が極小となる５ｉ０２の厚さで吸収率が極大
となる。したがって、５ｉ０２の膜厚を反射率が小さく
なるように選択することによシ、高感度媒体を形成し得
る。但し、反射率が小さ過ぎるとサーボ信号を得るのが
困難となるので、反射率は１０チ以上に設定することが
実用的には望ましい。なお、反射率が極小となる（吸収
率が極太となるン透明層（Ｓ １ｏ２）の膜厚は縁υ返
えし現われるので所望の反射率あるいは吸収率を満す膜
厚は多値となる。
情報の記録は、吸収Ｊ＠５０に孔を形成することによシ
なされる。従来の層構成では色素層４０が無いので、吸
収層５０に孔を形成するには、吸収ｊ６の温度を少なく
ともその融点以上に上昇させる必要がある。一方、色素
層４０を付与した本発明の構成では、色素層４０が吸収
層５０の融点より十分低い温度で分解しガスを放出する
ので、吸収層５０の温度が融点以上にあがらなくても、
このガス放出によシ吸収層５０に孔が形成される。した
がって化学的に安定な高融点材料を吸収層として使用し
ても高感度媒体を形成することが可能となる。
なされる。従来の層構成では色素層４０が無いので、吸
収層５０に孔を形成するには、吸収ｊ６の温度を少なく
ともその融点以上に上昇させる必要がある。一方、色素
層４０を付与した本発明の構成では、色素層４０が吸収
層５０の融点より十分低い温度で分解しガスを放出する
ので、吸収層５０の温度が融点以上にあがらなくても、
このガス放出によシ吸収層５０に孔が形成される。した
がって化学的に安定な高融点材料を吸収層として使用し
ても高感度媒体を形成することが可能となる。
第３図は案内溝２，４，６．８を拐つ円板状のアクリル
基板１０上に形成した媒体１００の断面形状を示してい
る。反射層２０として１１００ｎのＡ４を、透明層３０
として６０ｎｍの５ｉ０２を、色素層４０として５ｎｍ
の２，３−ジシアノ−５−アミノ−８−〔（４−エトキ
シ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノンを、吸収
層５０として５ｎｍのＣｒを蒸着法で付着されている。
基板１０上に形成した媒体１００の断面形状を示してい
る。反射層２０として１１００ｎのＡ４を、透明層３０
として６０ｎｍの５ｉ０２を、色素層４０として５ｎｍ
の２，３−ジシアノ−５−アミノ−８−〔（４−エトキ
シ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノンを、吸収
層５０として５ｎｍのＣｒを蒸着法で付着されている。
この媒体の反射率は波長８３０ｎｍで１５チであった。
成長８．ｌＯｎｍのＡｔＧａＡｓ半導体レーザを対物レ
ンズで収光し、媒体１００上でのビーム径を１．４μｍ
ψとし、又光強度８ ｍｙ ＋パルス幅２００ ｎ５ｅ
ｃで記録した後、レーザ光を１ｍｗで連続発掘させて記
録ピットを再生すると良好な再生信号が得られた。なお
ビットの記録は案内溝２．４，６．８に行なってもよい
し、案内溝と案内溝、の間３，５．７に行なってもよい
。
ンズで収光し、媒体１００上でのビーム径を１．４μｍ
ψとし、又光強度８ ｍｙ ＋パルス幅２００ ｎ５ｅ
ｃで記録した後、レーザ光を１ｍｗで連続発掘させて記
録ピットを再生すると良好な再生信号が得られた。なお
ビットの記録は案内溝２．４，６．８に行なってもよい
し、案内溝と案内溝、の間３，５．７に行なってもよい
。
上記実施例から明らかなように、本発明によυ高感度で
かつ安定な光学記録媒体を得ることができる。本実施例
では、置換基がエトキシル基である有機色素を用いる圀
を示したが、前述の色素および類似の誘導体を使用して
もほぼ実施例と等しい有効性が得られた。
かつ安定な光学記録媒体を得ることができる。本実施例
では、置換基がエトキシル基である有機色素を用いる圀
を示したが、前述の色素および類似の誘導体を使用して
もほぼ実施例と等しい有効性が得られた。
第１図は、本発明の一実施例である光学記録媒体の断面
図、第２図は、第１図の光学記録媒体の光学特性を示す
図、第３図は、本発明の他の実施例である光学記録媒体
の断面図である。 １０は基板、２０は反射層、３０は透明層、４０は色素
層、５０は吸収層、２，４，６．８は案内溝で第１図 ＄Ｚ図 月報 厚 （ｎｍ） ００
図、第２図は、第１図の光学記録媒体の光学特性を示す
図、第３図は、本発明の他の実施例である光学記録媒体
の断面図である。 １０は基板、２０は反射層、３０は透明層、４０は色素
層、５０は吸収層、２，４，６．８は案内溝で第１図 ＄Ｚ図 月報 厚 （ｎｍ） ００
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の片側または両側に記録層を設け、情報をレーザ光
線によって記録し、かつ読み取る光学記録媒体において
、前記記録層として前記基板の表面を覆って形成され、
前記レーザ光線に対して高い反射率を示す第１の層と、
前記第１の層を覆って形成され前記レーザ光線に対して
実質的に透明な第２の層と、前記第２の層を覆って形成
され一般式 （式中Ｒ，Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素を主成分とする第３の層と、前記第３の層を覆
って形成され前記レーザ光線に対して高い反射率、吸収
率を示す第４の層とを具備してなることを特徴とする光
学記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075000A JPS59201245A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
| US06/507,312 US4504548A (en) | 1982-06-25 | 1983-06-23 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| DE8383106192T DE3366578D1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| EP19830106192 EP0097929B1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075000A JPS59201245A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201245A true JPS59201245A (ja) | 1984-11-14 |
Family
ID=13563501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075000A Pending JPS59201245A (ja) | 1982-06-25 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201245A (ja) |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075000A patent/JPS59201245A/ja active Pending
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