JPS59218642A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS59218642A JPS59218642A JP58075002A JP7500283A JPS59218642A JP S59218642 A JPS59218642 A JP S59218642A JP 58075002 A JP58075002 A JP 58075002A JP 7500283 A JP7500283 A JP 7500283A JP S59218642 A JPS59218642 A JP S59218642A
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- Japan
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- dye
- amino group
- wavelength
- recording medium
- optical recording
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G—PHYSICS
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは有機色素を記
録層とする光学記録媒体に関する。
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは有機色素を記
録層とする光学記録媒体に関する。
従来、レーザ光の照射によシ非可逆的な特性あるいは形
状変化を利用して情報を記録する、いわゆるＤ ＲＡＷ
型の記録媒体としては、 Ｔｅ、Ｂｉ等の低融点金属お
よびその合金、化合物が用いられてきた。これらの媒体
は、比較的低いエネルギー密度の光照射により孔を形成
することができ、又形成された孔の形状も滑らかで比軟
的良好な再生信号を与える。しかし、装置を小型化する
上で強く望まれる半導体レーザを記録光源とするには、
これらの媒体の記録感度は十分でなく、より高感度の媒
体が望まれている。
状変化を利用して情報を記録する、いわゆるＤ ＲＡＷ
型の記録媒体としては、 Ｔｅ、Ｂｉ等の低融点金属お
よびその合金、化合物が用いられてきた。これらの媒体
は、比較的低いエネルギー密度の光照射により孔を形成
することができ、又形成された孔の形状も滑らかで比軟
的良好な再生信号を与える。しかし、装置を小型化する
上で強く望まれる半導体レーザを記録光源とするには、
これらの媒体の記録感度は十分でなく、より高感度の媒
体が望まれている。
高感度媒体を実現し得る材料として有機色素あるいは顔
料が知られている。これら有機物が高感度であるのは、
比較的低い温度で昇華又は分解することと、断熱性に優
れ吸収エネルギーを有効に孔形成に使用できるためであ
る。有機色素あるいは顔料を媒体とする一つの有効々媒
体形成方法として、有機色素あるいは顔料をニトロセル
ロースに分散させて記録層とすることが知られている。
料が知られている。これら有機物が高感度であるのは、
比較的低い温度で昇華又は分解することと、断熱性に優
れ吸収エネルギーを有効に孔形成に使用できるためであ
る。有機色素あるいは顔料を媒体とする一つの有効々媒
体形成方法として、有機色素あるいは顔料をニトロセル
ロースに分散させて記録層とすることが知られている。
例えば、特開昭５４−８９６０５では記録層の補助層と
して色素とニトロセルロースの混合物が使用され、色素
としてローダミンやアクリジン等を使用する例が、又特
開昭５５−８７５９５ではブリリアントグリーンを色素
として用いる例が開示されている。これらの公知な媒体
で使用されている色素は、主として可初光域に吸収があ
り、現有の半導体レーザの発振波長である近赤外光域（
〜８００ｎｍ）ではほとんど吸収を示さない。したがっ
て、公知の媒体では、波長５３０ｎｍのレーザ光あるい
は波長６３３ｎｍのレーザ光が記録光として使用されて
おシ、これらの媒体は半導体レーザの記録には適してい
ない。
して色素とニトロセルロースの混合物が使用され、色素
としてローダミンやアクリジン等を使用する例が、又特
開昭５５−８７５９５ではブリリアントグリーンを色素
として用いる例が開示されている。これらの公知な媒体
で使用されている色素は、主として可初光域に吸収があ
り、現有の半導体レーザの発振波長である近赤外光域（
〜８００ｎｍ）ではほとんど吸収を示さない。したがっ
て、公知の媒体では、波長５３０ｎｍのレーザ光あるい
は波長６３３ｎｍのレーザ光が記録光として使用されて
おシ、これらの媒体は半導体レーザの記録には適してい
ない。
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、半導
体レーザで記録再生できる高感度な光学記録媒体を提供
するととである。
体レーザで記録再生できる高感度な光学記録媒体を提供
するととである。
すなわち本発明は、基板の片側または両側に記録層を設
け、情報をレーザ光線によって記録しかつ読み取る光学
記録媒体において、前記記録層が一般式 ％式％ （式中Ｒ、Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素とニトロセルロースとを具備していることを特
徴とする。
け、情報をレーザ光線によって記録しかつ読み取る光学
記録媒体において、前記記録層が一般式 ％式％ （式中Ｒ、Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素とニトロセルロースとを具備していることを特
徴とする。
上記の一般式で表わされるナフトキノン色素は、２．３
−ジシアノ−１，４ナツトキノンと総称され、５，８位
の助色Ｈの種類によって吸収ピーク波長が可視光領域か
ら近赤外光領域に変化する。
−ジシアノ−１，４ナツトキノンと総称され、５，８位
の助色Ｈの種類によって吸収ピーク波長が可視光領域か
ら近赤外光領域に変化する。
近赤外光領域に吸収ピークがある助色団としては、上記
一般式中のＲとしてアミン基（ＮＨ２）または置換アミ
ノ基（ＮＨＸ、ＮＸＸ’、ここでｘ、ｘ’はアルキル基
を表わす）、Ｒ′としてフェニルアミノ基（ＮＨ−Ｃ４
、とこでＹは置換基を表わす）であることか望ましい。
一般式中のＲとしてアミン基（ＮＨ２）または置換アミ
ノ基（ＮＨＸ、ＮＸＸ’、ここでｘ、ｘ’はアルキル基
を表わす）、Ｒ′としてフェニルアミノ基（ＮＨ−Ｃ４
、とこでＹは置換基を表わす）であることか望ましい。
１ａ換フエニルアミノ基の置換基Ｙとしては、アルキル
基、アリル基、アミノ基。
基、アリル基、アミノ基。
置換アミノ基あるいはアルコキシル基が使用される。Ｒ
がアミノ基である色素は２．３−ジシアノ−５−アミノ
−８−了りルアミノ−１，４−ナフトキノンと総称され
、合成が容易で、光堅ロウで、吸収特性も半導体レーザ
波長に適合するという優れた特性を示す。吸収特性をベ
ンゼンを溶媒として測定すると、近称外の吸収ピーク波
長はフェニルアミノ基のバラ位の置換基の影響を受ける
が、置換基がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基等のアルキル基、メトキシル基、エトキシル基、プロ
ポキシル基等のアルコキシル基では約７８０ｎｍであシ
、半導体レーザ波長（〜８００ｎｍ）とよく適合する。
がアミノ基である色素は２．３−ジシアノ−５−アミノ
−８−了りルアミノ−１，４−ナフトキノンと総称され
、合成が容易で、光堅ロウで、吸収特性も半導体レーザ
波長に適合するという優れた特性を示す。吸収特性をベ
ンゼンを溶媒として測定すると、近称外の吸収ピーク波
長はフェニルアミノ基のバラ位の置換基の影響を受ける
が、置換基がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基等のアルキル基、メトキシル基、エトキシル基、プロ
ポキシル基等のアルコキシル基では約７８０ｎｍであシ
、半導体レーザ波長（〜８００ｎｍ）とよく適合する。
又これらの色素とＣｏ 、Ｃｕ ｒ Ｎｉ等の金属錯体
も近赤外光域で大きな吸収を示し有効な材料である。
も近赤外光域で大きな吸収を示し有効な材料である。
上記色素とニトロセルロースは適当な溶剤を用いて、色
素が凝集することなくとかすことができる。溶剤として
はケトン糸の溶剤例えばメチルイソブチルケトン等が使
用できる。このような溶液を回転塗布法によυ基板に塗
布し、溶液の粘度。
素が凝集することなくとかすことができる。溶剤として
はケトン糸の溶剤例えばメチルイソブチルケトン等が使
用できる。このような溶液を回転塗布法によυ基板に塗
布し、溶液の粘度。
回転数を選択して所望の膜厚を得ることができる。
媒体を支持する基板としては、通常ガラス、合成樹脂、
アルミニウム合金等が使用される。合成樹脂りとしては
、ポリメチルメタクリル、ポリビニールクロライド、ポ
リサルホン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等がある
。基板の形状は、円板状、テープ状、シート状などが使
用されるが、本例では円板状基板を使用した場合につい
て説明する。円板状基板の望ましい形態として、トラッ
キング用の案内溝（プリグループ）および、トラック、
セクター識別用の情報ピットを有することである。溝お
よびピットの寸法は、幅が約０．８μｍ。
アルミニウム合金等が使用される。合成樹脂りとしては
、ポリメチルメタクリル、ポリビニールクロライド、ポ
リサルホン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等がある
。基板の形状は、円板状、テープ状、シート状などが使
用されるが、本例では円板状基板を使用した場合につい
て説明する。円板状基板の望ましい形態として、トラッ
キング用の案内溝（プリグループ）および、トラック、
セクター識別用の情報ピットを有することである。溝お
よびピットの寸法は、幅が約０．８μｍ。
深さが約００８μｍである。このような溝および情報ピ
ラトラ有する基板は、通常のレコード盤と同様のプロセ
スで作成される。即ち、ラッカ盤に相当する原盤をガラ
ス基板上に塗布されたホトレジス、トにアルゴンイオン
レーザで記録後現像してパターンヲ得、その後ニッケル
メッキによりマスタースタンパを作成し、これを金型と
して注型、圧縮。
ラトラ有する基板は、通常のレコード盤と同様のプロセ
スで作成される。即ち、ラッカ盤に相当する原盤をガラ
ス基板上に塗布されたホトレジス、トにアルゴンイオン
レーザで記録後現像してパターンヲ得、その後ニッケル
メッキによりマスタースタンパを作成し、これを金型と
して注型、圧縮。
射出等の成型法で樹脂加工する。これらの成型法以外に
紫外線硬化樹脂を用いてレプリカを作成することもでき
る。
紫外線硬化樹脂を用いてレプリカを作成することもでき
る。
本発明にかかわる媒体の望ましい基板は、反射性の下地
を有することである。即ち、ガラス、合成樹脂等の透明
な基板の場合、反射率の高いアルミニウム、クロム、チ
タン、銀、金等の金属膜および誘電体の多層膜を付着し
て反射性の基板とすることである。基板の反射率を高め
る理由は、記録時の光吸収率を高め感度を向上させ得る
ことと、再生時の出力を大きくし得ることによる。
を有することである。即ち、ガラス、合成樹脂等の透明
な基板の場合、反射率の高いアルミニウム、クロム、チ
タン、銀、金等の金属膜および誘電体の多層膜を付着し
て反射性の基板とすることである。基板の反射率を高め
る理由は、記録時の光吸収率を高め感度を向上させ得る
ことと、再生時の出力を大きくし得ることによる。
以下に図面を参照して本発明をよシ詳細に説明する。第
１図は本発明の実施例を示し、ガラス基板１０上に色素
とニトロセルロースの混合膜２０が回転塗布法で形成さ
れている。色素として２．３−ジシアノ−５−アミノ−
８−（（４−エトキシ）フェニルアミノ）−１，４−す
７トキノンを使用した。色素の含有率は２５ｗｔ％であ
り、膜厚は２００ｎｍである。波長８３０ｎｍのＡｔＧ
ａＡｓ半導体レーザを対物レンズ（図示せず）で収光し
て矢印３０の方向から照射し、ピット４０を形成した。
１図は本発明の実施例を示し、ガラス基板１０上に色素
とニトロセルロースの混合膜２０が回転塗布法で形成さ
れている。色素として２．３−ジシアノ−５−アミノ−
８−（（４−エトキシ）フェニルアミノ）−１，４−す
７トキノンを使用した。色素の含有率は２５ｗｔ％であ
り、膜厚は２００ｎｍである。波長８３０ｎｍのＡｔＧ
ａＡｓ半導体レーザを対物レンズ（図示せず）で収光し
て矢印３０の方向から照射し、ピット４０を形成した。
レーザパワー６ｍｗ＋照射時間２００ ｎ５ｅｅで形成
されるピット４０の径は約１μｍであり、このピッ）４
０を０４５ｍｗのレーザ光で再生すると良好な信号が得
られた。
されるピット４０の径は約１μｍであり、このピッ）４
０を０４５ｍｗのレーザ光で再生すると良好な信号が得
られた。
第２図は本発明の他の実施例を示し、情報ピット２，４
．６と案内溝８ケ有するエポキシ樹脂基板１０上に１１
００ｎのＡｔ膜３０が付与され反射性の基板が形成され
ている。このＡｔ膜３０上に色素とニトロセルロースの
混合膜２０が回転塗布法で形成されている。色素として
２，３−ジシアノ−５−アミノ−８−（（４−メトキシ
）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノンとＣｏの錯
体を使用し、色素の含有率を３０ｗｔ％、膜厚を１１０
０ｎとした。
．６と案内溝８ケ有するエポキシ樹脂基板１０上に１１
００ｎのＡｔ膜３０が付与され反射性の基板が形成され
ている。このＡｔ膜３０上に色素とニトロセルロースの
混合膜２０が回転塗布法で形成されている。色素として
２，３−ジシアノ−５−アミノ−８−（（４−メトキシ
）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノンとＣｏの錯
体を使用し、色素の含有率を３０ｗｔ％、膜厚を１１０
０ｎとした。
前者と同様に半導体レーザで案内溝８に記録を行々い、
レーザパワー２ｍｗ＋照射時間２００ｎｓｅｅでピット
４０が形成された。このピット４０を０．５ ｍｗのレ
ーザ光で再生すると良好な信号が得られた。
レーザパワー２ｍｗ＋照射時間２００ｎｓｅｅでピット
４０が形成された。このピット４０を０．５ ｍｗのレ
ーザ光で再生すると良好な信号が得られた。
上記実施例から明らかなように、本発明により高感度な
光学記録媒体を得ることができる。なお、本発明は上記
実施例に限られるものではなく、本発明の思想内での細
部の変更も本発明に含まれるものである。又、本媒体の
最上層に公知の方法により、誘電体、有機物、高融点金
属等の保腹膜を付与することもできる。
光学記録媒体を得ることができる。なお、本発明は上記
実施例に限られるものではなく、本発明の思想内での細
部の変更も本発明に含まれるものである。又、本媒体の
最上層に公知の方法により、誘電体、有機物、高融点金
属等の保腹膜を付与することもできる。
第１図は、本発明の一実施例である光学記録媒体の断面
図、第２図は、本発明の他の実施例である光学記録媒体
の断面図である。 １０は基板、２０は混合膜、３０は反射膜、４０はピッ
）、２，４．６は情報ビット、８は案内溝である。 第１図 ０ 第２図 １０ ３０ 手続補正書（自発） ５９．７．−４ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５８年 特許願第７５００２
号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル（連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 図面の簡単な説明の欄 図面 ６、補正の内容 １）明細書第７頁第１８行目に「矢印３０Ｊとあるのを
「矢印３３」と補正する。 ２）明細書第９頁第７行目に「３０は反射膜、４０はピ
ット」とあるのを「３０は反射膜、３３はレーザ光、４
０はピット」と補正する。 ３）本願添付図面の第１図及び第２図を別紙図面のよう
に補正する。 代理人弁理士 内 原 ｒ ”’−ゝ８゛パ、−
図、第２図は、本発明の他の実施例である光学記録媒体
の断面図である。 １０は基板、２０は混合膜、３０は反射膜、４０はピッ
）、２，４．６は情報ビット、８は案内溝である。 第１図 ０ 第２図 １０ ３０ 手続補正書（自発） ５９．７．−４ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５８年 特許願第７５００２
号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル（連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 図面の簡単な説明の欄 図面 ６、補正の内容 １）明細書第７頁第１８行目に「矢印３０Ｊとあるのを
「矢印３３」と補正する。 ２）明細書第９頁第７行目に「３０は反射膜、４０はピ
ット」とあるのを「３０は反射膜、３３はレーザ光、４
０はピット」と補正する。 ３）本願添付図面の第１図及び第２図を別紙図面のよう
に補正する。 代理人弁理士 内 原 ｒ ”’−ゝ８゛パ、−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の片側または両側に記録層を設け、情報をレーザ光
線によって記録しかつ読み取る光学記録媒体において、
前記記録層が 一般式 （式中Ｒ、Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素とニトロセルロースを具備してなることを特徴
とする光学記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075002A JPS59218642A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
| US06/507,312 US4504548A (en) | 1982-06-25 | 1983-06-23 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| EP19830106192 EP0097929B1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| DE8383106192T DE3366578D1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075002A JPS59218642A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218642A true JPS59218642A (ja) | 1984-12-08 |
Family
ID=13563558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075002A Pending JPS59218642A (ja) | 1982-06-25 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59218642A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02179790A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Sony Corp | 光記録媒体 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075002A patent/JPS59218642A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02179790A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-12 | Sony Corp | 光記録媒体 |
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