JPS59218641A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPS59218641A JPS59218641A JP58075001A JP7500183A JPS59218641A JP S59218641 A JPS59218641 A JP S59218641A JP 58075001 A JP58075001 A JP 58075001A JP 7500183 A JP7500183 A JP 7500183A JP S59218641 A JPS59218641 A JP S59218641A
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは有機色素を記
録層とする光学記録媒体に関する。
きる光学記録媒体に関し、さらに詳しくは有機色素を記
録層とする光学記録媒体に関する。
従来、レーザ光の照射によシ非可逆的な特性あるいは形
状変化を利用して情報を記録する、いわゆるＤＲＡＷ型
の記録媒体としては、Ｔｅ、Ｂｉ等の低融点金属および
その合金、化合物が用いられてきた。これらの媒体は、
比較的低いエネルギー密度の光照射により孔を形成する
ことができ、又形成された孔の形状も滑らかで比較的良
好な再生信号を与える。しかし、装置を小型化する上で
強く望まれる半導体レーザを記録光源とするには、これ
らの媒体の記録感度は十分で々く、より高感度の媒体が
望まれている。
状変化を利用して情報を記録する、いわゆるＤＲＡＷ型
の記録媒体としては、Ｔｅ、Ｂｉ等の低融点金属および
その合金、化合物が用いられてきた。これらの媒体は、
比較的低いエネルギー密度の光照射により孔を形成する
ことができ、又形成された孔の形状も滑らかで比較的良
好な再生信号を与える。しかし、装置を小型化する上で
強く望まれる半導体レーザを記録光源とするには、これ
らの媒体の記録感度は十分で々く、より高感度の媒体が
望まれている。
高感度媒体を実現し得る材料として有機色素あるいは顔
料が知られている。これら有機物が高感度であるのは、
比較的低い温度で昇華又は分解することと、断熱性に優
れ吸収エネルギーを有効に孔形成に使用できるためであ
る。有機色素あるいは顔料を媒体とする一つの有効な媒
体形成方法として、有機色素あるいは顔料を熱可塑性樹
脂に分散させて記録層とすることが知られている。例え
ば、特開昭５５−１６１６９０では色素としてＩＣＩ製
のディスバーズ・レッド１１（商品名）を用いポリビニ
ルアセテートに分散させて記録層とする例が、又特開昭
５７−２０３２３７では色素として銅フタロシアニンを
用いポリスチレンに分散させて記録層とする例が開示さ
れている。これらの公知な媒体で使用されている色素は
、主として可視光域に吸収があシ、現有の半導体レーザ
の発振波長である近赤外光域（〜８００ｎｍ ）ではほ
とんど吸収を示さない。したがって、公知の媒体では、
Ｈｅ−Ｃｄレーザ（波長４４１ｎｍ ）あるいはＨｅ
−Ｎ ｅレーザ（波長６３２．８ｎｍ）が記録光源とし
て使用されておシ、これらの媒体は半導体レーザによる
記録には適してい力い。
料が知られている。これら有機物が高感度であるのは、
比較的低い温度で昇華又は分解することと、断熱性に優
れ吸収エネルギーを有効に孔形成に使用できるためであ
る。有機色素あるいは顔料を媒体とする一つの有効な媒
体形成方法として、有機色素あるいは顔料を熱可塑性樹
脂に分散させて記録層とすることが知られている。例え
ば、特開昭５５−１６１６９０では色素としてＩＣＩ製
のディスバーズ・レッド１１（商品名）を用いポリビニ
ルアセテートに分散させて記録層とする例が、又特開昭
５７−２０３２３７では色素として銅フタロシアニンを
用いポリスチレンに分散させて記録層とする例が開示さ
れている。これらの公知な媒体で使用されている色素は
、主として可視光域に吸収があシ、現有の半導体レーザ
の発振波長である近赤外光域（〜８００ｎｍ ）ではほ
とんど吸収を示さない。したがって、公知の媒体では、
Ｈｅ−Ｃｄレーザ（波長４４１ｎｍ ）あるいはＨｅ
−Ｎ ｅレーザ（波長６３２．８ｎｍ）が記録光源とし
て使用されておシ、これらの媒体は半導体レーザによる
記録には適してい力い。
本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良し、半導
体レーザで記録再生できる高感度な光学記録媒体を提供
することである。
体レーザで記録再生できる高感度な光学記録媒体を提供
することである。
すなわち本発明は、基板の片側または両側に記録層を設
け、情報をレーザ光線によって記録しかつ読み取る光学
記録媒体において、前記記録層が一般式 （式中Ｒ、Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素を熱可塑性樹脂に分散させてなる層を有してい
ることを特徴とする。
け、情報をレーザ光線によって記録しかつ読み取る光学
記録媒体において、前記記録層が一般式 （式中Ｒ、Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素を熱可塑性樹脂に分散させてなる層を有してい
ることを特徴とする。
上記の一般式で表わされるナフトキノン色素は、２．３
−ジシアノ−１，４ナフトキノンと総称され、５，８位
の助色団の種類によって吸収ピーク波長が可視光領域か
ら近赤外光領域に変化する。
−ジシアノ−１，４ナフトキノンと総称され、５，８位
の助色団の種類によって吸収ピーク波長が可視光領域か
ら近赤外光領域に変化する。
近赤外光領域に吸収ピークがある助色団としては、上記
一般式中のＲとしてアミノ基（ＮＨ９）または置換アミ
ノ基（ＮＨＸ、ＮＸＸ’、ここでｘ、ｘ’はアルキル基
を表わす）、Ｒ′としてフェニルアミノ基（Ｎ、Ｆ（−
（３）または置換フェニルアミノ基（ＮＨ−ＯＹ 、こ
こでＹは置換基を表わす）であることが望ましい。置換
フェニルアミノ基の置換基Ｙとしては、アルキル基、ア
リル基、アミノ基、置換アミン基あるいはアルコキシル
基が使用される。
一般式中のＲとしてアミノ基（ＮＨ９）または置換アミ
ノ基（ＮＨＸ、ＮＸＸ’、ここでｘ、ｘ’はアルキル基
を表わす）、Ｒ′としてフェニルアミノ基（Ｎ、Ｆ（−
（３）または置換フェニルアミノ基（ＮＨ−ＯＹ 、こ
こでＹは置換基を表わす）であることが望ましい。置換
フェニルアミノ基の置換基Ｙとしては、アルキル基、ア
リル基、アミノ基、置換アミン基あるいはアルコキシル
基が使用される。
Ｒがアミノ基である色素は２，３−ジシアノ−５−アミ
ノ−８−アリルアミノ−１，，４−ナフトキノンと総称
され、合成が答易で、光堅ロウで、吸収特性も半導体レ
ーザ波長に適合するという優れた特性を示す。吸収特性
をベンゼンを溶媒として０１！］定すると、近赤外の吸
収ピーク波長はフェニルアミノ基のパラ位の置換基の影
響を受けるが、置換基がメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等のアルキル基、メトキシル基、グロボキ
シル基等のアルコキシル基では約７８０ｎｍであシ、半
導体レーザ波長（〜８００ｎｍ ）とよく適合する。
ノ−８−アリルアミノ−１，，４−ナフトキノンと総称
され、合成が答易で、光堅ロウで、吸収特性も半導体レ
ーザ波長に適合するという優れた特性を示す。吸収特性
をベンゼンを溶媒として０１！］定すると、近赤外の吸
収ピーク波長はフェニルアミノ基のパラ位の置換基の影
響を受けるが、置換基がメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等のアルキル基、メトキシル基、グロボキ
シル基等のアルコキシル基では約７８０ｎｍであシ、半
導体レーザ波長（〜８００ｎｍ ）とよく適合する。
又これらの色素とＧｏ、Ｃｕ、Ｎｊ等の金属錯体も近赤
外光域で大きな吸収を示し有効な材料である。
外光域で大きな吸収を示し有効な材料である。
色素を分散させる有機高分子は、上記ナフトキノン色素
と相溶性であること、即ち、色素が凝集することなく分
散し得ることである。加えて、室温で安定な固体であシ
、長期保存で特性が劣化しないものでなければならない
。さらに、ガラス転位温度が適当に低く、高感度記録に
適している必要がある。このような有機尚分子として、
ポリオ＝５− レフイン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアク
リレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリア
ミド、ポリビニルアセテート及び共重合ポリマー等の熱
可塑性高分子が適している。
と相溶性であること、即ち、色素が凝集することなく分
散し得ることである。加えて、室温で安定な固体であシ
、長期保存で特性が劣化しないものでなければならない
。さらに、ガラス転位温度が適当に低く、高感度記録に
適している必要がある。このような有機尚分子として、
ポリオ＝５− レフイン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアク
リレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリア
ミド、ポリビニルアセテート及び共重合ポリマー等の熱
可塑性高分子が適している。
これらの高分子の分子量は、次の観点から選択すべきで
ある。分子量が低過ぎると室温での粘性が増し、取扱い
が困難になることおよび再生光の照射ピットが徐々に変
形するという問題を生じる。
ある。分子量が低過ぎると室温での粘性が増し、取扱い
が困難になることおよび再生光の照射ピットが徐々に変
形するという問題を生じる。
分子量が大き過ぎると、形成される孔の形状が不均一と
なシ再生伯号品質が悪くなる。通常分子量は、５００〜
ｉ ｏ、 ｏ ｏ ｏの範囲で選択される。
なシ再生伯号品質が悪くなる。通常分子量は、５００〜
ｉ ｏ、 ｏ ｏ ｏの範囲で選択される。
媒体を支持する基板としては、通常ガラス、合成樹脂、
アルミニウム合金等が使用される。合成樹脂としては、
ポリメチルメタクリル、ポリビニールクロライド、ポリ
サルホン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等がある。
アルミニウム合金等が使用される。合成樹脂としては、
ポリメチルメタクリル、ポリビニールクロライド、ポリ
サルホン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等がある。
基板の形状は、円板状、テープ状、シート状などが使用
されるが、本例では円板状基板を使用した場合について
説明する。円板状基板の望ましい形態として、トラッキ
ング用の案内溝（プリグループ）およびトラック。
されるが、本例では円板状基板を使用した場合について
説明する。円板状基板の望ましい形態として、トラッキ
ング用の案内溝（プリグループ）およびトラック。
６−
セクター識別用の情報ビットを有することである。
溝およびビットの寸法は、幅が約０．８μｍＪさが約０
０８μｍである。このような溝および情報ビットを有す
る基板は、通常のレコード盤と同様のプロセスで作成さ
れる。即ち、ラッカ盤に相当する原盤全ガラス基板上に
塗布されたホトレジストにアルゴンイオンレーザで記録
後視像してパターンを得、その後ニッケルメッキによシ
マスタースタンパを作成し、これを金型として注型、圧
縮、射出等の成型法で樹脂加工する。これらの成型法以
外に紫外線硬化樹脂を用いてレプリカを作成することも
できる。
０８μｍである。このような溝および情報ビットを有す
る基板は、通常のレコード盤と同様のプロセスで作成さ
れる。即ち、ラッカ盤に相当する原盤全ガラス基板上に
塗布されたホトレジストにアルゴンイオンレーザで記録
後視像してパターンを得、その後ニッケルメッキによシ
マスタースタンパを作成し、これを金型として注型、圧
縮、射出等の成型法で樹脂加工する。これらの成型法以
外に紫外線硬化樹脂を用いてレプリカを作成することも
できる。
本発明にかかわる媒体の望ましい基板は、反射性の下地
を有することである。即ち、ガラス、合成樹脂等の透明
な基板の場合、反射率の高いアルミニウム、クロム、チ
タン、銀、金等の金属膜および誘電体の多層膜を付着し
て反射性の基板とすることである。基板の反射率を高め
る理由は、記録時の光吸収率を高め感度を向上させ得る
ことと、再生時の出力を大きくし得ることによる。媒体
の吸収率６反射率は媒体の複素屈折率（ｎ−ｉｋ）と膜
厚で決定される。一般に吸光係数ｋが太きいはど吸収率
は高く、屈折率ｎが大きいほど反射率は大きい。したが
って、感度が高く再生出力が大きい媒体を得るには、屈
折率、吸光係数ともに大きな材料を使用することが必要
となる。本発明で使用する熱可塑性有機高分子は、可視
光から近赤外光において吸光係数がほぼゼロで、屈折率
は約１５である。したがって高分子中の色素分量が少な
くなるにつれて、吸収率２反射率ともに低下する。反射
性基板を用いると、媒体の吸収率は媒体の膜厚を選択す
ることによシ、吸光係数には直接には関係なく大きくす
ることができる。これは、媒体内での光の多重反射によ
るものであシ、無反射条件を満すように膜厚を設定する
ととによシ、入射光を効率良く媒体に吸収させることが
できる。
を有することである。即ち、ガラス、合成樹脂等の透明
な基板の場合、反射率の高いアルミニウム、クロム、チ
タン、銀、金等の金属膜および誘電体の多層膜を付着し
て反射性の基板とすることである。基板の反射率を高め
る理由は、記録時の光吸収率を高め感度を向上させ得る
ことと、再生時の出力を大きくし得ることによる。媒体
の吸収率６反射率は媒体の複素屈折率（ｎ−ｉｋ）と膜
厚で決定される。一般に吸光係数ｋが太きいはど吸収率
は高く、屈折率ｎが大きいほど反射率は大きい。したが
って、感度が高く再生出力が大きい媒体を得るには、屈
折率、吸光係数ともに大きな材料を使用することが必要
となる。本発明で使用する熱可塑性有機高分子は、可視
光から近赤外光において吸光係数がほぼゼロで、屈折率
は約１５である。したがって高分子中の色素分量が少な
くなるにつれて、吸収率２反射率ともに低下する。反射
性基板を用いると、媒体の吸収率は媒体の膜厚を選択す
ることによシ、吸光係数には直接には関係なく大きくす
ることができる。これは、媒体内での光の多重反射によ
るものであシ、無反射条件を満すように膜厚を設定する
ととによシ、入射光を効率良く媒体に吸収させることが
できる。
例えば、色素分散有機高分子膜（以下分散膜と略称する
）の複素屈折率が１．９−２０．４である時の媒体反射
率Ｒと分散膜での吸収率Ａの分散膜厚Ｈ依存を示したの
が第１図である。この図には、透明々ガラス基板に分散
膜が直接付着された場合（図中の破線）と１１００ｎの
ＡＩが蒸着されたガラス基板上に付着された場合（図中
の実線）について示している。これよシ明らかなごとく
、反射性基板を用いることによシ吸収率を大きくするこ
とができ、又記録前後の反射率変化も大きくし得ること
が分る。即ち、分散膜の膜厚を８０ｎｍとすると、Ａｌ
膜付基板の場合、吸収率は７０％９反射率は１３％であ
る。レーザ光照射により分散膜に孔が形成されると、孔
部の分散膜厚は減少するので反射率は増大する。孔部で
分散膜厚がゼロになればその反射率は８６ｇ６となるの
で、記録前後で反射率が１３９６から８６％へと大きな
変化を示し、したがって大きな再生信号が得られること
になる。
）の複素屈折率が１．９−２０．４である時の媒体反射
率Ｒと分散膜での吸収率Ａの分散膜厚Ｈ依存を示したの
が第１図である。この図には、透明々ガラス基板に分散
膜が直接付着された場合（図中の破線）と１１００ｎの
ＡＩが蒸着されたガラス基板上に付着された場合（図中
の実線）について示している。これよシ明らかなごとく
、反射性基板を用いることによシ吸収率を大きくするこ
とができ、又記録前後の反射率変化も大きくし得ること
が分る。即ち、分散膜の膜厚を８０ｎｍとすると、Ａｌ
膜付基板の場合、吸収率は７０％９反射率は１３％であ
る。レーザ光照射により分散膜に孔が形成されると、孔
部の分散膜厚は減少するので反射率は増大する。孔部で
分散膜厚がゼロになればその反射率は８６ｇ６となるの
で、記録前後で反射率が１３９６から８６％へと大きな
変化を示し、したがって大きな再生信号が得られること
になる。
実施例１、
高分子樹脂として平均分子量５ｏｏｏのポリスチレンを
用い、色素として２．３−ジシアノ−５−アミノ−８−
（４−メチルアニリノ）−１，４−ナフトキノンを用い
て媒体を形成した。ポリスチレン３ｇと上記色素１ｇを
５０ｍｌのキシレンで溶解−９＝ し、スピン塗布法により２００ｍｎ１φ、１２ｍｍ厚の
ガラス基板上に膜厚０．６μｍの媒体を形成した。溶媒
であるキシレンはスピン塗布時にその大部分は揮発し、
形成される膜は固形となるが、よシ十分に溶媒を除去す
るには真空排気処理が有効である。
用い、色素として２．３−ジシアノ−５−アミノ−８−
（４−メチルアニリノ）−１，４−ナフトキノンを用い
て媒体を形成した。ポリスチレン３ｇと上記色素１ｇを
５０ｍｌのキシレンで溶解−９＝ し、スピン塗布法により２００ｍｎ１φ、１２ｍｍ厚の
ガラス基板上に膜厚０．６μｍの媒体を形成した。溶媒
であるキシレンはスピン塗布時にその大部分は揮発し、
形成される膜は固形となるが、よシ十分に溶媒を除去す
るには真空排気処理が有効である。
この媒体に、波長８３０ｎｍのＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザ光を対物レンズで収光し、媒体面上パワー１０ｍＷ
、パルス幅３００ｎｓｅｅでピットを記録した。
ザ光を対物レンズで収光し、媒体面上パワー１０ｍＷ
、パルス幅３００ｎｓｅｅでピットを記録した。
第２図は記録されたビットの断面形状を示し、１０は基
板、２０は分散膜、３０はビットであり、ピット３０の
周囲に盛り上、？４０があり、ピット底５０は基板まで
到達していないのが特徴である。
板、２０は分散膜、３０はビットであり、ピット３０の
周囲に盛り上、？４０があり、ピット底５０は基板まで
到達していないのが特徴である。
レーザパワーを１ｍＷにして記録ピットを再生すると良
好な再生信号が得られた。
好な再生信号が得られた。
実施例２
高分子樹脂としてポリビニールアセテートを、色素とし
て２．３−ジシアノ−５−アミノ−８−〔（４−エトキ
シ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノンを用いて
、メチルエチルケトンを溶媒として媒体を形成した。メ
チルエチルケトン１０− ］、０００ｍに対してポリビニールアセテート２ｇ、上
記色素を１９溶解し、スピン塗布法で１２０ｍｍφ。
て２．３−ジシアノ−５−アミノ−８−〔（４−エトキ
シ）フェニルアミノ）−１，４−ナフトキノンを用いて
、メチルエチルケトンを溶媒として媒体を形成した。メ
チルエチルケトン１０− ］、０００ｍに対してポリビニールアセテート２ｇ、上
記色素を１９溶解し、スピン塗布法で１２０ｍｍφ。
１．２ｍｍ厚さのエポキシ樹脂基板に塗布した。第３図
はこのようにして形成された媒体の断面を示し、基板１
０には情報ピット２００，３００，４００と案内溝５０
０が形成され、基板１０の上にはＡｄの反射膜６０が蒸
着で付与されている。スピン塗布された媒体２０は、情
報ピット２００，３００，４００と案内溝５００を埋め
るように形成され、その厚さは基板の場所によシ異なる
。この媒体に、実施例１と同様に半纏体レーザで記録再
生を行ない、高感度でかつ再生品質の良好な特性を得た
。
はこのようにして形成された媒体の断面を示し、基板１
０には情報ピット２００，３００，４００と案内溝５０
０が形成され、基板１０の上にはＡｄの反射膜６０が蒸
着で付与されている。スピン塗布された媒体２０は、情
報ピット２００，３００，４００と案内溝５００を埋め
るように形成され、その厚さは基板の場所によシ異なる
。この媒体に、実施例１と同様に半纏体レーザで記録再
生を行ない、高感度でかつ再生品質の良好な特性を得た
。
上記実施例から明らかなように、本発明により高感度な
光学記録媒体を得ることができる。なお、実施例では、
置換基がメトキシル基とエトキシル基である色素を用い
る例を示したが、前述した色素および類似誘導体を使用
してもほぼ実施例と等しい有効性が得られた。又本媒体
の最上層に公知の方法によシ、誘電体、有機物、高融点
金属等の保護膜を付与することもできる。
光学記録媒体を得ることができる。なお、実施例では、
置換基がメトキシル基とエトキシル基である色素を用い
る例を示したが、前述した色素および類似誘導体を使用
してもほぼ実施例と等しい有効性が得られた。又本媒体
の最上層に公知の方法によシ、誘電体、有機物、高融点
金属等の保護膜を付与することもできる。
第１図は光学記録媒体の反射率Ｒ１吸収率Ａの膜厚Ｈに
よる変化を示す図、第２図は本発明の一実施例である光
学記録媒体の断面図、第３図は本発明の他の実施例であ
る光学記録媒体の断面図である。 １０は基板、２０は分散膜、６０は反射膜、２００．３
００，４００は情報ピット、５００は案内溝である。 ０
。 ミ ｏｏ 褐 〉 へ （％）Ｖ ４’ｌａ’ＫＯ’ｄｙｆＪ”ｌ”￥手続補正
書（自発） ５ｑ、７．−４ １、事件の表示 昭和５８年 特許願第７５００１
号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル（連絡先 ［１本電気株式会社特許部）５、補正の
対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 ■）明細書第６頁第７行目に「増し」とあるのを「低下
し」と補正する。 ２）明細書第８頁第１８行目に「１．９−２０．４Ｊと
あるのをｌ’−１，９−ｉ ０．４Ｊと補正する。 ３）明細書第１１頁第１５行目に「メトキシル基」とあ
るのを「メチル基」と補正する。 ４）明細書第１２頁第７行目に「２０は分散膜、６０は
反射膜」とあるのを「２０は分散膜、３０はピット、４
０は盛り上り、５０はピット底、６０は反射膜」と補正
する。 代理人弁理士 内 原 町下゛テ、（９，１・ ＼ １ −１− ＝２５７−
よる変化を示す図、第２図は本発明の一実施例である光
学記録媒体の断面図、第３図は本発明の他の実施例であ
る光学記録媒体の断面図である。 １０は基板、２０は分散膜、６０は反射膜、２００．３
００，４００は情報ピット、５００は案内溝である。 ０
。 ミ ｏｏ 褐 〉 へ （％）Ｖ ４’ｌａ’ＫＯ’ｄｙｆＪ”ｌ”￥手続補正
書（自発） ５ｑ、７．−４ １、事件の表示 昭和５８年 特許願第７５００１
号２、発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル（連絡先 ［１本電気株式会社特許部）５、補正の
対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 ■）明細書第６頁第７行目に「増し」とあるのを「低下
し」と補正する。 ２）明細書第８頁第１８行目に「１．９−２０．４Ｊと
あるのをｌ’−１，９−ｉ ０．４Ｊと補正する。 ３）明細書第１１頁第１５行目に「メトキシル基」とあ
るのを「メチル基」と補正する。 ４）明細書第１２頁第７行目に「２０は分散膜、６０は
反射膜」とあるのを「２０は分散膜、３０はピット、４
０は盛り上り、５０はピット底、６０は反射膜」と補正
する。 代理人弁理士 内 原 町下゛テ、（９，１・ ＼ １ −１− ＝２５７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の片側または両側に記録層を設け、情報をレーザ光
線によって記録しかつ読み取る光学記録媒体において、
前記記録層が 一般式 （式中Ｒ、Ｒ’は助色団を示す）で表わされるナフトキ
ノン色素を熱可塑性樹脂に分散させてなる層を有してい
ることを特徴とする光学記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075001A JPS59218641A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
| US06/507,312 US4504548A (en) | 1982-06-25 | 1983-06-23 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| DE8383106192T DE3366578D1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
| EP19830106192 EP0097929B1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-24 | Optical information recording medium for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075001A JPS59218641A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218641A true JPS59218641A (ja) | 1984-12-08 |
Family
ID=13563529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075001A Pending JPS59218641A (ja) | 1982-06-25 | 1983-04-28 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59218641A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312889A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 光記録材料 |
| US5326687A (en) * | 1991-12-20 | 1994-07-05 | Eastman Kodak Company | Photographic silver halide element containing microprecipitated methine oxonol filter dye dispersions |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075001A patent/JPS59218641A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312889A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 光記録材料 |
| JPH0416075B2 (ja) * | 1987-06-17 | 1992-03-19 | Kogyo Gijutsuin | |
| US5326687A (en) * | 1991-12-20 | 1994-07-05 | Eastman Kodak Company | Photographic silver halide element containing microprecipitated methine oxonol filter dye dispersions |
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