JPS62241144A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野〉 本発明はレーザビーム等の照射により記録材料の相変化
を利用して情報を記録・消去Ｊ°る光記録媒体に係わり
、特に記録状態を安定にした媒体に関するものである。

（従来の技術） 情報の記録・再生のみならず、記録され！ご情報の消去
を可能にした光記録媒体としてｔま光磁気型、相変化型
の媒体が知られている。

この内、相変化型の光記録媒体は記録膜−二し−ザヒー
ムを照射し、記録膜が例えば、結晶質と非晶質（以下、
アモルファスという）との間で可逆的に相転移すること
を利用して情報の記録・消去を行っている。すなわち、
記録膜に光ビームを照射して急速加熱し、これを急速冷
却することにより、結晶質からアモルファスへ相転移を
行って情報の記録がされる。また、光ビームを照射して
加熱したのち、徐冷することにより、再び結晶質へ戻す
ことで記録情報の消去がされる。情報の再生は光ビーム
を照射して、情報が記録されたアモルファスの部分と記
録されていない結晶質の部分との反射率、透過率の変化
を読み取ることでなされる。

ところで、従来よりこの種の相変化型の光記録媒体どし
てはＴｅ、Ｑｅ等のカルコゲナイド系半導体を記録膜に
使用したものが知られている。

例えば、純Ｔａは結晶化温度が室温付近（１０℃前後）
に存在するので、記録情報が含まれるレ−ｌ／’ビーム
を照射し、純Ｔｅ薄膜を結晶質からアモルファスへ相変
化させて記録を行っても、経時変化により非晶質部分が
結晶質状態に戻り、記録が自然消去されるおそれがある
。また、Ｇｅも薄膜にすると化学的安定性に乏しく、大
気中で次第に腐食して劣化するので、記録の安定性がな
い。

（発明が解決しようとする問題点） 上述のように、従来の光記録媒体では、記録膜としてカ
ルコゲナイド系半導体を使用していたので、安ヱした記
録状態を維持できないという問題点があった。

４（発明は上記事情に基づいたものであり、その目的は
、経時変化によって記録した情報消去することがなく、
安定した記録状態を維持することができる光記録媒体を
提供することにある。

［発明の構成］ （問題点を解決づるための手段） 上記目的を達成するために本発明の光記録媒体は、記録
膜を融点が３００℃乃至８００℃の電子化合物で形成し
たものである。

（作用） 融点が３００℃乃至８００℃の範囲にある電子化合物は
、光ビーム照射による溶解急冷によってアモルファス化
が可能であり、その結晶生温ｔＵは室温以上であるので
、アモルファス化された記録ピッＩ−が室温で安定に存
在する。

（実施例） 先ず、本発明の記録膜に使用される電子化合物について
説明する。

合金の４１１織状態には固溶体をつくる場合、規制合金
をつくる場合、金属間化合物をつくる場合及びこれらの
混合物をなす場合などがある。これらの内、金属間化合
物は、合金の成分元素の原子数が一定の整数比を保ら、
それらの各成分原子が単位となって結晶格子中で特定の
位置を占めているような合金をいい、原子価効果化合物
、原子半径効果化合物及び電子化合物等に大別される。

原子価効果化合物は、イオン結合的性格の強い電気化学
的化合物や等極結合的性格の強いものを含んでいる。

原子半径効果化合物は、成分原子の原子半径の比が単質
な因子となっている金属間化合物であ。

本実施例の記録膜に使用される電子化合物は、金属的性
質を示し、かなり広い範囲にわたる固溶領域をもつこと
が多い金属間化合物であり、後述するような結晶構造を
有している。

これらの金属間化合物は、合金の中でも特に金属間の結
合が強く、その薄膜は光ビームの照射にＪ：り溶融し急
冷すると容易にアモルファス化するものである。

アモルファスは、液体が急冷された組織であり、金属間
の結合が強いもの番よと急冷でアモルファス化し易い。

また、室温でアモルファスが安定に存在するためには結
晶化温度が室温より高くな（プればならない。

一般にアモルファスの結晶化温度は、絶対温度で表した
その物質の融点または液相湿度の１／２〜２／３よりヤ
］や高い温度であることが知られている［参照、作花著
「ガラス非晶質の科学Ｊｐ５１、内田老鶴圃（１９８３
）］。従って、アモルファス状態の記録ビットが室温で
安定に存在するためには、電子化合物の融点が３００℃
以上であることが望ましい。

また、光記録媒体としての使用を考えると、記録媒体上
で光出力５〜２Ｏｎ＋Ｗ程度の光ビームで記録消去でき
ることが必要であり、そのためには電子化合物の融点は
８００℃以下であることが望ましい。

記録ビットをアモルファスから結晶化して情報を消去す
る速度は、高速化が望まれており、電子化合物は、アモ
ルファスから結晶への相変化が短範囲の原子の移動によ
って達成されるので、その結晶化速度が通常の合金組成
よりも極めて早い。

すなわら、一般にアモルファス形成能があるとして知ら
れている共晶組成の合金は、固溶体と固溶体あるいは固
溶体と金属間化合物などの混合組織であるので、その結
晶化では、それぞれの相の結晶化が起こり、２相分離を
伴なう。その２相分離のためにアモルファスの結晶化で
は、原子の長範囲の移動が必要となり、しかも２段階の
結晶化となるため、その結晶化速度が遅い。一方、金属
間化合物では、相分離を伴なわず、短範囲の原子の移動
で１段階で結晶化するため、結晶化速度は極めて速い。

このため記録ビットの光ビームパルスにより高速消去が
可能である。

電子化合物は、一定の価電子濃度のあたりに決まった結
晶構造の中間相として出現するものとして知られ、価電
子濃度が３／２．２１／１３．７／４あたりに出現する
。［参照、阿部著［金属組織学序論Ｊｐ１０９．コロナ
社］、いずれの結晶構造も、短範囲の原子の移動によっ
てアモルファスから結晶への相変化をする。

融点が３００℃から８００℃の範囲にある電子化合物の
代表的な実例を次表に示す。

（日本金属学会編「金属データブックＪ丸首より）これ
らの電子化合物はスパッタ法による成膜でアモルファス
膜が得られ、高温でアニールすることにより結晶膜とな
る。さらに、光ビームによる溶融急冷によりアモルファ
ス化する。この相変化に伴ない膜の表面反射率が変化す
るので、この性質を利用して情報の記録、再生、消去を
行なうことができる。

また、これらの電子化合物は、金属間の結合が強く、安
定な化合物であるので、酸化等による膜の劣化が少ない
。

第１図は本発明に係る光記録媒体の一実施例の断面を示
しており、図示する光記録媒体１は、基板３．第１の保
護１５．記録膜７．第２の保護膜９及び紫外線硬化樹脂
（ＵＶ）Ｉｆｌｌｌｌをこの順番で積層して円板状に形
成したものである。

基板３は、アクリルやポリカーボネート等の樹脂または
ガラスにより形成された透明基板である。

第１．第２の保護膜５．９はＳｉ　０２　、Ａ吏Ｎ。

ＳｉＮ等の誘電体をスパッタ法又は蒸着法で５０〜５０
００Ａの厚さで形成したものである。これら保護Ｎ！Ａ
５．９により、記録膜７の酸化や記録時における記録膜
７の飛散あるいは穴明けが防止される。

また、上記ＵＶ膜１１は、第２の記録ｇＩ９上にＵＶ樹
脂を塗布して紫外線で硬化したもので、このＵＶ１９１
１により光記録媒体１の使用時における傷やひび割れ等
の機械的損傷が防止される。

記録膜７は、前記表中に示した融点が３００℃乃至８０
０℃のＭｇＴｕ、Ｌｉ　Ｐｂ　、Ｃｕ　Ｇａ２゜Ｃｕ５
　Ｃｄａ　、Ｍｇｔ−ｆｉｌｌ及びＡｕＺｎのいずれか
の原子化合物から選択され、スパッタ法または蒸着法に
て第１の保護膜５上に５０〜５０００Ａの厚さで成膜さ
れる。

以下、具体的な実施例について説明する。

（実施例−１） ＳｉＯｚターゲットを使用してスパッタ法によりガラス
基板上に厚さ１０００ＡのＳｉＯ２膜を形成し第１の保
護膜５とした。

次にＣｕターゲットとＧａターゲットを使用して２元同
時スパッタ法により各ターゲットに投入するパワーを調
整することによって、Ｃｕ　Ｇａ　２から成る記ＢＷＡ
７を厚ざ１０００Ａで第１の保護１８Ｉ５上に形成した
。

次いで、記録膜７上に第１の保護膜５と同様の方法で厚
ざ１０００ＡのＳｉＯ２膜を形成して第２の保護膜９と
した。さらに、この第２の保ｖ！１膜９上にＵＶ樹脂を
塗布し、紫外線を照射して硬化させてＵｖ成膜１を形成
した。

上述のように形成された記録膜７は成膜時にはアモルフ
ァスのため、５ｎ＋Ｗのレーデビームを連続照射し、徐
冷して結晶化した。次いで、記録情報を含む出力９＋ｅ
　Ｗ、パルス幅２００ｎＳのレー１ｆビーム１５を照射
し、急速冷ノＩ　して記録ｙ；Ｊ７をアモルファス化し
記録ビット部１３を形成して情報の記録をした。

第２図に、ガラス基板の上にＣｕ　Ｇａ　２　電子化合
物を膜厚１０００人でスパッタ法により成膜した後、上
述のように情報の記録（アモルファス化）がされたサン
プルの温度６０℃、相対湿度８０％Ｒ］−１における環
境試験の結果を示す。同図は、初期の表面反射率Ｒｏに
対する変化率Ｒ／　Ｒｏでプロットしであるが、記録さ
れてから２０日後でもほとんど変化率Ｒ／　Ｒｏに変化
はみられず、記録が安定して維持されていることがわか
った。また、Ｘ線回折の結果では成膜直接のサンプルは
アモルファスであり、２０日（多の１ナンプルでもアモ
ル）１スであった。

従来のＴｅ１ｌＷでは、Ｒ／　Ｒｏが初期から大きく低
下し、２０日後のサンプルをＸ線回折したところ、結晶
化していた。またＧｅｔ！！では、Ｒ／　Ｒ。

が増加し、２０日後のサンプルＸ線回折したところ、ま
だアモルファスであったが、表面全体に錆が発生してい
た。

また、出力的２ｍＷ、パルス幅２μｓのシー１１ビーム
をアモルファスの記録ビット１３に照射し記録膜７の結
晶化４１１Ｚ以上に加熱して徐冷することにより容易か
つ高速に情報の消去をすることができた。

なａノ、本実施例の光記録媒体１では、単面記録の光記
録媒体１について説明したが、本発明はこれに限られず
、本実施例構造を有する２枚の光記録媒体１のＵｖ成膜
１同志を接着層を介して貼り合せた両面記録の光記録媒
体にも適用できる。

［発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、情報の記録がされ
る薄膜を融点が３００℃乃至８００℃の電子化合物で形
成したので、情報が記録された非晶質部分が経時変化に
Ｊ二り結品質化することがない。このため、記録情報が
自然消去するおそれがなく、長期間にわたって安定した
記録状態が維持される信頼性の高い光記録媒体を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光記録媒体の一実施例の構成を示
す断面図、第２図は本発明に係る光記録媒体の一実施例
の表面反射率変化率特性を示す図である。 １・・・光記録媒体 ３・・・基板（基体） ５・・・第１の保護膜 ７・・・記録膜（薄膜） ９・・・第２の保ｒ！！膜 １１・・・Ｕｖ膜 第１１！１ 日数　〔日〕 ゑ　２図 手続ネ…正書（自発） 昭和６２年ダ月〃日 待訂庁長宮　　殿 １、小作の表示 昭和６１年特許願第０６３９３７号 ２、発明の名称 光記録媒体 ３、補正をする者 小作との関係　特許出願人 住所（居所）　神奈川県用崎市幸区堀用町７２番地氏名
（名称）　　　（３０７）株式会社　東芝代表者　　渡
　里　　杉　−部 ４、代理人 住　所　　　　〒１０５東京都港区虎ノ門１丁目２番３
＠虎ノ門第−ビル５階 明　　　　細　　　　書 １、発明の名称 光記録媒体 ２、特許請求の範囲 （１）　　光ビームの照射条件に応じ基体にｖｉ層され
た薄膜を平衡相と非平衡　との間で可逆的に相転移させ
ることにより情報の記録・消去を行う相変化型の光記録
媒体において、 前記薄膜を融点が３００℃乃至８００℃の電子化合物で
形成したことを特徴とする光記録媒体。 （２）　　前記薄膜をＭＱ　Ｔｌ、Ｌｉ　Ｐｂ　、Ｃｕ
　Ｇａ２　、Ｃｕｓ　Ｃｄｓ　、　ＭｇＨＯ及びＡｕＺ
ｎのいずれかの電子化合物で形成したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。 ３、発明の詳細な説明 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はレーザビーム等の照射により記８材料の相変化
を利用して情報を記録・消去する光記録媒体に係わり、
特に記録状態を安定にした媒体に関するものである。 （従来の技術） 情報の記録・再生のみならず、記録された情報の消去を
可能にした光記録媒体としては光磁気型、相変化型の媒
体が知られている。 この内、相変化型の光記録媒体は記録膜にレーザビーム
を照射して加熱し、記録膜が平衡相と非平衡相との間で
可逆的に相転移することを利用して情報の記録・消去を
行っている。すなわち、記録膜に光ビームを照射して急
速加熱し、これを急速冷却り°ることにより、平衡相か
ら非平衡相へ相転移を行って情報の記録がされる。また
、光ビームを照射して加熱したのち、徐冷することによ
り、再び平衡相へ戻すことで記録情報の消去がされる。 情報の再生は光ビームを照射して、情報が記録された非
平衡相の部分と記録されていない平衡相の部分との反射
率、透過率の変化を読み取ることでなされる。 ところで、従来にりこの種の相変化型の光記録媒体とし
て【よＴｅ　、Ｇｅ等のカルコゲナイド系半導体を記録
膜に使用したものが知られている。 例えば、純Ｔｅは結晶化温度が室温付近（１０℃前後）
に存在するので、記録情報が含まれるレーザビームを照
射し、純Ｔｅ　ＷｉＦＩ！を平衡相から非平衡相へ相変
化させて記録を行っても、経時変化により非平衡相部分
が平衡相に戻り、記録が自然消去されるおそれがある。 また、Ｇｅも薄膜にすると化学的安定性に乏しく、大気
中で次第に腐食して劣化するので、記録の安定性がない
。 （発明が解決しようとする問題点） 上述のように、従来の光記録媒体では、記録膜としてカ
ルコゲナイド系半導体を使用していたので、安定した記
録状態を維持できないという問題点があった。 本発明は上記事情に基づいたものであり、その目的は、
経時変化によって記録した情報消去することがなく、安
定した記録状態を維持することができる光記録媒体を提
供することにある。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するために本発明の光記録媒体は、記録
膜を融点が３００℃乃至８００℃の電子化合物で形成し
たものである。 （作用） 融点が３００℃乃至８００℃の範囲にある電子化合物は
、光ビーム照射による溶解急冷によって非平衡相化が可
能であり、その平衡相化温度は室温以上であるので、非
平衡相化された記録ビットが室温で安定に存在する。 （実施例） 先ず、本発明の記録膜に使用される電子化合物について
説明する。 合金の組織状態には固溶体をつくる場合、規制合金をつ
くる場合、金属間化合物をつくる場合及びこれらの混合
物をなず場合などがある。これらの内、金属間化合物は
、合金の成分元素の原子数が一定の整数比を保ち、それ
らの各成分原子が単位となって結晶格子中で特定の位置
を占めているような合金をいい、原子価効果化合物、原
子半径効果化合物及び電子化合物等に大別される。 原子価効果化合物は、イオン結合的性格の強い電気化学
的化合物や等極結合的ｆ１格の強いものを含んでいる。 原子半径効果化合物は、成分原子の原子半径の比が重装
な因子となっている金属間化合物であ。 本実施例の記録膜に使用される電子化合物は、金属的性
質を示し、かなり広い範囲にねたる固溶領域をもつこと
が多い金属間化合物であり、後述するような結晶構造を
有している。 これらの金属間化合物は、合金の中でも特に金属間の結
合が強く、その薄膜は光ビームの照射により溶融し急冷
すると容易に非平衡相化するものである。 非平衡相は、液体が急冷された組織であり、金属間の結
合が強いものほど急冷で非平衡相化し易い。 また、室温で非平衡相が安定に存在するためには平衡相
化温度が室温より高くなければならない。 一般に非平衡相の平衡相化温度は、絶対温度で表したそ
の物質の融点または液相温度の１／２〜２／３よりやや
高い温度であることが知られている［参照、作花著［ガ
ラス非晶質の科学Ｊｐ５１゜内田老鶴田（１９８３）］
。従って、非平衡相状態の記録ビットが室温で安定に存
在するためには、電子化合物の融点が３００℃以上であ
ることが望ましい。 また、光記録媒体としての使用を考えると、記録媒体上
で光出力５〜２０ｍＷ程度の光ビームで記録消去できる
ことが必要であり、そのためには電子化合物の融点は８
００℃以下であることが望ましい。 記録ビットを非平衡相から平衡相化して情報を消去する
速度は、高速化が望まれており、電子化合物は、非平衡
相から平衡相への相変化が短範囲の原子の移動によって
達成されるので、その平衡相化速度が通常の合金組成よ
りも極めて早い。 すなわち、一般に非平衡相形成能があるとして知られて
いる共晶組成の合金は、固溶体と固溶体あるいは固溶体
と金ｉｒ２ｇ化合物などの混合組織であるので、その平
衡相化では、それぞれの相の結晶化が起こり、２相分離
を伴なう。その２相分離のために非平衡相の平衡相化で
は、原子の長範囲の移動が必要となり、しかも２段階の
平衡相化となるため、その平衡相化速度が遅い。一方、
金属間化合物では、相分離を伴なわず、短範囲の原子の
移動で１段階で平衡相化するため、平衡相化速度は極め
て速い。このため記録ビットの光ビームパルスにより高
速消去が可能である。 電子化合物は、一定の価電子濃度のあたりに決まった結
晶構造の中間相として出現でるものとして知られ、価電
子濃度が３／２．２１／１３．７／４あたりに出現する
［参照、阿部著［金属組織学序論Ｊｐ１０９．コロナ社
］。いずれの結晶構造のものも、短範囲の原子の移動に
よって非平衡相から平衡相への相変化をする。 融点が３００℃から８００℃の範囲にある電子化合物の
代表的な実例を次表に示す。 （［１重金属学会＠２「金属データブック」丸首より）
これらの電子化合物はスパッタ法による成膜で非平衡相
模が１１られ、Ｐｉ温でアニールすることにより平衡相
膜となる。ざらに、光ビームによる溶融急冷により非平
衡相化する。この相変化に伴ない膜の表面反射率が変化
するので、この性質を利用して情報の記録、再生、消去
を行なうことができる。 また、これらの電子化合物は、金属間の結合が強く、安
定な化合物であるので、酸化等による膜の劣化が少ない
。 第１図は本発明に係る光記録媒体の一実施例の断面を示
しており、図示する光記録媒体１は、基板３．第１の保
護膜５．記録膜７．第２の保護膜９及び紫外線硬化樹脂
（ＵＶ）膜１１をこの順番で積層して円板状に形成した
ものである。 基板３は、アクリルやポリカーボネート等の樹脂または
ガラスにより形成された透明基板である。 第１．第２の保護膜５，９はＳｉＯ２，Ａ斐Ｎ。 ＳｉＮ等の誘電体をスパッタ法又は蒸着法で５０〜５０
００Ａの厚さで形成したものである。これら保護膜５．
９により、記録ｌｌｌ７の酸化や記録時における記録膜
７の飛散あるいは穴明けが防ＩＦされる。 また、上記ＵＶ膜１１は、第２の記録膜９上にＵｖ樹脂
を塗布して紫外線で硬化したもので、このＵｖ成膜１に
より光記録媒体１の使用時にＪｊ　Ｌプる傷やひび割れ
等の機械的損傷が防止される。 記録膜７は、前記表中に示した融点が３００℃乃至８０
０℃のＭ（ｌ　ＴＩＬ、Ｌｉ　Ｐｂ　、　ｃｕ　Ｇａ２
゜Ｃｕ５Ｃｄｓ　、Ｍ（ｌ　Ｉ−１！＋及びＡｕ　Ｚｎ
のいずれかの電子化合物から選択され、スパッタ法また
°は蒸着法にて第１の保護膜５上に５０〜５０００Ａの
厚さで成膜される。 以下、具体的な実施例について説明する。 （実施例−１） ＳｉＯ２ターゲットを使用してスパッタ法によりガラス
基板上に厚さ１０００ＡのＳｉＯ２膜を形成し第１の保
１１ＦＪ５とした。 次にＣｕターゲットとＧａターゲットを使用して２元同
時スパッタ法により各ターゲットに投入するパワーを調
整することによって、Ｃｕ　Ｇａ　２から成る記録膜７
を厚さ１０００Ａで第１の保護膜５上に形成した。 次いで、記録膜７上に第１の保護ｌ！５と同様の方法で
厚さ１００ＯＡの５ｉ０２膜を形成して第２の保護膜９
とした。さらに、この第２の保護膜９−ヒにＵｖ４ｆ！
４脂を塗布し、紫外線を照射して硬化さしてＵ■膜１１
を形成した。 上述のように形成された記録膜７は成膜時には非平衡相
のため、５１１Ｗのレーザビームを連続照射し、徐冷し
て平衡相化した。次いで、記録情報を含む出力（Ｊ＋Ｗ
、パルス幅２００ｎｓのレーザビーム１５を照射し、急
速冷却して記録膜７を非平衡相化し記録ビット部１３を
形成して情報の記録をした。 第２図に、ガラス基板の上にＣ１Ｇａ　２電子化合物を
膜厚１０００人でスパッタ法により成膜した後、上述の
ように情報の記録（非平衡相化）がされたサンプルの温
度６０℃、相対湿度８０％ＲＨにおける環境試験の結果
を示す。同図は、初期の表面反射率ＲＯに対する変化率
Ｒ／　Ｒｏでプロットしであるが、記録されてから２０
日後でもほとんど変化率Ｒ／　Ｒｏに変化はみられず、
記録が安定して維持されていることがわかった。また、
Ｘ線回折の結果では成膜直後のサンプルは非平衡相であ
り、２０日後のナンブルでも非平衡相であった。 従来のＴｅ膜では、変化率Ｒ／　Ｒｏが初期から大きく
低下し、２０日後のサンプルをＸ線回折したところ、平
衡相化していた。またＧａ膜では、変化率Ｒ／　Ｒｏが
増加し、２０日後のサンプルをＸ線回折したところ、ま
だ非平衡相であったが、表面全体に錆が発生していた。 また、出力的２ｍＷ、パルス幅２μｓのレーザビームを
非平衡相の記録ビット１３に照射し記録膜７の結晶化温
度以上に加熱して徐冷することにより容易かつ＾速に情
報の消去をすることができた。 なお、本実施例の光記録媒体１では、単面記録の光記録
媒体１について説明したが、本発明はこれに限られず、
本実施例構造を有する２枚の光記録媒体１のＵｖ成膜１
同志を接着層を介して貼り合せた両面記録の光記録媒体
にも適用できる。 ［発明の効果１ 以上説明したように本発明によれば、情報の記録がされ
る１Ｗ１１ｓＩを融点が３００℃乃至８００℃の電子化
合物で形成したので、情報が記録された非平衡相部分が
経時変化により平衡相化することがない。このため、記
録情報が自然消去するおそれがなく、長期間にわたって
安定した記録状態が維持される信頼性の高い光記録媒体
を提供できる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明に係る光記録媒体の一実施例の構成を示
ず断面図、第２図は本発明に係る光記録媒体の一実施例
の表面反射率変化率特性を示す図である。 １・・・光記録媒体 ３・・・基板（基体） ５・・・第１の保冷膜 ７・・・記録膜（薄膜） ９・・・第２の保護膜 １１・・・ＵＶ膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光ビームの照射条件に応じ基体に積層された薄膜
   を結晶質と非晶質との間で可逆的に相転移させることに
   より情報の記録・消去を行う相変化型の光記録媒体にお
   いて、 前記薄膜を融点が３００℃乃至８００℃の電子化合物で
   形成したことを特徴とする光記録媒体。
2. （２）前記薄膜をＭｇＴｌ、ＬｉＰｂ、ＣｕＧａ＿２、
   Ｃｕ＿５Ｃｄ＿３、ＭｇＨｇ及びＡｕＺｎのいずれかの
   電子化合物で形成したことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項に記載の光記録媒体。