JP2513605B2 - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JP2513605B2 JP2513605B2 JP15980885A JP15980885A JP2513605B2 JP 2513605 B2 JP2513605 B2 JP 2513605B2 JP 15980885 A JP15980885 A JP 15980885A JP 15980885 A JP15980885 A JP 15980885A JP 2513605 B2 JP2513605 B2 JP 2513605B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical disk
- recording medium
- pulse
- heating
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 基板上に形成した合金薄膜にフラッシュランプ照射の
前処理を行った後、熱処理して結晶化させる光ディスク
基板の製造方法。
前処理を行った後、熱処理して結晶化させる光ディスク
基板の製造方法。
本発明は二段加熱により不感期間を無くした光ディス
クの製造方法に関する。
クの製造方法に関する。
光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行
うメモリであり、記録容量が大きく非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
うメモリであり、記録容量が大きく非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
すなわちレーザ光はレンズによって直径が約１μｍの
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って１
ビットの情報記録に要する面積が１μm2程度で足りる。
そのため磁気ディスク或いは磁気テープが１ビットの
情報記録に数10〜数100μm2の面積が必要なのと較べて
遥かに少なくて済み、従って大容量記録が可能である。
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って１
ビットの情報記録に要する面積が１μm2程度で足りる。
そのため磁気ディスク或いは磁気テープが１ビットの
情報記録に数10〜数100μm2の面積が必要なのと較べて
遥かに少なくて済み、従って大容量記録が可能である。
このように優れた特性を備えた光ディスクは記録媒体
として低融点金属を用い、情報の記録を穴の有無により
行う追記型のメモリ以外に結晶−結晶間あるいは結晶−
非晶質（アモルファス）間の反射率の差を利用した書替
え可能なメモリ（Erasable Memory）が開発されてい
る。
として低融点金属を用い、情報の記録を穴の有無により
行う追記型のメモリ以外に結晶−結晶間あるいは結晶−
非晶質（アモルファス）間の反射率の差を利用した書替
え可能なメモリ（Erasable Memory）が開発されてい
る。
ここで後者の書替え可能なメモリは記録媒体が初期の
段階から使用可能な状態をとることが望ましい。
段階から使用可能な状態をとることが望ましい。
書替え可能な光メモリは結晶−結晶間の相転移あるい
は結晶−アモルファス間の相転移を利用する何れのタイ
プについてもメモリとして使用する場合に記録媒体は初
期状態として粒径が数100Åの微結晶からなっているこ
とが必要であり、この初期条件は一般に書込みと消去を
繰り返すことにより実現されている。
は結晶−アモルファス間の相転移を利用する何れのタイ
プについてもメモリとして使用する場合に記録媒体は初
期状態として粒径が数100Åの微結晶からなっているこ
とが必要であり、この初期条件は一般に書込みと消去を
繰り返すことにより実現されている。
第３図は一例として本発明の実施に使用した光パルス
の使用条件を示すものである。
の使用条件を示すものである。
すなわち波長が830nmの半導体レーザを使用し、書込
みはパルス幅500ns,強度10mW書込みパルス１を用いて行
い、消去はパルス幅５μs,強度5mWの消去パルス２を用
いて行っている。
みはパルス幅500ns,強度10mW書込みパルス１を用いて行
い、消去はパルス幅５μs,強度5mWの消去パルス２を用
いて行っている。
また読出し、すなわち反射率の測定は0.5mWのレーザ
光を照射して行った。
光を照射して行った。
ここで形成直後の記録媒体に書込みパルス１と消去パ
ルス２の照射を繰り返し、記録状態と消去状態との反射
率が一定の状態となるまでの期間は不感期間と言われて
いるが、この不感期間を極力短縮することは光ディスク
製造の面から必要である。
ルス２の照射を繰り返し、記録状態と消去状態との反射
率が一定の状態となるまでの期間は不感期間と言われて
いるが、この不感期間を極力短縮することは光ディスク
製造の面から必要である。
そこで電気炉加熱やフラッシュランプ照射などの前処
理を行い、不感期間を無くするための初期化処理が行わ
れている。
理を行い、不感期間を無くするための初期化処理が行わ
れている。
然し、光ディスク基板はポリメチルメタクリエイト
（略称PMMA），ポリカーボネート（略称PC）などプラス
チック基板が多く使用されており、このため加熱温度に
は制限があって、60〜70℃の加熱が限界であり、また基
板として加熱が可能なガラスを使用する場合でも、記録
媒体によっては加熱によって蒸発するものがあり、電気
炉加熱やフラッシュランプ照射だけで不感期間を無くす
ることは困難である。
（略称PMMA），ポリカーボネート（略称PC）などプラス
チック基板が多く使用されており、このため加熱温度に
は制限があって、60〜70℃の加熱が限界であり、また基
板として加熱が可能なガラスを使用する場合でも、記録
媒体によっては加熱によって蒸発するものがあり、電気
炉加熱やフラッシュランプ照射だけで不感期間を無くす
ることは困難である。
書替え可能な光ディスクの記録媒体の不感期間を短縮
し、或いは無くすることは光ディスクを製造するに当た
って必要であるが、容易に実行が可能な方法が見上たら
ないことが問題である。
し、或いは無くすることは光ディスクを製造するに当た
って必要であるが、容易に実行が可能な方法が見上たら
ないことが問題である。
上記の問題は基板上に合金薄膜を形成して記録媒体と
し、該記録媒体の相変態を利用して情報の記録と消去と
を行う光ディスクにおいて、前記合金薄膜にフラッシュ
ランプを照射する前処理を行って後、炉内に移して熱処
理し、結晶化させることを特徴とする光ディスクの製造
方法により解決することができる。
し、該記録媒体の相変態を利用して情報の記録と消去と
を行う光ディスクにおいて、前記合金薄膜にフラッシュ
ランプを照射する前処理を行って後、炉内に移して熱処
理し、結晶化させることを特徴とする光ディスクの製造
方法により解決することができる。
本発明は不感期間を無くする方法として二段加熱を行
うものである。
うものである。
すなわち光ディスクの記録媒体を直ちに使用可能な状
態とするには粒径が数100Åの微結晶が均一に分布して
いる状態を形成することが必要である。
態とするには粒径が数100Åの微結晶が均一に分布して
いる状態を形成することが必要である。
ここでフラッシュランプの照射を行う場合は結晶核は
多く生じるもののそのまま結晶化させることは難かし
く、結晶化させるために照射パワーを増加すると加熱に
よって記録媒体の変形或いは蒸発が起こってしまう。
多く生じるもののそのまま結晶化させることは難かし
く、結晶化させるために照射パワーを増加すると加熱に
よって記録媒体の変形或いは蒸発が起こってしまう。
一方、電気炉加熱による場合は少数の結晶が大きく発
達する傾向にあり、何れも不感期間を短縮することはで
きるが無くすることはできない。
達する傾向にあり、何れも不感期間を短縮することはで
きるが無くすることはできない。
そこで本発明はフラッシュランプ照射によって結晶核
が多く発生することを利用し、これと熱処理とを併用す
る二段加熱を行うことにより微細結晶を均一に成長さ
せ、これにより不感期間を無くするものである。
が多く発生することを利用し、これと熱処理とを併用す
る二段加熱を行うことにより微細結晶を均一に成長さ
せ、これにより不感期間を無くするものである。
予め電子ビーム蒸着法により約100nmの二酸化硅素（S
iO2）層を設けた厚さ1.2mmのPMMA基板を真空蒸着機にセ
ットし、チャンバ内の真空度を１×10-3Paに調節した状
態でガリウム（Ga）とセレン（Se）の二元蒸着を行い、
GaとSeの組成比が20:80の合金膜を120nmの厚さに形成し
た。
iO2）層を設けた厚さ1.2mmのPMMA基板を真空蒸着機にセ
ットし、チャンバ内の真空度を１×10-3Paに調節した状
態でガリウム（Ga）とセレン（Se）の二元蒸着を行い、
GaとSeの組成比が20:80の合金膜を120nmの厚さに形成し
た。
なお、これを行うためにGaの蒸着温度は1040℃に、ま
たSeの蒸着温度は235℃に調節した。
たSeの蒸着温度は235℃に調節した。
またこの上に電子ビーム蒸着法によりSiO2を200nmの
厚さに形成して保護膜とした。
厚さに形成して保護膜とした。
次にかかる基板をフラッシュランプ照射装置にセット
し、光源と基板間の距離を100mmと、ソースパワー3400J
のキセノン（Xe）光を1ms照射して核発生を行った後、7
0℃の恒温槽に３時間保持して結晶化させた。
し、光源と基板間の距離を100mmと、ソースパワー3400J
のキセノン（Xe）光を1ms照射して核発生を行った後、7
0℃の恒温槽に３時間保持して結晶化させた。
第１図はこのようにして形成した光ディスクについて
第３図の条件の消去パルス２と書込みパルス１とを与
え、反射率の変化を調べた結果で、当初より書込み状態
３の反射率は約40％、また消去状態の反射率は約20％と
一定しており、これにより不感期間が解消したことが判
る。
第３図の条件の消去パルス２と書込みパルス１とを与
え、反射率の変化を調べた結果で、当初より書込み状態
３の反射率は約40％、また消去状態の反射率は約20％と
一定しており、これにより不感期間が解消したことが判
る。
この結果から二段加熱を行うことにより多数回の書込
みと消去を行った場合と同様な結晶状態を実現し得るこ
とが判る。
みと消去を行った場合と同様な結晶状態を実現し得るこ
とが判る。
比較例： 実施例と同様な基板について70℃で10時間保持する熱
処理のみを行って結晶化させ、このようにして形成した
光ディスクについて第３図の条件の消去パルス２と書込
みパルス１とを与え、反射率の変化を調べた。
処理のみを行って結晶化させ、このようにして形成した
光ディスクについて第３図の条件の消去パルス２と書込
みパルス１とを与え、反射率の変化を調べた。
第２図はこの結果を示すもので当初の消去状態４と書
込み状態３の反射率は何れも少なく、次第に回復して実
施例１と同様な値に達するものの、不感期間は明瞭に存
在している。
込み状態３の反射率は何れも少なく、次第に回復して実
施例１と同様な値に達するものの、不感期間は明瞭に存
在している。
以上説明したように二段加熱を行う本発明の実施によ
り不感期間を無くすることが可能となり、これにより光
ディスクの製造時間の短縮が可能となる。
り不感期間を無くすることが可能となり、これにより光
ディスクの製造時間の短縮が可能となる。
第１図は本発明を実施した記録媒体の反射率の推移図、 第２図は従来の記録媒体の反射率の推移図、 第３図は書込みおよび消去パルスの一例、 である。 図において、 １は書込みパルス、２は消去パルス、 ３は書込み状態、４は消去状態、 である。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に合金薄膜を形成して記録媒体と
し、該記録媒体の相変態を利用して情報の記録と消去と
を行う光ディスクにおいて、前記合金薄膜にフラッシュ
ランプを照射する前処理を行って後、炉内に移して熱処
理し、結晶化させることを特徴とする光ディスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980885A JP2513605B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980885A JP2513605B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220155A JPS6220155A (ja) | 1987-01-28 |
| JP2513605B2 true JP2513605B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=15701705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15980885A Expired - Lifetime JP2513605B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513605B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH083918B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1996-01-17 | 株式会社東芝 | 光デイスクの初期結晶化方法 |
| JP2506375B2 (ja) * | 1986-07-11 | 1996-06-12 | 株式会社クラレ | 光記録媒体の製造方法 |
| JPH0770093B2 (ja) * | 1987-11-06 | 1995-07-31 | 株式会社日立製作所 | 光学的情報記録媒体の結晶化方法 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP15980885A patent/JP2513605B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6220155A (ja) | 1987-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4889746A (en) | Process for manufacturing an optical recording medium | |
| JPS60155495A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP2513605B2 (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| US5976617A (en) | Initialization method of phase transformation-type optical disk | |
| JPS63175242A (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| JP2583221B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2577349B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2532108B2 (ja) | 情報の記録用部材 | |
| JPS634166B2 (ja) | ||
| JPS62202345A (ja) | 書換型光記録媒体 | |
| JP2615577B2 (ja) | 光記録方法 | |
| JPS6376120A (ja) | 消去可能型光記録媒体 | |
| JP2903969B2 (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
| JP2830345B2 (ja) | 光記録方式及び光記録媒体 | |
| JPS63155439A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS6235888A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPH01134738A (ja) | 光情報記録部材 | |
| JPH0316783A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS62259890A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JPH03181029A (ja) | 情報担体ディスク | |
| JPS6381632A (ja) | 光デイスクの記録方法 | |
| JPH03128282A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JPS6220154A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH07272272A (ja) | 相変化光ディスクの初期化方法 | |
| JPH04219623A (ja) | 情報記録媒体初期化方法 |