JPS6220154A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6220154A JPS6220154A JP15910185A JP15910185A JPS6220154A JP S6220154 A JPS6220154 A JP S6220154A JP 15910185 A JP15910185 A JP 15910185A JP 15910185 A JP15910185 A JP 15910185A JP S6220154 A JPS6220154 A JP S6220154A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- thickness
- film
- executed
- evaporating
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プラスチック基板上に形成する光記録媒体を金属間化合
物と金属とを交互に積層して後、結晶化させて形成する
製造方法。
物と金属とを交互に積層して後、結晶化させて形成する
製造方法。
本発明は結晶化処理を容易にした光記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
ここで光ディスクは記録媒体として低融点金属を用い、
情報の記録を穴の有無により行う読出し専用のメモリ以
外に結晶−結晶間或いは結晶−非晶質（アモルファス）
間の反射率の差を利用した書替え可能なメモリ （Ｅｒ
ａｓａｂｌｅ Ｍｃｍｏｒいが開発されている。
情報の記録を穴の有無により行う読出し専用のメモリ以
外に結晶−結晶間或いは結晶−非晶質（アモルファス）
間の反射率の差を利用した書替え可能なメモリ （Ｅｒ
ａｓａｂｌｅ Ｍｃｍｏｒいが開発されている。
本発明は結晶−結晶量転移を利用する光記録媒体の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
発明者等はインジウム・アンチモン（Ｉｎ−Ｓｂ）合金
を用い、結晶−結晶転移形の書替え可能なメモリを提案
している。
を用い、結晶−結晶転移形の書替え可能なメモリを提案
している。
例えばｒ ＩｎＳｂ書替え可能な記録媒体」前田巳代三
。
。
内海研−９越野長明 他、昭和６０年春季 応用物理学
会 光デバイス部会で発表。
会 光デバイス部会で発表。
このデバイスはＩｎＳｂ金属間化合物とｓｂ金金属から
なる固溶体が熱エネルギの付与条件によってｓｂ金属原
子の分散状態が異なり、この状態の相違によりレーザ光
の反射率が異なること全利用するものである。
なる固溶体が熱エネルギの付与条件によってｓｂ金属原
子の分散状態が異なり、この状態の相違によりレーザ光
の反射率が異なること全利用するものである。
第１図はＩｎ Ｓｂ合金の状態図を示すもので、発明者
等は化学当量づつのＩｎとｓｂとで形成されるＩｎ
゛ｓｂ金属間化合物とこれにｓｂ金金属加わった組成を
光ディスクに適した記録媒体組成１として提案している
。
等は化学当量づつのＩｎとｓｂとで形成されるＩｎ
゛ｓｂ金属間化合物とこれにｓｂ金金属加わった組成を
光ディスクに適した記録媒体組成１として提案している
。
第２図はこの実施例を説明するもので、例えばＩｎとｓ
ｂの原子量比が４０ ： ６０で膜厚が１０００人のＩ
ｎ・Ｓｂ薄膜を記録媒体とする光ディスクについて同図
（Ａ）に示すように半導体レーザを用いて出力１０ｍＷ
、パルス幅２００ｎｓの書込みパルス（略号Ｐｗ）
２を照射すると被照射部の記録媒体は同図（Ｂ）に示す
ように反射光量が増加して書込みレベル３に達する。
ｂの原子量比が４０ ： ６０で膜厚が１０００人のＩ
ｎ・Ｓｂ薄膜を記録媒体とする光ディスクについて同図
（Ａ）に示すように半導体レーザを用いて出力１０ｍＷ
、パルス幅２００ｎｓの書込みパルス（略号Ｐｗ）
２を照射すると被照射部の記録媒体は同図（Ｂ）に示す
ように反射光量が増加して書込みレベル３に達する。
またこの同じ位置に同図（Ａ）に示すように出力４ｍＷ
、パルス幅４００ｎｓの消去パルス（略号Ｐｅ）４を照
射すると被照射部の反射光量は同図（Ｂ）に示すような
消去レベル５に低下する。
、パルス幅４００ｎｓの消去パルス（略号Ｐｅ）４を照
射すると被照射部の反射光量は同図（Ｂ）に示すような
消去レベル５に低下する。
なお同図（Ａ）においては光ＯＦＦレベル６と情報の読
出しレベル７も示している。
出しレベル７も示している。
さて、かかる光記録媒体において、書込みレベル３に達
した記録媒体と消去レベル５の記録媒体とを電子顕微鏡
により調べると書込みレベル３に達した記録媒体はレー
ザ照射スポットにはｓｂ原子が凝集し、これを取り囲ん
でｒｎｓｂ金属間化合物があり、また消去レベル５の記
録媒体はＩｎＳｂ金属間化合物の中にｓｂ原子が均一に
分散しているのが認められる。
した記録媒体と消去レベル５の記録媒体とを電子顕微鏡
により調べると書込みレベル３に達した記録媒体はレー
ザ照射スポットにはｓｂ原子が凝集し、これを取り囲ん
でｒｎｓｂ金属間化合物があり、また消去レベル５の記
録媒体はＩｎＳｂ金属間化合物の中にｓｂ原子が均一に
分散しているのが認められる。
すなわち発明者等が提案している光ディスクはＩｎＳｂ
金属間化合物の中のｓｂ原子の拡散状態に対応して反射
率が異なるのを利用して情報の記録を行うものである。
金属間化合物の中のｓｂ原子の拡散状態に対応して反射
率が異なるのを利用して情報の記録を行うものである。
さて、光デイスク用記録媒体の形成はポリメチルメタク
リエイト（略称ＰＭＭＡ）やポリカーボネート（略称Ｐ
Ｃ）のような透明基板の上に二酸化硅素（ＳｉＯｚ ）
のような透明な絶縁層を介して記録媒体が膜形成されて
おり、Ｉｎ−５ｂ記録媒体の作り方は二元蒸着法或いは
スパッタ法で膜形成した後、このようにして生じたアモ
ルファス金属を加熱してＩｎＳｂ金属間化合物の中に均
一にｓｂが分散してエネルギー的に安定な微結晶状態を
作っている。
リエイト（略称ＰＭＭＡ）やポリカーボネート（略称Ｐ
Ｃ）のような透明基板の上に二酸化硅素（ＳｉＯｚ ）
のような透明な絶縁層を介して記録媒体が膜形成されて
おり、Ｉｎ−５ｂ記録媒体の作り方は二元蒸着法或いは
スパッタ法で膜形成した後、このようにして生じたアモ
ルファス金属を加熱してＩｎＳｂ金属間化合物の中に均
一にｓｂが分散してエネルギー的に安定な微結晶状態を
作っている。
然し、基板が合成樹脂からなるため高温に加熱して結晶
化を行うことは不可能であり、そのため約６０℃の加熱
で結晶化処理を行っているが、その場合に約１日を要す
ると云う問題があった。
化を行うことは不可能であり、そのため約６０℃の加熱
で結晶化処理を行っているが、その場合に約１日を要す
ると云う問題があった。
以上説明したようにＩｎ Ｓｂ合金を記録媒体とする結
晶−結晶転移形の光ディスクにおいては、Ｉｎ５ｂ金属
間化合物の中に均一にｓｂが分散した微結晶を作る必要
があるが、蒸着或いはスパッタ法で得られるアモルファ
ス膜を微結晶化するには長時間の加熱を必要とすること
が問題であった。
晶−結晶転移形の光ディスクにおいては、Ｉｎ５ｂ金属
間化合物の中に均一にｓｂが分散した微結晶を作る必要
があるが、蒸着或いはスパッタ法で得られるアモルファ
ス膜を微結晶化するには長時間の加熱を必要とすること
が問題であった。
上記の問題は透明基板上に形成された記録媒体の結晶化
状態による反射率の差を情報の有無に対応させて記録を
行う記録媒体において、記録媒体を構成する合金層が金
属間化合物組成と金属組成との層を交互に積層して後、
熱処理して形成することを特徴とする光記録媒体の製造
方法により解決することができる。
状態による反射率の差を情報の有無に対応させて記録を
行う記録媒体において、記録媒体を構成する合金層が金
属間化合物組成と金属組成との層を交互に積層して後、
熱処理して形成することを特徴とする光記録媒体の製造
方法により解決することができる。
本発明は二元蒸着法で記録媒体を形成する際に結晶化後
の組成に近い状態に予め膜形成しておくことより結晶化
時間を短縮するものである。
の組成に近い状態に予め膜形成しておくことより結晶化
時間を短縮するものである。
すなわちＩｎ Ｓｂ合金を用い、結晶−結晶転移形の構
成をとる記録媒体はＩｎＳｂ金属間化合物にｓｂが均一
に分散した結晶状態を形成する必要があるが、本発明は
膜形成する段階でＩｎＳｂ層とｓｂＨとの薄層を交互に
形成し、予め熱処理後の状態に近い構成をとっておくこ
とにより結晶化時間を短縮するものである。
成をとる記録媒体はＩｎＳｂ金属間化合物にｓｂが均一
に分散した結晶状態を形成する必要があるが、本発明は
膜形成する段階でＩｎＳｂ層とｓｂＨとの薄層を交互に
形成し、予め熱処理後の状態に近い構成をとっておくこ
とにより結晶化時間を短縮するものである。
厚さが１．２＋ｎのＰ背Ａ基板上に厚さが約１０００人
のＳｉ０２絶縁膜を形成した後、Ｉｎとｓｂの蒸着速度
を０．５〜２．０人／秒に保って二元蒸着を行って原子
量％が４０ ： ６０のＩｎ Ｓｂ合金を約１０００人
の厚さに層形成した。
のＳｉ０２絶縁膜を形成した後、Ｉｎとｓｂの蒸着速度
を０．５〜２．０人／秒に保って二元蒸着を行って原子
量％が４０ ： ６０のＩｎ Ｓｂ合金を約１０００人
の厚さに層形成した。
その方法はＩｎとｓｂが共に蒸発しているときは蒸着物
の原子量比が１：１になるように蒸発速度を調節して約
１００人の膜を作り、次にＩｎの蒸着源を遮蔽してｓｂ
のみを約１００人の厚さに蒸着し、次にＩｎの遮蔽を止
めＩｎとｓｂとの二元蒸着を行う。
の原子量比が１：１になるように蒸発速度を調節して約
１００人の膜を作り、次にＩｎの蒸着源を遮蔽してｓｂ
のみを約１００人の厚さに蒸着し、次にＩｎの遮蔽を止
めＩｎとｓｂとの二元蒸着を行う。
このように５回の繰り返し蒸着を行い、約１０００人の
膜形成を行ったものについて熱処理を行う。
膜形成を行ったものについて熱処理を行う。
かかる蒸着膜について電子顕微鏡を用いて熱処理と結晶
化状態との関係を調査した結果、蒸着膜は６０°Ｃで１
時間の熱処理により微結晶化しており、また記録と消去
試験を行った結果、当初より記録が可能なことが判った
。
化状態との関係を調査した結果、蒸着膜は６０°Ｃで１
時間の熱処理により微結晶化しており、また記録と消去
試験を行った結果、当初より記録が可能なことが判った
。
一方従来のように二元蒸着を行ってＩｎとｓｂの原子量
％が４０ ： ６０で厚さが１０００人の膜を作ったも
のは６０°Ｃの温度で加熱して結晶化させるには約２４
時間を必要とした。
％が４０ ： ６０で厚さが１０００人の膜を作ったも
のは６０°Ｃの温度で加熱して結晶化させるには約２４
時間を必要とした。
このように本発明の実施により短期間の熱処理により結
晶化ができ、そのまま記録・再生が可能となる。
晶化ができ、そのまま記録・再生が可能となる。
以上記したように本発明の実施により短時間の熱処理に
より結晶化が可能になり、これによってプラスチック透
明基板の変形などの不良をなくすることができ、またコ
スト低減と収率の改善が可能となる。
より結晶化が可能になり、これによってプラスチック透
明基板の変形などの不良をなくすることができ、またコ
スト低減と収率の改善が可能となる。
なお、本発明の説明は原子量％が４０ ： ６０のＩｎ
Ｓｂ合金について説明したが、原子量％が８０ ：
２０のテルル１（Ｔｅ Ｓｎ）合金を記録媒体とする光
ディスクについても同様な結果を得ることができた。
Ｓｂ合金について説明したが、原子量％が８０ ：
２０のテルル１（Ｔｅ Ｓｎ）合金を記録媒体とする光
ディスクについても同様な結果を得ることができた。
第１図はＩｎ−５ｂの状態図、
第２図は光パルスと反射光量との関係図、である。
図において、
５は消去レベル、
である。
Claims (1)
- 透明基板上に形成された記録媒体の結晶化状態による反
射率の差を情報の有無に対応させて記録を行う光ディス
クの記録媒体において、該記録媒体を構成する合金層が
金属間化合物組成と金属組成との層を交互に積層して後
、熱処理して形成することを特徴とする光記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15910185A JPS6220154A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15910185A JPS6220154A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220154A true JPS6220154A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15686257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15910185A Pending JPS6220154A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220154A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480591A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Nippon Denso Co | Optical information recording medium |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP15910185A patent/JPS6220154A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480591A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Nippon Denso Co | Optical information recording medium |
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