JPS6220155A - 光デイスクの製造方法 - Google Patents
光デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6220155A JPS6220155A JP15980885A JP15980885A JPS6220155A JP S6220155 A JPS6220155 A JP S6220155A JP 15980885 A JP15980885 A JP 15980885A JP 15980885 A JP15980885 A JP 15980885A JP S6220155 A JPS6220155 A JP S6220155A
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- JP
- Japan
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- optical disk
- flash lamp
- recording medium
- heating
- generated
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔斗既要〕
基板上に形成した合金薄膜にフラッシュランプ照射の前
処理を行った後、熱処理して結晶化させる光デイスク基
板の製造方法。
処理を行った後、熱処理して結晶化させる光デイスク基
板の製造方法。
本発明は二段加熱により不感期間を無くした光ディスク
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく非接触で記録と再生を
行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れた
特徴をもっている。
メモリであり、記録容量が大きく非接触で記録と再生を
行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れた
特徴をもっている。
すなわちレーザ光はレンズによって直径が約１μｍの小
さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って１ビ
ツトの情報記録に要する面積が１μｍ２程度で足りる。
さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って１ビ
ツトの情報記録に要する面積が１μｍ２程度で足りる。
そのため磁気ディスク或いは磁気テープが１ビツトの情
報記録に数１０〜数１００μｍ２の面積が必要なのと較
べて温かに少なくて済み、従って大容量記録が可能であ
る。
報記録に数１０〜数１００μｍ２の面積が必要なのと較
べて温かに少なくて済み、従って大容量記録が可能であ
る。
このように優れた特性を備えた光ディスクは記録媒体と
して低融点金属を用い、情報の記録を穴の有無により行
う追記型のメモリ以外に結晶−結晶間あるいは結晶−非
晶質（アモルファス）間の反射率の差を利用した書替え
可能なメモリ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ）が開
発されている。
して低融点金属を用い、情報の記録を穴の有無により行
う追記型のメモリ以外に結晶−結晶間あるいは結晶−非
晶質（アモルファス）間の反射率の差を利用した書替え
可能なメモリ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ）が開
発されている。
ここで後者の書替え可能なメモリは記録媒体が初期の段
階から使用可能な状態をとることが望ましい。
階から使用可能な状態をとることが望ましい。
書替え可能な光メモリは結晶−結晶間の相転移あるいは
結晶−アモルファス間の相転移を利用する何れのタイプ
についてもメモリとして使用する場合に記録媒体は初期
状態として粒径が数１００人の微結晶からなっているこ
とが必要であり、この初ｊｔＪ１条件は一般に書込みと
消去を繰り返すことにより実現されている。
結晶−アモルファス間の相転移を利用する何れのタイプ
についてもメモリとして使用する場合に記録媒体は初期
状態として粒径が数１００人の微結晶からなっているこ
とが必要であり、この初ｊｔＪ１条件は一般に書込みと
消去を繰り返すことにより実現されている。
第３図は一例として本発明の実施に使用した光パルスの
使用条件を示すものである。
使用条件を示すものである。
すなわち波長が８３０ｎｍの半導体レーザを使用し、書
込みはパルス幅５００ｎｓ、強度１０ｍＷの書込みパル
ス１を用いて行い、消去はパルス幅５μｓ３強度５ｍＷ
の消去パルス２を用いて行っている。
込みはパルス幅５００ｎｓ、強度１０ｍＷの書込みパル
ス１を用いて行い、消去はパルス幅５μｓ３強度５ｍＷ
の消去パルス２を用いて行っている。
また読出し、すなわち反射率の測定は０．５ｍＷのレー
ザ光を照射して行った。
ザ光を照射して行った。
ここで形成直後の記録媒体に書込みパルス１と消去パル
ス２の照射を繰り返し、記録状態と消去状態との反射率
が一定の状態となるまでの期間は・不感期間と言われて
いるが、この不感期間を極力短縮することは光デイスク
製造の面から必要である。
ス２の照射を繰り返し、記録状態と消去状態との反射率
が一定の状態となるまでの期間は・不感期間と言われて
いるが、この不感期間を極力短縮することは光デイスク
製造の面から必要である。
そこで電気炉加熱やフラッシュランプ照射などの前処理
を行い、不感期間を無くするための初期化処理が行われ
ている。
を行い、不感期間を無くするための初期化処理が行われ
ている。
然し、光デイスク基板はポリメチルメタクリエイト（略
称ＰＭＭＡ） 、ポリカーボネート（略称ＰＣ）などプ
ラスチック基板が多く使用されており、このため加熱温
度には制限があって、６０〜７０℃の加熱が限界であり
、また基板として加熱が可能なガラスを使用する場合で
も、記録媒体によっては加熱によって蒸発するものがあ
り、電気炉加熱やフラッシュランプ照射だけで不感期間
を無くすることは困難である。
称ＰＭＭＡ） 、ポリカーボネート（略称ＰＣ）などプ
ラスチック基板が多く使用されており、このため加熱温
度には制限があって、６０〜７０℃の加熱が限界であり
、また基板として加熱が可能なガラスを使用する場合で
も、記録媒体によっては加熱によって蒸発するものがあ
り、電気炉加熱やフラッシュランプ照射だけで不感期間
を無くすることは困難である。
書替え可能な光ディスクの記録媒体の不感期間を短縮し
、或いは無くすることは光ディスクを製造するに当たっ
て必要であるが、容易に実行が可能な方法が見当たらな
いことが問題である。
、或いは無くすることは光ディスクを製造するに当たっ
て必要であるが、容易に実行が可能な方法が見当たらな
いことが問題である。
上記の問題は基板上に合金薄膜を形成して記録媒体とし
、該記録媒体の相変態を利用して情゛報の記録と消去と
を行う光ディスクにおいて、前記合金薄膜にフラッシュ
ランプを照射する前処理を行って後、炉内に移して熱処
理し、結晶化させることを特徴とする光ディスクの製造
方法により解決することができる。
、該記録媒体の相変態を利用して情゛報の記録と消去と
を行う光ディスクにおいて、前記合金薄膜にフラッシュ
ランプを照射する前処理を行って後、炉内に移して熱処
理し、結晶化させることを特徴とする光ディスクの製造
方法により解決することができる。
本発明は不感期間を無くする方法として二段加熱を行う
ものである。
ものである。
すなわち光ディスクの記録媒体を直ちに使用可能な状態
とするには粒径が数１．００人の微結晶が均一に分布し
ている状態を形成することが必要である。
とするには粒径が数１．００人の微結晶が均一に分布し
ている状態を形成することが必要である。
ここでフラッシュランプの照射を行う場合は結晶核は多
く生じるもののそのまま結晶化させることは難しく、結
晶化させるために照射パワーを増加すると加熱によって
記録媒体の変形成いは蒸発が起こってしまう。
く生じるもののそのまま結晶化させることは難しく、結
晶化させるために照射パワーを増加すると加熱によって
記録媒体の変形成いは蒸発が起こってしまう。
一方、電気炉加熱による場合は少数の結晶が大きく発達
する傾向にあり、何れも不感期間を短縮することはでき
るが無くすることはできない。
する傾向にあり、何れも不感期間を短縮することはでき
るが無くすることはできない。
そこで本発明はフラッシュランプ照射によって結晶核が
多く発生することを利用し、これと熱処理とを併用する
二段加熱を行うことにより微細結晶を均一に成長させ、
これにより不感期間を無くするものである。
多く発生することを利用し、これと熱処理とを併用する
二段加熱を行うことにより微細結晶を均一に成長させ、
これにより不感期間を無くするものである。
予め電子ビーム蒸着法により約１１００ｎの二酸化硅素
（ＳｉＯ□）層を設けた厚さ１．２龍のＰＭＭＡ基板を
真空蒸着機にセントし、チャンバ内の真空度をｌＸｌ０
−’Ｐａに調節した状態でガリウム（Ｇａ）とセレン（
Ｓｅ）の二元蒸着を行い、ＧａとＳｅの組成比が２０：
８０の合金膜を１２０ｎｍの厚さに形成した。
（ＳｉＯ□）層を設けた厚さ１．２龍のＰＭＭＡ基板を
真空蒸着機にセントし、チャンバ内の真空度をｌＸｌ０
−’Ｐａに調節した状態でガリウム（Ｇａ）とセレン（
Ｓｅ）の二元蒸着を行い、ＧａとＳｅの組成比が２０：
８０の合金膜を１２０ｎｍの厚さに形成した。
なお、これを行うためにＧａの蒸着温度は１０４０°Ｃ
に、またＳｅの蒸着温度は２３５ ”ｃに調節した。
に、またＳｅの蒸着温度は２３５ ”ｃに調節した。
またこの上に電子ビーム蒸着法によりＳｉ０２を２００
ｎｍの厚さに形成して保護膜とした。
ｎｍの厚さに形成して保護膜とした。
次にかかる基板をフラッシュランプ照射装置にセットし
、光源と基板間の距離を１００ ｍｍとし、ソースパワ
ー３４００ Ｊのキセノン（Ｘｅ）光を１ｍｓ照射して
核発生を行った後、７０℃の恒温槽に３時間保持して結
晶化させた。
、光源と基板間の距離を１００ ｍｍとし、ソースパワ
ー３４００ Ｊのキセノン（Ｘｅ）光を１ｍｓ照射して
核発生を行った後、７０℃の恒温槽に３時間保持して結
晶化させた。
第１図はこのようにして形成した光ディスクについて第
３図の条件の消去パルス２と書込みパルスＩとを与え、
反射率の変化を調べた結果で、当初より書込み状態３の
反射率は約４０％、また消去状態の反射率は約２０％と
一定しており、これにより不感期間が解消したことが判
る。
３図の条件の消去パルス２と書込みパルスＩとを与え、
反射率の変化を調べた結果で、当初より書込み状態３の
反射率は約４０％、また消去状態の反射率は約２０％と
一定しており、これにより不感期間が解消したことが判
る。
この結果から二段加熱を行うことにより多数回の書込み
と消去を行った場合と同様な結晶状態を実現し得ること
が判る。
と消去を行った場合と同様な結晶状態を実現し得ること
が判る。
比較例：
実施例と同様な基板について７０℃で１０時間保持する
熱処理のみを行って結晶化させ、このようにして形成し
た光ディスクについて第３図の条件の消去パルス２と書
込みパルス１とを与え、反射率の変化を調べた。
熱処理のみを行って結晶化させ、このようにして形成し
た光ディスクについて第３図の条件の消去パルス２と書
込みパルス１とを与え、反射率の変化を調べた。
第２図はこの結果を示すもので当初の消去状態４と書込
み状態３の反射率は何れも少なく、次第に回復して実施
例１と同様な値に達するものの、不感期間は明瞭に存在
している。
み状態３の反射率は何れも少なく、次第に回復して実施
例１と同様な値に達するものの、不感期間は明瞭に存在
している。
Ｃ発明の効果〕
以上説明したように二段加熱を行う本発明の実施により
不感期間を無くすることが可能となり、これにより光デ
ィスクの製造時間の短縮が可能となる。
不感期間を無くすることが可能となり、これにより光デ
ィスクの製造時間の短縮が可能となる。
第１図は本発明を実施した記録媒体の反射率の推移図、
第２図は従来の記録媒体の反射率の推移図、第３図は一
シ込みおよび消去パルスの一例、である。 図において、 ■は書込みパルス、 ２は消去パルス、３は書込
み状態、 ４は消去状態、である。
シ込みおよび消去パルスの一例、である。 図において、 ■は書込みパルス、 ２は消去パルス、３は書込
み状態、 ４は消去状態、である。
Claims (1)
- 基板上に合金薄膜を形成して記録媒体とし、該記録媒体
の相変態を利用して情報の記録と消去とを行う光ディス
クにおいて、前記合金薄膜にフラッシュランプを照射す
る前処理を行って後、炉内に移して熱処理し、結晶化さ
せることを特徴とする光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980885A JP2513605B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980885A JP2513605B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220155A true JPS6220155A (ja) | 1987-01-28 |
| JP2513605B2 JP2513605B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=15701705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15980885A Expired - Lifetime JP2513605B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513605B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250533A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Toshiba Corp | 光デイスクの初期結晶化方法 |
| JPS63153747A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-06-27 | Kuraray Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
| JPH01122043A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録媒体の結晶化方法 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP15980885A patent/JP2513605B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250533A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Toshiba Corp | 光デイスクの初期結晶化方法 |
| JPS63153747A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-06-27 | Kuraray Co Ltd | 光記録媒体の製造方法 |
| JP2506375B2 (ja) * | 1986-07-11 | 1996-06-12 | 株式会社クラレ | 光記録媒体の製造方法 |
| JPH01122043A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録媒体の結晶化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2513605B2 (ja) | 1996-07-03 |
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