JPS62270041A - 光デイスク - Google Patents
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- JPS62270041A JPS62270041A JP11538586A JP11538586A JPS62270041A JP S62270041 A JPS62270041 A JP S62270041A JP 11538586 A JP11538586 A JP 11538586A JP 11538586 A JP11538586 A JP 11538586A JP S62270041 A JPS62270041 A JP S62270041A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔概要〕
透明基板からの酸化を抑制して記録媒体の長期安定性を
確保する方法として基板と接する第1の保護層を不動態
金属か、或いは透明な誘電体と不動態金属との複合層で
形成した光ディスク。
確保する方法として基板と接する第1の保護層を不動態
金属か、或いは透明な誘電体と不動態金属との複合層で
形成した光ディスク。
本発明は長期安定性をもつ光ディスク特に光磁気ディス
クの構成に関する。
クの構成に関する。
光ディスクは磁気ディスクに較べると記録容量が大きく
、非接触で記録と再生を行うことができ、また塵埃の影
響を受けないなど優れた特徴をもっている。
、非接触で記録と再生を行うことができ、また塵埃の影
響を受けないなど優れた特徴をもっている。
すなわちレーザ光はレンズによって直径が約1μmの小
さなスポットに絞りこむことができ、従って1ビツトの
情報記録に要する面積が18m2程度で足りる。
さなスポットに絞りこむことができ、従って1ビツトの
情報記録に要する面積が18m2程度で足りる。
そのため、磁気ディスク或いは磁気テープが1ビツトの
情報記録に数lO〜数100μm2の面積が必要なのと
較べて遥かに少なくて済み、従って大容量記録が可能で
ある。
情報記録に数lO〜数100μm2の面積が必要なのと
較べて遥かに少なくて済み、従って大容量記録が可能で
ある。
またレンズで絞り込まれたレーザ光の焦点面までの距離
は1〜21■とれるので、磁気ディスクで問題となるヘ
ンドクラソシュがなく、また塵埃の影響を抑制すること
ができる。
は1〜21■とれるので、磁気ディスクで問題となるヘ
ンドクラソシュがなく、また塵埃の影響を抑制すること
ができる。
次に光ディスクは狭義の所謂る光ディスクと光磁気ディ
スクとに分類することができるが、この両者を比較する
と、光ディスクは記録媒体として低融点の金属あるいは
合金を用い、情報の書き込′みを穴(ビット)の有無に
より行い、読み出しを反射率の差を利用して行う追記形
メモリ (WriteOnce Msmory)が主流
であり、既に実用化されている。
スクとに分類することができるが、この両者を比較する
と、光ディスクは記録媒体として低融点の金属あるいは
合金を用い、情報の書き込′みを穴(ビット)の有無に
より行い、読み出しを反射率の差を利用して行う追記形
メモリ (WriteOnce Msmory)が主流
であり、既に実用化されている。
一方、光磁気ディスクはもともと書き換え可能なメモリ
(Erasable Memory)として開発が進め
られているもので、レーザ照射による記録媒体の温度上
昇によって記録媒体の保磁力が低下し、磁化反転が容易
になるのを利用して情報の書き込みを行うものである。
(Erasable Memory)として開発が進め
られているもので、レーザ照射による記録媒体の温度上
昇によって記録媒体の保磁力が低下し、磁化反転が容易
になるのを利用して情報の書き込みを行うものである。
ここで、記録媒体として光ディスクにはテルル(Te)
単体やテルル・セレン(TeSe)、砒素・テルル・ゲ
ルマニウム(As Te Ge)などTeを中心と
した非金属が用いられており、また光磁気ディスクには
テルビウム・鉄(Tb Fe)、ガドリウム・テルビ
ウム・tc(Gd Tb Fe)、テルビウム・鉄・コ
バルト(Tb Fe Co)などTbを中心とした金属
あるいは非金属元素が用いられている。
単体やテルル・セレン(TeSe)、砒素・テルル・ゲ
ルマニウム(As Te Ge)などTeを中心と
した非金属が用いられており、また光磁気ディスクには
テルビウム・鉄(Tb Fe)、ガドリウム・テルビ
ウム・tc(Gd Tb Fe)、テルビウム・鉄・コ
バルト(Tb Fe Co)などTbを中心とした金属
あるいは非金属元素が用いられている。
これら媒体材料は酸化に対して耐久性を備えておらず、
そのため特に書き換え可能なメモリにおいては酸化によ
る特性劣化を防ぐことが必須条件となる。
そのため特に書き換え可能なメモリにおいては酸化によ
る特性劣化を防ぐことが必須条件となる。
光ディスクを長期に互って安定に使用するためには記録
媒体の劣化防止が必要であり、第3図の模式図に示すよ
うに透明基板1の上に第1の保護層2.記録層3.第2
の保護層4とサンドイッチ構造がとられている。
媒体の劣化防止が必要であり、第3図の模式図に示すよ
うに透明基板1の上に第1の保護層2.記録層3.第2
の保護層4とサンドイッチ構造がとられている。
ここで透明基板1にはポリメチルメタクリレート(略称
PMMA) 、ポリカーボネート(略称PC)のような
透明なプラスチック基板あるいはガラス基板が用いられ
ており、プラスチック基板の場合は型成形により同心円
状または渦巻き状の案内溝(プリグループ)が設けられ
ている。
PMMA) 、ポリカーボネート(略称PC)のような
透明なプラスチック基板あるいはガラス基板が用いられ
ており、プラスチック基板の場合は型成形により同心円
状または渦巻き状の案内溝(プリグループ)が設けられ
ている。
一方ガラス基板の場合は、この上に紫外線硬化樹脂を塗
布した後、金型を圧着して溝形成を行った後、ガラス基
板を通して紫外線を照射して硬化せしめて案内溝つき基
板を作る技術が開発され使用されている。
布した後、金型を圧着して溝形成を行った後、ガラス基
板を通して紫外線を照射して硬化せしめて案内溝つき基
板を作る技術が開発され使用されている。
かかる透明基板1の上に酸化物、弗化物、窒化物などの
透明な誘電体よりなる第1の保護層2を被覆して耐酸化
処置を行った後、記録N3を形成′ −2し、更にこの
上に金属或いは誘電体よりなる第2の保護層4を形成し
て上方からの耐酸化処理が施されている。
透明な誘電体よりなる第1の保護層2を被覆して耐酸化
処置を行った後、記録N3を形成′ −2し、更にこの
上に金属或いは誘電体よりなる第2の保護層4を形成し
て上方からの耐酸化処理が施されている。
そして、情報の書き込みはレンズで集光したレーザ光を
透明基板lと第1の保護層2を通して記録N3の案内溝
に投射し、光ディスクの場合には情報に応じて六開けを
行い、また光磁気ディスクの場合には磁界の下で磁化反
転を行って情報の記録が行われている。
透明基板lと第1の保護層2を通して記録N3の案内溝
に投射し、光ディスクの場合には情報に応じて六開けを
行い、また光磁気ディスクの場合には磁界の下で磁化反
転を行って情報の記録が行われている。
然し、この構造によっても、透明基板1を構成するプラ
スチック、またガラス基板の場合には紫外線硬化樹脂
の中には未反応のラジカル、活性なモノマーや水分が存
在し、この拡散と浸透によって記録層3が酸化する現象
は完全には阻止されていない。
スチック、またガラス基板の場合には紫外線硬化樹脂
の中には未反応のラジカル、活性なモノマーや水分が存
在し、この拡散と浸透によって記録層3が酸化する現象
は完全には阻止されていない。
また第1の保護層2を真空蒸着法、スパッタ法などの方
法により形成する際に誘電体の結合が部分的に切れ、不
安定で且つ活性な酸素原子、弗素原子、窒素原子が層中
に存在しており、この拡散によって記録層3の酸化が促
進されることも確認されている。
法により形成する際に誘電体の結合が部分的に切れ、不
安定で且つ活性な酸素原子、弗素原子、窒素原子が層中
に存在しており、この拡散によって記録層3の酸化が促
進されることも確認されている。
このように従来の光ディスクの耐酸化処理は不完全であ
って、長期安定性を確保するには不充分であり、この改
良が必要であった。
って、長期安定性を確保するには不充分であり、この改
良が必要であった。
以上記したように第1の保護層として透明な酸化物、弗
化物、窒化物などの誘電体薄層を用いて行う方法は記録
層の酸化を防止するには不完全であり、これに優る酸化
防止構造を実用化するのが課題である。
化物、窒化物などの誘電体薄層を用いて行う方法は記録
層の酸化を防止するには不完全であり、これに優る酸化
防止構造を実用化するのが課題である。
c問題点を解決するための手段〕
上記の問題はガイドトラックを有する透明な基板の上に
第1の保護層、記録層、第2の保護層と層形成されてな
る光ディスクにおいて、第1の保護層が不動態金属から
なるか、或いは透明な誘電体と不動態金属との複合層か
らなる構造をとる光ディスクの使用により解決すること
ができる。
第1の保護層、記録層、第2の保護層と層形成されてな
る光ディスクにおいて、第1の保護層が不動態金属から
なるか、或いは透明な誘電体と不動態金属との複合層か
らなる構造をとる光ディスクの使用により解決すること
ができる。
本発明は不動態金属層が記録層の酸化防止に顕著な効果
があることに着目してなされたものである。
があることに着目してなされたものである。
すなわち不動態金属は容易に酸素と反応する金属である
が、厚さが数10人の極めて緻密な酸化物層を表面に形
成し、遊離酸素や水の浸透を阻止して酸化防止作用を行
うものである。
が、厚さが数10人の極めて緻密な酸化物層を表面に形
成し、遊離酸素や水の浸透を阻止して酸化防止作用を行
うものである。
ここで発明者等はかかる不動態金属は本来金属光沢をも
ち不透明の金属であるが、厚さが200人程変電での範
囲では透過率はそれほど低下せず第1の保護層として使
用できることを見出した。
ち不透明の金属であるが、厚さが200人程変電での範
囲では透過率はそれほど低下せず第1の保護層として使
用できることを見出した。
すなわち、不動態金属としてチタン(Ti)を例にとる
と膜厚が20人の場合はレーザ光の透過率は80%であ
り、また膜厚が200人の場合は40%であって、この
範囲の透過率では充分に実用に耐えることができる。
と膜厚が20人の場合はレーザ光の透過率は80%であ
り、また膜厚が200人の場合は40%であって、この
範囲の透過率では充分に実用に耐えることができる。
第1図(A)はこの構成を示すもので、透明基板1の上
に不動態層5.記録層3.第2の保護層4と層形成した
状態を示している。
に不動態層5.記録層3.第2の保護層4と層形成した
状態を示している。
然し、Tiの膜厚が20Å以下の状態では酸化防止作用
は不完全で記録層の酸化は徐々に進行し、またTiの膜
厚が200人を越すと耐酸化性は向上するもの\、透過
率が40%以下に下がるために実用的でなくなる。
は不完全で記録層の酸化は徐々に進行し、またTiの膜
厚が200人を越すと耐酸化性は向上するもの\、透過
率が40%以下に下がるために実用的でなくなる。
そこで、発明者等は透過率を余り下げないで耐酸化性を
向上する方法として従来用いられている透明な誘電体層
と不動態層との複合層を第1の保護層として用いること
を見出した。
向上する方法として従来用いられている透明な誘電体層
と不動態層との複合層を第1の保護層として用いること
を見出した。
第1図(B)はこの構成を示すもので、透明基板1の上
に誘電体[6,不動態層5.記録N3゜第2の保護層4
と層形成した状態を示している。
に誘電体[6,不動態層5.記録N3゜第2の保護層4
と層形成した状態を示している。
このようにすると従来のように誘電体層6により透明基
板1からの水分やラジカルなどの拡散は相当程度抑制さ
れているため、不動態層5の厚さは薄くてよく、従って
光透過率を僅かしか下げないで記録層3の酸化防止を行
うことができる。
板1からの水分やラジカルなどの拡散は相当程度抑制さ
れているため、不動態層5の厚さは薄くてよく、従って
光透過率を僅かしか下げないで記録層3の酸化防止を行
うことができる。
なお実験の結果、本発明に有効な不動態金属はTi、ク
ローム(Cr)、タンタル(Ta) 、アルミニウム(
Aβ)、ニオブ(Nb)などである。
ローム(Cr)、タンタル(Ta) 、アルミニウム(
Aβ)、ニオブ(Nb)などである。
以下、長期安定性の確保には耐酸化性の向上が絶対に必
要な光磁気ディスクについて、本発明の詳細な説明する
。
要な光磁気ディスクについて、本発明の詳細な説明する
。
透明基板としてガラス円板上に紫外線硬化樹脂による溝
形成を行ったものを用い、また記録層として厚さが10
00人のTb Fe Coを用いた。
形成を行ったものを用い、また記録層として厚さが10
00人のTb Fe Coを用いた。
また第2の保護層としては厚さが1000人の窒化シリ
コン(S13N4)を用い、第1の保i1!層の構成材
を次のように変えて4種類の光磁気ディスクを作った。
コン(S13N4)を用い、第1の保i1!層の構成材
を次のように変えて4種類の光磁気ディスクを作った。
■ 第1の保護層なし、
■ Ti層(厚さ50人)
■ 5i02層(厚さ1000人)
■ Si02層(厚さ1000人)とTi層(厚さ50
人)第2図はこのようにして試作した光磁気ディスクを
150℃の環境温度に置いた場合の保磁力の変化を示す
ものである。
人)第2図はこのようにして試作した光磁気ディスクを
150℃の環境温度に置いた場合の保磁力の変化を示す
ものである。
ここで、光磁気ディスクにおいて、記録層の酸化の度合
を示す目安としては保磁力の変化が用いられているが、
これは酸化によってTb Fe CaO中のTbの成分
比が減少するに従って、保磁力が顕著に変化する現象を
用いるものである。
を示す目安としては保磁力の変化が用いられているが、
これは酸化によってTb Fe CaO中のTbの成分
比が減少するに従って、保磁力が顕著に変化する現象を
用いるものである。
すなわち、■の場合はSiO□層に含まれる遊離酸素に
よってTbが酸化して実効の成分比が減少し、そのため
Tb Fe Coは保磁力がピークを示す補償組成を経
て更に酸化によって実効の成分比が減少しでゆくことを
示している。
よってTbが酸化して実効の成分比が減少し、そのため
Tb Fe Coは保磁力がピークを示す補償組成を経
て更に酸化によって実効の成分比が減少しでゆくことを
示している。
また■の場合は1.透明基板に含まれる水、ラジカル、
モノマーなどにより徐々にTbの酸化が進んで少しなが
ら実効の成分比が減少してゆくことを示している。
モノマーなどにより徐々にTbの酸化が進んで少しなが
ら実効の成分比が減少してゆくことを示している。
一方、■と■は本発明を適用したTi層によって酸化が
阻止されている状態を示している。
阻止されている状態を示している。
このように本発明の適用により記録層の劣化を防ぐこと
ができる。
ができる。
次に、■と■の光磁気ディスクを温度120″C1相対
湿度90%の条件で放置し、C/N (キャリアレベル
/ノイズレベル)の変化を調べたところ、■の構造のも
のは200時間以上に亙って初期値を保持していたのに
対し、■のちのは僅か10時間で書き込みと読み出しが
不可能になった。
湿度90%の条件で放置し、C/N (キャリアレベル
/ノイズレベル)の変化を調べたところ、■の構造のも
のは200時間以上に亙って初期値を保持していたのに
対し、■のちのは僅か10時間で書き込みと読み出しが
不可能になった。
なお、この実施例は不動態金属としてTiを用いたが、
Cr + T a +^f、Nbを用いた場合も類似の
結果を得ることができた。
Cr + T a +^f、Nbを用いた場合も類似の
結果を得ることができた。
以上記したように本発明の実施により透明基板あるいは
基板に接した誘電体層からの遊離酸素や水などの浸透を
阻止することが可能となり、光ディスクの長期安定性の
確保が達成できる。
基板に接した誘電体層からの遊離酸素や水などの浸透を
阻止することが可能となり、光ディスクの長期安定性の
確保が達成できる。
りの断面図、
第2図は光磁気ディスクの経時変化、
第3図は従来の光ディスクの断面図、
である。
図において、
■は透明基板、 2は第1の保護層、3は記録
層、 4は第2の保護層、5は不動態層、
6は誘電体層、である。
層、 4は第2の保護層、5は不動態層、
6は誘電体層、である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガイドトラックを有する透明な基板の上に第1の保護層
、記録層、第2の保護層と層形成されてなる光ディスク
において、 第1の保護層が不動態金属からなるか、或いは透明な誘
電体と不動態金属との複合層からなることを特徴とする
光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11538586A JPS62270041A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11538586A JPS62270041A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62270041A true JPS62270041A (ja) | 1987-11-24 |
Family
ID=14661230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11538586A Pending JPS62270041A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62270041A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5214636A (en) * | 1988-10-21 | 1993-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element having a plurality of thin film filtering layers and optical recording element having an electrically conductive layer |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11538586A patent/JPS62270041A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5214636A (en) * | 1988-10-21 | 1993-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element having a plurality of thin film filtering layers and optical recording element having an electrically conductive layer |
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