JPH01194149A - 光ディスク基板 - Google Patents
光ディスク基板Info
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- JPH01194149A JPH01194149A JP63018970A JP1897088A JPH01194149A JP H01194149 A JPH01194149 A JP H01194149A JP 63018970 A JP63018970 A JP 63018970A JP 1897088 A JP1897088 A JP 1897088A JP H01194149 A JPH01194149 A JP H01194149A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、消去・書き換え可能な光磁気ディスク等の
光ディスクに適用される光ディスク基板の改良構造に関
するものである。
光ディスクに適用される光ディスク基板の改良構造に関
するものである。
従来の技術
ＤＲＡＷ（追記可能）型ディスク、光磁気ディスクなど
の光ディスクは、集束されたレーザ光のビームスポット
により情報を記録、再生するものである。これらの光デ
ィスクは、情報の高密度記録化を図るために、そのディ
スク基板には、通常記録トラックに沿って微細なトラッ
キング用溝か形成されている。このトラ、キング用溝が
形成された面上に記録媒体が形成される。例えば、通常
の光磁気ディスクであれば、保護層／磁性層／保護層の
如く、２つの保護層で磁性層をサンドウィッチした三層
構造の記録媒体が形成される。
の光ディスクは、集束されたレーザ光のビームスポット
により情報を記録、再生するものである。これらの光デ
ィスクは、情報の高密度記録化を図るために、そのディ
スク基板には、通常記録トラックに沿って微細なトラッ
キング用溝か形成されている。このトラ、キング用溝が
形成された面上に記録媒体が形成される。例えば、通常
の光磁気ディスクであれば、保護層／磁性層／保護層の
如く、２つの保護層で磁性層をサンドウィッチした三層
構造の記録媒体が形成される。
これらの光ディスクを形成するディスク基板としては、
最近ＰＣ（ポリカーボネート）等のプラスチック（樹脂
）基板が用いられることが多い。
最近ＰＣ（ポリカーボネート）等のプラスチック（樹脂
）基板が用いられることが多い。
それは、ガラス基板に比べて量産性、コスト、記録感度
、破損に対する危険性が少ないこと等の点で優れている
からであり、特に量産性、コストの点で実用化レベルで
は格段に有利であるからである。
、破損に対する危険性が少ないこと等の点で優れている
からであり、特に量産性、コストの点で実用化レベルで
は格段に有利であるからである。
発明か解決しようとする課題
しかしながら、ディスク基板として樹脂基板を用いた場
合、スパッタ法等による記録膜の膜形成後、内部応力等
によってディスクに反り、変形が発生するという問題が
生じる。そこで、最近、この現象を防くべくＳｉＯ２膜
でディスク基板全而を被覆することが本発明者等によっ
て提案されている。記ｉ）膜は、このＳｉＯ２膜の上に
膜形成される。これによると、反り、変形等に対しては
良好な結果が得られるのであるが、トラ、キングサーボ
の面で以下に述へるような新たな問題が生じた。
合、スパッタ法等による記録膜の膜形成後、内部応力等
によってディスクに反り、変形が発生するという問題が
生じる。そこで、最近、この現象を防くべくＳｉＯ２膜
でディスク基板全而を被覆することが本発明者等によっ
て提案されている。記ｉ）膜は、このＳｉＯ２膜の上に
膜形成される。これによると、反り、変形等に対しては
良好な結果が得られるのであるが、トラ、キングサーボ
の面で以下に述へるような新たな問題が生じた。
第２図は従来の光ディスク基板を示すもので、ＰＣ等よ
り成る透明樹脂基板１０の一面にトラッキング用溝（案
内溝）１１がスパイラル状に形成されている。トラッキ
ング用溝１１．１１・・・の溝間にはランド部（溝間部
）１２が溝１１に対して凹凸状に形成されている。情報
の記録・再生は、ランド部１２を通してレーザビームを
照射集束させることによって行われる。ところで、現在
用いられている光ディスクは、トラノクビ、チか１．６
μｍ１溝幅が０．６μｍ１溝の深さが７００〜１００Ｏ
Ａ（オングストローム）のものが主流を占めている。透
明基板１０のトラッキング用溝１１・・・か形成された
一面にはＳｉＯ２校１３が全面にわたって形成されてい
る。このＳｉＯ２膜１３によって基板全体か被覆されて
いる。しかし、この従来のディスク基板の構造によると
、ＳｉＯ２Ｆ２１３は１０００〜２０００Ａ Ｃオング
ストローム）程度で比較的厚（設けられるので、この膜
１３を膜付けしたとき、トラッキング用溝１１の部分て
溝部の端縁から溝内部にたれた状態で付着することにな
り、これによって溝部に変形等が生じ、溝幅Ｗが本来の
０．６μｍに対して減少し幅狭になる問題があった。そ
の結果、以後の信号の記録再生の際、溝部に照射される
レーザビームの回折光の強弱の変化として取り出される
トラッキングエラー信号が良好かつ正確に検出されず、
トラッキングサーボが不十分となり、十分にうまくかけ
られなくなる問題が生じていた。
り成る透明樹脂基板１０の一面にトラッキング用溝（案
内溝）１１がスパイラル状に形成されている。トラッキ
ング用溝１１．１１・・・の溝間にはランド部（溝間部
）１２が溝１１に対して凹凸状に形成されている。情報
の記録・再生は、ランド部１２を通してレーザビームを
照射集束させることによって行われる。ところで、現在
用いられている光ディスクは、トラノクビ、チか１．６
μｍ１溝幅が０．６μｍ１溝の深さが７００〜１００Ｏ
Ａ（オングストローム）のものが主流を占めている。透
明基板１０のトラッキング用溝１１・・・か形成された
一面にはＳｉＯ２校１３が全面にわたって形成されてい
る。このＳｉＯ２膜１３によって基板全体か被覆されて
いる。しかし、この従来のディスク基板の構造によると
、ＳｉＯ２Ｆ２１３は１０００〜２０００Ａ Ｃオング
ストローム）程度で比較的厚（設けられるので、この膜
１３を膜付けしたとき、トラッキング用溝１１の部分て
溝部の端縁から溝内部にたれた状態で付着することにな
り、これによって溝部に変形等が生じ、溝幅Ｗが本来の
０．６μｍに対して減少し幅狭になる問題があった。そ
の結果、以後の信号の記録再生の際、溝部に照射される
レーザビームの回折光の強弱の変化として取り出される
トラッキングエラー信号が良好かつ正確に検出されず、
トラッキングサーボが不十分となり、十分にうまくかけ
られなくなる問題が生じていた。
この発明は、記録面に膜付けされるＳｉＯ２膜を厚くし
てもトラッキング用溝に変形等を生しさせることなくト
ラッキングエラー信号が取り出せるようにすることを目
的とするものである。
てもトラッキング用溝に変形等を生しさせることなくト
ラッキングエラー信号が取り出せるようにすることを目
的とするものである。
課題を解決するための手段
この発明は、上記課題を達成するために、トラッキング
用溝の溝幅ａと溝間隔すとの比をａ／ｂ＝０．６〜３．
０ の関係に設定した。
用溝の溝幅ａと溝間隔すとの比をａ／ｂ＝０．６〜３．
０ の関係に設定した。
さらに、本発明は、トラッキング用溝の溝幅ａと溝間隔
すとの比を ａ／ｂ＝０．６〜３．０ の関係に設定し、トラッキング用溝の上にＳｉＯ２系ま
たはガラス系の膜を１０００〜２０００Ａの膜厚で成膜
したことを要旨としている。
すとの比を ａ／ｂ＝０．６〜３．０ の関係に設定し、トラッキング用溝の上にＳｉＯ２系ま
たはガラス系の膜を１０００〜２０００Ａの膜厚で成膜
したことを要旨としている。
作用
トラッキング用溝の溝幅と溝間隔との比を上述した関係
に選んで溝形成しておくと、ＳｉＯ２系、カラス系膜の
成膜の際、１０００〜２０００Ａ程度と多少厚く膜形成
した場合でも、膜たれによるトランキング溝の変形、そ
れに伴う溝幅の減少の影響はなくなり、良好なトラッキ
ングエラー信号の検出が行えるようになる。
に選んで溝形成しておくと、ＳｉＯ２系、カラス系膜の
成膜の際、１０００〜２０００Ａ程度と多少厚く膜形成
した場合でも、膜たれによるトランキング溝の変形、そ
れに伴う溝幅の減少の影響はなくなり、良好なトラッキ
ングエラー信号の検出が行えるようになる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明に係る光ディスク基板を示すもので、第
２図と同一部分には同一符号を付しである。
２図と同一部分には同一符号を付しである。
ＰＣ（ポリカーボネート）等から成る透明樹脂基板１０
の信号記録面にトラッキング用溝１１か記録トランクに
沿ってスパイラル状に形成されている。トラッキング用
溝１１の溝間は、すなわちランド部１２であり、このラ
ンド部１２が溝１１に対して凹凸状に形成されている。
の信号記録面にトラッキング用溝１１か記録トランクに
沿ってスパイラル状に形成されている。トラッキング用
溝１１の溝間は、すなわちランド部１２であり、このラ
ンド部１２が溝１１に対して凹凸状に形成されている。
記録媒体への情報の記録・再生はランド部１２を通して
レーザ光をμ、６射集束させることによって行われる。
レーザ光をμ、６射集束させることによって行われる。
トラッキング用溝１１のトランクピッチＣは１゜６１１
ｍ Ｎ溝の深さは７００Ａ−１０００Ａに設定されて
いる。溝１１の溝幅ａとランド部１２の溝間幅すとの比
は、ａ／ｂ＝０．６〜３．０の範囲に選ばれている。そ
の数値の範囲で最も好適に値に選ばれる。実施例では、
溝部１１の幅は０．９μｍであり、これに対して上述し
た比の範囲に収まるようにランド部１２の幅か設定され
ている。
ｍ Ｎ溝の深さは７００Ａ−１０００Ａに設定されて
いる。溝１１の溝幅ａとランド部１２の溝間幅すとの比
は、ａ／ｂ＝０．６〜３．０の範囲に選ばれている。そ
の数値の範囲で最も好適に値に選ばれる。実施例では、
溝部１１の幅は０．９μｍであり、これに対して上述し
た比の範囲に収まるようにランド部１２の幅か設定され
ている。
この場合は、ランド部１２の幅は０．７μｍである。
透明基板１０のトラ、キング用慮１１が形成された一面
にＳｉＯ２膜１３が形成されている。
にＳｉＯ２膜１３が形成されている。
ＳｉＯ２膜１３は、ＬＰＤ（ＬｉＱｕｉｄ Ｐｈａｓ
ｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と呼ばれる析出法文は
スパッタ法等により基板１０の溝形成面側に被着される
。その膜厚は、１０００〜２０００Ａ１より具体的には
１５００Ａ程度である。
ｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と呼ばれる析出法文は
スパッタ法等により基板１０の溝形成面側に被着される
。その膜厚は、１０００〜２０００Ａ１より具体的には
１５００Ａ程度である。
このＳｉＯ２膜１３により、記録膜形成後における光デ
ィスクが反り、変形等から保護される。したがって、膜
形成後におけるディスクの反り、変形等はなくなる。
ィスクが反り、変形等から保護される。したがって、膜
形成後におけるディスクの反り、変形等はなくなる。
５１０２膜１３は、例えば上述したＬＰＤ法で膜形成さ
れる。このＬＰＤ法では、室温近くの溶液中へ透明基板
１０を浸漬するたけで、その表面にＳｉＯ２のｖＬ１３
か形成される。基板１０の浸漬液としては、ケイぶつ化
水素酸（Ｈ２ＳｉＦ６）の水溶液にＳｉＯ２粉末（たと
えば、シリカゲル）を飽和し、その後、ホウ酸水溶液（
Ｈ３ＢＯ３）を添加したものが用いられる。この溶液中
に透明基数１０を浸漬すると、表面へのＳｉＯ２Ｎ２の
析出が始まり、所定の時間で基板表面にＳｉＯ２膜が所
望の厚さで形成される。このようにして得られたＳｉＯ
２ｙ：１３は、膜組成が極めて緻密であるという特長を
有する。また、基板を室温近くの溶液中へ短時間浸漬す
るたけで良いので、他のコーティング手法に比べて膜作
製が簡単に行える。
れる。このＬＰＤ法では、室温近くの溶液中へ透明基板
１０を浸漬するたけで、その表面にＳｉＯ２のｖＬ１３
か形成される。基板１０の浸漬液としては、ケイぶつ化
水素酸（Ｈ２ＳｉＦ６）の水溶液にＳｉＯ２粉末（たと
えば、シリカゲル）を飽和し、その後、ホウ酸水溶液（
Ｈ３ＢＯ３）を添加したものが用いられる。この溶液中
に透明基数１０を浸漬すると、表面へのＳｉＯ２Ｎ２の
析出が始まり、所定の時間で基板表面にＳｉＯ２膜が所
望の厚さで形成される。このようにして得られたＳｉＯ
２ｙ：１３は、膜組成が極めて緻密であるという特長を
有する。また、基板を室温近くの溶液中へ短時間浸漬す
るたけで良いので、他のコーティング手法に比べて膜作
製が簡単に行える。
トラッキング用溝１１のトランクピッチＣは、ディスク
のサイズ、種類等に応じて変わるものであり、上述した
１、６μｍに対して２，０μｍ等に設定することが可能
である。そこで、上述した第１の実施例に対して第２の
実施例では、トラ。
のサイズ、種類等に応じて変わるものであり、上述した
１、６μｍに対して２，０μｍ等に設定することが可能
である。そこで、上述した第１の実施例に対して第２の
実施例では、トラ。
クピソチＣを２．０４ｍ１溝幅を１．０μｍに設定して
トラッキング用溝１１を形成した。この場合溝間のラン
ド部１２の幅すは１．０μｍであり、溝幅との比ａ／ｂ
は上述した（０．６〜３．０）の範囲にある。この溝１
１の上にさらにＳｉＯ２膜１３が約１５００Ａの膜厚で
成膜される。
トラッキング用溝１１を形成した。この場合溝間のラン
ド部１２の幅すは１．０μｍであり、溝幅との比ａ／ｂ
は上述した（０．６〜３．０）の範囲にある。この溝１
１の上にさらにＳｉＯ２膜１３が約１５００Ａの膜厚で
成膜される。
以上のように形成された光ディスク基板の８１０２膜１
３上には、さらに記録媒体かスパッタ法等によって成膜
される。例えば、光磁気ディスクである場合は、ＳｉＯ
２膜１３膜上３保護層１４／磁性層１５／保護層１６の
如く三層構造で光磁気記録媒体か成膜される。この場合
、ｓ＋０２膜１３を１５００Ａ程度に厚くしておくと、
第２層の保護層の厚さを薄くできるので、保護層の成膜
に要する時間を短縮することができる。磁性層１５は、
ＴｂＦｅ１ＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属アモルフ
ァス合金より成る光磁気記録膜で形成されており、その
上下面を二層の保護膜１４．１６によってサンドウィッ
チ状に挟持されている。
３上には、さらに記録媒体かスパッタ法等によって成膜
される。例えば、光磁気ディスクである場合は、ＳｉＯ
２膜１３膜上３保護層１４／磁性層１５／保護層１６の
如く三層構造で光磁気記録媒体か成膜される。この場合
、ｓ＋０２膜１３を１５００Ａ程度に厚くしておくと、
第２層の保護層の厚さを薄くできるので、保護層の成膜
に要する時間を短縮することができる。磁性層１５は、
ＴｂＦｅ１ＴｂＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属アモルフ
ァス合金より成る光磁気記録膜で形成されており、その
上下面を二層の保護膜１４．１６によってサンドウィッ
チ状に挟持されている。
保護層１４．１６は、Ａ１２０３、Ｙ２０３．ＳｉＯ３
等の酸化物、あるいはＳ ｒ Ｎ％ Ａ Ｉ Ｎ等の窒
化物材料で形成される。磁性層１５へＭＯ（光磁気）情
報を記録又は再生するにあたり、ＭＯヘッドから照射さ
れるレーザ光は、透明基板１０のランド部１２を通して
磁性層１５の記録領域に照射集束される。その記録・再
生の原理は周知の通りであるから省略する。そして、ト
ラ、キング用溝１１に入射したレーザ光はその溝部で反
射され、例えば反射回折光の強度分布の変化として読み
取られる。これによってトラッキングエラー信号が検出
される。このトラッキングエラー信号に基づいて磁性層
１５に照射されるレーザビームかトラ、キングサーボさ
れ、ＭＯ情報の記録トラックに追従制御される。その際
、トラッキング用溝１１の溝幅ａと溝間幅すとの比が上
述したとおり、０゜６〜３．０の範囲で選定されている
のて、溝部１１の幅ａを０．９〜１．０μｍと幅広くす
ることかでき、その上に形成するＳｉＯ２ＹＸ１３の膜
厚を１００．０〜２０００Ａ程度と厚くした場合でも、
溝１１の変形、それに伴う溝幅Ｗの減少による影響を受
けることな（、十分かつ良好にトラッキングエラー信号
を取り出すことができる。すなわち）Ｓ１０２膜１３を
１０００〜２０００Ａの膜厚で成膜すると、トラ、キン
グ用溝１１の溝部の幅ａに対してトラッキングエラー信
号取り出しに要する自゛効溝幅Ｗが減少するが、それで
もなおかつ、トラッキングエラー信号取り出しに支障を
来たさない程度の十分な広さの溝幅Ｗを得ることができ
る。
等の酸化物、あるいはＳ ｒ Ｎ％ Ａ Ｉ Ｎ等の窒
化物材料で形成される。磁性層１５へＭＯ（光磁気）情
報を記録又は再生するにあたり、ＭＯヘッドから照射さ
れるレーザ光は、透明基板１０のランド部１２を通して
磁性層１５の記録領域に照射集束される。その記録・再
生の原理は周知の通りであるから省略する。そして、ト
ラ、キング用溝１１に入射したレーザ光はその溝部で反
射され、例えば反射回折光の強度分布の変化として読み
取られる。これによってトラッキングエラー信号が検出
される。このトラッキングエラー信号に基づいて磁性層
１５に照射されるレーザビームかトラ、キングサーボさ
れ、ＭＯ情報の記録トラックに追従制御される。その際
、トラッキング用溝１１の溝幅ａと溝間幅すとの比が上
述したとおり、０゜６〜３．０の範囲で選定されている
のて、溝部１１の幅ａを０．９〜１．０μｍと幅広くす
ることかでき、その上に形成するＳｉＯ２ＹＸ１３の膜
厚を１００．０〜２０００Ａ程度と厚くした場合でも、
溝１１の変形、それに伴う溝幅Ｗの減少による影響を受
けることな（、十分かつ良好にトラッキングエラー信号
を取り出すことができる。すなわち）Ｓ１０２膜１３を
１０００〜２０００Ａの膜厚で成膜すると、トラ、キン
グ用溝１１の溝部の幅ａに対してトラッキングエラー信
号取り出しに要する自゛効溝幅Ｗが減少するが、それで
もなおかつ、トラッキングエラー信号取り出しに支障を
来たさない程度の十分な広さの溝幅Ｗを得ることができ
る。
なお、本発明はＭＯディスク、追記可能型ディスクのデ
ィスク基板たけてなく、トラッキング用のプリグループ
が形成される溝付き基板であれば広く適用することがで
きる。
ィスク基板たけてなく、トラッキング用のプリグループ
が形成される溝付き基板であれば広く適用することがで
きる。
また、Ｓ ｌ ０２膜１３に代えてガラス系膜を使用す
ることもできる。例えば、コーニング社の商品番号７０
５９ （バリウム硼珪酸ガラス）が好適であるが、無ア
ルカリガラスであれば、その他の適宜のものを適用する
ことができる。
ることもできる。例えば、コーニング社の商品番号７０
５９ （バリウム硼珪酸ガラス）が好適であるが、無ア
ルカリガラスであれば、その他の適宜のものを適用する
ことができる。
発明の効果
以上の説明に明らかなとおり、本発明によれば、ＳｉＯ
２系、ガラス系の膜形成に伴う溝変形の影響を受けるこ
となく、トラッキング用溝の溝幅を十分に広く確保する
ことができ、良好かつ正確なトラッキングエラー信号の
取り出しが行える。したかって、ＳｉＯ２系、ガラス系
膜の形成に伴う溝変形、それによる溝幅の減少をなくシ
、十分かつ良好なトラッキングサーボをかけられるよう
になる。
２系、ガラス系の膜形成に伴う溝変形の影響を受けるこ
となく、トラッキング用溝の溝幅を十分に広く確保する
ことができ、良好かつ正確なトラッキングエラー信号の
取り出しが行える。したかって、ＳｉＯ２系、ガラス系
膜の形成に伴う溝変形、それによる溝幅の減少をなくシ
、十分かつ良好なトラッキングサーボをかけられるよう
になる。
第１図は本発明に係る光ディスク基板を示す部分拡大断
面図、第２図は従来の光ディスク基板を示す部分拡大断
面図である。 １０１１・・透明基板、 １１・舎・トラッキング用溝、 １２φ・番溝間ランド部、 １３・Φ・ＳｉＯ２膜。
面図、第２図は従来の光ディスク基板を示す部分拡大断
面図である。 １０１１・・透明基板、 １１・舎・トラッキング用溝、 １２φ・番溝間ランド部、 １３・Φ・ＳｉＯ２膜。
Claims (2)
- （１）透明基板の一面にトラッキング用溝が形成された
光ディスク基板において、前記トラッキング用溝の溝幅
ａと溝間幅ｂとの比を ａ／ｂ＝０．６〜３．０ の関係に設定したことを特徴とする光ディスク基板。 - （２）透明樹脂基板の一面にトラッキング用溝が形成さ
れた光ディスク基板において、前記トラッキング用溝の
溝幅ａと溝間幅ｂとの比を ａ／ｂ＝０．６〜３．０ の関係に設定し、前記トラッキング用溝の上にＳｉＯ２
系またはガラス系の膜を１０００〜２０００Ａ（オング
ストローム）の範囲で成膜したことを特徴とする光ディ
スク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018970A JPH01194149A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 光ディスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018970A JPH01194149A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 光ディスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01194149A true JPH01194149A (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=11986501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63018970A Pending JPH01194149A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 光ディスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01194149A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016708A1 (fr) * | 1990-04-17 | 1991-10-31 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Procede de preparation d'un support d'enregistrement magnetooptique et support d'enregistrement magnetooptique |
| WO1995029483A1 (fr) * | 1994-04-23 | 1995-11-02 | Sony Corporation | Support d'enregistrement et tete d'enregistrement magneto-optiques |
| JPH08124220A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-05-17 | Nec Corp | 光ディスク媒体および光ディスク記録・再生方法 |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63018970A patent/JPH01194149A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991016708A1 (fr) * | 1990-04-17 | 1991-10-31 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Procede de preparation d'un support d'enregistrement magnetooptique et support d'enregistrement magnetooptique |
| WO1995029483A1 (fr) * | 1994-04-23 | 1995-11-02 | Sony Corporation | Support d'enregistrement et tete d'enregistrement magneto-optiques |
| US6002653A (en) * | 1994-04-23 | 1999-12-14 | Sony Corporation | Magneto-optical head unit capable of compensating the Kerr ellipticity |
| JPH08124220A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-05-17 | Nec Corp | 光ディスク媒体および光ディスク記録・再生方法 |
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