JPH08255374A - 多層光ディスク及びその信号再生方法 - Google Patents
多層光ディスク及びその信号再生方法Info
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- JPH08255374A JPH08255374A JP7060645A JP6064595A JPH08255374A JP H08255374 A JPH08255374 A JP H08255374A JP 7060645 A JP7060645 A JP 7060645A JP 6064595 A JP6064595 A JP 6064595A JP H08255374 A JPH08255374 A JP H08255374A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B11/10597—Adaptations for transducing various formats on the same or different carriers
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 各層から十分なレベルで再生信号が得られ、
大量の情報を取り扱うことができる書き換え可能な多層
光ディスクを提供する。 【構成】 情報記憶層を、再生専用の情報記憶層と、書
き換え可能な情報記憶層とから構成し、これら情報記憶
層を光学的に分離するスペーサ層を介して積層する。こ
のとき、基板側に再生専用の情報記憶層を配する。再生
専用の情報記憶層は、再生光の波長領域において、光透
過性を有する。スペーサ層の厚さは、30μm以上とす
ることが好ましい。書き換え可能な情報記憶層には、希
土類−遷移金属系光磁気記録材料や、相変化材料が用い
られる。各情報記憶層に記録された情報信号は、再生光
を焦点位置を変えて照射することで再生される。
大量の情報を取り扱うことができる書き換え可能な多層
光ディスクを提供する。 【構成】 情報記憶層を、再生専用の情報記憶層と、書
き換え可能な情報記憶層とから構成し、これら情報記憶
層を光学的に分離するスペーサ層を介して積層する。こ
のとき、基板側に再生専用の情報記憶層を配する。再生
専用の情報記憶層は、再生光の波長領域において、光透
過性を有する。スペーサ層の厚さは、30μm以上とす
ることが好ましい。書き換え可能な情報記憶層には、希
土類−遷移金属系光磁気記録材料や、相変化材料が用い
られる。各情報記憶層に記録された情報信号は、再生光
を焦点位置を変えて照射することで再生される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報信号の読
み出しを行う多層光ディスク及びその信号再生方法に関
するものであり、特に、情報を記憶するための層を多層
化し、大容量の情報を取り扱い可能とする新規な多層光
ディスク及びその信号再生方法に関する。
み出しを行う多層光ディスク及びその信号再生方法に関
するものであり、特に、情報を記憶するための層を多層
化し、大容量の情報を取り扱い可能とする新規な多層光
ディスク及びその信号再生方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、いわゆるマルチメディアの興隆に
伴い、デジタル動画のような大容量の情報を取り扱う必
要が生じており、このような大容量の情報を蓄積し、必
要に応じてランダムアクセスして再生することの必要性
が高まっている。
伴い、デジタル動画のような大容量の情報を取り扱う必
要が生じており、このような大容量の情報を蓄積し、必
要に応じてランダムアクセスして再生することの必要性
が高まっている。
【0003】光ディスクは、ランダムアクセスが可能で
あり、大容量で、記録再生装置からの取り出しが可能
(リムーバブル)という特徴を有する記憶媒体で、これ
までも各方面で大量に使用されているが、前述のような
大容量化に対応するためには、片面でこれまで以上の多
量の情報を扱い得ることが要求される。
あり、大容量で、記録再生装置からの取り出しが可能
(リムーバブル)という特徴を有する記憶媒体で、これ
までも各方面で大量に使用されているが、前述のような
大容量化に対応するためには、片面でこれまで以上の多
量の情報を扱い得ることが要求される。
【0004】このような状況から、光ディスクの容量を
拡大するための手法として、情報を蓄積する層を厚み方
向に多層積層することが試みられている。
拡大するための手法として、情報を蓄積する層を厚み方
向に多層積層することが試みられている。
【0005】多層光ディスクは、ディスク片面に多層化
して形成された各情報層に情報を蓄積し、ランダムアク
セス性を失うことなく、多層間の焦点を変えることで情
報の読み出しを可能とし、大容量の情報を扱おうとする
ものである。
して形成された各情報層に情報を蓄積し、ランダムアク
セス性を失うことなく、多層間の焦点を変えることで情
報の読み出しを可能とし、大容量の情報を扱おうとする
ものである。
【0006】多層光ディスクに関して、これまで報告さ
れた例としては、代表的なものに、 1.焦点位置を変えて光ディスクを再生するという概念
(例えば米国特許第3946367号等) 2.基板の片側に何層かに積層された情報層を持つ多層
ディスクを用い、透過光または反射光で読み出す方法
(例えば米国特許第4219704号等) 3.光学系内に収差補正機能を備えた情報多層光ディス
クの再生システム(例えば米国特許第5202875号
等)がある。
れた例としては、代表的なものに、 1.焦点位置を変えて光ディスクを再生するという概念
(例えば米国特許第3946367号等) 2.基板の片側に何層かに積層された情報層を持つ多層
ディスクを用い、透過光または反射光で読み出す方法
(例えば米国特許第4219704号等) 3.光学系内に収差補正機能を備えた情報多層光ディス
クの再生システム(例えば米国特許第5202875号
等)がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
には、大別して再生専用型ディスク、追記型ディスク、
書き換え可能型ディスクがあり、先の多層光ディスクの
具体例として、再生専用2層光ディスク(W.Imaio, H.
J.Rosen, K.A.Rubin, T.S.Strand, and M.E.Best,Proc.
SPIE vol. 2338, Optical Data Storage, Dana Point,
1994, pp.254-259)や追記型2層光ディスク(K.A.Rubi
n, H.J.Rosen, W.W.Tang. W.Imaio, and T.C.Strand, P
roc.SPIE vol. 2338, Optical Data Storage, Dana Poi
nt, 1994,pp.247-253)等が提案されている。
には、大別して再生専用型ディスク、追記型ディスク、
書き換え可能型ディスクがあり、先の多層光ディスクの
具体例として、再生専用2層光ディスク(W.Imaio, H.
J.Rosen, K.A.Rubin, T.S.Strand, and M.E.Best,Proc.
SPIE vol. 2338, Optical Data Storage, Dana Point,
1994, pp.254-259)や追記型2層光ディスク(K.A.Rubi
n, H.J.Rosen, W.W.Tang. W.Imaio, and T.C.Strand, P
roc.SPIE vol. 2338, Optical Data Storage, Dana Poi
nt, 1994,pp.247-253)等が提案されている。
【0008】これら2層光ディスクにおいては、いずれ
も基板に近い方の記録層(第1の情報記憶層)として誘
電体または染料のように透過率の高い材料を採用し、第
1の情報記憶層からの反射率R1 と第2の情報記憶層か
らの最終反射率T1 2R2 がほぼ等しくなるように膜設計
を行っている。なお、ここで、T1 は第1の情報記憶層
の透過率、R2 は第2の情報記憶層の反射率である。
も基板に近い方の記録層(第1の情報記憶層)として誘
電体または染料のように透過率の高い材料を採用し、第
1の情報記憶層からの反射率R1 と第2の情報記憶層か
らの最終反射率T1 2R2 がほぼ等しくなるように膜設計
を行っている。なお、ここで、T1 は第1の情報記憶層
の透過率、R2 は第2の情報記憶層の反射率である。
【0009】しかしながら、前述の再生専用2層光ディ
スクや追記型2層光ディスクでは、用途がある程度限定
されてしまい、汎用性を考えると、書き換え可能型の光
ディスクとすることが望まれる。また、再生専用型ディ
スク、追記型ディスク、書き換え可能型ディスクは、そ
れぞれに特徴があり、お互いに補いあって光ディスク全
体の市場を形成していることに鑑みても、書き換え可能
型の光ディスクは是非とも必要である。
スクや追記型2層光ディスクでは、用途がある程度限定
されてしまい、汎用性を考えると、書き換え可能型の光
ディスクとすることが望まれる。また、再生専用型ディ
スク、追記型ディスク、書き換え可能型ディスクは、そ
れぞれに特徴があり、お互いに補いあって光ディスク全
体の市場を形成していることに鑑みても、書き換え可能
型の光ディスクは是非とも必要である。
【0010】これに対応するためには、多層光ディスク
を書き換え可能型の多層光ディスクとすることが考えら
れ、事実、特開昭63−276732号公報等におい
て、第1の情報記憶層、第2の情報記憶層の両者を共に
書き換え可能層とした多層光ディスクが提案されてい
る。
を書き換え可能型の多層光ディスクとすることが考えら
れ、事実、特開昭63−276732号公報等におい
て、第1の情報記憶層、第2の情報記憶層の両者を共に
書き換え可能層とした多層光ディスクが提案されてい
る。
【0011】しかしながら、第1の情報記憶層及び第2
の情報記憶層の双方に書き換え型材料を用いると、第1
の情報記憶層による光吸収が大きくなってしまい、第2
の情報記憶層からの反射率を確保する膜設計ができず、
その結果として各層から十分な再生信号を得ることがで
きないという欠点があり、現実的ではない。
の情報記憶層の双方に書き換え型材料を用いると、第1
の情報記憶層による光吸収が大きくなってしまい、第2
の情報記憶層からの反射率を確保する膜設計ができず、
その結果として各層から十分な再生信号を得ることがで
きないという欠点があり、現実的ではない。
【0012】そこで本発明は、各層から十分なレベルで
再生信号が得られ、大量の情報を取り扱うことができる
新規な書き換え可能型多層光ディスクを提供することを
目的とする。
再生信号が得られ、大量の情報を取り扱うことができる
新規な書き換え可能型多層光ディスクを提供することを
目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、先の目的
を達成するために、長期に亘り検討を重ねてきた。その
結果、透明基板上に光透過性の高い再生専用層を設け、
さらにその上に書き換え可能な膜をスペーサを介して配
することにより、各層からの反射率がほぼ等しく、しか
も実用的な反射率を有する多層光ディスクを実現するこ
とができることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
を達成するために、長期に亘り検討を重ねてきた。その
結果、透明基板上に光透過性の高い再生専用層を設け、
さらにその上に書き換え可能な膜をスペーサを介して配
することにより、各層からの反射率がほぼ等しく、しか
も実用的な反射率を有する多層光ディスクを実現するこ
とができることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
【0014】すなわち、本発明の多層光ディスクは、従
来のものとは全く発想が異なるものであり、その特徴と
するところは、再生専用層と書き換え可能層とをスペー
サ層を介して積層したことにある。
来のものとは全く発想が異なるものであり、その特徴と
するところは、再生専用層と書き換え可能層とをスペー
サ層を介して積層したことにある。
【0015】本発明では、前述の通り、基板上に再生専
用の第1の情報記憶層、スペーサ層、書き換え型の第2
の情報の順に製膜した多層光ディスクを用いるが、この
とき第1の情報記憶層を再生専用層とすることで、第1
の情報記憶層からと第2の情報記憶層からの反射率が共
に実用的に十分大きい膜構成とすることができ、再生光
の焦点位置を変えて再生することにより、第1の情報記
憶層からは再生専用情報を、第2の情報記憶層からは書
き換え可能情報をそれぞれ再生することができ、大量の
情報を一度に取り扱うことが可能となる。
用の第1の情報記憶層、スペーサ層、書き換え型の第2
の情報の順に製膜した多層光ディスクを用いるが、この
とき第1の情報記憶層を再生専用層とすることで、第1
の情報記憶層からと第2の情報記憶層からの反射率が共
に実用的に十分大きい膜構成とすることができ、再生光
の焦点位置を変えて再生することにより、第1の情報記
憶層からは再生専用情報を、第2の情報記憶層からは書
き換え可能情報をそれぞれ再生することができ、大量の
情報を一度に取り扱うことが可能となる。
【0016】
【作用】書き換え可能型の多層光ディスクとする場合、
書き換え可能層を例えば2層重ねると、2層目の書き換
え可能層の反射率を確保する膜設計は難しい。
書き換え可能層を例えば2層重ねると、2層目の書き換
え可能層の反射率を確保する膜設計は難しい。
【0017】本発明においては、1層目を再生専用層と
しているので、光透過性が確保され、2層目の書き換え
可能層の反射率が十分なレベルとされる。
しているので、光透過性が確保され、2層目の書き換え
可能層の反射率が十分なレベルとされる。
【0018】したがって、1層目と2層目の反射率が共
に実用的な反射率となるような膜設計が容易に実現さ
れ、各層から情報再生に十分な信号レベルが確保され
る。
に実用的な反射率となるような膜設計が容易に実現さ
れ、各層から情報再生に十分な信号レベルが確保され
る。
【0019】また、再生専用情報と書き換え可能情報と
により、大容量が確保され、これまでにない新たな用途
に用い得る多層光ディスクが提供される。
により、大容量が確保され、これまでにない新たな用途
に用い得る多層光ディスクが提供される。
【0020】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0021】多層光ディスクの構成 本実施例の多層光ディスクは、図1に示すように、基板
1上に第1の情報記憶層2、スペーサ層3、第2の情報
記憶層4を順次製膜してなるものである。
1上に第1の情報記憶層2、スペーサ層3、第2の情報
記憶層4を順次製膜してなるものである。
【0022】基板1は、例えばポリカーボネートやガラ
ス等からなるもので、前者の場合には射出成形によっ
て、後者の場合にはいわゆる2P法等によって、記録ピ
ット等の凹凸パターンが再生専用情報として形成され
る。
ス等からなるもので、前者の場合には射出成形によっ
て、後者の場合にはいわゆる2P法等によって、記録ピ
ット等の凹凸パターンが再生専用情報として形成され
る。
【0023】上記第1の情報記憶層2は、前記基板1の
凹凸パターンに沿って製膜され、この凹凸パターンによ
る再生専用情報を読み出すための反射膜として機能する
もので、したがって再生専用層に相当する。
凹凸パターンに沿って製膜され、この凹凸パターンによ
る再生専用情報を読み出すための反射膜として機能する
もので、したがって再生専用層に相当する。
【0024】この第1の情報記憶層2は、例えば窒化シ
リコン(SiN)等の誘電体材料やSi、さらには光吸
収の比較的弱い染料等のように、ある程度光透過性を有
する材料により形成される。またそれ自体は、再生光の
波長領域においてある程度の反射率を示す必要がある。
リコン(SiN)等の誘電体材料やSi、さらには光吸
収の比較的弱い染料等のように、ある程度光透過性を有
する材料により形成される。またそれ自体は、再生光の
波長領域においてある程度の反射率を示す必要がある。
【0025】スペーサ層3は、前記第1の情報記憶層2
と第2の情報記憶層4とを光学的に分離する役割を果た
すもので、したがってある程度の厚さが必要である。具
体的には、30μm以上とすることが好ましい。スペー
サ層3の厚さがあまり薄すぎると、第1の情報記憶層2
からの反射光と、第2の情報記憶層4からの反射光とを
十分に分離することができなくなって、正確な検出が難
しい。また、あまり厚さが厚すぎると、球面収差等が発
生することから、この点を考慮して適正な厚さに設定す
る必要がある。
と第2の情報記憶層4とを光学的に分離する役割を果た
すもので、したがってある程度の厚さが必要である。具
体的には、30μm以上とすることが好ましい。スペー
サ層3の厚さがあまり薄すぎると、第1の情報記憶層2
からの反射光と、第2の情報記憶層4からの反射光とを
十分に分離することができなくなって、正確な検出が難
しい。また、あまり厚さが厚すぎると、球面収差等が発
生することから、この点を考慮して適正な厚さに設定す
る必要がある。
【0026】一方、前記スペーサ層3を介して第1の情
報記憶層2上に形成される第2の情報記憶層4は、書き
換え可能な記録材料により形成されるもので、例えばG
eSbTe等のカルコゲン化合物に代表されるような相
変化材料や、TbFeCo等の希土類−遷移金属に代表
されるような光磁気記録材料によって形成される。
報記憶層2上に形成される第2の情報記憶層4は、書き
換え可能な記録材料により形成されるもので、例えばG
eSbTe等のカルコゲン化合物に代表されるような相
変化材料や、TbFeCo等の希土類−遷移金属に代表
されるような光磁気記録材料によって形成される。
【0027】したがって、この第2の情報記憶層4は、
書き換え可能層であり、使用者が任意に情報の書き込み
を行うことができる。
書き換え可能層であり、使用者が任意に情報の書き込み
を行うことができる。
【0028】また、上記第2の情報記憶層4には、必要
に応じてエンハンス層や反射膜を配してもよい。図2
は、これらエンハンス層や反射膜を形成した多層光ディ
スクの一例を示すもので、この例では第2の情報記憶層
4を挟んで両側にSiN等からなる透明誘電体膜5、6
がエンハンス層として形成され、さらに反射膜7や保護
膜8が積層されている。
に応じてエンハンス層や反射膜を配してもよい。図2
は、これらエンハンス層や反射膜を形成した多層光ディ
スクの一例を示すもので、この例では第2の情報記憶層
4を挟んで両側にSiN等からなる透明誘電体膜5、6
がエンハンス層として形成され、さらに反射膜7や保護
膜8が積層されている。
【0029】以上の構成を有する多層光ディスクにおい
ては、第1の情報記憶層2及び第2の情報記憶層4が再
生光の波長領域において所定の反射率を有することが必
要であるが、特に、情報信号のS/Nを向上するために
は、第2の情報記憶層4の反射率を確保することが重要
で、再生専用層である第1の情報記憶層2の反射率はあ
る程度低くてもよい。
ては、第1の情報記憶層2及び第2の情報記憶層4が再
生光の波長領域において所定の反射率を有することが必
要であるが、特に、情報信号のS/Nを向上するために
は、第2の情報記憶層4の反射率を確保することが重要
で、再生専用層である第1の情報記憶層2の反射率はあ
る程度低くてもよい。
【0030】上述の多層光ディスクは、再生専用情報に
加えて書き換え可能情報も蓄積することができ、大量の
情報を一度に取り扱うことが可能であり、例えばこの多
層光ディスクに対して、焦点位置を変えて再生光を照射
することで、各情報記憶層2、4に記録された情報信号
を読み出すことができる。
加えて書き換え可能情報も蓄積することができ、大量の
情報を一度に取り扱うことが可能であり、例えばこの多
層光ディスクに対して、焦点位置を変えて再生光を照射
することで、各情報記憶層2、4に記録された情報信号
を読み出すことができる。
【0031】多層光ディスクの作製方法 上述の多層光ディスクを作製するには、先ず、予め第1
の情報(再生専用の情報)に応じてピット等の凹凸パタ
ーンを形成した基板1を用意する。この基板1は、ガラ
スあるいはポリカーボネート等のプラスチックのいずれ
でもよく、ガラス基板の場合には、このガラス基板とデ
ィスクスタンパの間に光硬化樹脂を充填してガラス基板
側からの光照射により硬化する、いわゆる2P(Photo
Polymerization)法等により、前記凹凸パターンを形成
する。プラスチック基板の場合にも、ガラス基板の場合
と同様、2P法によって凹凸パターンを形成してもよい
が、通常は、スタンパを用いた射出成形法(インジェク
ション法)により前記凹凸パターンを形成する。
の情報(再生専用の情報)に応じてピット等の凹凸パタ
ーンを形成した基板1を用意する。この基板1は、ガラ
スあるいはポリカーボネート等のプラスチックのいずれ
でもよく、ガラス基板の場合には、このガラス基板とデ
ィスクスタンパの間に光硬化樹脂を充填してガラス基板
側からの光照射により硬化する、いわゆる2P(Photo
Polymerization)法等により、前記凹凸パターンを形成
する。プラスチック基板の場合にも、ガラス基板の場合
と同様、2P法によって凹凸パターンを形成してもよい
が、通常は、スタンパを用いた射出成形法(インジェク
ション法)により前記凹凸パターンを形成する。
【0032】次いで、この基板1の上に、例えばSiN
等を所定の膜厚だけ真空蒸着法あるいはスパッタリング
法により成膜する。あるいは、染料等のように光吸収の
比較的弱い材料を用いてもよい。
等を所定の膜厚だけ真空蒸着法あるいはスパッタリング
法により成膜する。あるいは、染料等のように光吸収の
比較的弱い材料を用いてもよい。
【0033】これにより、再生専用層である第1の情報
記憶層2が形成される。 次に、上記第1の情報記憶層
2の上にスペーサ層3を形成する。ここで、スペーサ層
3は、ある程度の厚さ、例えば30μm以上の厚さが必
要であるので、例えば紫外線硬化樹脂等をスピンコート
法により塗布することに形成する。あるいは、5〜10
μm程度の厚さで複数回に分けて積層形成することも可
能である。さらには、透明シートを貼り付けることでス
ペーサ層3を形成してもよい。
記憶層2が形成される。 次に、上記第1の情報記憶層
2の上にスペーサ層3を形成する。ここで、スペーサ層
3は、ある程度の厚さ、例えば30μm以上の厚さが必
要であるので、例えば紫外線硬化樹脂等をスピンコート
法により塗布することに形成する。あるいは、5〜10
μm程度の厚さで複数回に分けて積層形成することも可
能である。さらには、透明シートを貼り付けることでス
ペーサ層3を形成してもよい。
【0034】このスペーサ層3にも、第2の情報記憶層
4に記録されるべき情報位置を制御するための案内溝等
を形成する必要があるが、これら案内溝も先のピット等
の凹凸パターンと同様、2P法により形成することがで
きる。
4に記録されるべき情報位置を制御するための案内溝等
を形成する必要があるが、これら案内溝も先のピット等
の凹凸パターンと同様、2P法により形成することがで
きる。
【0035】前記スペーサ層3を形成した後、この上に
第2の情報記憶層4を形成する。この第2の情報記憶層
4は、例えば相変化による書き換え可能層とする場合に
は、例えばGeSbTe等のカルコゲン化合物に代表さ
れるような相変化材料を、真空蒸着法やスパッタリング
法により成膜することで形成する。また、光磁気記録層
とする場合には、TbFeCo等の希土類−遷移金属に
代表されるような光磁気記録材料を、やはり真空蒸着法
やスパッタリング法により成膜することで形成する。
第2の情報記憶層4を形成する。この第2の情報記憶層
4は、例えば相変化による書き換え可能層とする場合に
は、例えばGeSbTe等のカルコゲン化合物に代表さ
れるような相変化材料を、真空蒸着法やスパッタリング
法により成膜することで形成する。また、光磁気記録層
とする場合には、TbFeCo等の希土類−遷移金属に
代表されるような光磁気記録材料を、やはり真空蒸着法
やスパッタリング法により成膜することで形成する。
【0036】いずれの場合にも、必要あれば、SiN等
の透明誘電体材料やAl等の金属材料を成膜し、エンハ
ンス層である透明誘電体膜5、6や反射膜7を形成して
もよいし、さらに表面保護のための保護膜8を紫外線硬
化樹脂等で形成してもよい。
の透明誘電体材料やAl等の金属材料を成膜し、エンハ
ンス層である透明誘電体膜5、6や反射膜7を形成して
もよいし、さらに表面保護のための保護膜8を紫外線硬
化樹脂等で形成してもよい。
【0037】膜設計の実例 例1 本例では、書き換え可能材料として相変化材料(GeS
bTe)を用いて第2の情報記憶層4を構成し、図2に
示す構造の多層光ディスクを作製した。
bTe)を用いて第2の情報記憶層4を構成し、図2に
示す構造の多層光ディスクを作製した。
【0038】第1の情報記憶層1はSiNとし、基板1
には射出成形したポリカーボネート基板を用いた。スペ
ーサ層3は、紫外線硬化樹脂のスピンコート膜であり、
厚さは40μmとした。エンハンス層である透明誘電体
膜5、6には、ZnS−SiO2を用い、反射膜7には
Alを用いた。また、以下の例でも同様であるが、記録
再生は波長690nmの半導体レーザで行った。
には射出成形したポリカーボネート基板を用いた。スペ
ーサ層3は、紫外線硬化樹脂のスピンコート膜であり、
厚さは40μmとした。エンハンス層である透明誘電体
膜5、6には、ZnS−SiO2を用い、反射膜7には
Alを用いた。また、以下の例でも同様であるが、記録
再生は波長690nmの半導体レーザで行った。
【0039】このような構成の多層光ディスクにおい
て、第1の情報記憶層2にSiNを用いると、その膜厚
t1=90nmのとき、第1の情報記憶層2の反射率R1
=8%、透過率T1=92%となる。
て、第1の情報記憶層2にSiNを用いると、その膜厚
t1=90nmのとき、第1の情報記憶層2の反射率R1
=8%、透過率T1=92%となる。
【0040】第2の情報記憶層4の反射率R2=40%
に設計すると、T1 2R2=34%となり、第2の情報記
憶層4から十分な最終反射率を得ることができる。
に設計すると、T1 2R2=34%となり、第2の情報記
憶層4から十分な最終反射率を得ることができる。
【0041】したがって、図2に示す構造の多層光ディ
スクにおいて、このような膜設計とすれば、第1の情報
記憶層2から再生専用信号を、第2の情報記憶層4から
書き換え可能信号を再生することができる。
スクにおいて、このような膜設計とすれば、第1の情報
記憶層2から再生専用信号を、第2の情報記憶層4から
書き換え可能信号を再生することができる。
【0042】例2 第1の情報記憶層2をSiとし、他は先の例1と同様の
構成の多層光ディスクを作製した。
構成の多層光ディスクを作製した。
【0043】第1の情報記憶層2をSiとした場合、膜
厚t1=16nmのとき、第1の情報記憶層2の反射率
R1=23%、透過率T1=77%となる。
厚t1=16nmのとき、第1の情報記憶層2の反射率
R1=23%、透過率T1=77%となる。
【0044】第2の情報記憶層4の反射率R2=40%
に設計すると、T1 2R2=24%となり、第1の情報記
憶層2からの反射率と、第2の情報記憶層4からの反射
率がほぼ等しく、かつ十分な大きさの反射率を得ること
ができる。
に設計すると、T1 2R2=24%となり、第1の情報記
憶層2からの反射率と、第2の情報記憶層4からの反射
率がほぼ等しく、かつ十分な大きさの反射率を得ること
ができる。
【0045】例3 本例では、書き換え可能材料として光磁気記録材料(T
bFeCo)を用いて第2の情報記憶層4を構成し、図
2に示す構造の多層光ディスクを作製した。
bFeCo)を用いて第2の情報記憶層4を構成し、図
2に示す構造の多層光ディスクを作製した。
【0046】第1の情報記憶層1はSiNとし、基板1
には射出成形したポリカーボネート基板を用いた。スペ
ーサ層3は、紫外線硬化樹脂のスピンコート膜であり、
厚さは40μmとした。エンハンス層である透明誘電体
膜5、6には、SiNを用い、反射膜7にはAlを用い
た。
には射出成形したポリカーボネート基板を用いた。スペ
ーサ層3は、紫外線硬化樹脂のスピンコート膜であり、
厚さは40μmとした。エンハンス層である透明誘電体
膜5、6には、SiNを用い、反射膜7にはAlを用い
た。
【0047】このような構成の多層光ディスクにおい
て、第1の情報記憶層2の膜厚t1=90nmのとき、
第1の情報記憶層2の反射率R1=8%、透過率T1=9
2%となる。
て、第1の情報記憶層2の膜厚t1=90nmのとき、
第1の情報記憶層2の反射率R1=8%、透過率T1=9
2%となる。
【0048】第2の情報記憶層4の反射率R2=20%
に設計すると、T1 2R2=17%となり、第2の情報記
憶層4から十分な最終反射率を得ることができる。
に設計すると、T1 2R2=17%となり、第2の情報記
憶層4から十分な最終反射率を得ることができる。
【0049】例4 第1の情報記憶層2をSiとし、他は先の例3と同様の
構成の多層光ディスクを作製した。
構成の多層光ディスクを作製した。
【0050】第1の情報記憶層2をSiとした場合、膜
厚t1=12nmのとき、第1の情報記憶層2の反射率
R1=15%、透過率T1=85%となる。
厚t1=12nmのとき、第1の情報記憶層2の反射率
R1=15%、透過率T1=85%となる。
【0051】第2の情報記憶層4の反射率R2=20%
に設計すると、T1 2R2=15%となり、第1の情報記
憶層2からの反射率と、第2の情報記憶層4からの反射
率がほぼ等しく、かつ十分な大きさの反射率を得ること
ができる。
に設計すると、T1 2R2=15%となり、第1の情報記
憶層2からの反射率と、第2の情報記憶層4からの反射
率がほぼ等しく、かつ十分な大きさの反射率を得ること
ができる。
【0052】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、各層が実用的な反射率を有し、十分なレベ
ルの再生信号を得ることができる書き換え型の多層光デ
ィスクを実現することができる。
明によれば、各層が実用的な反射率を有し、十分なレベ
ルの再生信号を得ることができる書き換え型の多層光デ
ィスクを実現することができる。
【0053】また、本発明の多層光ディスクにおいて
は、再生専用情報と書き換え可能情報とを併せて大量の
情報を扱うことができ、デジタル動画やマルチメディア
用の大容量メモリにも十分適用可能である。
は、再生専用情報と書き換え可能情報とを併せて大量の
情報を扱うことができ、デジタル動画やマルチメディア
用の大容量メモリにも十分適用可能である。
【図1】本発明を適用した多層光ディスクの一構成例を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図2】透明誘電体膜や反射膜を形成した多層光ディス
クの構成例を示す概略断面図である。
クの構成例を示す概略断面図である。
1 基板 2 第1の情報記憶層(再生専用層) 3 スペーサ層 4 第2の情報記憶層(書き換え可能層)
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上に第1の情報記憶層、第2の情報
記憶層及び光透過性を有しこれら情報記憶層を光学的に
分離するスペーサ層が形成されてなり、 上記第1の情報記憶層が再生専用層とされるとともに、
上記第2の情報記録層が書き換え可能層とされているこ
とを特徴とする多層光ディスク。 - 【請求項2】 再生光の波長領域において、上記第1の
情報記憶層が光透過性を有するとともに、第1の情報記
憶層及び第2の情報記憶層が所定の反射率を有すること
を特徴とする請求項1記載の多層光ディスク。 - 【請求項3】 スペーサ層の膜厚が30μm以上である
ことを特徴とする請求項1記載の多層光ディスク。 - 【請求項4】 第2の情報記憶層が希土類−遷移金属系
光磁気記録材料からなることを特徴とする請求項1記載
の多層光ディスク。 - 【請求項5】 第2の情報記憶層が相変化材料からなる
ことを特徴とする請求項1記載の多層光ディスク。 - 【請求項6】 基板上に第1の情報記憶層、光透過性を
有するスペーサ層、第2の情報記憶層が順次形成されて
なり、上記第1の情報記憶層が再生専用層とされるとと
もに、上記第2の情報記録層が書き換え可能層とされて
なる多層光ディスクに対して、 焦点位置を変えて再生光を照射し、各情報記憶層に記録
された情報信号を再生することを特徴とする信号再生方
法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/615,965 US5726970A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-14 | Multi-layer optical recording medium |
JP7060645A JPH08255374A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 多層光ディスク及びその信号再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7060645A JPH08255374A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 多層光ディスク及びその信号再生方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08255374A true JPH08255374A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13148280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7060645A Pending JPH08255374A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 多層光ディスク及びその信号再生方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5726970A (ja) |
JP (1) | JPH08255374A (ja) |
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US6731591B2 (en) | 2000-08-01 | 2004-05-04 | Tdk Corporation | Optical information medium |
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JP2010186561A (ja) * | 2010-06-04 | 2010-08-26 | Sharp Corp | 光記録媒体 |
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-
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- 1995-03-14 US US08/615,965 patent/US5726970A/en not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050208 |