JP3351761B2 - 多数の記録層を有する光記録媒体とその製造方法 - Google Patents
多数の記録層を有する光記録媒体とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報が光学的に記録
／再生される光記録媒体に関し、特に複数の記録層を有
する多層の光記録媒体とその製造に関する。
／再生される光記録媒体に関し、特に複数の記録層を有
する多層の光記録媒体とその製造に関する。
【０００２】
【発明が属する技術分野】一般的に、光記録媒体はラン
ダムアクセスが早いディスク形態で製作されている。デ
ィスク形態の光記録媒体は再生専用のディスクと再記録
の可能なディスクで大別されている。更に、再記録の可
能なディスクは一回だけ記録の可能な追記型と繰り返し
て記録の可能な書換え可能型に細分されている。再生専
用のディスクとしてはＣＤ、ＬＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭなどがある。また、追記型タイプのディスク
ではＣＤ−Ｒや多機能のディスク（ＤＶＤ−Ｒ）などを
あげることができ、かつ、書換え可能型にはＭＤ、ＣＤ
−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ及び光磁気ディ
スク（ＭＯＤ）などがある。
ダムアクセスが早いディスク形態で製作されている。デ
ィスク形態の光記録媒体は再生専用のディスクと再記録
の可能なディスクで大別されている。更に、再記録の可
能なディスクは一回だけ記録の可能な追記型と繰り返し
て記録の可能な書換え可能型に細分されている。再生専
用のディスクとしてはＣＤ、ＬＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭなどがある。また、追記型タイプのディスク
ではＣＤ−Ｒや多機能のディスク（ＤＶＤ−Ｒ）などを
あげることができ、かつ、書換え可能型にはＭＤ、ＣＤ
−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ及び光磁気ディ
スク（ＭＯＤ）などがある。
【０００３】このような光記録媒体では動映像のような
大きい情報を記録することができる程度の大きい記録容
量が要求されている。大きい記録容量に対する要求を充
足させるために、トラックピッチを狭くするとともに、
表裏両面に記録できるようにした両面型の光記録媒体が
開発されるようになった。また、基板に使用されている
光透過層などと交互に積層された少なくとも２以上の記
録層などを有する多層型の光記録媒体が米国特許第４、
４５０、５５３号に開示されている。多層型の光記録媒
体は両面型の光記録媒体より大きい記録容量を確保する
ことができるという点で注目を受けている。米国特許第
４、４５０、５５３号によると、多層型の光記録媒体に
使用される記録層は光を反射させることができると共
に、光を透過させる特性も有している。これらの複数の
記録層にアクセスする時には該当記録層の上の記録層は
光を透過させなければならないが、その記録層は入射さ
れた光を反射しなければならないことによる。なお、上
下とは絶対的な上下ではなく、読み取りまたは記録のた
めに入射する光の進行方向で見て上流側が上である。こ
れによって、多層型の光記録媒体の記録層は光透過性と
反射性を有する半透過性物質で形成される。半透過性物
質は図１に示すように入射光の強さと無関係に入射した
光の一定の量を反射させる。すなわち、一定の固有の光
反射率（Ｒｃ）を有する。この固有の反射率（Ｒｃ）は
半透過性物質の種類によって異なる。このような半透過
性物質の記録層による多層型光記録媒体では光損失を発
生せざるを得ない。
大きい情報を記録することができる程度の大きい記録容
量が要求されている。大きい記録容量に対する要求を充
足させるために、トラックピッチを狭くするとともに、
表裏両面に記録できるようにした両面型の光記録媒体が
開発されるようになった。また、基板に使用されている
光透過層などと交互に積層された少なくとも２以上の記
録層などを有する多層型の光記録媒体が米国特許第４、
４５０、５５３号に開示されている。多層型の光記録媒
体は両面型の光記録媒体より大きい記録容量を確保する
ことができるという点で注目を受けている。米国特許第
４、４５０、５５３号によると、多層型の光記録媒体に
使用される記録層は光を反射させることができると共
に、光を透過させる特性も有している。これらの複数の
記録層にアクセスする時には該当記録層の上の記録層は
光を透過させなければならないが、その記録層は入射さ
れた光を反射しなければならないことによる。なお、上
下とは絶対的な上下ではなく、読み取りまたは記録のた
めに入射する光の進行方向で見て上流側が上である。こ
れによって、多層型の光記録媒体の記録層は光透過性と
反射性を有する半透過性物質で形成される。半透過性物
質は図１に示すように入射光の強さと無関係に入射した
光の一定の量を反射させる。すなわち、一定の固有の光
反射率（Ｒｃ）を有する。この固有の反射率（Ｒｃ）は
半透過性物質の種類によって異なる。このような半透過
性物質の記録層による多層型光記録媒体では光損失を発
生せざるを得ない。
【０００４】実際に、図２に示されたような二重型光デ
ィスクの第２記録層（８）をアクセスする場合、即ち、
光スポットを第２記録層（８）に形成させる場合、光源
（図示しない）からの光は、第１光透過層（２）、第１
記録層（４）及び第２光透過層（６）を経由して第２記
録層（８）に入射される。したがって、その入射光は第
１記録層（４）の反射率に相当する量だけ損失となる。
また、第２記録層（８）から反射した反射光量は第２記
録層（８）の光透過率に相当する量だけさらに減少す
る。その上、第２記録層（８）からの反射光は、第２光
透過層（６）、第１記録層（４）及び第１光透過層
（２）を経由し、さらに第１記録層（４）の光反射率に
対応する量だけ少なくなる。ここで、第１及び第２記録
層（４、８）の吸収率がすべて「０」であり、第１記録
層（４）の光反射率（Ｒ１）が０.３であり（即ち、第
１記録層（４）の光透過率（１−Ｒ１）が０.７であ
り）、そして第２記録層（８）の光反射率（Ｒ２）が
０.７であるとする。この場合、第２記録層（８）によ
り反射されて第１光透過層（２）から放射される光量は
第１光透過層（２）に入射される光量の「（１−Ｒ１）
×Ｒ２×（１−Ｒ１）＝０.７×０.７×０.７＝０.３４
３」倍に該当する。一方、図２の２層型光ディスクの第
１記録層（４）がアクセスされる場合、第１光透過層
（２）からの反射光量は第１光透過層（２）に入射され
る光量の０.３倍である。すなわち、第１記録層（４）
がアクセスされる場合の光損失量は入射光量の７０％に
なる。また、第１記録層（４）がアクセスされる時の第
１光透過層（２）から出る反射光量を高くするために
は、第１記録層（４）の反射率（Ｒ１）を高くすればよ
い。例えば、第１記録層（４）の反射率（Ｒ１）を４０
％に設定すると、第１記録層（４）がアクセスされる時
第１光透過層（２）から出てくる反射光量は、第１光透
過層（２）に入射される光量の４０％と大きくなる。し
かし、第２記録層（８）がアクセスされる時、第１記録
層（４）の光透過率（１−Ｒ１）が低いことによって第
１光透過層（２）から出てくる反射光の光量は著しく少
なくなる。すなわち、第２記録層（８）がアクセスされ
る時第１光透過層（２）から出てくる反射光量は、第１
光透過層（２）に入射される光量の「（１−Ｒ１）×
０.７×（１−Ｒ１）＝０.６×０.７×０.６＝０.２５
２」倍になる。
ィスクの第２記録層（８）をアクセスする場合、即ち、
光スポットを第２記録層（８）に形成させる場合、光源
（図示しない）からの光は、第１光透過層（２）、第１
記録層（４）及び第２光透過層（６）を経由して第２記
録層（８）に入射される。したがって、その入射光は第
１記録層（４）の反射率に相当する量だけ損失となる。
また、第２記録層（８）から反射した反射光量は第２記
録層（８）の光透過率に相当する量だけさらに減少す
る。その上、第２記録層（８）からの反射光は、第２光
透過層（６）、第１記録層（４）及び第１光透過層
（２）を経由し、さらに第１記録層（４）の光反射率に
対応する量だけ少なくなる。ここで、第１及び第２記録
層（４、８）の吸収率がすべて「０」であり、第１記録
層（４）の光反射率（Ｒ１）が０.３であり（即ち、第
１記録層（４）の光透過率（１−Ｒ１）が０.７であ
り）、そして第２記録層（８）の光反射率（Ｒ２）が
０.７であるとする。この場合、第２記録層（８）によ
り反射されて第１光透過層（２）から放射される光量は
第１光透過層（２）に入射される光量の「（１−Ｒ１）
×Ｒ２×（１−Ｒ１）＝０.７×０.７×０.７＝０.３４
３」倍に該当する。一方、図２の２層型光ディスクの第
１記録層（４）がアクセスされる場合、第１光透過層
（２）からの反射光量は第１光透過層（２）に入射され
る光量の０.３倍である。すなわち、第１記録層（４）
がアクセスされる場合の光損失量は入射光量の７０％に
なる。また、第１記録層（４）がアクセスされる時の第
１光透過層（２）から出る反射光量を高くするために
は、第１記録層（４）の反射率（Ｒ１）を高くすればよ
い。例えば、第１記録層（４）の反射率（Ｒ１）を４０
％に設定すると、第１記録層（４）がアクセスされる時
第１光透過層（２）から出てくる反射光量は、第１光透
過層（２）に入射される光量の４０％と大きくなる。し
かし、第２記録層（８）がアクセスされる時、第１記録
層（４）の光透過率（１−Ｒ１）が低いことによって第
１光透過層（２）から出てくる反射光の光量は著しく少
なくなる。すなわち、第２記録層（８）がアクセスされ
る時第１光透過層（２）から出てくる反射光量は、第１
光透過層（２）に入射される光量の「（１−Ｒ１）×
０.７×（１−Ｒ１）＝０.６×０.７×０.６＝０.２５
２」倍になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、複数の記
録層を有するディスクの場合、いずれかの記録層からの
反射効率を高くすると、それ以外の記録層からの反射光
量が少なくなるという問題がある。その結果、いずれか
の記録層での記録再生が確実にできなくなるという問題
が発生する。従って、本発明の目的は光効率を高めるこ
とができる多数の記録層を有する光記録媒体とその製造
方法を提供することである。本発明の他の目的は情報の
再生の信頼性を向上させることができる多数の記録層を
有する光記録媒体とその製造方法を提供することであ
る。本発明のまた他の目的は記録容量を増加させること
ができる光記録媒体とその製造方法を提供することであ
る。
録層を有するディスクの場合、いずれかの記録層からの
反射効率を高くすると、それ以外の記録層からの反射光
量が少なくなるという問題がある。その結果、いずれか
の記録層での記録再生が確実にできなくなるという問題
が発生する。従って、本発明の目的は光効率を高めるこ
とができる多数の記録層を有する光記録媒体とその製造
方法を提供することである。本発明の他の目的は情報の
再生の信頼性を向上させることができる多数の記録層を
有する光記録媒体とその製造方法を提供することであ
る。本発明のまた他の目的は記録容量を増加させること
ができる光記録媒体とその製造方法を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による多数の記録層を有する光記録媒体は多
数の記録層を有するとともに、多数の記録層の中少なく
とも一つ以上の記録層が非線形光学特性を有する物質と
したことを特徴とする。本発明による光記録媒体の製造
方法は、光の強さによって透過率及び／または反射率が
異なる非線形光学特徴を持った記録物質を複数の基板の
少なくとも一つ以上の基板上に形成させることで、それ
ぞれの基板に記録層を形成し、その記録層を形成させた
基板を積層して接合させたことを特徴とする。
に、本発明による多数の記録層を有する光記録媒体は多
数の記録層を有するとともに、多数の記録層の中少なく
とも一つ以上の記録層が非線形光学特性を有する物質と
したことを特徴とする。本発明による光記録媒体の製造
方法は、光の強さによって透過率及び／または反射率が
異なる非線形光学特徴を持った記録物質を複数の基板の
少なくとも一つ以上の基板上に形成させることで、それ
ぞれの基板に記録層を形成し、その記録層を形成させた
基板を積層して接合させたことを特徴とする。
【０００７】光源から遠く離れた記録層をその層による
反射される光量を大きくするようにすることが望まし
い。この結果、光源から遠く離れた記録層が正確にアク
セスされる。このように高効率が高くなることにつれ
て、本発明による光記録媒体は記録層を二つ以上に増加
させることができるようになる。また、本発明による多
数の記録層を有する光記録媒体は光スポットの有効直径
が小さくなるので記録ピットを小さくできる。これによ
って、本発明による夜光記録媒体は大きい記録容量を有
するようになる。更に、本発明による光記録媒体では、
光源から一番遠く離れた記録層が全反射記録膜及び非線
形物質膜の二重の記録膜を有することで光スポットの有
効径が小さくなる。この結果、本発明による光記録媒体
は大きい記録容量を有する。
反射される光量を大きくするようにすることが望まし
い。この結果、光源から遠く離れた記録層が正確にアク
セスされる。このように高効率が高くなることにつれ
て、本発明による光記録媒体は記録層を二つ以上に増加
させることができるようになる。また、本発明による多
数の記録層を有する光記録媒体は光スポットの有効直径
が小さくなるので記録ピットを小さくできる。これによ
って、本発明による夜光記録媒体は大きい記録容量を有
するようになる。更に、本発明による光記録媒体では、
光源から一番遠く離れた記録層が全反射記録膜及び非線
形物質膜の二重の記録膜を有することで光スポットの有
効径が小さくなる。この結果、本発明による光記録媒体
は大きい記録容量を有する。
【０００８】
【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態を図３ない
し図１５を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態
は二つの記録層を有する光記録媒体である。図３はその
断面を図示している。図３の光記録媒体は第１及び第２
光透過層（１０、１４）間に位置した第１記録層（１
２）と第２光透過層（１４）の第１記録層と相対する面
に形成させた第２記録層（１６）とを具備する。第１記
録層（１２）ではガイド谷（１２Ａ）が設けられ、併せ
て図示しない記録ピット（または記録マーク）が形成さ
れることもある。本実施形態の第１記録層（１２）には
図４に図示されたように光の強さが強くなるにつれて非
線形的に大きくなる反射率を有する非線形反射物質で形
成されている。このような性質を有する非線形反射物質
としては、ａ−Ｓｉ、ＩｎＳｂ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、
ＣｄＳＳｅ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂなどがある。このよう
な非線形反射物質が第１記録層（１２）を形成する場
合、第１記録層（１２）は、｜（ｎ−ｎs）／（ｎ−
ｎs）｜2によって変わる反射率（Ｒ１）を有する。ここ
で、「ｎs」は光透過層（１０、１４）の屈折率であ
り、「ｎ」は非線形反射物質である第１記録層（１２）
の屈折率である。非線形反射物質となった第１記録層
（１２）の屈折率（ｎ）は式１により決定される。 ｎ＝ｎ0＋ｎ2Ｉ （１） ここで、「ｎ0」は線形屈折率、「ｎ2」は非線形屈折
率、「Ｉ」は入射光の強さ（Ｗ／ｃｍ2）を各々表す。
また、非線形屈折率（ｎ2）は下の式２により決定され
る。 ｎ2 ＝（１２π2 ／ｎ0 2Ｃ）χ(3)×１０7ｃｍ2／Ｗ （２） ここで、「χ」は非線形磁化率（ｅｓｕ）、Ｃは光の速
度（３×１０10ｃｍ／ｓｅｃ）を各々表す。また、「χ
(2)」と「χ(3)」は各々２次及び３次非線形磁化率であ
る。式２によると、非線形屈折率（ｎ2）は３次磁化率
（χ(3)）により決定される。従って、第１記録層（１
２）の非線形反射特性は３次磁化率（χ(3)）を変える
ことによって調節できる。また、３次磁化率（χ(3)）
は第１記録層（１２）を形成する非線形反射物質に不純
物がドーピングされることにより変わる。例えば、ａ−
Ｓｉが３.５の線形屈折率（ｎ0）及び１０3ｅｓｕの３
次非線形磁化率（χ(3)）を有するとすると、このａ−
Ｓｉの非線形屈折率（ｎ0）は３.２３×１０ー6ｃｍ2／
Ｗになる。このａ−Ｓｉで形成された第１記録層（１
２）に「０」と「２×１０5Ｗ／ｃｍ2」の光の強さ
（Ｉ）の光が照射されると、入射光の１６％及び２３％
（反射率差ΔＲは７％）に該当する光量が第１記録層
（１２）により反射される。すなわち、ａ−Ｓｉで形成
された第１記録層（１２）は入射光の強さ（Ｉ）が大き
くなるにつれて反射率（ＲＩ）が非線形的に高くなる非
線形反射特性を有する。このような第１記録層（１２）
の非線型反射特性はａ−ＳｉにＨまたはＮなどの不純物
がドーピングされることにより調節される。
し図１５を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態
は二つの記録層を有する光記録媒体である。図３はその
断面を図示している。図３の光記録媒体は第１及び第２
光透過層（１０、１４）間に位置した第１記録層（１
２）と第２光透過層（１４）の第１記録層と相対する面
に形成させた第２記録層（１６）とを具備する。第１記
録層（１２）ではガイド谷（１２Ａ）が設けられ、併せ
て図示しない記録ピット（または記録マーク）が形成さ
れることもある。本実施形態の第１記録層（１２）には
図４に図示されたように光の強さが強くなるにつれて非
線形的に大きくなる反射率を有する非線形反射物質で形
成されている。このような性質を有する非線形反射物質
としては、ａ−Ｓｉ、ＩｎＳｂ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、
ＣｄＳＳｅ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂなどがある。このよう
な非線形反射物質が第１記録層（１２）を形成する場
合、第１記録層（１２）は、｜（ｎ−ｎs）／（ｎ−
ｎs）｜2によって変わる反射率（Ｒ１）を有する。ここ
で、「ｎs」は光透過層（１０、１４）の屈折率であ
り、「ｎ」は非線形反射物質である第１記録層（１２）
の屈折率である。非線形反射物質となった第１記録層
（１２）の屈折率（ｎ）は式１により決定される。 ｎ＝ｎ0＋ｎ2Ｉ （１） ここで、「ｎ0」は線形屈折率、「ｎ2」は非線形屈折
率、「Ｉ」は入射光の強さ（Ｗ／ｃｍ2）を各々表す。
また、非線形屈折率（ｎ2）は下の式２により決定され
る。 ｎ2 ＝（１２π2 ／ｎ0 2Ｃ）χ(3)×１０7ｃｍ2／Ｗ （２） ここで、「χ」は非線形磁化率（ｅｓｕ）、Ｃは光の速
度（３×１０10ｃｍ／ｓｅｃ）を各々表す。また、「χ
(2)」と「χ(3)」は各々２次及び３次非線形磁化率であ
る。式２によると、非線形屈折率（ｎ2）は３次磁化率
（χ(3)）により決定される。従って、第１記録層（１
２）の非線形反射特性は３次磁化率（χ(3)）を変える
ことによって調節できる。また、３次磁化率（χ(3)）
は第１記録層（１２）を形成する非線形反射物質に不純
物がドーピングされることにより変わる。例えば、ａ−
Ｓｉが３.５の線形屈折率（ｎ0）及び１０3ｅｓｕの３
次非線形磁化率（χ(3)）を有するとすると、このａ−
Ｓｉの非線形屈折率（ｎ0）は３.２３×１０ー6ｃｍ2／
Ｗになる。このａ−Ｓｉで形成された第１記録層（１
２）に「０」と「２×１０5Ｗ／ｃｍ2」の光の強さ
（Ｉ）の光が照射されると、入射光の１６％及び２３％
（反射率差ΔＲは７％）に該当する光量が第１記録層
（１２）により反射される。すなわち、ａ−Ｓｉで形成
された第１記録層（１２）は入射光の強さ（Ｉ）が大き
くなるにつれて反射率（ＲＩ）が非線形的に高くなる非
線形反射特性を有する。このような第１記録層（１２）
の非線型反射特性はａ−ＳｉにＨまたはＮなどの不純物
がドーピングされることにより調節される。
【０００９】このように非線形反射物質で形成された第
１記録層（１２）は、情報を表す記録ピット（または記
録マーク）を小さくすることで光記録媒体の記録容量を
大きくすることができる。これは第１記録層（１２）の
非線形反射特性により有効な光ビームの大きさが小さく
なることに因る。これを詳細にすると、光ビームの強度
は一般的には図５のように光スポットの中心で最大値
（Ｉｍａｘ）を有し、光スポットの周辺の側に行くほど
漸進的に低い値となる。また、第１記録層（１２）に照
射される光スポットが第１記録層（１２）上の情報をア
クセスすることができる有効な直径の場合、第１記録層
（１２）の反射特性は図６のようになる。図６におい
て、第１記録層（１２）の反射率（Ｒ１）は光スポット
の中心で最大値（Ｒｍａｘ）を有し、光スポットの外周
に行くほど漸進的に低くなる。これによって、第１記録
層（１２）上に照射される光スポットの外周部分はほと
んど反射されなくなる。この結果、第１記録層（１２）
により反射される反射光ビームは、図７のように入射光
ビーム（ＩＬＢ）の有効直径（Ｄ）より小さい有効直径
（ｄ）となる。図７を参照すれば、第１記録層（１２）
で反射された反射光ビーム（ＲＬＢ）のスポットは入射
光ビーム（ＩＬＢ）のスポット（ＩＬＢ）の９３％に相
当する有効直径（ｄ）を有する。反射光ビーム（ＲＬ
Ｂ）の有効直径（ｄ）が小さくなるので、第１記録層
（１２）を精密にアクセスすることができる。したがっ
て、第１記録層（１２）上の記録ピット（または記録マ
ーク）を小さくすることができる。ということは、非線
形反射物質となった第１記録層（１２）を有する光記録
媒体の記録容量を大きくすることができるということで
ある。一方、第１及び第２光透過層（１０、１４）は、
通常通り、基板として使用されるガラスまたはポリカー
ボネートなどで形成される。第２光透過層（１４）には
第２記録層（１６）が形成されている。第２記録層（１
６）はアルミニウムのような入射光などすべてを反射さ
せる金属物質で形成されている。
１記録層（１２）は、情報を表す記録ピット（または記
録マーク）を小さくすることで光記録媒体の記録容量を
大きくすることができる。これは第１記録層（１２）の
非線形反射特性により有効な光ビームの大きさが小さく
なることに因る。これを詳細にすると、光ビームの強度
は一般的には図５のように光スポットの中心で最大値
（Ｉｍａｘ）を有し、光スポットの周辺の側に行くほど
漸進的に低い値となる。また、第１記録層（１２）に照
射される光スポットが第１記録層（１２）上の情報をア
クセスすることができる有効な直径の場合、第１記録層
（１２）の反射特性は図６のようになる。図６におい
て、第１記録層（１２）の反射率（Ｒ１）は光スポット
の中心で最大値（Ｒｍａｘ）を有し、光スポットの外周
に行くほど漸進的に低くなる。これによって、第１記録
層（１２）上に照射される光スポットの外周部分はほと
んど反射されなくなる。この結果、第１記録層（１２）
により反射される反射光ビームは、図７のように入射光
ビーム（ＩＬＢ）の有効直径（Ｄ）より小さい有効直径
（ｄ）となる。図７を参照すれば、第１記録層（１２）
で反射された反射光ビーム（ＲＬＢ）のスポットは入射
光ビーム（ＩＬＢ）のスポット（ＩＬＢ）の９３％に相
当する有効直径（ｄ）を有する。反射光ビーム（ＲＬ
Ｂ）の有効直径（ｄ）が小さくなるので、第１記録層
（１２）を精密にアクセスすることができる。したがっ
て、第１記録層（１２）上の記録ピット（または記録マ
ーク）を小さくすることができる。ということは、非線
形反射物質となった第１記録層（１２）を有する光記録
媒体の記録容量を大きくすることができるということで
ある。一方、第１及び第２光透過層（１０、１４）は、
通常通り、基板として使用されるガラスまたはポリカー
ボネートなどで形成される。第２光透過層（１４）には
第２記録層（１６）が形成されている。第２記録層（１
６）はアルミニウムのような入射光などすべてを反射さ
せる金属物質で形成されている。
【００１０】次に、図３の光記録媒体の光学的特性を説
明する。第１記録層（１２）がアクセスされる場合、光
スポットが第１記録層（１２）に形成されるために第１
記録層（１２）に照射される光ビームは比較的に強くな
る。この時の第１記録層（１２）上に照射される光の強
さを「１ｂ」とすると、第１記録層（１２）の反射率
（Ｒ１）は図４のように０.４になる。従って、第１記
録層（１２）がアクセスされる時に光記録媒体により反
射される光量は入射光量の４０％になる。一方、第２記
録層（１２）がアクセスされる時には、照射される光ス
ポットが第２記録層（１６）上に形成されるために第１
記録層（１２）に照射される光は比較的弱くなる。その
時の第１記録層（１２）に照射される光の強さが「１
ａ」であるとすると、第１記録層（１２）は図４のよう
に入射光の３０％を反射させ、７０％を第２記録層（１
６）側に透過させる。また、第１記録層（１２）を透過
した光ビームは第２記録層（１６）により反射された後
もう一度第１記録層（１２）を通過するが、そのときに
は弱くなっている。ここで、第２記録層（１６）の反射
率（Ｒ２）が０.７であると、第２記録層（１６）がア
クセスされる時の光記録媒体の反射率は「（１−Ｒ１）
×Ｒ２×（１−Ｒ１）＝０.７×０.７×０.７＝０.３４
３」になる。従って、第２記録層（１６）がアクセスさ
れる場合に光記録媒体は入射光量の３４.３％を反射さ
せる。このように、非線形反射物質となった第１記録層
（１２）の反射率が光ビームの強さによって非線形的に
大きくなるので、本発明の実施形態による光記録媒体は
第２記録層（１６）がアクセスされる時に第２記録層
（１６）に達する光量が多くなり、従って反射光量も多
くなる。これによって、本発明の実施形態による光記録
媒体は第２記録層（１６）がアクセスされる時には比較
的高い光反射率とすることができる。これによって、本
発明の実施形態による光記録媒体は光源から遠く離れた
記録層に記録された情報を正確に記録／再生することが
できる。
明する。第１記録層（１２）がアクセスされる場合、光
スポットが第１記録層（１２）に形成されるために第１
記録層（１２）に照射される光ビームは比較的に強くな
る。この時の第１記録層（１２）上に照射される光の強
さを「１ｂ」とすると、第１記録層（１２）の反射率
（Ｒ１）は図４のように０.４になる。従って、第１記
録層（１２）がアクセスされる時に光記録媒体により反
射される光量は入射光量の４０％になる。一方、第２記
録層（１２）がアクセスされる時には、照射される光ス
ポットが第２記録層（１６）上に形成されるために第１
記録層（１２）に照射される光は比較的弱くなる。その
時の第１記録層（１２）に照射される光の強さが「１
ａ」であるとすると、第１記録層（１２）は図４のよう
に入射光の３０％を反射させ、７０％を第２記録層（１
６）側に透過させる。また、第１記録層（１２）を透過
した光ビームは第２記録層（１６）により反射された後
もう一度第１記録層（１２）を通過するが、そのときに
は弱くなっている。ここで、第２記録層（１６）の反射
率（Ｒ２）が０.７であると、第２記録層（１６）がア
クセスされる時の光記録媒体の反射率は「（１−Ｒ１）
×Ｒ２×（１−Ｒ１）＝０.７×０.７×０.７＝０.３４
３」になる。従って、第２記録層（１６）がアクセスさ
れる場合に光記録媒体は入射光量の３４.３％を反射さ
せる。このように、非線形反射物質となった第１記録層
（１２）の反射率が光ビームの強さによって非線形的に
大きくなるので、本発明の実施形態による光記録媒体は
第２記録層（１６）がアクセスされる時に第２記録層
（１６）に達する光量が多くなり、従って反射光量も多
くなる。これによって、本発明の実施形態による光記録
媒体は第２記録層（１６）がアクセスされる時には比較
的高い光反射率とすることができる。これによって、本
発明の実施形態による光記録媒体は光源から遠く離れた
記録層に記録された情報を正確に記録／再生することが
できる。
【００１１】第２記録層（１６）を全反射物質である全
反射記録層と非線形反射物質からなる非線形反射記録層
を含む二重構造として形成することができる。このよう
な構造の第２記録層がアクセスされる時反射率は０.３
５以上に大きくなる。これは、非線形反射記録層の屈折
率が光の強さが強くなることにつれて高くなることによ
る。ようするに、全反射記録層の反射率が非線形反射記
録層の反射率に加算されることで第２記録層（１６）の
反射率が高くなるためである。これとは別に、第２記録
層（１６）を非線形反射物質だけで形成することができ
る。非線形物質で形成された第２記録層（１６）は光ス
ポットの有効直径を小さくするために記録ピットの大き
さを減らせることができる。この結果、第２記録層（１
６）の記録容量が大きくなる。
反射記録層と非線形反射物質からなる非線形反射記録層
を含む二重構造として形成することができる。このよう
な構造の第２記録層がアクセスされる時反射率は０.３
５以上に大きくなる。これは、非線形反射記録層の屈折
率が光の強さが強くなることにつれて高くなることによ
る。ようするに、全反射記録層の反射率が非線形反射記
録層の反射率に加算されることで第２記録層（１６）の
反射率が高くなるためである。これとは別に、第２記録
層（１６）を非線形反射物質だけで形成することができ
る。非線形物質で形成された第２記録層（１６）は光ス
ポットの有効直径を小さくするために記録ピットの大き
さを減らせることができる。この結果、第２記録層（１
６）の記録容量が大きくなる。
【００１２】また、図３の光記録媒体は、第１光透過層
（１０）の第１記録層（１２）形成面の反対側面に第１
記録層（１２）と同一の物質で形成した記録層と透過層
とを交互に配列して多数の非線形反射記録層を形成する
こともある。このように多数の非線形反射記録層が存在
しても非線形反射記録層の反射率が光の強さによって変
わるために第２記録層（１６）がアクセスされる時の光
効率は、一定の反射率の記録層を形成させた場合より高
くなる。この結果、第２記録層（１６）を正確にアクセ
スできるようになる。
（１０）の第１記録層（１２）形成面の反対側面に第１
記録層（１２）と同一の物質で形成した記録層と透過層
とを交互に配列して多数の非線形反射記録層を形成する
こともある。このように多数の非線形反射記録層が存在
しても非線形反射記録層の反射率が光の強さによって変
わるために第２記録層（１６）がアクセスされる時の光
効率は、一定の反射率の記録層を形成させた場合より高
くなる。この結果、第２記録層（１６）を正確にアクセ
スできるようになる。
【００１３】更に、第１記録層（１２）も半透過物質で
ある半透過記録層と前記した非線形反射記録層とを含む
二重層構造として形成することができる。このような二
重層構造の第１記録層と同一の多数の記録層を光透過層
とともに交互に多数は位置することもできる。
ある半透過記録層と前記した非線形反射記録層とを含む
二重層構造として形成することができる。このような二
重層構造の第１記録層と同一の多数の記録層を光透過層
とともに交互に多数は位置することもできる。
【００１４】図８は本発明の他の実施形態による二つの
記録層を有する光記録媒体の断面を図示する。図８の光
記録媒体は第１及び第２光透過層（１０、１４）の間に
位置した第１記録層（１２）を具備する。第１記録層
（１２）は図４に図示されたように光の強さが強くなる
につれて非線形的に大きくなる反射率を有する非線形反
射特性の物質で形成されている。このように非線形反射
物質で形成された第１記録層（１２）は図３で説明され
たように光ビームの有効直径（ｄ）が実質的に小さくな
るので精密にアクセスされる。これに従って、第１記録
層（１２）上の記録ピット（または記録マーク）を小さ
くすることができ、結果的に第１記録層（１２）の記録
容量を大きくできる。第１及び第２光透過層（１０、１
４）は一般に基板に使用されるガラスまたはポリカーボ
ネートなどで形成される。
記録層を有する光記録媒体の断面を図示する。図８の光
記録媒体は第１及び第２光透過層（１０、１４）の間に
位置した第１記録層（１２）を具備する。第１記録層
（１２）は図４に図示されたように光の強さが強くなる
につれて非線形的に大きくなる反射率を有する非線形反
射特性の物質で形成されている。このように非線形反射
物質で形成された第１記録層（１２）は図３で説明され
たように光ビームの有効直径（ｄ）が実質的に小さくな
るので精密にアクセスされる。これに従って、第１記録
層（１２）上の記録ピット（または記録マーク）を小さ
くすることができ、結果的に第１記録層（１２）の記録
容量を大きくできる。第１及び第２光透過層（１０、１
４）は一般に基板に使用されるガラスまたはポリカーボ
ネートなどで形成される。
【００１５】第２光透過層（１４）の外側には第２記録
層（２０）が形成されている。第２記録層（２０）は非
線形透過特性を有する非線形物質で形成された非線形透
過記録膜（２０Ａ）と、アルミニウムなどのような金属
物質からなる全反射記録膜（２０Ｂ）とを含む。先に説
明した非線形透過特性を有する非線形透過物質、は図１
０に図示したように光の強さが大きくなるにつれて漸進
的に大きくなる透過率を有していた。この実施形態の非
線形透過記録膜（２０Ａ）は図９のように光の強さが特
定の値（Ｉｃ）を有する場合に高い透過率（Ｔｔ）を有
し、光の強さが特定の値（Ｉｃ）以下の場合には低い透
過率（Ｔｂ）を有するものである。すなわち、非線形透
過記録膜（２０Ａ）は低い強さの光の一部を吸収する。
非線形透過物質としてはＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ及
びＡｌＧａＡｓなどがあり、また半導体物質及び有機高
分子合成物質なども非線形透過物質として使用すること
ができる。このような非線形透過物質が記録膜と使用さ
れる場合、記録膜は｜（ｎ−ｎs）／（ｎ−ｎs）｜2に
よって変わる透過率（Ｔ１）を有する。ここで、
「ｎs」は光透過層（１０、１４）の屈折率であり、
「ｎ」は非線形反射物質となった記録膜の屈折率であ
る。非線形透過記録膜の屈折率（ｎ）は前記した式１及
び２のように３次磁化率（χ(3)）により決定される。
すなわち、非線形透過記録膜の透過特性は３次磁化率
（χ(3)）により調節される。３次磁化率（χ(3)）は記
録膜を形成する非線形透過記録膜（２０Ａ）に不純物を
ドーピングした非線形透過物質で形成することで図９の
ような光の透過特性を有するようになる。一方、全反射
記録膜（２０Ｂ）は図１１のように光の強さ（Ｉ）と関
係無しに一定の反射率（Ｒｅ）を有している。このよう
に二重記録膜で形成された第２記録層（２０）は前述し
たように情報を表す記録ピット（または記録マーク）を
小さくすることができ、光記録媒体の容量を大きくする
ことができる。これは第２記録層（２０）による有効な
光スポットの大きさが小さくなることによる。光ビーム
の強度は通常図５のように光スポットの中心で最大値
（Ｉｍａｘ）を有し、周辺では低い値を有する。第２記
録層（２０）がアクセスされる場合、第１記録層（１
２）、光透過層（１４）及び非線形透過記録膜（２０
Ａ）を経由して全反射記録膜（２０Ｂ）に照射される入
射光ビーム（ＩＬＢ）は「Ｄ」の有効直径を有するスポ
ットの形態で照射される。この時、非線形透過記録膜
（２０Ａ）は入射光などの中一定の値（Ｉｃ）以上の強
さを有する光だけを全反射記録膜（２０Ｂ）側に透過さ
せ、一定の値（Ｉｃ）以下の強さを有する光を吸収する
ようになる。
層（２０）が形成されている。第２記録層（２０）は非
線形透過特性を有する非線形物質で形成された非線形透
過記録膜（２０Ａ）と、アルミニウムなどのような金属
物質からなる全反射記録膜（２０Ｂ）とを含む。先に説
明した非線形透過特性を有する非線形透過物質、は図１
０に図示したように光の強さが大きくなるにつれて漸進
的に大きくなる透過率を有していた。この実施形態の非
線形透過記録膜（２０Ａ）は図９のように光の強さが特
定の値（Ｉｃ）を有する場合に高い透過率（Ｔｔ）を有
し、光の強さが特定の値（Ｉｃ）以下の場合には低い透
過率（Ｔｂ）を有するものである。すなわち、非線形透
過記録膜（２０Ａ）は低い強さの光の一部を吸収する。
非線形透過物質としてはＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ及
びＡｌＧａＡｓなどがあり、また半導体物質及び有機高
分子合成物質なども非線形透過物質として使用すること
ができる。このような非線形透過物質が記録膜と使用さ
れる場合、記録膜は｜（ｎ−ｎs）／（ｎ−ｎs）｜2に
よって変わる透過率（Ｔ１）を有する。ここで、
「ｎs」は光透過層（１０、１４）の屈折率であり、
「ｎ」は非線形反射物質となった記録膜の屈折率であ
る。非線形透過記録膜の屈折率（ｎ）は前記した式１及
び２のように３次磁化率（χ(3)）により決定される。
すなわち、非線形透過記録膜の透過特性は３次磁化率
（χ(3)）により調節される。３次磁化率（χ(3)）は記
録膜を形成する非線形透過記録膜（２０Ａ）に不純物を
ドーピングした非線形透過物質で形成することで図９の
ような光の透過特性を有するようになる。一方、全反射
記録膜（２０Ｂ）は図１１のように光の強さ（Ｉ）と関
係無しに一定の反射率（Ｒｅ）を有している。このよう
に二重記録膜で形成された第２記録層（２０）は前述し
たように情報を表す記録ピット（または記録マーク）を
小さくすることができ、光記録媒体の容量を大きくする
ことができる。これは第２記録層（２０）による有効な
光スポットの大きさが小さくなることによる。光ビーム
の強度は通常図５のように光スポットの中心で最大値
（Ｉｍａｘ）を有し、周辺では低い値を有する。第２記
録層（２０）がアクセスされる場合、第１記録層（１
２）、光透過層（１４）及び非線形透過記録膜（２０
Ａ）を経由して全反射記録膜（２０Ｂ）に照射される入
射光ビーム（ＩＬＢ）は「Ｄ」の有効直径を有するスポ
ットの形態で照射される。この時、非線形透過記録膜
（２０Ａ）は入射光などの中一定の値（Ｉｃ）以上の強
さを有する光だけを全反射記録膜（２０Ｂ）側に透過さ
せ、一定の値（Ｉｃ）以下の強さを有する光を吸収する
ようになる。
【００１６】非線形透過記録膜（２０Ａ）として図１２
のように光スポットの中心部に位置する一定の値（Ｉ
ｃ）以上の強さの光などだけを多く通過させるものを利
用することができる。全反射記録膜（２０Ｂ）は非線形
透過記録膜（２０Ａ）を経由した光源などをすべて反射
する。全反射記録膜（２０Ｂ）により反射された反射光
ビームは非線形透過記録膜（２０Ａ）、第２光透過層
（１４）、第１記録層（１２）及び第１光透過層（１
０）を経由して図示しない光検出器に入射される。その
際、非線形透過記録膜（２０Ａ）が光の強さによって選
択的に光を透過させることで全反射物質層（２０Ｂ）に
照射される光スポットの有効直径を小さくすることがで
きる。これによって、第２記録層（２０）により反射さ
れた反射光ビームは図１３のように入射光ビームの有効
直径（Ｄ）より小さくなった有効直径（ｄ）を有するよ
うになる。このように第２記録層（２０）はそれ自身で
光ビームの有効直径を小さくすることができるで、精密
にアクセスされるようになる。更に、第２記録層（２
０）上の記録ピット（または記録マーク）が小さくな
り、第２記録層（２０）の記録容量が大きくなる。
のように光スポットの中心部に位置する一定の値（Ｉ
ｃ）以上の強さの光などだけを多く通過させるものを利
用することができる。全反射記録膜（２０Ｂ）は非線形
透過記録膜（２０Ａ）を経由した光源などをすべて反射
する。全反射記録膜（２０Ｂ）により反射された反射光
ビームは非線形透過記録膜（２０Ａ）、第２光透過層
（１４）、第１記録層（１２）及び第１光透過層（１
０）を経由して図示しない光検出器に入射される。その
際、非線形透過記録膜（２０Ａ）が光の強さによって選
択的に光を透過させることで全反射物質層（２０Ｂ）に
照射される光スポットの有効直径を小さくすることがで
きる。これによって、第２記録層（２０）により反射さ
れた反射光ビームは図１３のように入射光ビームの有効
直径（Ｄ）より小さくなった有効直径（ｄ）を有するよ
うになる。このように第２記録層（２０）はそれ自身で
光ビームの有効直径を小さくすることができるで、精密
にアクセスされるようになる。更に、第２記録層（２
０）上の記録ピット（または記録マーク）が小さくな
り、第２記録層（２０）の記録容量が大きくなる。
【００１７】次に、図８の光記録媒体の光学的特性を説
明する。第１記録層（１２）がアクセスされる場合、光
スポットが第１記録層（１２）上に形成されるために第
１記録層（１２）に照射される光ビームは比較的に強く
なる。この時、第１記録層（１２）上に照射される光の
強さが「１ｂ」であると、第１記録層（１２）の反射率
（Ｒ１）は図４のように０.４になる。従って、第１記
録層（１２）がアクセスされる時に光記録媒体により反
射される光量は入射光量の４０％になる。第２記録層
（１２）がアクセスされる時には、照射される光スポッ
トが第２記録層（２０）上に形成されるために第１記録
層（１２）に照射される光は比較的に弱くなる。この時
第１記録層（１２）に照射される光の強さが「１ａ」で
あると第１記録層（１２）は図４のように入射光の３０
％を反射させ、７０％を第２記録層（２０）側に透過さ
せる。また、第１記録層（１２）を透過した光ビームは
第２記録層（２０）により反射された後もう一度第１記
録層（１２）を通過する時には弱くなっている。ここ
で、第２記録層（２０）の反射率（Ｒ２）が０.７であ
ると、第２記録層（１６）がアクセスされる時の光記録
媒体の反射率は「（１−Ｒ１）×Ｒ２×（１−Ｒ１）＝
０.７×０.７×０.７＝０.３４３」になる。従って、第
２記録層（２０）がアクセスされる場合に光記録媒体は
入射光量の３４.３％を反射させる。このように、非線
形反射物質で第１記録層（１２）の反射率が光ビームの
強さによって非線形的に大きくなるので、本発明の実施
形態による光記録媒体は第２記録層（２０）がアクセス
される時にも十分な光量とすることができる。これによ
って、本発明の実施形態による光記録媒体は第２記録層
（２０）がアクセスされる時には高い光反射率を有する
ようになる。これによって、本発明の実施形態による光
記録媒体は光源から遠く離れた記録層に記録された情報
を正確に再生することができる。
明する。第１記録層（１２）がアクセスされる場合、光
スポットが第１記録層（１２）上に形成されるために第
１記録層（１２）に照射される光ビームは比較的に強く
なる。この時、第１記録層（１２）上に照射される光の
強さが「１ｂ」であると、第１記録層（１２）の反射率
（Ｒ１）は図４のように０.４になる。従って、第１記
録層（１２）がアクセスされる時に光記録媒体により反
射される光量は入射光量の４０％になる。第２記録層
（１２）がアクセスされる時には、照射される光スポッ
トが第２記録層（２０）上に形成されるために第１記録
層（１２）に照射される光は比較的に弱くなる。この時
第１記録層（１２）に照射される光の強さが「１ａ」で
あると第１記録層（１２）は図４のように入射光の３０
％を反射させ、７０％を第２記録層（２０）側に透過さ
せる。また、第１記録層（１２）を透過した光ビームは
第２記録層（２０）により反射された後もう一度第１記
録層（１２）を通過する時には弱くなっている。ここ
で、第２記録層（２０）の反射率（Ｒ２）が０.７であ
ると、第２記録層（１６）がアクセスされる時の光記録
媒体の反射率は「（１−Ｒ１）×Ｒ２×（１−Ｒ１）＝
０.７×０.７×０.７＝０.３４３」になる。従って、第
２記録層（２０）がアクセスされる場合に光記録媒体は
入射光量の３４.３％を反射させる。このように、非線
形反射物質で第１記録層（１２）の反射率が光ビームの
強さによって非線形的に大きくなるので、本発明の実施
形態による光記録媒体は第２記録層（２０）がアクセス
される時にも十分な光量とすることができる。これによ
って、本発明の実施形態による光記録媒体は第２記録層
（２０）がアクセスされる時には高い光反射率を有する
ようになる。これによって、本発明の実施形態による光
記録媒体は光源から遠く離れた記録層に記録された情報
を正確に再生することができる。
【００１８】図１４Ａないし図１４Ｃは本発明の実施形
態による二つの記録層を有する光記録媒体の製造方法を
段階別に説明する断面図である。図１４Ａを参照する
と、ガラスまたはポリカーボネートで形成された第１及
び第２基板（３０Ａ、３０Ｂ）が用意される。ガイド谷
及び／または二進情報を表す記録ピット（または記録マ
ーク）が設けられたディスクスタンパーが設置された成
型器に溶融された基板物質、例えばガラスまたはポリカ
ーボネートなどが注入された後冷却されることで成型さ
れる。これによって、これら第１及び第２基板（３０
Ａ、３０Ｂ）は光透過層として使用される。また、これ
らの基板（３０Ａ、３０Ｂ）各々にはガイド谷など及び
／または二進情報を表す記録ピット（または記録マー
ク）などが形成される。次に、ガイド谷及び／または記
録ピットなどが形成された第１基板（３０Ａ）に非線形
反射記録膜（３２）が成膜される。その膜は、図４に図
示されたように非線形反射特性を有する物質、例えばａ
−Ｓｉ、ＩｎＳｂ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳＳｅ、
ＧａＡｓ、ＧａＳｂなどの中いずれ一つを蒸着またはス
パタリングなどのような真空蒸着方法により蒸着されて
形成される。これと同時に、ガイド谷及び／または記録
ピットなどが設けられた第２基板（３０Ｂ）上にはアル
ミニウムなどのような金属物質が真空蒸着方法により蒸
着され、全反射特性を有する全反射記録膜（３４）が図
１４Ｂのように成膜される。全反射記録膜（３４）が形
成された第２基板（３０Ｂ）は第１基板（３０Ａ）と接
合される。その際、図１４Ｃのように全反射記録膜（３
４）が非線形反射記録膜（３２）と離れるようにする。
この第１及び第２基板（３０Ａ、３０Ｂ）の接合過程を
詳細にすると、基板物質と同一の光学的特性を有する液
状の透明樹脂膜（３０Ｃ）を非線形反射記録膜（３２）
上に形成して、この透明樹脂膜（３０Ｃ）上に第２基板
（３０Ｂ）を置く。続いて、紫外線（ＵＶ）を照射して
液状の透明樹脂膜（３０Ｃ）を凝固させて第１及び第２
基板（３０Ａ、３０Ｂ）を接合する。
態による二つの記録層を有する光記録媒体の製造方法を
段階別に説明する断面図である。図１４Ａを参照する
と、ガラスまたはポリカーボネートで形成された第１及
び第２基板（３０Ａ、３０Ｂ）が用意される。ガイド谷
及び／または二進情報を表す記録ピット（または記録マ
ーク）が設けられたディスクスタンパーが設置された成
型器に溶融された基板物質、例えばガラスまたはポリカ
ーボネートなどが注入された後冷却されることで成型さ
れる。これによって、これら第１及び第２基板（３０
Ａ、３０Ｂ）は光透過層として使用される。また、これ
らの基板（３０Ａ、３０Ｂ）各々にはガイド谷など及び
／または二進情報を表す記録ピット（または記録マー
ク）などが形成される。次に、ガイド谷及び／または記
録ピットなどが形成された第１基板（３０Ａ）に非線形
反射記録膜（３２）が成膜される。その膜は、図４に図
示されたように非線形反射特性を有する物質、例えばａ
−Ｓｉ、ＩｎＳｂ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳＳｅ、
ＧａＡｓ、ＧａＳｂなどの中いずれ一つを蒸着またはス
パタリングなどのような真空蒸着方法により蒸着されて
形成される。これと同時に、ガイド谷及び／または記録
ピットなどが設けられた第２基板（３０Ｂ）上にはアル
ミニウムなどのような金属物質が真空蒸着方法により蒸
着され、全反射特性を有する全反射記録膜（３４）が図
１４Ｂのように成膜される。全反射記録膜（３４）が形
成された第２基板（３０Ｂ）は第１基板（３０Ａ）と接
合される。その際、図１４Ｃのように全反射記録膜（３
４）が非線形反射記録膜（３２）と離れるようにする。
この第１及び第２基板（３０Ａ、３０Ｂ）の接合過程を
詳細にすると、基板物質と同一の光学的特性を有する液
状の透明樹脂膜（３０Ｃ）を非線形反射記録膜（３２）
上に形成して、この透明樹脂膜（３０Ｃ）上に第２基板
（３０Ｂ）を置く。続いて、紫外線（ＵＶ）を照射して
液状の透明樹脂膜（３０Ｃ）を凝固させて第１及び第２
基板（３０Ａ、３０Ｂ）を接合する。
【００１９】図１４Ｂにおいて、第２基板（３０Ｂ）上
では全反射記録膜（３４）の代わりに非線形反射記録膜
（３４）を形成することもある。また、第１基板（３０
Ａ）と非反射透過記録膜（３２）間に半透過物質となっ
た半透過記録膜を形成することもできる。即ち、半透過
記録膜及び非線形反射記録膜を含む二重膜構造の記録層
を第１基板（３０Ａ）上に形成することができる。更
に、非線形反射記録膜（３２）が各々形成された多数の
第１基板（３０Ａ）を用意し、これら多数の第１基板
（３０Ａ）と第２基板（３０Ｂ）を接合されることで三
つ以上の記録層を有する多層型の光記録媒体を製作する
こともある。
では全反射記録膜（３４）の代わりに非線形反射記録膜
（３４）を形成することもある。また、第１基板（３０
Ａ）と非反射透過記録膜（３２）間に半透過物質となっ
た半透過記録膜を形成することもできる。即ち、半透過
記録膜及び非線形反射記録膜を含む二重膜構造の記録層
を第１基板（３０Ａ）上に形成することができる。更
に、非線形反射記録膜（３２）が各々形成された多数の
第１基板（３０Ａ）を用意し、これら多数の第１基板
（３０Ａ）と第２基板（３０Ｂ）を接合されることで三
つ以上の記録層を有する多層型の光記録媒体を製作する
こともある。
【００２０】図１５Ａないし図１５Ｄは本発明の実施形
態による二つの記録層を有する光記録媒体の製造方法を
段階別に説明する断面図である。図１５Ａを参照する
と、ガイド谷及び／または二進情報を表す記録ピット
（または記録マーク）を有する第１及び第２基板（３０
Ａ、３０Ｂ）が用意される。その第１基板（３０Ａ）上
には図４のような非線形反射特性を有する非線形反射記
録膜（３２）が図１５Ｂのように形成される。全反射物
質である全反射記録膜（３４）を第２基板（３０Ｂ）に
図１５Ｂのように形成する。全反射記録膜（３４）上に
はさらに、図９に図示されたように非線形透過特性を有
する非線形物質である非線形透過記録膜（３６）を図１
５Ｃのように形成する。非線型透過記録膜（３６）はＣ
ｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＡｌＧａＡｓ、半導体物質
及び有機高分子合成物などの中いずれか一つを真空蒸着
方法により全反射記録膜（３４）に蒸着して形成する。
全反射記録膜（３４）と非線形透過記録膜（３６）は二
重膜構造を有する一つの記録層として使用される。これ
ら全反射記録膜（３４）と非線形透過記録膜（３６）は
光スポットの有効直径が小さくなることで記録容量が大
きくなるようにする。全反射記録膜（３４）と非線形透
過記録膜（３６）が形成された第２基板（３０Ｂ）は、
図１５Ｄのように非線形透過記録膜（３６）を非線形反
射記録膜（３２）から離れるように第１基板（３０Ａ）
に接合される。この第１及び第２基板（３０Ａ、３０
Ｂ）の接合は、基板物質と同一の光学的特性を有する液
状の透明樹脂膜（３０Ｃ）を非線形反射記録膜（３２）
上に形成してこの透明樹脂膜（３０Ｃ）上に第２基板
（３０Ｂ）を置く。続いて、紫外線（ＵＶ）を照射して
液状の透明樹脂膜（３０Ｃ）を凝固させることで第１及
び第２基板（３０Ａ、３０Ｂ）を接合する。図１５Ｃに
おいて、非線形透過記録膜（３６）の変わりに図４のよ
うな非線形反射特性を有する非線形反射記録膜（３２）
が形成されることができる。
態による二つの記録層を有する光記録媒体の製造方法を
段階別に説明する断面図である。図１５Ａを参照する
と、ガイド谷及び／または二進情報を表す記録ピット
（または記録マーク）を有する第１及び第２基板（３０
Ａ、３０Ｂ）が用意される。その第１基板（３０Ａ）上
には図４のような非線形反射特性を有する非線形反射記
録膜（３２）が図１５Ｂのように形成される。全反射物
質である全反射記録膜（３４）を第２基板（３０Ｂ）に
図１５Ｂのように形成する。全反射記録膜（３４）上に
はさらに、図９に図示されたように非線形透過特性を有
する非線形物質である非線形透過記録膜（３６）を図１
５Ｃのように形成する。非線型透過記録膜（３６）はＣ
ｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＡｌＧａＡｓ、半導体物質
及び有機高分子合成物などの中いずれか一つを真空蒸着
方法により全反射記録膜（３４）に蒸着して形成する。
全反射記録膜（３４）と非線形透過記録膜（３６）は二
重膜構造を有する一つの記録層として使用される。これ
ら全反射記録膜（３４）と非線形透過記録膜（３６）は
光スポットの有効直径が小さくなることで記録容量が大
きくなるようにする。全反射記録膜（３４）と非線形透
過記録膜（３６）が形成された第２基板（３０Ｂ）は、
図１５Ｄのように非線形透過記録膜（３６）を非線形反
射記録膜（３２）から離れるように第１基板（３０Ａ）
に接合される。この第１及び第２基板（３０Ａ、３０
Ｂ）の接合は、基板物質と同一の光学的特性を有する液
状の透明樹脂膜（３０Ｃ）を非線形反射記録膜（３２）
上に形成してこの透明樹脂膜（３０Ｃ）上に第２基板
（３０Ｂ）を置く。続いて、紫外線（ＵＶ）を照射して
液状の透明樹脂膜（３０Ｃ）を凝固させることで第１及
び第２基板（３０Ａ、３０Ｂ）を接合する。図１５Ｃに
おいて、非線形透過記録膜（３６）の変わりに図４のよ
うな非線形反射特性を有する非線形反射記録膜（３２）
が形成されることができる。
【００２１】
【発明の効果】上述したように、本発明による多数の記
録層を有する光記録媒体では、光源から近い位置にある
記録層は光の強さが強いと反射率が高く、弱いと反射率
が低い物質を用いている。これによって、光源から遠く
離れた記録層などへ向かう光のスポットは光源の近くに
ある記録層では焦点が合っていないので光の強さが弱
く、透過率が高くなり、記録面で反射される光量が大き
くなる。この結果、光源から遠く離れた記録層を正確に
アクセスすることができるようになる。このように光効
率が高くなるので、本発明による光記録媒体は記録層を
二つ以上に増加させることができる。また、本発明によ
る多数の記録層を有する光記録媒体は、光源に近い記録
層では光スポットの周辺部は透過される量が多くなるの
で、結果的に光スポットの有効直径が小さくなり、記録
ピットを小さくすることができる。これによって、本発
明による光記録媒体は大きい記録容量とすることができ
る。更に、源から一番遠く離れた記録層を反射記録膜と
非線形物質膜の二重の記録膜とした本発明による光記録
媒体は、光スポットの有効径を小さくすることができ
る。この結果、本発明は大きい容量の光記録媒体とする
ことができる。
録層を有する光記録媒体では、光源から近い位置にある
記録層は光の強さが強いと反射率が高く、弱いと反射率
が低い物質を用いている。これによって、光源から遠く
離れた記録層などへ向かう光のスポットは光源の近くに
ある記録層では焦点が合っていないので光の強さが弱
く、透過率が高くなり、記録面で反射される光量が大き
くなる。この結果、光源から遠く離れた記録層を正確に
アクセスすることができるようになる。このように光効
率が高くなるので、本発明による光記録媒体は記録層を
二つ以上に増加させることができる。また、本発明によ
る多数の記録層を有する光記録媒体は、光源に近い記録
層では光スポットの周辺部は透過される量が多くなるの
で、結果的に光スポットの有効直径が小さくなり、記録
ピットを小さくすることができる。これによって、本発
明による光記録媒体は大きい記録容量とすることができ
る。更に、源から一番遠く離れた記録層を反射記録膜と
非線形物質膜の二重の記録膜とした本発明による光記録
媒体は、光スポットの有効径を小さくすることができ
る。この結果、本発明は大きい容量の光記録媒体とする
ことができる。
【００２２】以上説明した内容を通して当業者であれば
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多用な変更及び修
正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的
範囲は明細書の詳細な説明に記載戯れた内容に限らず特
許請求の範囲により定めなければならないであろう。
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多用な変更及び修
正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的
範囲は明細書の詳細な説明に記載戯れた内容に限らず特
許請求の範囲により定めなければならないであろう。
【図１】 関連技術の多層型の光記録媒体に含まれた記
録層の光反射特性を説明する図面である。
録層の光反射特性を説明する図面である。
【図２】 関連技術による二つの記録層を有する光記録
媒体の断面図である。
媒体の断面図である。
【図３】 本発明の実施形態による二つの記録層を有す
る光記録媒体を図示する断面図である。
る光記録媒体を図示する断面図である。
【図４】 図３に図示された第１記録層の反射特性を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図５】 光記録媒体に照射される光スポットの直径に
よる光の強さの変化を説明する図面である。
よる光の強さの変化を説明する図面である。
【図６】 図３に図示された光スポットの直径による第
１記録層の反射率の変化を説明する図面である。
１記録層の反射率の変化を説明する図面である。
【図７】 図３に図示された第１記録層での入射光スポ
ットと反射光スポットとの関係を説明する図面である。
ットと反射光スポットとの関係を説明する図面である。
【図８】 図３の第２記録層が全反射物質膜と非線形物
質膜で形成された場合に各々の物質膜の反射特性を説明
する図面である。
質膜で形成された場合に各々の物質膜の反射特性を説明
する図面である。
【図９】 光の強さに対する図８で図示された非線形透
過物質膜の透過特性を図示する図面である。
過物質膜の透過特性を図示する図面である。
【図１０】 通常の非線形透過物質の透過特性を図示す
る図面である。
る図面である。
【図１１】 図８に図示された全反射記録膜の反射特性
を図示する図面である。
を図示する図面である。
【図１２】 光スポットの直径に対する図８に図示され
た非線形透過物質膜の透過特性を図示する図面である。
た非線形透過物質膜の透過特性を図示する図面である。
【図１３】 図８に図示された第２記録層での入射光ス
ポットと反射光スポットとの関係を説明する図面であ
る。
ポットと反射光スポットとの関係を説明する図面であ
る。
【図１４】 本発明の実施形態による二つの記録層など
を有する光記録媒体の製造方法を段階別に説明する断面
図である。
を有する光記録媒体の製造方法を段階別に説明する断面
図である。
【図１５】 本発明の他の実施形態による二つの記録層
などを有する光記録媒体の製造方法を段階別に説明する
断面図である。
などを有する光記録媒体の製造方法を段階別に説明する
断面図である。
２、１０：第１光透過層 ４、１２：第１記録層 ６、１４：第２光透過層 ８、１６、２６：第２記録層 １２Ａ：ガイド谷 ２０Ａ、３６：非線形透過記録膜 ２０Ｂ、３４：全反射記録膜 ３０Ａ：第１基板 ３０Ｂ：第２基板 ３０Ｃ：透明樹脂膜 ３２：非線形反射記録膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−320107（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−60425（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−96926（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−28712（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24 G11B 7/26
Claims (2)
- 【請求項１】 多数の記録層を有する光記録媒体におい
て、前記多数の記録層の中で光源から一番遠く離れた記
録層を除いた残りの記録層が非線形光学特性を持つ非線
形物質で形成され、この非線形物質が光の強さにより変
わる反射率を有し、前記反射率は光の強さが強くなるほ
ど高くなることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 多数の記録層を有する光記録媒体を製造
する光記録媒体の製造方法において、 多数の基板を用意する段階と、 光の強さにより反射率が非線形的に変わる非線形光学特
性を持つ物質が前記多数の基板の中いずれか一つの基板
を除いた残りの基板に形成されるように前記多数の基板
の各々に記録層を形成する段階と、 前記非線形光学特性を持つ記録層が光源の近くに位置す
るように前記多数の基板が積層される形態で接合する段
階とを含み、 前記非線形光学特性を持つ物質の反射率は光の強さが強
くなるほど高くなる ことを特徴とする光記録媒体の製造
方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980015226A KR100334569B1 (ko) | 1998-04-28 | 1998-04-28 | 다층광기록매체및그제조방법 |
| KR1019980020019A KR100332054B1 (ko) | 1998-05-30 | 1998-05-30 | 다층광기록매체와그제조방법 |
| KR15226/1998 | 1998-05-30 | ||
| KR20019/1998 | 1998-05-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3351761B2 true JP3351761B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=26633610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12175099A Expired - Fee Related JP3351761B2 (ja) | 1998-04-28 | 1999-04-28 | 多数の記録層を有する光記録媒体とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3351761B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000011455A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | 光情報記録媒体 |
| US6700862B2 (en) * | 2000-10-03 | 2004-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disc and manufacturing method for the same |
| EP1327977B1 (en) * | 2000-10-11 | 2009-01-21 | Panasonic Corporation | Optical record medium, optical information processing apparatus, and optical recording/reproducing method |
| TW583660B (en) * | 2001-01-25 | 2004-04-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Optical information medium and a method of manufacturing the medium |
| JP2002342980A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Sharp Corp | 光情報記録媒体 |
| US7656777B2 (en) * | 2002-05-31 | 2010-02-02 | Panasonic Corporation | Optical recording medium, optical information processor, and optical recording/reproducing method |
| FR2848014A1 (fr) * | 2002-12-03 | 2004-06-04 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique irreversible inorganique comportant une couche de dissipation thermique |
| KR20050054658A (ko) * | 2003-12-05 | 2005-06-10 | 삼성전자주식회사 | 초해상 정보 저장 매체 및 정보저장매체의 열화 방지 방법 |
| FR2912539B1 (fr) * | 2007-02-09 | 2009-03-27 | Commissariat Energie Atomique | Support de stockage d'informations optiques a haute resolution |
| EP2375413A1 (en) * | 2010-04-08 | 2011-10-12 | Thomson Licensing | Dual-layer super-resolution optical recording medium |
| WO2014121187A2 (en) | 2013-02-01 | 2014-08-07 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing |
| US11876140B2 (en) | 2013-05-02 | 2024-01-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
| CN104183663B (zh) | 2013-05-21 | 2017-04-12 | 第一太阳能马来西亚有限公司 | 光伏器件及其制备方法 |
| US10062800B2 (en) | 2013-06-07 | 2018-08-28 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
| US10529883B2 (en) | 2014-11-03 | 2020-01-07 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of manufacturing |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8801327A (nl) | 1988-05-24 | 1989-12-18 | Philips Nv | Methode voor het optisch aftasten van een informatievlak en optische registratiedragers en aftastinrichtingen geschikt voor toepassing van de methode. |
| JP3139641B2 (ja) | 1992-07-07 | 2001-03-05 | 株式会社日立製作所 | 情報記録媒体およびこれを用いる情報記録再生方法 |
| JP3151058B2 (ja) | 1992-08-05 | 2001-04-03 | パイオニア株式会社 | 光ディスク |
| US5540966A (en) * | 1994-08-05 | 1996-07-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Dual layer optical medium having partially reflecting thin film layer |
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