JPH08339574A - 多層光ディスク - Google Patents

多層光ディスク

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JPH08339574A
JPH08339574A JP9406895A JP9406895A JPH08339574A JP H08339574 A JPH08339574 A JP H08339574A JP 9406895 A JP9406895 A JP 9406895A JP 9406895 A JP9406895 A JP 9406895A JP H08339574 A JPH08339574 A JP H08339574A
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JP
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layer
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wavelength
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Masahiko Kaneko
正彦 金子
Nobuhiko Umetsu
暢彦 梅津
Katsuhisa Araya
勝久 荒谷
Arikatsu Nakaoki
有克 中沖
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 例えばコンパクトディスクプレーヤのような
汎用の再生装置によっても再生可能な情報記憶層を有
し、しかも専用の再生装置を用いることにより新たな情
報記憶層からの情報を読み出すことが可能な新規な多層
光ディスクを提供する。 【構成】 複数の情報記憶層を有してなる多層光ディス
クにおいて、上記情報記憶層のうちの１層は第１の再生
光波長である波長７７０〜８３０ｎｍでの反射率を７０
％以上とし、他の情報記憶層は前記第１の再生光波長と
は異なる第２の再生光波長の再生光により再生可能とす
る。他の情報記憶層は、第２の再生光波長での反射率が
２０％以上である。また、第２の再生光波長は６１５〜
６５５ｎｍとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報を記憶するための
層を多層化して構成し、大容量の情報を取り扱い可能と
した多層光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、いわゆるマルチメディアの興隆に
伴い、デジタル動画のような大容量の情報を取り扱う必
要が生じており、このような大容量の情報を蓄積し、必
要に応じてランダムアクセスして再生することの必要性
が高まっている。
【０００３】光ディスクは、ランダムアクセスが可能で
あり、大容量で、記録再生装置からの取り出しが可能
（リムーバブル）という特徴を有する記憶媒体で、これ
までも各方面で大量に使用されているが、前述のような
大容量化に対応するためには、片面でこれまで以上の多
量の情報を扱い得ることが要求される。
【０００４】このような状況から、光ディスクの容量を
拡大するための手法として、情報を蓄積する層を厚み方
向に多層積層することが試みられている。
【０００５】多層光ディスクは、ディスク片面に多層化
して形成された各情報層に情報を蓄積し、ランダムアク
セス性を失うことなく、多層間の焦点を変えることで情
報の読み出しを可能とし、大容量の情報を扱おうとする
ものである。
【０００６】多層光ディスクに関して、これまで報告さ
れた例としては、代表的なものに、 １．焦点位置を変えて光ディスクを再生するという概念
（例えば米国特許第３９４６３６７号等） ２．基板の片側に何層かに積層された情報層を持つ多層
ディスクを用い、透過光または反射光で読み出す方法
（例えば米国特許第４２１９７０４号等） ３．光学系内に収差補正機能を備えた情報多層光ディス
クの再生システム（例えば米国特許第５２０２８７５号
等） がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、これら従来
の多層光ディスクを再生するためには、専用の光ディス
ク再生装置が必要となる。例えば、第１の情報記憶層や
第２の情報記憶層からの再生信号を混合することなく独
立にそれぞれ再生することができるような再生光学系、
あるいは第１の情報記憶層や第２の情報記憶層からの再
生信号を見分けて情報を混乱することなく取り出すこと
のできるような信号処理系等が必要となる。
【０００８】したがって、例えば再生専用光ディスクと
して広く普及されている，いわゆるコンパクトディスク
（ＣＤ）の再生を行うコンパクトディスクプレーヤのよ
うな再生装置をそのまま利用することができない。
【０００９】そこで本発明は、例えばコンパクトディス
クプレーヤのような汎用の再生装置によっても再生可能
な情報記憶層を有し、しかも専用の再生装置を用いれば
新たな情報記憶層からの情報を読み出すことが可能な新
規な多層光ディスクを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成するために、長期に亘り鋭意検討を重ねてき
た。その結果、各情報記憶層の分光特性を工夫すること
で、任意の情報記憶層の情報を再生光の波長により読み
分けることができ、しかもいずれかの情報記憶層の信号
を一般に広く使用されている再生装置でも再生すること
のできる、全く新規な多層光ディスクを実現するに至っ
た。
【００１１】すなわち、本発明の多層光ディスクは、複
数の情報記憶層のうちの１層の波長７７０〜８３０ｎｍ
での反射率を７０％以上とし、他の情報記憶層をこれと
は異なる波長の再生光により再生可能としてなるもので
ある。
【００１２】具体的には、例えば、図１に示すように、
基板１上に第１の情報記憶層２と第２の情報記憶層３と
を形成し、基板１側から再生光を照射したときに、第１
の情報記憶層２が波長７７０〜８３０ｎｍの再生光に対
して反射率Ｒ1７０％以上であり、第２の情報記憶層３
が波長７７０〜８３０ｎｍの再生光に対して透明（光透
過性を有し反射率Ｒ2が低い）であって、他の波長の再
生光（第２の再生光波長の再生光）に対して不透明（光
透過性が低く反射率Ｒ2が高い）であれば、波長７７０
〜８３０ｎｍの再生光により第１の情報記憶層２のみ読
み出し可能となり、第２の再生光波長の再生光では第２
の情報記憶層３のみ、あるいは第１の情報記憶層２と第
２の情報記憶層３の両方が読み出し可能となる。このと
き、第２の再生光波長の再生光によって第１の情報記憶
層２が読み出し可能になるか否かは、第２の再生光波長
での第２の情報記憶層３の反射率Ｒ2や透過率特性、さ
らには第２の再生光波長での第１の情報記憶層２の反射
率Ｒ1等に依存する。
【００１３】本発明の多層光ディスクは、前述の積層構
造（１の基板上に各情報記憶層を積層形成する構造）の
みならず、例えば貼り合わせ構造を採用することもでき
る。貼り合わせ構造を採用した場合、各情報記憶層の情
報信号を２Ｐ法等を用いることなく射出成形によって形
成することができるため、製造上有利である。
【００１４】前述の構成の多層光ディスクにおいて、波
長７７０〜８３０ｎｍでの反射率が７０％以上の情報記
憶層（第１の情報記憶層：反射率Ｒ1）と、第２の再生
光波長で読み出し可能な情報記憶層（第２の情報記憶
層：反射率Ｒ2）の積層順序は任意であるが、第１の情
報記憶層を基板側（再生光照射側）に配置する場合に
は、この第１の情報記憶層も分光特性を有し、第２の再
生光波長においてある程度光透過性を有することが必要
である。第１の情報記憶層を背後に配する場合には、波
長７７０〜８３０ｎｍでの反射率のみを考慮すればよ
く、例えばＡｌ膜等、反射率の高い金属膜等を使用する
ことが可能である。
【００１５】また、この第１の情報記憶層は、コンパク
トディスクとの互換性を有する情報記憶層であるので、
光学的な互換性をとるために、再生光照射面から約１．
２ｍｍの位置に配置されることが好ましい。したがっ
て、例えば１の基板上に各情報記憶層を形成する場合に
は、基板の厚さを約１．２ｍｍとすることが好ましい。
【００１６】一方、第２の情報記憶層は、前述の通りの
分光特性が必要であり、例えば誘電体多層膜や、バンド
ギャップが７００ｎｍ近傍にある半導体レーザ材料の膜
が使用可能である。ここで、半導体レーザ材料として
は、ＡｌxＧａ(1-x)Ａｓ、ＧａＡｓ(1-x)Ｐx、ＺｎxＣ
ｄ(1-x)Ｓｅ等が挙げられる。
【００１７】また、各情報記憶層の間には、これら情報
記憶層を光学的に分離するスペーサ層が形成されていて
もよい。スペーサ層は、光透過性を有する材料により形
成され、前述の光学的な分離を確実なものとするために
は、厚さ３０μｍ以上とすることが好ましい。
【００１８】上記多層光ディスクに記録された情報信号
を読み出すには、第１の再生光として波長７８０ｎｍの
再生光を用いるとともに、第２の再生光としてこれとは
波長が異なる再生光を用いる。第２の再生光の波長は第
１の再生光の波長と異なれば任意であるが、前述の選択
性を持たせるためにはある程度波長が離れていた方がよ
く、実用性等を考慮すると、例えば波長６３５±２０ｎ
ｍ程度の再生光を用いるのがよい。また、第２の再生光
により第１の情報記憶層、第２の情報記憶層の両者から
情報信号を読み出す場合には、その焦点位置を変えるこ
とで各情報記憶層の情報信号を読み出すようにすればよ
い。
【００１９】
【作用】本発明の多層光ディスクにおいて、複数の情報
記憶層のうちの１層は第１の再生光波長である波長７７
０〜８３０ｎｍでの反射率が７０％以上とされている。
【００２０】したがって、この情報記憶層は、いわゆる
コンパクトディスク（音楽用コンパクトディスクやコン
ピュータ用ＲＯＭディスク，いわゆるＣＤ−ＲＯＭ）等
と互換性を有し、この情報記憶層に記録された情報信号
は、コンパクトディスクプレーヤ等の再生装置によって
も再生可能である。
【００２１】一方、これとは異なる第２の再生光波長で
は、第２の情報記憶層のみ、あるいは第１の情報記憶層
と第２の情報記憶層の両者に記録された情報信号が再生
される。
【００２２】すなわち、本発明によれば、第１の情報記
憶層、第２の情報記憶層からの情報を、再生光の波長を
変えることにより選択することができ、大容量の情報が
蓄積される。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２４】実施例１ 本実施例の多層光ディスクは、図２に示すように、基板
１１上に第２の情報記憶層１３、スペーサ層１４、第１
の情報記憶層１２を順次成膜してなるものである。
【００２５】基板１１は、例えばポリカーボネートやガ
ラス等からなるもので、前者の場合には射出成形によっ
て、後者の場合にはいわゆる２Ｐ法等によって、記録ピ
ット等の凹凸パターンが再生専用情報として形成され
る。本例においては、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネー
ト射出成形基板を用いた。
【００２６】上記第２の情報記憶層１３は、前記基板１
１の凹凸パターンに沿って成膜され、この凹凸パターン
による再生専用情報を読み出すための反射膜として機能
するものである。
【００２７】スペーサ層１４は、前記第２の情報記憶層
１３と第１の情報記憶層１２とを光学的に分離する役割
を果たすもので、したがってある程度の厚さが必要であ
る。具体的には、３０μｍ以上とすることが好ましい。
スペーサ層１３の厚さがあまり薄すぎると、第１の情報
記憶層１２からの反射光と、第２の情報記憶層１３から
の反射光とを十分に分離することができなくなって、正
確な検出が難しい。また、あまり厚さが厚すぎると、球
面収差等が発生することから、この点を考慮して適正な
厚さに設定する必要がある。
【００２８】一方、前記スペーサ層１４を介して第２の
情報記憶層１３上に形成される第１の情報記憶層１２
は、反射率の高い材料により形成されるもので、波長７
７０〜８３０ｎｍでの反射率は７０％以上である。
【００２９】上述の多層光ディスクを作製するには、先
ず、予め第２の情報記憶層１３から読み出す情報信号に
応じてピット等の凹凸パターンを形成した基板１１を用
意する。この基板１１は、ガラスあるいはポリカーボネ
ート等のプラスチックのいずれでもよく、ガラス基板の
場合には、このガラス基板とディスクスタンパの間に光
硬化樹脂を充填してガラス基板側からの光照射により硬
化する、いわゆる２Ｐ（Photo Polymerization）法等に
より、前記凹凸パターンを形成する。プラスチック基板
の場合にも、ガラス基板の場合と同様、２Ｐ法によって
凹凸パターンを形成してもよいが、通常は、スタンパを
用いた射出成形法（インジェクション法）により前記凹
凸パターンを形成する。
【００３０】次いで、この基板１１の上に、第２の情報
記憶層１３を真空蒸着法あるいはスパッタリング法によ
り成膜する。
【００３１】次に、上記第２の情報記憶層１３の上にス
ペーサ層１４を形成する。ここで、スペーサ層１４は、
ある程度の厚さ、例えば３０μｍ以上の厚さが必要であ
るので、例えば紫外線硬化樹脂等をスピンコート法によ
り塗布することにより形成する。あるいは、５〜１０μ
ｍ程度の厚さで複数回に分けて積層形成することも可能
である。さらには、透明シートを貼り付けることでスペ
ーサ層１４を形成してもよい。
【００３２】このスペーサ層１４にも、第１の情報記憶
層１２に記録されるべき情報信号に応じたピット等を形
成する必要があるが、これらピットも先の凹凸パターン
と同様、２Ｐ法により形成することができる。
【００３３】前記スペーサ層１４を形成した後、この上
に第１の情報記憶層１２を形成し、さらには必要に応じ
て、表面保護のための保護膜１５を紫外線硬化樹脂等で
形成する。
【００３４】本例では、透明基板１１上に第２の情報記
憶層１３として、Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／Ｓｉ3Ｎ4／Ｓｉ
Ｏ2／Ｓｉ3Ｎ4からなる５層構造膜を成膜した。それぞ
れの膜厚は６４ｎｍ／９０ｎｍ／６４ｎｍ／９０ｎｍ／
６４ｎｍとした。
【００３５】ここで、Ｓｉ3Ｎ4の屈折率ｎ＝２．０、消
衰係数ｋ＝０であり、ＳｉＯ2の屈折率ｎ＝１．５、消
衰係数ｋ＝０であるが、これと同等の光学特性を有する
物質を用いても、同等の特性が得られることは言うまで
もない。
【００３６】また、第１の情報記憶層１２としては、Ａ
ｌ膜を厚さ１００ｎｍ成膜した。
【００３７】このように構成される多層光ディスクにお
いて、第２の情報記憶層１３（５層構造膜）の反射率Ｒ
2は、図３に示すような分光特性を有し、波長６３５の
光に対して３４％であり、波長７８０ｎｍの光に対して
はほとんど零である。言い換えれば、第２の情報記憶層
１３は、波長６３５ｎｍの光に対してはある程度の反射
率を有するものの、波長７８０ｎｍの光はほとんど透過
する。
【００３８】これに対して、第１の情報記憶層１２（Ａ
ｌ膜）は、第２の情報記憶層１３を透過してきた両方の
光に対して８０％以上の反射率を有し、したがって再生
光に対する反射率Ｒ1は、第２の情報記憶層１３をほと
んど透過する波長７８０ｎｍで約８４％、第２の情報記
憶層１３である程度反射される波長６３５ｎｍで約３８
％である。
【００３９】このような構成の多層光ディスクにおいて
は、波長７８０ｎｍの再生光を用いることにより、第１
の情報記憶層１２からのみ反射光が得られ、情報信号を
読み出すことができる。この波長７８０ｎｍの再生光
は、コンパクトディスクプレーヤ等において用いられて
いるものであり、したがって第１の情報記憶層１２に記
録される情報信号は、これら汎用の再生装置によっても
再生可能である。
【００４０】他方、波長６３５ｎｍの再生光に対して
は、第１の情報記憶層１２と第２の情報記憶層１３のい
ずれもが３０％程度の反射率を有することから、これら
両者から情報信号が得られ、再生光の焦点位置を変える
ことにより、両方の情報を読み出すことができる。
【００４１】実施例２ 第２の情報記憶層１３を３層構造膜とし、他は実施例１
と同様の構成を有する多層光ディスクを作製した。な
お、第２の情報記憶層１３は、ＳｉxＮ(1-x)（ｎ＝２．
８、ｋ＝０）／Ｓｉ3Ｎ4（ｎ＝２．０、ｋ＝０）／Ｓｉ
xＮ(1-x)（ｎ＝２．８、ｋ＝０）からなる３層構造膜と
し、それぞれの膜厚は４０ｎｍ／７３ｎｍ／４０ｎｍと
した。
【００４２】この例においても、第１の情報記憶層１２
の反射率Ｒ1、第２の情報記憶層１３の反射率Ｒ2は、図
４に示すような分光特性を有し、波長７８０ｎｍの再生
光では第１の情報記憶層１２の情報信号のみ読み出し可
能であり、波長６３５ｎｍの再生光では、第１の情報記
憶層１２、第２の情報記憶層１３の両方の情報信号が読
み出し可能であった。
【００４３】実施例３ 本実施例では、第２の情報記憶層１３として、半導体レ
ーザ材料であるＡｌxＧａ(1-x)Ａｓを成膜した。膜厚は
１２０ｎｍである。
【００４４】また、第１の情報記憶層１２としてＡｌ膜
を１００ｎｍ成膜した。他は実施例１と同様である。
【００４５】このように構成される多層光ディスクにお
いて、第２の情報記憶層１３の反射率Ｒ2は、図５に示
すような分光特性を有し、波長６３５の光に対して約３
２％であり、波長７８０ｎｍの光に対してはほとんど零
である。言い換えれば、第２の情報記憶層１３は、波長
６３５ｎｍの光に対してはある程度の反射率を有するも
のの、波長７８０ｎｍの光はほとんど透過する。
【００４６】これに対して、第１の情報記憶層１２（Ａ
ｌ膜）は、第２の情報記憶層１３を透過してきた両方の
光に対して８０％以上の反射率を有し、したがって再生
光に対する反射率Ｒ1は、第２の情報記憶層１３をほと
んど透過する波長７８０ｎｍで約８４％、第２の情報記
憶層１３である程度反射される波長６３５ｎｍで約３６
％である。
【００４７】このような構成の多層光ディスクにおいて
は、波長７８０ｎｍの再生光を用いることにより、第１
の情報記憶層１２からのみ反射光が得られ、情報信号を
読み出すことができる。他方、波長６３５ｎｍの再生光
に対しては、第１の情報記憶層１２と第２の情報記憶層
１３のいずれもが３０％以上の反射率を有することか
ら、これら両者から情報信号が得られ、再生光の焦点位
置を変えることにより、両方の情報を読み出すことがで
きる。
【００４８】実施例４ 本実施例においては、図６に示すように、厚さ０．６ｍ
ｍの第１の基板２１上に第２の情報記憶層２３を、同じ
く厚さ０．６ｍｍの第２の基板３１の上に第１の情報記
憶層２２を形成し、これらを接着剤層２４を介して貼り
合わせ、多層光ディスクを構成した。
【００４９】各基板２１、３１は、ポリカーボネート射
出成形基板あるいはガラス２Ｐ基板である。また、各情
報記憶層２２、２３の構成は先の実施例１と同様であ
り、第１の情報記憶層２２の上には保護膜２５を形成し
た。
【００５０】このように構成される多層光ディスクにお
いても、先の実施例１と同様、波長７８０ｎｍの再生光
では第１の情報記憶層２２からのみ反射光が得られ、波
長６３５ｎｍの再生光では第１の情報記憶層２２及び第
２の情報記憶層２３からの反射光が得られた。
【００５１】実施例５ 本実施例においては、図７に示すように、厚さ１．２ｍ
ｍの第１の基板４１上に第２の情報記憶層４３を形成
し、厚さ０．６ｍｍの第２の基板５１上に第１の情報記
憶層４２を形成するとともに、これらを各情報記憶層４
２、４３が対向するように接着剤層４４を介して貼り合
わせた。
【００５２】各基板４１、５１は、ポリカーボネート射
出成形基板であり、また各情報記憶層４２、４３の構成
は実施例１と同様である。
【００５３】このように構成される多層光ディスクにお
いても、先の実施例１と同様、波長７８０ｎｍの再生光
では第１の情報記憶層４２からのみ反射光が得られ、波
長６３５ｎｍの再生光では第１の情報記憶層４２及び第
２の情報記憶層４３からの反射光が得られた。
【００５４】また、本実施例では、ポリカーボネート射
出成形基板である基板４１、５１に、第１の情報記憶層
４２、あるいは第２の情報記憶層４３を成膜し、これを
貼り合わせるようにしているので、２Ｐ法等の技術が必
要なく、その作製が極めて容易である。
【００５５】実施例６ 本実施例では、図８に示すように、基板６１側に第１の
情報記憶層６２を形成し、この上にスペーサ層６４を介
して第２の情報記憶層６３を形成した。
【００５６】第１の情報記憶層６２は、ＳｉxＮ
(1-x)（ｎ＝３．５、ｋ＝０）／ＳｉＯ2（ｎ＝１．５、
ｋ＝０）／ＳｉxＮ(1-x)（ｎ＝３．５、ｋ＝０）であ
り、それぞれの膜厚は４５ｎｍ／１９５ｎｍ／４５ｎｍ
である。
【００５７】第２の情報記憶層６３は、Ａｌ膜とした。
【００５８】このように構成される多層光ディスクにお
いても、図９に示すような反射率の分光特性が得られ、
波長７８０ｎｍの再生光では図中Ｒ1で示すように第１
の情報記憶層６２からのみ反射光が得られ、波長６３５
ｎｍの再生光では第１の情報記憶層６２が光透過性を示
すようになり、図中Ｒ2で示すように第２の情報記憶層
６３からの反射光が得られた。
【００５９】比較例 厚さ１４ｎｍのＳｉ膜を第１及び第２の情報記憶層とす
る多層光ディスクを作製し、各Ｓｉ層の反射率の分光特
性を測定した。
【００６０】その結果、各Ｓｉ層の反射率は、図１０に
示すようにほとんど波長依存性がなく、特に波長７８０
ｎｍでの反射率が低いために、コンパクトディスク等と
の互換性を保つことはできなかった。
【００６１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、例えばコンパクトディスクプレーヤのよう
な汎用の再生装置によっても再生可能な情報記憶層を有
し、しかも専用の再生装置を用いれば新たな情報記憶層
からの情報を読み出すことが可能な多層光ディスクを提
供することができる。
【００６２】したがって、現状での市場導入が可能で、
デジタル動画およびマルチメディア用メモリ等の用途に
対応した大量の情報を取り扱うことができる多層光ディ
スクを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層光ディスクの基本構成を示す模式
図である。
【図２】本発明を適用した多層光ディスクの一構成例を
示す要部概略断面図である。
【図３】図２に示す多層光ディスクにおける反射率の分
光特性を示す特性図である。
【図４】第２の情報記憶層を３層構造膜とした多層光デ
ィスクにおける反射率の分光特性を示す特性図である。
【図５】第２の情報記憶層を半導体レーザ材料膜とした
多層光ディスクにおける反射率の分光特性を示す特性図
である。
【図６】２枚の基板の貼り合わせ構造を有する多層光デ
ィスクの一例を示す要部概略断面図である。
【図７】２枚の基板の貼り合わせ構造を有する多層光デ
ィスクの他の例を示す要部概略断面図である。
【図８】基板側に３層構造膜からなる第１の情報記憶層
を形成した多層光ディスクの一例を示す要部概略断面図
である。
【図９】図７に示す多層光ディスクにおける反射率の分
光特性を示す特性図である。
【図１０】Ｓｉ膜からなる情報記憶層を２層形成した多
層光ディスクの反射率の分光特性を示す特性図である。
【符号の説明】
１，１１，２１，３１，４１，５１，６１ 基板 ２，１２，２２，４２，６２ 第１の情報記憶層 ３，１３，２３，４３，６３ 第２の情報記憶層
フロントページの続き (72)発明者 中沖 有克 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の情報記憶層を有してなり、上記情
    報記憶層のうちの１層は第１の再生光波長である波長７
    ７０〜８３０ｎｍでの反射率が７０％以上であり、他の
    情報記憶層は前記第１の再生光波長とは異なる第２の再
    生光波長の再生光により再生されることを特徴とする多
    層光ディスク。
  2. 【請求項２】 他の情報記憶層は、第２の再生光波長で
    の反射率が２０％以上であることを特徴とする請求項１
    記載の多層光ディスク。
  3. 【請求項３】 第２の再生光波長が６１５〜６５５ｎｍ
    であることを特徴とする請求項２記載の多層光ディス
    ク。
  4. 【請求項４】 基板上に、第１の再生光波長の再生光で
    再生される第１の情報記憶層と、第２の再生光波長の再
    生光で再生される第２の情報記憶層とが形成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の多層光ディスク。
  5. 【請求項５】 第１の再生光波長の再生光で再生される
    第１の情報記憶層が形成された第１の基板と、第２の再
    生光波長の再生光で再生される第２の情報記憶層が形成
    された第２の基板とが貼り合わされてなることを特徴と
    する請求項１記載の多層光ディスク。
  6. 【請求項６】 第２の再生光波長の再生光によって第１
    の情報記憶層に記録された情報信号と第２の情報記憶層
    に記録された情報信号の両者が再生されることを特徴と
    する請求項４または請求項５記載の多層光ディスク。
  7. 【請求項７】 第２の再生光波長の再生光によって第２
    の情報記憶層に記録された情報信号のみが再生されるこ
    とを特徴とする請求項４または請求項５記載の多層光デ
    ィスク。
  8. 【請求項８】 第２の情報記憶層が誘電体の多層膜から
    なることを特徴とする請求項４または請求項５記載の多
    層光ディスク。
  9. 【請求項９】 第２の情報記憶層が波長７００ｎｍ近傍
    にバンドギャップを有する半導体レーザ材料よりなるこ
    とを特徴とする請求項４または請求項５記載の多層光デ
    ィスク。
  10. 【請求項１０】 第１の情報記憶層と第２の情報記憶層
    が光透過性を有するスペーサ層を介して積層されている
    ことを特徴とする請求項４記載の多層光ディスク。
  11. 【請求項１１】 基板上に第１の情報記憶層、第２の情
    報記憶層がこの順に積層形成されていることを特徴とす
    る請求項４記載の多層光ディスク。
  12. 【請求項１２】 基板上に第２の情報記憶層、第１の情
    報記憶層がこの順に積層形成されていることを特徴とす
    る請求項４記載の多層光ディスク。
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