JP2005521981A - 光学式データ記憶媒体およびその媒体の利用 - Google Patents

Abstract

波長λの集光放射ビーム（９）で記録する光学式データ記憶媒体（１０）について示した。ビームは記録の間、前記媒体の入射面（８）を通って入射する。媒体は少なくとも、深さgの案内溝を有する基板(１)を有する。案内溝は基板の、入射面とは反対の側にある。層状の記録スタック（２，３）は基板（１）の案内溝のある側に隣接して存在する。スタックは、波長λで複素屈折率は
【数１】

であり、溝位置での厚さd_RG、溝同士間の位置での厚さd_RLである材料の、追記型記録層（２）を有する。実質的に透明な材料の非金属層（３）は追記型記録層（２）と隣接して存在する。溝深さgはnm単位で、λを用いて(λ/655)*20nm＜g＜(λ/655)*140nmの範囲にある。この範囲では十分なプッシュプルトラッキング信号、および記録マークの十分な変調が可能となる。

Description

本発明は、波長λの集光放射ビームで記録する光学式データ記憶媒体に関し、ビームは記録の間、前記媒体の入射面を通って入射し、前記媒体は少なくとも：
深さgの案内溝を有する基板であって、前記案内溝は前記基板の、前記入射面とは反対の側にあることを特徴とする基板と、
前記基板の前記案内溝のある側にある層状の記録スタックと、
を有し、前記スタックは：
波長λで複素屈折率は

であり、溝位置での厚さd_RG、溝同士間の位置での厚さd_RLである材料の、前記基板と隣接して存在する追記型記録層と、
前記追記型記録層と隣接して存在する、実質的に透明な材料の非金属層と、
を有する。

本発明はそのような光学式データ記憶媒体の、標準的な光学式データ記憶媒体記録／再生装置における利用にも関するものである。

光学式データ記憶の分野における発展要因の1つは、データ容量の増大である。現在のところ、2スタックデジタル多目的ディスクの追記型媒体（DL-DVD+R）が開発されており、これはデータ記憶容量を12cmの追記型DVDディスクのほぼ2倍に増大させ、単層のDVD+Rの4.7GBに対し、2層構造DVD+Rでは8.5GBにすることができる。さらなるデータ記憶容量の倍増化は、4スタック追記型DVDディスク（QL-DVD+R）への移行によって得ることができる。ほとんどの場合、そのような4スタック媒体においても基本は反射記憶層である。切り替え可能な層、例えばサーモクロミック層、フォトクロミック層、またはエレクトロクロミック層、は現在のところ、あまり検討されていない。スタックとは2またはそれ以上の層を有するものであるが、スタックという語はしばしば、層という意味で用いられることに留意する必要がある。媒体およびディスクという語は互換的に用いられる。

2スタックDVD+Rディスクの場合、記録材料としては色素が、記録／再生波長での固有の高透過性により、最も魅力的な選択肢であると認識されている。従って、マルチスタックディスクにおいても記録材料として色素の用いられる可能性が高い。恐らく最深部のスタックに対して通常のDVD+Rスタック設計を利用することが可能である。設計上マルチスタックは記号Lnで表わされ、nは0または正の整数を表わす。放射ビームが最初に到達するスタック、すなわち入射面に最近接のスタックはL0と呼ばれ、各スタックは放射源から遠くなるにつれL1…Lnと呼ばれる。従って2スタック媒体の場合は、2つのスタックL0およびL1が存在し、L0は最上部の記録層を表わし、L1は最深部の記録層を表わすことになる。2スタックDVD+RのL0スタックには薄膜状の半透明金属反射層、例えば10nmのAg層を用いても良い。このL0スタックでは透過率は約60%である。しかしながら、QL-DVD+RディスクではさらにL2およびL3スタックが存在し、L0およびL1スタックには、より深いL2およびL3スタックからの十分な信号の到達を実現するため、70-80%の高い透過率が要求される。より薄い金属層を用いることによって透過率を高めることは、層の均一性が問題となるため行われない。しかし、色素と例えば、公知技術の誘電体ミラーのような、非金属反射層を組み合わせることで、高透過性スタックを得ることができる。

真に有用なスタック設計の場合、いくつかのパラメータ、すなわち反射および透過、記録マークの変調、ならびにサーボ用トラッキング信号、を各スタックに対して同時に最適化しなければならない。

空の追記型光ディスク（単スタック、2スタックまたはマルチスタック）のトラッキングを可能にするため、基板または光学式記録スタックが形成された中間層には、いわゆる案内溝またはプリグルーブが設けられる。プリグルーブは、溝で反射された光と溝同士間の位置（ランド）で反射された光の間に位相差を生じさせる。ランドと溝での異なる複素反射振幅の結果、例えばレーザー光のような入射ビームは回折される。適正に検出されたときは、反射光の回折次数の±1次と0次の間の干渉によって、いわゆるプッシュプル信号が生じる。この信号はレーザー光スポットをプリグルーブ上に保持させるための光学式トラッキングシステムで利用することができる。実際には、この方法では、光学式データ記憶媒体から反射されるビームの経路に置かれた2つの放射感光検出器を用い、検出器によって反射ビームの半径方向に対して異なる部分を検知する。2つの検出器の出力信号間の差異には、溝に対するレーザースポットの半径位置に関する情報が含まれる。出力信号が等しければ、レーザースポットの中心は溝の中心にあるか、2つの隣接する溝間の中央にある。従って記録の間、レーザービームの集光によって記録層上に形成された、レーザー光書き込みスポットの半径方向での溝に対する位置の検出に、溝を利用することで、書き込みスポットの半径位置を補正することが可能となる。この結果、駆動装置、ならびに書き込みビームおよび光学式データ記憶媒体を相互に動かすガイド機構、にはそれ程厳しい要求が課されず、書き込み装置に用いる構成を簡単で、低コストにすることができる。光学式駆動装置を空のディスクで適正にトラッキングさせるためには、プッシュプル信号には正しい符号および十分な値の両方が必要である。要求値は通常、特定の光ディスクの規格で定められる。一般にプッシュプル信号の符号および振幅は、大部分がランドと溝で反射された光の位相差に支配される。通常、案内溝またはプリグルーブのトラックは透明基板または中間層にらせん状溝を有し、記録層は、例えば、有機色素の薄膜層である。案内溝は光学式データ記憶媒体表面全体にわたり広がっている。十分に高強度の集光レーザー光ビームは光学的に検出可能な変化またはマークを記録層内に生じさせる。そのような記録マークの変調深さMは、溝の書き込みされていない部分から検出された光強度と、溝の書き込みがされた部分からの光強度の差として、2つの強度の最大値に対して規格化して、定義される。

特定の色素は、プリグルーブを有する光学式データ記憶媒体基板の記録層としての使用に極めて適していることが明らかとなっている。そのような色素は、例えばシアニン色素またはアゾ色素であって、基板表面へのそのような色素の溶液のスピンコートで成膜することができる。色素層をプリグルーブを有する光学式データ記憶媒体基板に適用するときは、溝は部分的にまたは完全に埋められ、溝位置での層の厚さd_RGは通常、溝同士間の位置での厚さd_RLよりも厚い。溝同士間の位置はオンランドとも呼ばれる。このd_RG-d_RLに相当する、層の厚さの差異の結果、溝位置における記録層で反射された放射ビームとランド位置における記録層で反射された放射ビームとの間で、付加的な位相のシフトが生じる。この付加的な位相のシフトは、d_RG=d_RLの場合との差異に相当する、差分トラッキング信号を増大させる。レベリングパラメータはL=(d_RG-d_RL)/gとして定義される。L=1のときは溝は記録層によって完全に平坦化されており、基板と反対側の記録層表面に溝構造がもはや存在しないことを意味する。このようなことが起こるのは極めて狭小の溝（g≪d_RG）の場合である。しかし、実際上ほとんどの場合、例えば追記型コンパクト（CD-R）ディスクまたはDVD追記型（DVD+R）ディスクの場合は、レベリングパラメータLは0.2から0.5までの範囲にある。例えば、典型的なDVD+Rの場合、溝深さは160nm、溝内の色素の厚さは100nm、オンランドの色素厚さは40nmであり、L=(100-40)/160=0.375である。色素が蒸着のような異なる技術で成膜されたとき、レベリングはほぼゼロ、すなわちオンランドと溝部における厚さが等しくなることがある。

本発明の課題は、前述の種類の、十分なプッシュプル信号、および記録マークに関して十分な変調を有する光学式データ記憶媒体を提供することである。

本課題は本発明による、前述の光学式データ記憶媒体であって、溝深さがnm単位でλを用いて、(λ/655)*20nm＜g＜(λ/655)*140nmで表わされる範囲にあることを特徴とする光学式データ記憶媒体によって解決される。

本発明は、前述の、非金属反射層を有する光学式データ記憶媒体に対して、溝のプッシュプル信号の値、およびマークの変調の値が十分ではないという問題の認識に基づくものである。図3に示されるように、金属と非金属反射層の場合で、規格化したプッシュプル信号PP（以降で定義される）間には実質的な差異がある。さらに重要なことは、金属反射層を有する単層構造のDVD+Rにおいて用いられる、170nmという典型的な溝深さにおいては、色素-オン-誘電体スタックの場合、プッシュプルはほとんどゼロになることであり、これはそのようなディスクのトラッキングは実際には不可能であることを意味する。案内溝は通常らせん状となっており、ピッチpと平均幅wを有するが、wはpの0.3ないし0.8倍の範囲にあることが好ましい。DVDの場合、ピッチpは約0.74μmである。DVDの場合、波長λは約655nmである。波長が異なる場合は最適な範囲は比率計算をする必要があり、例えば、λ=405nmの場合、405/655倍する必要がある。従ってλ=405nmの場合、最適な範囲は(405/655)*20nm＜g＜(405/655)*140nmとなる。通常プッシュプル信号は、案内溝の走査の間、レーザービームの反射光路に置かれた2分割検出器の右と左の検出器からの信号I_RとI_Lの差によって与えられる。光ディスクの標準規格においてプッシュプル信号は通常、規格化したパラメータPP=＜I_R-I_L＞/[I_R+I_L]（分子分母とも斜字体）で定義され、項＜I_R-I_L＞（斜字体）は、レーザースポットが半径方向外側に案内溝を横切ってずれるときの、I_R-I_L(斜字体)の最大差分を表わし、[I_R+I_L] (斜字体)はI_R+I_L(斜字体)の平均値を表わす。このPPは、（I_R-I_L）(斜字体)で定義される、PP（斜字体）で表わされる規格化していないプッシュプル信号と同じではないことに留意する必要がある。非金属反射層を有するスタックの場合、溝深さの関数としての規格化したプッシュプル信号のグラフ形状は、図3に示すように金属反射層の場合とは、大きく異なる。トラックピッチおよび溝幅の違い、またはトラックピッチもしくは溝幅の違いもプッシュプルの振幅にわずかに影響を及ぼし得るが、この影響は溝深さの影響に比べると著しく小さい。通常溝は図1のような形状をしており、溝深さの定義は図のように描写される。DVD+R規格によれば、溝の相深さは90度を超えてはならず、これは提示の計算において、通常のスタックのプッシュプルは正でなければならないことを意味する。

上記の認識された問題は、金属反射層を有する通常のディスクにおける溝深さの通常範囲である150nmないし180nmに対し、非金属反射層の場合は、請求項に記載した溝深さの範囲を利用することによって、解決することが可能である。この解決策の利点は、非金属反射層を有するスタックを有するようなディスクにおいてラジアルプッシュプルトラッキングが可能となり、さらに記録マークの変調が十分になる点にある。

ある実施例では、非金属反射層は主として、透明プラスチック、シリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物およびシリコン炭化物から選択された材料を有する。これらの材料は、比較的高い透明度を有し、比較的安定な点で適当な候補材である。他の適当な誘電体材料としてZnS-SiO₂、ならびに通常の酸化物および窒化物がある。

例えばDVDに用いられるλ=655nmの場合、20nm＜g＜125nmであることが好ましい。信頼性のある再生のためには、変調は最大であることが重要である。溝深さの範囲がg＞125nmにおいては、変調Mは比較的小さな値に落ち込む。従って追記型DVDタイプの非金属反射層のスタックの場合、前記溝深さgの範囲が好ましい。

λ=655nmの場合、50nm＜g＜125nmであることが好ましい。これは極めて狭小の溝の場合は、プッシュプル信号PPは相対的に著しく小さくなり、信頼性のあるトラッキングができなくなることによる。

ある実施例では、λ=655nmにおいて記録層は、厚さd_RGが145nm≦d_RG*n_R＜245nmであって、非金属反射層は主として、厚さd_Tが10nm≦d_T≦120nmの範囲のSiO₂を有する。この非金属反射層材料を用いた好適実施例では、次の近似値を適用する。すなわち、d_T=110nm、d_RG=80nm、g=80nmであって、色素は記録波長において

のアゾ色素である。

別の実施例では、λ=655nmにおいて、記録層は厚さd_RGが132nm≦d_RG*n_R＜220nmであって、非金属反射層は主として、厚さd_Tが10nm≦d_T≦60nmの範囲のSiCを有する。この非金属反射層材料を用いた好適実施例では、次の近似値を適用する。すなわち、d_T=52nm、d_RG=70nm、g=120nmであって、色素は記録波長において

のアゾ色素である。

他の実施例では、λ=655nmにおいて、記録層は厚さd_RGが154nm≦d_RG*n_R＜264nmであって、非金属反射層は主として、厚さd_Tが1nm≦d_T≦20nmの範囲のアモルファスSi（a-Si）を有する。この非金属反射層材料を用いた好適実施例では、次の近似値を適用する。すなわち、d_T=10nm、d_RG=100nm、g=120nmであって、色素は記録波長において

のアゾ色素である。

別の実施例では、少なくとも1つの他の記録スタックは、gと同じ範囲にある深さg’の案内溝を有する他の基板であって、案内溝は他の基板の、入射面とは反対の側にあることを特徴とする他の基板、と隣接して存在し、当該他の記録スタックは：
波長λで複素屈折率は

であり、溝位置での厚さd_RG’、溝同士間の位置での厚さd_RL’である材料の、基板と隣接して存在する他の追記型記録層と、
他の追記型記録層と隣接して存在する、実質的に透明な材料の他の非金属層と、を有する。非金属反射層を有する記録スタックは、マルチスタック追記型媒体を形成するため繰り返しても良い。非金属層の利用は、非金属反射層に比較的高い透過性を付与することができる点で有利である。特に3またはそれ以上の記録スタックを用いるときには、非金属層は比較的高い光学的透過性の点で有利である。

光学式データ記憶媒体の基板は少なくとも放射ビーム波長に対して透明である。DVDの場合、基板はディスク状で、径は120mm、厚さは0.6mmであり、他の基板は厚さ0.6mmで、記録スタックは基板と他の基板の間に挟まれた状態となる。案内溝はしばしば、らせん状溝で構成され、射出成形時の型または加圧によって基板または他の基板に形成される。これらの溝は代わりに、例えば紫外線硬化アクリレートのような合成樹脂のレプリカ処理で形成することが可能であり、この場合、硬化後に他の基板として援用できる。

標準的な光学式データ記憶媒体記録／再生装置における本発明の光学式データ記憶媒体の利用は、案内溝が金属反射層近傍にある、標準的な追記型光学式データ記憶媒体の案内溝上でのプッシュプル法によるトラッキングに適しており、記録／再生装置の電子情報を処理するプッシュプル信号にいかなる変調も要さないという点で有利である。プッシュプル信号は十分な値を有する。

図１には本発明の、集光放射ビーム9で記録する光学式データ記憶媒体10の概略断面図が示されている。放射ビームは、波長λが近似的に655nmのレーザービームであって、記録の間、媒体の入射面8に入射する。集光ビームの開口数（NA）は0.65である。媒体は深さgの案内溝を有する基板1を有する。案内溝は基板の、入射面8とは反対の側にある。層状の記録スタック2、3は基板1の案内溝のある側にある。記録スタックは、上記波長での複素屈折率が

であり、溝位置での厚さd_RG=80nm、溝同士間の位置での厚さd_RL=32nmの、レベリングL=0.4に相当するアゾ色素の追記型記録層2を有する。追記型記録層2は基板1に隣接している。追記型記録層2と隣接して、SiO₂で形成される非金属層3が存在する。溝深さg=80nmである。他の基板4がSiO₂層と隣接して存在する。規格化したプッシュプル信号PPの値および変調Mの値はそれぞれ0.96および0.42であり、この値は適正なトラッキングおよび読み出しには十分である。

図2には、本発明の別の実施例である光学式データ記憶媒体20の概略断面図を示す。参照符号1、2、3、4、8および9は図1に記載された項目を表わす。他の記録スタック2’、3’は他の基板4と隣接している。他の記録スタック2’、3’は記録スタック2、3と同じ材料から構成されても良い。

図3には溝深さgに対する、金属Ag反射層および誘電体SiO₂反射層上の色素の規格化したプッシュプル信号PPを比較して示す。溝内の色素厚さは80nm、レベリングL=0.4で、色素の複素屈折率の実数部は2.3、波長λ=655nmおよびNA=0.62である。金属または誘電体の反射層における規格化したプッシュプルPPは実質的に異なっている。より重要なことは、金属反射層を有する単層構造のDVD+Rに用いられる典型的な溝深さの170nmにおいて、色素-オン-誘電体スタックの場合、規格化したプッシュプルはほぼゼロとなり、そのようなディスクのトラッキングは実質上不可能なことである。以降の図4Aないし6Bの記載においては波長λ=655nm、NA=0.65を用いている。

図4Aには、80nmのアゾ色素／110nmのSiO₂スタックの場合のλ=655nmでの溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する規格化したプッシュプルPPを示す。ｇg=125nmを越えると規格化したプッシュプル値PPが低下し、適正なトラッキングに対して不十分になることに留意する必要がある。同じことが、例えば20nmよりも小さな値の場合にも言える。

図4Bは80nmのアゾ色素／110nmのSiO₂スタックの場合の、溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する変調Mを示す。このスタックの場合、好ましい溝深さは80nmである。

図5Aは70nmのアゾ色素／52nmのSiCスタックの場合の、溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する規格化したプッシュプルPPを示す。PP値はおおよそg=180nmまでは許容できるレベルに留まることに留意する必要がある。しかしながら変調Mは、gが小さいところでは低下する傾向にある。従ってPPとMとの間で調整がなされる。

図5Bは70nmのアゾ色素／52nmのSiCスタックの場合の、溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する変調Mを示す。g=125nmを超えると変調の値は減少を示し、適正な読み出しができない程小さくなることに留意する必要がある。好ましい溝深さgはこのスタックの場合、120nmである。

図6Aは100nmのアゾ色素／10nmのa-Siスタックの場合の、溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する規格化したプッシュプルPPを示す図である。

図6Bは100nmのアゾ色素／10nmのa-Siスタックの場合の、溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する変調Mを示す図である。g=125nmを超えると変調の値は減少を示し、適正な読み出しができない程小さくなることに留意する必要がある。好ましい溝深さgはこのスタックの場合、120nmである。

上記の実施例は本発明の制限を示すものではなく、当業者にとっては添付の請求項の範囲を逸脱しないで、多くの代替的実施例が想起されることに留意する必要がある。請求項において、カッコ内のいかなる参照符号も請求項を制限するものとみなしてはならない。「有する」という言葉は、請求項に記載された構成物またはステップ以外の構成物またはステップの存在を否定するものではない。構成物の前の「1つの」という言葉はそのような構成物が複数あることを否定するものではない。ある手段が相互に異なる従属項に繰り返し記載されているという事実だけで、これらの手段を組み合わせて使用することに優位性がないという判断はされない。

本発明による、波長λの集光放射ビームで記録する光学式データ記憶媒体について記載した。ビームは記録の間、媒体の入射面を通って入射する。媒体は、深さgの案内溝を有する基板を少なくとも有する。案内溝は基板の、入射面とは反対の側にある。層状の記録スタックは基板の案内溝のある側に隣接して存在する。スタックは、波長λで複素屈折率は

であり、溝位置での厚さd_RG、溝同士間の位置での厚さd_RLである材料の、追記型記録層を有する。実質的に透明な材料の非金属層は追記型記録層と隣接して存在する。溝深さgはnm単位で、λを用いて(λ/655)*20nm＜g＜(λ/655)*140nmの範囲にある。この範囲では、十分なプッシュプルトラッキング信号および記録マークの十分な変調が可能となる。

本発明の光学式データ記憶媒体概略図である。 ２つの記録スタックを有する本発明の光学式データ記憶媒体の概略図である。 λ=655nmでの溝深さgに対する金属（Ag）反射層および誘電体（SiO₂）反射層上の色素の規格化したプッシュプルを示す図である。 80nmのアゾ色素／110nmのSiO₂スタックの場合のλ=655nmでの溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する規格化したプッシュプルPPを示す図である。 80nmのアゾ色素／110nmのSiO₂スタックの場合のλ=655nmでの溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する変調Mを示す図である。 70nmのアゾ色素／52nmのSiCスタックの場合のλ=655nmでの溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する規格化したプッシュプルPPを示す図である。 70nmのアゾ色素／52nmのSiCスタックの場合のλ=655nmでの溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する変調Mを示す図である。 100nmのアゾ色素／10nmのa-Siスタックの場合のλ=655nmでの溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する規格化したプッシュプルPPを示す図である。 100nmのアゾ色素／10nmのa-Siスタックの場合のλ=655nmでの溝深さgの関数としての3つのレベリング値Lに対する変調Mを示す図である。

Claims (10)

1. 波長λの集光放射ビームで記録する光学式データ記憶媒体であって、ビームは記録の間、前記媒体の入射面を通って入射し、前記媒体は少なくとも：
   深さgの案内溝を有する基板であって、前記案内溝は前記基板の、前記入射面とは反対の側にある基板と、
   前記基板の前記案内溝のある側にある層状の記録スタックと、
   を有し、前記スタックは：
   波長λで複素屈折率は
   

   

   であり、溝位置での厚さd_RG、溝同士間の位置での厚さd_RLである材料の、前記基板と隣接して存在する追記型記録層と、
   前記追記型記録層と隣接して存在する、実質的に透明な材料の非金属層と、
   を有し、溝深さgはnm単位で、λを用いて(λ/655)*20nm＜g＜(λ/655)*140nmの範囲にあることを特徴とする光学式データ記憶媒体。
2. 前記非金属層は主として、透明プラスチック、シリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物およびシリコン炭化物の中から選択された1つの材料を有することを特徴とする請求項1に記載の光学式データ記憶媒体。
3. 波長λは近似的に655nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の光学式データ記憶媒体。
4. g＜125nmであることを特徴とする請求項3に記載の光学式データ記憶媒体。
5. g＞50nmであることを特徴とする請求項3または4に記載の光学式データ記憶媒体。
6. 前記記録層は厚さd_RGが145nm≦d_RG*n_R＜245nmであり、前記非金属層は主としてSiO₂を有し、厚さd_Tが5nm≦d_T≦120nmの範囲にあることを特徴とする請求項3ないし5いずれかに記載の光学式データ記憶媒体。
7. 前記記録層は厚さd_RGが132nm≦d_RG*n_R＜220nmであり、前記非金属層は主としてSiCを有し、厚さd_Tが5nm≦d_T≦60nmの範囲にあることを特徴とする請求項3ないし5いずれかに記載の光学式データ記憶媒体。
8. 前記記録層は厚さd_RGが154nm≦d_RG*n_R＜264nmであり、前記非金属層は主としてアモルファスSiを有し、厚さd_Tが1nm≦d_T≦20nmの範囲にあることを特徴とする請求項3ないし5いずれかに記載の光学式データ記憶媒体。
9. 少なくとも1つの他の記録スタックは、
   gと同じ範囲にある深さg’の案内溝を有する他の基板であって、前記案内溝は前記他の基板の、前記入射面とは反対の側にある他の基板、と隣接して存在し、
   前記他の記録スタックは、
   波長λで複素屈折率は
   

   

   であり、溝位置での厚さd_RG’、溝同士間の位置での厚さd_RL’である材料の、前記基板と隣接して存在する他の追記型記録層と、
   前記他の追記型記録層と隣接して存在する、実質的に透明な材料の他の非金属層と、
   を有することを特徴とする請求項1ないし8いずれかに記載の光学式データ記憶媒体。
10. 案内溝は金属反射層の近傍にある、標準的な追記型光学式データ記憶媒体の案内溝上でのプッシュプル法によるトラッキングに適した、標準的な光学式データ記憶媒体記録／再生装置における、請求項1ないし9いずれかに記載の光学式データ記憶媒体の利用。
    

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