JPH0757298A - 光記録媒体とその製造方法 - Google Patents
光記録媒体とその製造方法Info
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- JPH0757298A JPH0757298A JP5195012A JP19501293A JPH0757298A JP H0757298 A JPH0757298 A JP H0757298A JP 5195012 A JP5195012 A JP 5195012A JP 19501293 A JP19501293 A JP 19501293A JP H0757298 A JPH0757298 A JP H0757298A
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- dielectric film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光記録媒体における第２の誘電体膜と反射膜
との接触面積を増加させることで、繰り返し特性に優れ
た光記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 基板１に、第１の誘電体膜２、レーザを照射
させることにより光学的変化が生じる記録膜３、第２の
誘電体膜４、反射膜５、ＵＶ硬化樹脂層６を順次積層し
てなる光記録媒体において、第２の誘電体膜の表面にド
ライエッチングにより粗さをつけた光記録媒体。
との接触面積を増加させることで、繰り返し特性に優れ
た光記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 基板１に、第１の誘電体膜２、レーザを照射
させることにより光学的変化が生じる記録膜３、第２の
誘電体膜４、反射膜５、ＵＶ硬化樹脂層６を順次積層し
てなる光記録媒体において、第２の誘電体膜の表面にド
ライエッチングにより粗さをつけた光記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録装置などに用い
られる光記録媒体とその製造方法に関する。
られる光記録媒体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報の高記録密度化が進み、レー
ザを用いた光記録媒体は大容量記録が可能であり、また
光ヘッドと光記録媒体がハードディスクドライブとは異
なり非接触であるため、光記録媒体の損傷も少なく信頼
性が高いことから大容量記録媒体として有望視されてい
る。
ザを用いた光記録媒体は大容量記録が可能であり、また
光ヘッドと光記録媒体がハードディスクドライブとは異
なり非接触であるため、光記録媒体の損傷も少なく信頼
性が高いことから大容量記録媒体として有望視されてい
る。
【０００３】高密度記録が可能な光記録媒体には、再生
専用型、一度だけ情報の書き込み可能な追記型、記録・
消去が可能な書換型の３タイプがある。
専用型、一度だけ情報の書き込み可能な追記型、記録・
消去が可能な書換型の３タイプがある。
【０００４】これらの光記録媒体の基本構成は、プラス
チック、ガラスなどからなる円盤状の透明基板とその上
に設けられた積層薄膜よりなる。
チック、ガラスなどからなる円盤状の透明基板とその上
に設けられた積層薄膜よりなる。
【０００５】３タイプの光記録媒体の中で書換型の記録
方式は、レーザの照射により記録膜が加熱され、その加
熱された部分が外部磁界により磁化の向きが反転するこ
とにより記録ビットを形成し記録が行われ、また再生に
は記録膜のカー効果を利用する光磁気記録、光を用いて
異なる吸収スペクトルを持つ２つの状態の可逆変化を利
用した光モード記録、および相変化記録がある。
方式は、レーザの照射により記録膜が加熱され、その加
熱された部分が外部磁界により磁化の向きが反転するこ
とにより記録ビットを形成し記録が行われ、また再生に
は記録膜のカー効果を利用する光磁気記録、光を用いて
異なる吸収スペクトルを持つ２つの状態の可逆変化を利
用した光モード記録、および相変化記録がある。
【０００６】そして、特開平４−２６３１３３号公報
に、基板の上にＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の透明干渉
膜、ＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 の相変化膜、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
の混合物の透明干渉膜、チタン化アルミの反射膜、ＵＶ
硬化樹脂の保護膜を順に積層した情報光記録媒体とその
記録再生方法が開示されている。
に、基板の上にＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物の透明干渉
膜、ＧｅＳｂ2 Ｔｅ4 の相変化膜、ＺｎＳとＳｉＯ2 と
の混合物の透明干渉膜、チタン化アルミの反射膜、ＵＶ
硬化樹脂の保護膜を順に積層した情報光記録媒体とその
記録再生方法が開示されている。
【０００７】相変化記録は、図５に示されるように基板
１に第１の誘電体膜２、記録膜３、第２の誘電体膜４、
反射膜５、ＵＶ硬化樹脂層６を順に積層した構造となっ
ている。
１に第１の誘電体膜２、記録膜３、第２の誘電体膜４、
反射膜５、ＵＶ硬化樹脂層６を順に積層した構造となっ
ている。
【０００８】そして、その記録方法としては、図６に示
すようにレーザ７を媒体の基板側から集光、照射し、レ
ーザ７が記録パワーで光記録媒体８に照射されると、照
射された部分の記録膜が融解して急冷され非晶質にな
る。レーザ７が、消去パワーで光記録媒体８に照射され
ると、結晶化可能な温度まで記録膜が加熱されるので、
記録膜は、結晶状態になる。再生は、記録・消去パワー
よりも低いレーザーパワーをもちいて非晶質、結晶間の
相転移による光学定数の差を利用して行う。
すようにレーザ７を媒体の基板側から集光、照射し、レ
ーザ７が記録パワーで光記録媒体８に照射されると、照
射された部分の記録膜が融解して急冷され非晶質にな
る。レーザ７が、消去パワーで光記録媒体８に照射され
ると、結晶化可能な温度まで記録膜が加熱されるので、
記録膜は、結晶状態になる。再生は、記録・消去パワー
よりも低いレーザーパワーをもちいて非晶質、結晶間の
相転移による光学定数の差を利用して行う。
【０００９】相変化光ディスクは、単一ビームでのオー
バーライトが可能であり、しかも光学系も単純化できる
ことから研究開発が活発に進められている。
バーライトが可能であり、しかも光学系も単純化できる
ことから研究開発が活発に進められている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相変化
光ディスクは、レーザ７をディスクに照射させ、発生す
る熱により記録膜に非晶質状態、結晶状態を形成するこ
とで情報の記録、消去をおこなうことから、情報の書換
回数を増加させると基板上に積層された各薄膜層に熱ス
トレスがたまり、その結果、各薄膜層の界面に剥離、亀
裂が生じ光記録媒体８の繰り返し特性が劣化するといっ
た問題がある。
光ディスクは、レーザ７をディスクに照射させ、発生す
る熱により記録膜に非晶質状態、結晶状態を形成するこ
とで情報の記録、消去をおこなうことから、情報の書換
回数を増加させると基板上に積層された各薄膜層に熱ス
トレスがたまり、その結果、各薄膜層の界面に剥離、亀
裂が生じ光記録媒体８の繰り返し特性が劣化するといっ
た問題がある。
【００１１】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、レーザ照射による熱の拡散を促進し、熱による光
記録媒体の各薄膜層の劣化を抑え、繰り返し特性に優れ
た光記録媒体を提供することを目的とする。
ので、レーザ照射による熱の拡散を促進し、熱による光
記録媒体の各薄膜層の劣化を抑え、繰り返し特性に優れ
た光記録媒体を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光記録媒体とその製造方法は、基板表面に
第１の誘電体膜、記録膜、第２の誘電体膜、反射膜、Ｕ
Ｖ硬化樹脂層を順次積層してなる光記録媒体において、
第２の誘電体膜の表面にドライエッチングをおこない好
ましくは５０Å以上の粗さをつける構成としたものであ
る。
め、本発明の光記録媒体とその製造方法は、基板表面に
第１の誘電体膜、記録膜、第２の誘電体膜、反射膜、Ｕ
Ｖ硬化樹脂層を順次積層してなる光記録媒体において、
第２の誘電体膜の表面にドライエッチングをおこない好
ましくは５０Å以上の粗さをつける構成としたものであ
る。
【００１３】
【作用】上記構成により、基板に第１の誘電体膜、記録
膜、第２の誘電体膜を順次積層させ、第２の誘電体膜を
成膜した後、ドライエッチングにより第２の誘電体膜の
表面に粗さ、好ましくは５０Å以上の粗さをつけること
で第２の誘電体膜の表面に突起を形成し、その上に反射
膜を成膜することで第２の誘電体膜と反射膜の接触面積
を増加させる。第２の誘電体膜と反射膜との接触面積が
増加することにより、レーザ照射により生じた熱が、効
率よく反射膜に伝達され、従来熱ストレスにより生じて
いた各薄膜層の変形、亀裂が抑制され、光記録媒体の繰
り返し特性を向上させることができる。
膜、第２の誘電体膜を順次積層させ、第２の誘電体膜を
成膜した後、ドライエッチングにより第２の誘電体膜の
表面に粗さ、好ましくは５０Å以上の粗さをつけること
で第２の誘電体膜の表面に突起を形成し、その上に反射
膜を成膜することで第２の誘電体膜と反射膜の接触面積
を増加させる。第２の誘電体膜と反射膜との接触面積が
増加することにより、レーザ照射により生じた熱が、効
率よく反射膜に伝達され、従来熱ストレスにより生じて
いた各薄膜層の変形、亀裂が抑制され、光記録媒体の繰
り返し特性を向上させることができる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の一実施例の光記録媒体とそ
の製造方法について図面を参照して説明する。
の製造方法について図面を参照して説明する。
【００１５】光記録媒体の基板としては、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂またはガラスなどが
用いられる。
ート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂またはガラスなどが
用いられる。
【００１６】光記録媒体の作製方法は、図１において基
板１に第１の誘電体膜２を成膜し、次にレーザの照射に
より光学的変化が生じる記録膜３を成膜する。この記録
膜３の上に第２の誘電体膜４を積層させる。第２の誘電
体膜４を積層させた後、ドライエッチングにより第２の
誘電体膜４の表面に５０Å以上の粗さをつける。これに
より第２の誘電体膜４の表面に突起４ａが形成される。
この後、反射膜５を第２誘電体膜４の上に成膜し、さら
に反射膜５の上にＵＶ硬化樹脂層６をスピンコートによ
り塗着させる。
板１に第１の誘電体膜２を成膜し、次にレーザの照射に
より光学的変化が生じる記録膜３を成膜する。この記録
膜３の上に第２の誘電体膜４を積層させる。第２の誘電
体膜４を積層させた後、ドライエッチングにより第２の
誘電体膜４の表面に５０Å以上の粗さをつける。これに
より第２の誘電体膜４の表面に突起４ａが形成される。
この後、反射膜５を第２誘電体膜４の上に成膜し、さら
に反射膜５の上にＵＶ硬化樹脂層６をスピンコートによ
り塗着させる。
【００１７】第１、第２の誘電体膜２，４の材料として
は、窒化アルミ、ＧｅＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、アルミ
ナ、ＺｒＯ2 、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＣｅＯ
2 、ＴｉＯ2 などがある。なお、誘電体膜２、４は記録
膜３の両側に設けることが好ましいが、いずれか一方で
も良い。
は、窒化アルミ、ＧｅＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、アルミ
ナ、ＺｒＯ2 、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＣｅＯ
2 、ＴｉＯ2 などがある。なお、誘電体膜２、４は記録
膜３の両側に設けることが好ましいが、いずれか一方で
も良い。
【００１８】記録膜３の材料としては、結晶と非晶質と
の間でレーザ照射による熱で可逆的に相変化する材料が
選ばれ、このような材料としてＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔ
ｅ、Ｓｅ−Ａｓ、Ｉｎ−Ｓｂなどがある。
の間でレーザ照射による熱で可逆的に相変化する材料が
選ばれ、このような材料としてＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔ
ｅ、Ｓｅ−Ａｓ、Ｉｎ−Ｓｂなどがある。
【００１９】反射膜５の材料としては、Ａｕ、アルミニ
ウム、Ｃｕ、クロム化アルミ、窒化アルミなどの金属材
料や反射率の大きな多層膜を使うことができる。
ウム、Ｃｕ、クロム化アルミ、窒化アルミなどの金属材
料や反射率の大きな多層膜を使うことができる。
【００２０】上記薄膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着
法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、スパッタリング法などによって形成できる。
法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、スパッタリング法などによって形成できる。
【００２１】薄膜の成膜は、Ａｒガスによるスパッタリ
ング法が適するが、材料によっては（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガ
ス、（Ａｒ＋Ｈ2 ）ガス、Ｎ2 ガス、Ｈ2 ガスによるス
パッタリングが適する。
ング法が適するが、材料によっては（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガ
ス、（Ａｒ＋Ｈ2 ）ガス、Ｎ2 ガス、Ｈ2 ガスによるス
パッタリングが適する。
【００２２】ディスクに記録膜３などを成膜した後にオ
ーバーコートとしてＵＶ硬化樹脂層６を使用する。ＵＶ
硬化樹脂層６は、スピンコータによって積層した薄膜の
上に被着される。
ーバーコートとしてＵＶ硬化樹脂層６を使用する。ＵＶ
硬化樹脂層６は、スピンコータによって積層した薄膜の
上に被着される。
【００２３】基板１に薄膜を成膜し、ＵＶ硬化樹脂層６
を被着した後、薄膜を内側に対向するように張り合わせ
を行う。光記録媒体の張り合わせを行う際に用いる接着
剤としては、ホットメルトタイプがよく知られている。
を被着した後、薄膜を内側に対向するように張り合わせ
を行う。光記録媒体の張り合わせを行う際に用いる接着
剤としては、ホットメルトタイプがよく知られている。
【００２４】このような製造工程を経て、光記録媒体が
作製される。なお、張り合わせを行った光記録媒体の表
面上に潤滑剤または帯電防止剤を塗布してもかまわな
い。
作製される。なお、張り合わせを行った光記録媒体の表
面上に潤滑剤または帯電防止剤を塗布してもかまわな
い。
【００２５】本実施例の光記録媒体は、図１に示すよう
にガラス基板１の上に第１の誘電体膜２としてＺｎＳ・
ＳｉＯ2 、記録膜３としてＧｅＳｂＴｅ、第２の誘電体
膜４としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 、反射膜５としてクロム化
アルミ、さらに反射膜５の上にＵＶ硬化樹脂層６を塗着
した構造となっている。
にガラス基板１の上に第１の誘電体膜２としてＺｎＳ・
ＳｉＯ2 、記録膜３としてＧｅＳｂＴｅ、第２の誘電体
膜４としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 、反射膜５としてクロム化
アルミ、さらに反射膜５の上にＵＶ硬化樹脂層６を塗着
した構造となっている。
【００２６】次に、光記録媒体の製造方法について具体
的に説明する。まず直径８６ｍｍのガラス基板１を真空
スパッタ装置内に設置し、チャンバー内を高真空にす
る。次にチャンバー内にＡｒガスを導入し、ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2 ターゲットをスパッタリングしてガラス基板１に
第１の誘電体膜２を２００ｎｍ形成する。次に、記録層
３としてＧｅＳｂＴｅを２０ｎｍ形成し、その上に第２
の誘電体膜４としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を４０ｎｍ成膜す
る。第２の誘電体膜４を成膜した後、ＲＦマグネトロン
スパッタ装置に負のマイナス電圧を印加し、図２に示す
ように第２の誘電体膜４の表面に５０Å以上の粗さをつ
ける。これにより第２誘電体膜４の表面に突起４ａが形
成される。この第２の誘電体膜４の上に反射膜５として
クロム化アルミを１５０ｎｍ成膜する。このようにスパ
ッタ装置によりガラス基板１上に薄膜を成膜した後、ス
ピンコータにより反射膜５の上にＵＶ硬化樹脂層６を被
着する。なお、その表面に潤滑剤、帯電防止剤を塗布し
てもかまわない。
的に説明する。まず直径８６ｍｍのガラス基板１を真空
スパッタ装置内に設置し、チャンバー内を高真空にす
る。次にチャンバー内にＡｒガスを導入し、ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2 ターゲットをスパッタリングしてガラス基板１に
第１の誘電体膜２を２００ｎｍ形成する。次に、記録層
３としてＧｅＳｂＴｅを２０ｎｍ形成し、その上に第２
の誘電体膜４としてＺｎＳ・ＳｉＯ2 を４０ｎｍ成膜す
る。第２の誘電体膜４を成膜した後、ＲＦマグネトロン
スパッタ装置に負のマイナス電圧を印加し、図２に示す
ように第２の誘電体膜４の表面に５０Å以上の粗さをつ
ける。これにより第２誘電体膜４の表面に突起４ａが形
成される。この第２の誘電体膜４の上に反射膜５として
クロム化アルミを１５０ｎｍ成膜する。このようにスパ
ッタ装置によりガラス基板１上に薄膜を成膜した後、ス
ピンコータにより反射膜５の上にＵＶ硬化樹脂層６を被
着する。なお、その表面に潤滑剤、帯電防止剤を塗布し
てもかまわない。
【００２７】次に、このように作製した光記録媒体に対
する評価結果を以下に説明する。評価には、図５に示す
ような従来の光記録媒体と本実施例による光記録媒体、
すなわち第２の誘電体膜４の表面粗さが、２５Å、５０
Å、７５Å、１００Åである光記録媒体とを用いた。
する評価結果を以下に説明する。評価には、図５に示す
ような従来の光記録媒体と本実施例による光記録媒体、
すなわち第２の誘電体膜４の表面粗さが、２５Å、５０
Å、７５Å、１００Åである光記録媒体とを用いた。
【００２８】なお、いずれの光記録媒体においても、第
１の誘電体膜２であるＺｎＳ・ＳｉＯ2 の膜厚は、２０
０ｎｍ、記録膜３であるＧｅＳｂＴｅの膜厚は、２０ｎ
ｍ、第２の誘電体膜４であるＺｎＳ・ＳｉＯ2 の膜厚
は、４０ｎｍ、反射膜５であるクロム化アルミの膜厚
は、１５０ｎｍになるように積層させた。
１の誘電体膜２であるＺｎＳ・ＳｉＯ2 の膜厚は、２０
０ｎｍ、記録膜３であるＧｅＳｂＴｅの膜厚は、２０ｎ
ｍ、第２の誘電体膜４であるＺｎＳ・ＳｉＯ2 の膜厚
は、４０ｎｍ、反射膜５であるクロム化アルミの膜厚
は、１５０ｎｍになるように積層させた。
【００２９】上記光記録媒体に対し、図６に示すように
半導体レーザ７を照射して記録／消去を繰り返し、光記
録媒体のエラービット数、Ｃ／Ｎを測定した。その結果
を図３、図４に示す。
半導体レーザ７を照射して記録／消去を繰り返し、光記
録媒体のエラービット数、Ｃ／Ｎを測定した。その結果
を図３、図４に示す。
【００３０】図３、図４に示すように第２の誘電体膜４
の表面粗さを粗くしていくとエラービット数が減少し、
またＣ／Ｎが改善される。これは、第２の誘電体膜４の
表面粗さが粗くなるにつれ、第２の誘電体膜４と反射膜
５の接触面積が増加していき、その結果、レーザ照射に
より発生する熱を効率よく反射膜５に伝達できるので熱
ストレスが生じにくくなり、各薄膜層の変形、および亀
裂の発生が抑制され、繰り返し特性が改善される。な
お、第２の誘電体膜４の表面粗さは、粗いほど特性改善
の効果があり、特に５０Å以上が好ましい。
の表面粗さを粗くしていくとエラービット数が減少し、
またＣ／Ｎが改善される。これは、第２の誘電体膜４の
表面粗さが粗くなるにつれ、第２の誘電体膜４と反射膜
５の接触面積が増加していき、その結果、レーザ照射に
より発生する熱を効率よく反射膜５に伝達できるので熱
ストレスが生じにくくなり、各薄膜層の変形、および亀
裂の発生が抑制され、繰り返し特性が改善される。な
お、第２の誘電体膜４の表面粗さは、粗いほど特性改善
の効果があり、特に５０Å以上が好ましい。
【００３１】以上のように、本発明の実施例のように第
２の誘電体膜４の表面にドライエッチングにより粗さを
つけることにより、第２の誘電体膜４と反射膜５との接
触面積を増加させ、レーザによる熱を効率よく反射膜に
伝達し、その結果、各薄膜層に生じる熱ストレスを緩和
させ、各薄膜層の変形、および亀裂の発生が抑制され、
繰り返し特性が改善される。
２の誘電体膜４の表面にドライエッチングにより粗さを
つけることにより、第２の誘電体膜４と反射膜５との接
触面積を増加させ、レーザによる熱を効率よく反射膜に
伝達し、その結果、各薄膜層に生じる熱ストレスを緩和
させ、各薄膜層の変形、および亀裂の発生が抑制され、
繰り返し特性が改善される。
【００３２】なお、本実施例においては、第２の誘電体
膜４と反射膜５において接触面積の増加を図ったが、他
の層の界面においても同様に適用することができる。
膜４と反射膜５において接触面積の増加を図ったが、他
の層の界面においても同様に適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明により明かなように本発明の
光記録媒体によれば、基板に第１の誘電体膜、記録膜、
第２の誘電体膜、反射膜、ＵＶ硬化樹脂層を順次積層し
た構造を持つ光記録媒体において、第２の誘電体膜の表
面をドライエッチングにより粗さをつけることにより、
第２の誘電体膜と反射膜の接触面積が増加し、レーザ照
射により発生する熱を反射膜に伝達する効率が良くな
り、熱ストレスにより発生する各薄膜層の変形、および
亀裂を抑制することができることから、繰り返し特性を
改善した光記録媒体を提供することができる。
光記録媒体によれば、基板に第１の誘電体膜、記録膜、
第２の誘電体膜、反射膜、ＵＶ硬化樹脂層を順次積層し
た構造を持つ光記録媒体において、第２の誘電体膜の表
面をドライエッチングにより粗さをつけることにより、
第２の誘電体膜と反射膜の接触面積が増加し、レーザ照
射により発生する熱を反射膜に伝達する効率が良くな
り、熱ストレスにより発生する各薄膜層の変形、および
亀裂を抑制することができることから、繰り返し特性を
改善した光記録媒体を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例の光記録媒体の断面図
【図２】同第２の誘電体膜と反射膜との界面を拡大して
示す断面図
示す断面図
【図３】従来の光記録媒体、および本発明の一実施例に
よる光記録媒体の記録／消去の繰り返し回数に対する第
２の誘電体膜の表面粗さとエラービット数の関係を示す
グラフ
よる光記録媒体の記録／消去の繰り返し回数に対する第
２の誘電体膜の表面粗さとエラービット数の関係を示す
グラフ
【図４】従来の光記録媒体、および本発明の一実施例に
より作製した光記録媒体の記録／消去の繰り返し回数に
対する第２の誘電体膜の表面粗さとＣ／Ｎの関係を示す
グラフ
より作製した光記録媒体の記録／消去の繰り返し回数に
対する第２の誘電体膜の表面粗さとＣ／Ｎの関係を示す
グラフ
【図５】従来の光記録媒体の断面図
【図６】光記録媒体の記録方式を示す断面略図
１ 基板 ２ 第１の誘電体膜 ３ 記録膜 ４ 第２の誘電体膜 ４ａ 突起 ５ 反射膜 ６ ＵＶ硬化樹脂層 ７ レーザ ８ 光記録媒体
Claims (3)
- 【請求項１】基板に第１の誘電体膜、レーザを照射する
ことにより光学的変化が生じる記録膜、第２の誘電体
膜、反射膜、ＵＶ硬化樹脂層を順次積層した光記録媒体
であって、前記第２の誘電体膜は表面が粗さを有するこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】第２の誘電体膜の表面の粗さが５０Å以上
である請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】基板に第１の誘電体膜、レーザを照射する
ことにより光学的変化を生じる記録膜、第２の誘電体
膜、反射膜、ＵＶ硬化樹脂層を順次積層する工程を有
し、前記第２の誘電体膜の表面にはドライエッチング法
により粗さをつけることを特徴とする光記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19501293A JP3236977B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19501293A JP3236977B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757298A true JPH0757298A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3236977B2 JP3236977B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=16334069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19501293A Expired - Fee Related JP3236977B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3236977B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990058971A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-26 | 구자홍 | 고밀도 상변화형 광디스크 |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19501293A patent/JP3236977B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990058971A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-26 | 구자홍 | 고밀도 상변화형 광디스크 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3236977B2 (ja) | 2001-12-10 |
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