JP2000298877A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】媒体表面を平滑化した層構成を有する光情報記
録媒体を提供すること。 【解決手段】図１に示す光情報記録媒体は、ポリカーボ
ネート基板１０１、Ａｇ薄膜（金属層）１０３、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護層）１０４、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ薄膜（記録層）１０５、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の
保護層）１０６、ＳｉＮ薄膜（第二の保護層）１０７か
ら構成される。
録媒体を提供すること。 【解決手段】図１に示す光情報記録媒体は、ポリカーボ
ネート基板１０１、Ａｇ薄膜（金属層）１０３、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護層）１０４、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ薄膜（記録層）１０５、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の
保護層）１０６、ＳｉＮ薄膜（第二の保護層）１０７か
ら構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、詳細には、光照射により情報の記録、消去、およ
び再生を行い、高密度記録が可能な光情報記録媒体に関
する。
関し、詳細には、光照射により情報の記録、消去、およ
び再生を行い、高密度記録が可能な光情報記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な光情報記録媒体の一つに
相変化型光ディスクがある。かかる相変化型光ディスク
は、記録層として、光照射により非晶質−結晶間の可逆
的な相変化が生じる材料を用い、簡単な光学系で記録・
消去ができるとともに、既に記録された情報を消去しな
がら新たな情報を記録することが容易にできるという優
れた特徴を有している。
相変化型光ディスクがある。かかる相変化型光ディスク
は、記録層として、光照射により非晶質−結晶間の可逆
的な相変化が生じる材料を用い、簡単な光学系で記録・
消去ができるとともに、既に記録された情報を消去しな
がら新たな情報を記録することが容易にできるという優
れた特徴を有している。
【０００３】一般的に、書換え可能な相変化型光ディス
クでは、記録層における非晶質状態を記録状態とし、結
晶状態を消去状態としている。すなわち、情報の記録
は、記録レベルのレーザ光を照射し融点以上に加熱した
後に急冷することで、情報を示す信号に応じた非晶質の
記録マークを形成し、消去は、消去レベルのレーザ光を
照射し結晶化温度まで昇温した後に徐冷することで、非
晶質の記録マークを結晶化する。そして、記録された信
号の再生は、非晶質部分と結晶部分とでの反射率の違い
や反射光の位相の違いを利用して、ディスクからの反射
光量の変化を検出する。
クでは、記録層における非晶質状態を記録状態とし、結
晶状態を消去状態としている。すなわち、情報の記録
は、記録レベルのレーザ光を照射し融点以上に加熱した
後に急冷することで、情報を示す信号に応じた非晶質の
記録マークを形成し、消去は、消去レベルのレーザ光を
照射し結晶化温度まで昇温した後に徐冷することで、非
晶質の記録マークを結晶化する。そして、記録された信
号の再生は、非晶質部分と結晶部分とでの反射率の違い
や反射光の位相の違いを利用して、ディスクからの反射
光量の変化を検出する。
【０００４】このような相変化型光ディスクは、一般
に、基板の上に、第一の保護層、記録層、第二保護層、
および反射層が順次形成された四層構造となっている。
ここで、反射層は、光ディスクの反射率を高くするとい
う機能と、記録層で発生した熱を外部に拡散する機能を
有する。かかる機能により、高い反射率によって再生光
のＣ／Ｎ比（搬送波対雑音比）が良好になり、また、高
い熱伝導率によって急冷状態を形成して、非晶質の記録
マーク形成が良好に行われるとともに、消去特性や繰り
返し特性が向上する。
に、基板の上に、第一の保護層、記録層、第二保護層、
および反射層が順次形成された四層構造となっている。
ここで、反射層は、光ディスクの反射率を高くするとい
う機能と、記録層で発生した熱を外部に拡散する機能を
有する。かかる機能により、高い反射率によって再生光
のＣ／Ｎ比（搬送波対雑音比）が良好になり、また、高
い熱伝導率によって急冷状態を形成して、非晶質の記録
マーク形成が良好に行われるとともに、消去特性や繰り
返し特性が向上する。
【０００５】反射層の材料としては、例えば、特開平４
−３４９２４２号公報（光記録媒体）や特公平７−１９
３９６号公報（情報記録媒体）に開示されているよう
に、主に、ＡｌやＡｌ合金（例えばＡｌ−Ｔｉ合金、Ａ
ｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金等）な
どが使用されている。反射層の膜厚としては、透過光が
なく完全に入射光を反射させるために５０ｎｍ以上とし
た構成が一般的である。
−３４９２４２号公報（光記録媒体）や特公平７−１９
３９６号公報（情報記録媒体）に開示されているよう
に、主に、ＡｌやＡｌ合金（例えばＡｌ−Ｔｉ合金、Ａ
ｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金等）な
どが使用されている。反射層の膜厚としては、透過光が
なく完全に入射光を反射させるために５０ｎｍ以上とし
た構成が一般的である。
【０００６】また、記録容量の高密度化に対して、単位
面積あたりの情報密度を高くするためには、ビームスポ
ット径を縮小し記録マーク長を縮めて線密度を高くする
方法がある。
面積あたりの情報密度を高くするためには、ビームスポ
ット径を縮小し記録マーク長を縮めて線密度を高くする
方法がある。
【０００７】かかる方法については、光源の短波長化や
近接場光の利用等、多くの技術検討がなされているが、
これらを導入するためには様々な技術的課題を解決する
必要がある。例えば、近接場光を利用した記録再生の場
合は、基板の厚みが影響する。このため、レーザービー
ムは基板を通さずに膜面に対して直接照射し、記録再生
することになる（以下の説明では、このような媒体構成
を 「表面記録型媒体」と記載する）。このような光学
系に対応する表面記録型媒体は、現在研究段階にあり、
記録層の上下を保護層で挟んだだけの単純な層構成が一
般的に用いられている。
近接場光の利用等、多くの技術検討がなされているが、
これらを導入するためには様々な技術的課題を解決する
必要がある。例えば、近接場光を利用した記録再生の場
合は、基板の厚みが影響する。このため、レーザービー
ムは基板を通さずに膜面に対して直接照射し、記録再生
することになる（以下の説明では、このような媒体構成
を 「表面記録型媒体」と記載する）。このような光学
系に対応する表面記録型媒体は、現在研究段階にあり、
記録層の上下を保護層で挟んだだけの単純な層構成が一
般的に用いられている。
【０００８】表面記録型媒体においても、急冷状態を実
現するには金属層を設ける必要がある。この場合は、従
来の光ディスクとは層構成が逆転し、反射層が基板側に
配置される。一般に薄膜を積層する場合は、下地層の表
面状態が上層に反映される。従来の光ディスクでは、Ａ
ｌおよびＡｌ合金などのＡｌ系薄膜が、耐環境性やコス
トの点で有利であることから反射層として一般的に採用
されている。
現するには金属層を設ける必要がある。この場合は、従
来の光ディスクとは層構成が逆転し、反射層が基板側に
配置される。一般に薄膜を積層する場合は、下地層の表
面状態が上層に反映される。従来の光ディスクでは、Ａ
ｌおよびＡｌ合金などのＡｌ系薄膜が、耐環境性やコス
トの点で有利であることから反射層として一般的に採用
されている。
【０００９】Ａｌ系材料は成膜雰囲気や下地基板の状態
に敏感であり、核成長しやすい材料である。光ディスク
用基板としては、加工の容易性，コストの点でポリカー
ボネートが一般に用いられる。
に敏感であり、核成長しやすい材料である。光ディスク
用基板としては、加工の容易性，コストの点でポリカー
ボネートが一般に用いられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このポ
リカーボネートは吸湿性が高く，その上に成膜したＡｌ
系薄膜は，基板（ポリカーボネート）からのガス放出の
影響を受け核成長し易くなる。そして、Ａｌ系薄膜の凹
凸が上層の記録層及び誘電体層に反映され、表面性が低
下するという問題がある。とりわけ、上述した近接場記
録の場合には、光の出射端部と媒体を数十ｎｍの間隔に
近接させる必要があり、媒体表面を平滑にすることが安
定な記録再生には重要である。
リカーボネートは吸湿性が高く，その上に成膜したＡｌ
系薄膜は，基板（ポリカーボネート）からのガス放出の
影響を受け核成長し易くなる。そして、Ａｌ系薄膜の凹
凸が上層の記録層及び誘電体層に反映され、表面性が低
下するという問題がある。とりわけ、上述した近接場記
録の場合には、光の出射端部と媒体を数十ｎｍの間隔に
近接させる必要があり、媒体表面を平滑にすることが安
定な記録再生には重要である。
【００１１】上記に鑑み、本発明の第１の目的は、媒体
表面を平滑化した層構成を有する光情報記録媒体を提供
することにある。
表面を平滑化した層構成を有する光情報記録媒体を提供
することにある。
【００１２】また、上記に鑑み、本発明の第２の目的
は、媒体表面を平滑化し、かつ耐環境性・耐久性を向上
させた光情報記録媒体を提供することにある。
は、媒体表面を平滑化し、かつ耐環境性・耐久性を向上
させた光情報記録媒体を提供することにある。
【００１３】また、上記に鑑み、本発明の第３の目的
は、基板を介して記録情報を再生する媒体と互換性を有
する光情報記録媒体を提供することにある。
は、基板を介して記録情報を再生する媒体と互換性を有
する光情報記録媒体を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の光情報記録媒体は、基板と記録層
との層間に金属層を有する光情報記録媒体において、前
記金属層は、Ｔｉ、Ｇｅ，Ｖ，Ｔｅ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｚ
ｎ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｍ
ｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ， Ｉ
ｒ， Ｏｓ群から選ばれる少なくとも一種類の元素を含
有するものである。
に、請求項１に記載の光情報記録媒体は、基板と記録層
との層間に金属層を有する光情報記録媒体において、前
記金属層は、Ｔｉ、Ｇｅ，Ｖ，Ｔｅ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｚ
ｎ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｍ
ｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ， Ｉ
ｒ， Ｏｓ群から選ばれる少なくとも一種類の元素を含
有するものである。
【００１５】また、請求項２に記載の光情報記録媒体
は、基板と記録層との層間に金属層を有する光情報記録
媒体において、前記金属層は、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｚ
ｒ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃ
ｕ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，
Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選ばれる少なくとも一種類の元
素を含有する薄膜で構成される２層以上の積層構成を有
し、前記基板に接する金属層は、少なくともＴｉを含有
するものである。
は、基板と記録層との層間に金属層を有する光情報記録
媒体において、前記金属層は、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｚ
ｒ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃ
ｕ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，
Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選ばれる少なくとも一種類の元
素を含有する薄膜で構成される２層以上の積層構成を有
し、前記基板に接する金属層は、少なくともＴｉを含有
するものである。
【００１６】また、請求項３に記載の光情報記録媒体
は、基板と記録層との層間に金属層を有する光情報記録
媒体において、前記金属層は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選ばれる少なく
とも一種類の元素を含有し、当該金属層の膜厚を５０ｎ
ｍ以下としたものである。
は、基板と記録層との層間に金属層を有する光情報記録
媒体において、前記金属層は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選ばれる少なく
とも一種類の元素を含有し、当該金属層の膜厚を５０ｎ
ｍ以下としたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、この
発明に係る光情報記録媒体の好適な実施の形態を詳細に
説明する。
発明に係る光情報記録媒体の好適な実施の形態を詳細に
説明する。
【００１８】本発明の光情報記録媒体は表面記録型媒体
であり、相変化材料を記録層とした書き換え可能型の記
録再生媒体にも対応でき、例えば、有機系材料を記録層
とした追記型の記録再生媒体やＲＯＭ等に対応できる。
以下では、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等の相変化記録材料を記録
層とした書き換え可能型媒体を例に挙げて説明する。
であり、相変化材料を記録層とした書き換え可能型の記
録再生媒体にも対応でき、例えば、有機系材料を記録層
とした追記型の記録再生媒体やＲＯＭ等に対応できる。
以下では、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等の相変化記録材料を記録
層とした書き換え可能型媒体を例に挙げて説明する。
【００１９】本発明に係る光情報記録媒体を、（基本構
造）、（実施例１）、（実施例２）、（実施例３）の順
に説明する。
造）、（実施例１）、（実施例２）、（実施例３）の順
に説明する。
【００２０】（基本構造）本発明の光情報記録媒体の基
本的な層構成は，基板と、記録層と、および基板と記録
層間に設けられた金属層とからなる。さらに必要に応じ
て，金属層と記録層の層間に第一の保護層、記録層上に
第二の保護層を設ける。
本的な層構成は，基板と、記録層と、および基板と記録
層間に設けられた金属層とからなる。さらに必要に応じ
て，金属層と記録層の層間に第一の保護層、記録層上に
第二の保護層を設ける。
【００２１】上記基板としては、例えば、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリオフィン、エポキシ樹脂、ビ
ニルエステル、紫外線硬化樹脂等の樹脂系材料、Ａｌ−
Ｍｇ等のアルミニウム合金材料，アモルファスカーボン
等のカーボン系材料，リチウムシリケート系ガラス，ア
ルミノシリケート系ガラス，ソーダライム系ガラス，石
英等のガラス系材料を使用できる。
ート、アクリル樹脂、ポリオフィン、エポキシ樹脂、ビ
ニルエステル、紫外線硬化樹脂等の樹脂系材料、Ａｌ−
Ｍｇ等のアルミニウム合金材料，アモルファスカーボン
等のカーボン系材料，リチウムシリケート系ガラス，ア
ルミノシリケート系ガラス，ソーダライム系ガラス，石
英等のガラス系材料を使用できる。
【００２２】上記基板上には金属層を形成する。金属層
としては、高密度金属材料を使用する。具体的には、金
属層としては、例えば、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｖ、Ｔｅ、Ｚｒ、
Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｂ
ｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、
Ｉｒ、Ｏｓの元素を単体で、またはこれらの元素の複数
で構成される化合物を使用することができる。かかる金
属層は、単層でも良く、また、複数層の積層構造として
も良い。
としては、高密度金属材料を使用する。具体的には、金
属層としては、例えば、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｖ、Ｔｅ、Ｚｒ、
Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｂ
ｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、
Ｉｒ、Ｏｓの元素を単体で、またはこれらの元素の複数
で構成される化合物を使用することができる。かかる金
属層は、単層でも良く、また、複数層の積層構造として
も良い。
【００２３】上記金属層上には第一の保護層を形成す
る。保護層としては、例えば、ＳｉＯ 2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＺｎＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｓｍ
Ｓ、ＳｒＳ、ＣａＳなどの硫化物、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、
ＢａＦ2、ＳｒＦ2などのフッ化物、ＢＮ、ＳｉＮなどの
チッ化物、ＳｉＣ、ＤＬＣなどの炭化物を単体または混
合物として使用することができる。かかる第一の保護層
は、単層でも良く、また、複数層の積層構造としても良
い。
る。保護層としては、例えば、ＳｉＯ 2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＺｎＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｓｍ
Ｓ、ＳｒＳ、ＣａＳなどの硫化物、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、
ＢａＦ2、ＳｒＦ2などのフッ化物、ＢＮ、ＳｉＮなどの
チッ化物、ＳｉＣ、ＤＬＣなどの炭化物を単体または混
合物として使用することができる。かかる第一の保護層
は、単層でも良く、また、複数層の積層構造としても良
い。
【００２４】上記第一の保護層上には記録層を形成す
る。記録層の材料としては、例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
に代表される４元系の相変化材料や、ＧｅＳｂＴｅに代
表される３元系の相変化材料などを使用できる。また、
上記記録層上には第二の保護層を形成する。第二の保護
層の材料・構成は、第一の保護層と同じものを使用でき
る。
る。記録層の材料としては、例えば、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
に代表される４元系の相変化材料や、ＧｅＳｂＴｅに代
表される３元系の相変化材料などを使用できる。また、
上記記録層上には第二の保護層を形成する。第二の保護
層の材料・構成は、第一の保護層と同じものを使用でき
る。
【００２５】つぎに、上記基本構造を有する光情報記録
媒体の具体的な実施例について、（実施例１）、（実施
例２）、（実施例３）の順に説明する。
媒体の具体的な実施例について、（実施例１）、（実施
例２）、（実施例３）の順に説明する。
【００２６】（実施例１）図１〜図４を参照して実施例
１を説明する。図１は、従来の金属層にＡｌＴｉを用い
た表面記録型媒体の層構成を示す。同図において、１０
１はポリカーボネート基板、１０２はＡｌＴｉ薄膜（金
属層）、１０４はＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護
層）、１０５はＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（記録層）、１０
６はＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の保護層）、１０７はＳｉ
Ｎ薄膜（第二の保護層）を示す。
１を説明する。図１は、従来の金属層にＡｌＴｉを用い
た表面記録型媒体の層構成を示す。同図において、１０
１はポリカーボネート基板、１０２はＡｌＴｉ薄膜（金
属層）、１０４はＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護
層）、１０５はＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（記録層）、１０
６はＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の保護層）、１０７はＳｉ
Ｎ薄膜（第二の保護層）を示す。
【００２７】同図に示す表面記録型媒体の形成工程を説
明する。まず、ポリカーボネート基板（１０１）上に、
ＤＣマグネットロンスパッタ法により、金属層として１
２０ｎｍの膜厚でＡｌＴｉ薄膜（１０２）を成膜する。
次に、ＡｌＴｉ薄膜（１０２）上に、第一の保護層とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（１０４）を、ＲＦスパッタ法
を用いて２０ｎｍの膜厚で成膜する。続いて、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2薄膜（１０４）上に、ＤＣマグネットロンスパ
ッタ法により、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（１
０５）を膜厚１５ｎｍで成膜する。さらに、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ薄膜（１０５）上に、第二の保護層として、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（１０６）及びＳｉＮ薄膜（１０７）をＲ
Ｆスパッタ法により膜厚１０ｎｍ及び２０ｎｍの積層構
成で形成する。
明する。まず、ポリカーボネート基板（１０１）上に、
ＤＣマグネットロンスパッタ法により、金属層として１
２０ｎｍの膜厚でＡｌＴｉ薄膜（１０２）を成膜する。
次に、ＡｌＴｉ薄膜（１０２）上に、第一の保護層とし
てＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（１０４）を、ＲＦスパッタ法
を用いて２０ｎｍの膜厚で成膜する。続いて、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2薄膜（１０４）上に、ＤＣマグネットロンスパ
ッタ法により、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（１
０５）を膜厚１５ｎｍで成膜する。さらに、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ薄膜（１０５）上に、第二の保護層として、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（１０６）及びＳｉＮ薄膜（１０７）をＲ
Ｆスパッタ法により膜厚１０ｎｍ及び２０ｎｍの積層構
成で形成する。
【００２８】図２は、本発明の実施例１の表面記録型媒
体の層構成を示し、金属層にＡｇ薄膜を用いた層構造を
示す。同図において、１０３はＡｇ薄膜（金属層）を示
す。図２に示す層構造は、金属層以外は、図１に示した
層構造と同様である。
体の層構成を示し、金属層にＡｇ薄膜を用いた層構造を
示す。同図において、１０３はＡｇ薄膜（金属層）を示
す。図２に示す層構造は、金属層以外は、図１に示した
層構造と同様である。
【００２９】図２に示す表面記録型媒体の形成工程を説
明する。図２において、ポリカーボネート基板（１０
１）上にＤＣマグネットロンスパッタ法により、膜厚１
２０ｎｍのＡｇ薄膜（１０３）を形成する。他の形成工
程は図１に示した表面記録型媒体と同様であるのでその
説明は省略する。上記図１、図２に示した表面記録型媒
体は両者とも情報の記録・再生は第二の保護層側（同図
の矢印方向）から行う。
明する。図２において、ポリカーボネート基板（１０
１）上にＤＣマグネットロンスパッタ法により、膜厚１
２０ｎｍのＡｇ薄膜（１０３）を形成する。他の形成工
程は図１に示した表面記録型媒体と同様であるのでその
説明は省略する。上記図１、図２に示した表面記録型媒
体は両者とも情報の記録・再生は第二の保護層側（同図
の矢印方向）から行う。
【００３０】図３は、図１に示した金属層をＡｌＴｉ
（１０２）とした表面記録型媒体の表面ＳＥＭ像であ
る。図４は、図２に示した金属層をＡｇ（１０３）とし
た表面記録型媒体（実施例１）の表面ＳＥＭ像である。
図３に示す如く、金属層がＡｌＴｉである場合は、媒体
表面には凹凸が存在し、ランド／グルーブの段差も不鮮
明になっている。これに対して、図４に示す如く、Ａｇ
を金属層とした実施例１による媒体では、非常に平滑な
媒体表面が得られ、ランド／グルーブの形状も明瞭に表
れている。
（１０２）とした表面記録型媒体の表面ＳＥＭ像であ
る。図４は、図２に示した金属層をＡｇ（１０３）とし
た表面記録型媒体（実施例１）の表面ＳＥＭ像である。
図３に示す如く、金属層がＡｌＴｉである場合は、媒体
表面には凹凸が存在し、ランド／グルーブの段差も不鮮
明になっている。これに対して、図４に示す如く、Ａｇ
を金属層とした実施例１による媒体では、非常に平滑な
媒体表面が得られ、ランド／グルーブの形状も明瞭に表
れている。
【００３１】実施例１によれば、金属層としてＡｇ薄膜
を使用したので、従来一般的に用いられてきたＡｌＴｉ
に比して、平滑な表面の表面記録型媒体が実現でき、近
接場光記録などのようにレンズを媒体表面に近接させる
記録方式において安定した記録再生が可能となる。
を使用したので、従来一般的に用いられてきたＡｌＴｉ
に比して、平滑な表面の表面記録型媒体が実現でき、近
接場光記録などのようにレンズを媒体表面に近接させる
記録方式において安定した記録再生が可能となる。
【００３２】なお、実施例１では、金属層としてＡｇ薄
膜を使用した場合を説明したが、上述したように、金属
層として、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｖ、Ｔｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、
Ｃｒ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｍｏ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ群
のいずれかの元素、または、これらの元素のうちの複数
の化合物を使用した場合も同様の効果を得ることができ
る。
膜を使用した場合を説明したが、上述したように、金属
層として、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｖ、Ｔｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、
Ｃｒ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｍｏ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ群
のいずれかの元素、または、これらの元素のうちの複数
の化合物を使用した場合も同様の効果を得ることができ
る。
【００３３】（実施例２）図５は、本発明の実施例２の
表面記録型媒体の層構成を示す。実施例２は、金属層を
多層（２層）としたものである。同図において、３０１
はポリカーボネート基板（基板）、３０２はＴｉ薄膜
（金属層）、３０３はＡｇ薄膜（金属層）、３０４はＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護層）、３０５はＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ薄膜（記録層）、３０６はＺｎＳ−ＳｉＯ2
（第二の保護層）、３０７はＳｉＮ薄膜（第二の保護
層）を示す。
表面記録型媒体の層構成を示す。実施例２は、金属層を
多層（２層）としたものである。同図において、３０１
はポリカーボネート基板（基板）、３０２はＴｉ薄膜
（金属層）、３０３はＡｇ薄膜（金属層）、３０４はＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護層）、３０５はＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ薄膜（記録層）、３０６はＺｎＳ−ＳｉＯ2
（第二の保護層）、３０７はＳｉＮ薄膜（第二の保護
層）を示す。
【００３４】同図に示す表面記録型媒体の形成工程を説
明する。同図において、ポリカーボネート基板（３０
１）上に、金属層の第１層として、Ｔｉ薄膜（３０２）
をＤＣマグネットロンスパッタ法により、膜厚２０ｎｍ
で成膜する。次に、金属層の第２層として、Ｔｉ薄膜
（３０２）上に、Ａｇ薄膜（３０３）をＤＣマグネット
ロンスパッタ法により、膜厚１００ｎｍで成膜する。続
いて、Ａｇ薄膜（３０３）上に、第一の保護層としてＺ
ｎＳ−ＳｉＯ２薄膜（３０４）を、ＲＦスパッタ法を用
いて２０ｎｍの膜厚で成膜する。引き続いて、ＺｎＳ−
ＳｉＯ２薄膜（３０４）上に、ＤＣマグネットロンスパ
ッタ法により、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（３
０５）を膜厚１５ｎｍで成膜する。さらに、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ薄膜（３０５）上に、第二の保護層として、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（３０６）及びＳｉＮ薄膜（３０７）をＲ
Ｆスパッタ法により膜厚１０ｎｍ及び２０ｎｍで積層す
る。上記構成の表面記録型媒体では、情報の記録・再生
は第二の保護層側（同図の矢印方向）から行う。
明する。同図において、ポリカーボネート基板（３０
１）上に、金属層の第１層として、Ｔｉ薄膜（３０２）
をＤＣマグネットロンスパッタ法により、膜厚２０ｎｍ
で成膜する。次に、金属層の第２層として、Ｔｉ薄膜
（３０２）上に、Ａｇ薄膜（３０３）をＤＣマグネット
ロンスパッタ法により、膜厚１００ｎｍで成膜する。続
いて、Ａｇ薄膜（３０３）上に、第一の保護層としてＺ
ｎＳ−ＳｉＯ２薄膜（３０４）を、ＲＦスパッタ法を用
いて２０ｎｍの膜厚で成膜する。引き続いて、ＺｎＳ−
ＳｉＯ２薄膜（３０４）上に、ＤＣマグネットロンスパ
ッタ法により、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（３
０５）を膜厚１５ｎｍで成膜する。さらに、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ薄膜（３０５）上に、第二の保護層として、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（３０６）及びＳｉＮ薄膜（３０７）をＲ
Ｆスパッタ法により膜厚１０ｎｍ及び２０ｎｍで積層す
る。上記構成の表面記録型媒体では、情報の記録・再生
は第二の保護層側（同図の矢印方向）から行う。
【００３５】実施例２によれば、金属層を２層（Ｔｉ薄
膜３０２、Ａｇ薄膜３０３）とし、ポリカーボネート基
板（３０１）に接してＴｉ薄膜層を設けているので、Ｔ
ｉ薄膜層によってポリカーボネート基板３０１からの放
出ガスを吸着でき、その上に成膜した金属層（Ａｇ薄膜
３０３）、記録層への影響を回避でき、耐環境性・耐久
性を向上させることが可能となる。
膜３０２、Ａｇ薄膜３０３）とし、ポリカーボネート基
板（３０１）に接してＴｉ薄膜層を設けているので、Ｔ
ｉ薄膜層によってポリカーボネート基板３０１からの放
出ガスを吸着でき、その上に成膜した金属層（Ａｇ薄膜
３０３）、記録層への影響を回避でき、耐環境性・耐久
性を向上させることが可能となる。
【００３６】なお、実施例２においては、ポリカーボネ
ート基板に接する金属層として、Ｔｉ薄膜層を使用する
例を説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、Ｔｉを含有する層であれば同様の効果を得ることが
できる。また、金属層の上層は、Ａｇ薄膜を使用した場
合を説明したが、上述したように、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｖ、Ｔ
ｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ群のいずれかの元素、または、
これらの元素のうちの複数の元素の化合物を使用するこ
とができる。また、ここでは、金属層を２層とした場合
を示したが、それ以上の積層数としても良い。
ート基板に接する金属層として、Ｔｉ薄膜層を使用する
例を説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、Ｔｉを含有する層であれば同様の効果を得ることが
できる。また、金属層の上層は、Ａｇ薄膜を使用した場
合を説明したが、上述したように、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｖ、Ｔ
ｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ群のいずれかの元素、または、
これらの元素のうちの複数の元素の化合物を使用するこ
とができる。また、ここでは、金属層を２層とした場合
を示したが、それ以上の積層数としても良い。
【００３７】（実施例３）図６は、本発明の実施例３の
表面記録型媒体の層構成を示す。実施例３は、金属層の
膜厚を５０ｎｍ以下としたものである。同図において、
４０１はポリカーボネート基板、４０３はＡｇ薄膜（金
属層）、４０４はＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護
層）、４０５はＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（記録層）、４０
６はＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の保護層）、４０７はＤＬ
Ｃ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）薄膜
（第二の保護層）を示す。
表面記録型媒体の層構成を示す。実施例３は、金属層の
膜厚を５０ｎｍ以下としたものである。同図において、
４０１はポリカーボネート基板、４０３はＡｇ薄膜（金
属層）、４０４はＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護
層）、４０５はＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（記録層）、４０
６はＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の保護層）、４０７はＤＬ
Ｃ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）薄膜
（第二の保護層）を示す。
【００３８】同図に示す表面記録型媒体の形成工程を説
明する。同図において、ポリカーボネート基板（４０
１）上にＤＣマグネットロンスパッタ法により、金属層
としてＡｇ薄膜（４０３）を膜厚１０ｎｍで成膜する。
次に、Ａｇ薄膜（４０３）上に第一の保護層としＺｎＳ
−ＳｉＯ2薄膜（４０４）を、ＲＦスパッタ法を用いて
２０ｎｍの膜厚で成膜する。続いて、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
薄膜（４０４）上に、ＤＣマグネットロンスパッタ法に
より、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（４０５）を
膜厚１５ｎｍで成膜する。さらに、ＡｇＩｎＳｂＴｅ薄
膜（４０５）上に、第二の保護層として、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2（４０６）及びＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ
Ｃａｒｂｏｎ）薄膜（４０７）をＲＦスパッタ法によ
り膜厚１０ｎｍ及び２０ｎｍで積層する。
明する。同図において、ポリカーボネート基板（４０
１）上にＤＣマグネットロンスパッタ法により、金属層
としてＡｇ薄膜（４０３）を膜厚１０ｎｍで成膜する。
次に、Ａｇ薄膜（４０３）上に第一の保護層としＺｎＳ
−ＳｉＯ2薄膜（４０４）を、ＲＦスパッタ法を用いて
２０ｎｍの膜厚で成膜する。続いて、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
薄膜（４０４）上に、ＤＣマグネットロンスパッタ法に
より、記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（４０５）を
膜厚１５ｎｍで成膜する。さらに、ＡｇＩｎＳｂＴｅ薄
膜（４０５）上に、第二の保護層として、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2（４０６）及びＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ
Ｃａｒｂｏｎ）薄膜（４０７）をＲＦスパッタ法によ
り膜厚１０ｎｍ及び２０ｎｍで積層する。
【００３９】実施例３によれば、金属層として１０ｎｍ
の膜厚のＡｇ薄膜を用いているので、透過性を有する金
属層とすることができ、記録情報の再生は、通常の記録
媒体（ＣＤ，ＤＶＤなど）と同じように基板側から行う
ことが可能となる。したがって、従来の媒体との再生互
換が可能となる。
の膜厚のＡｇ薄膜を用いているので、透過性を有する金
属層とすることができ、記録情報の再生は、通常の記録
媒体（ＣＤ，ＤＶＤなど）と同じように基板側から行う
ことが可能となる。したがって、従来の媒体との再生互
換が可能となる。
【００４０】なお、実施例３では、Ａｇ薄膜の膜厚を１
０ｎｍとしているが、本発明はこれに限るものではな
く、選択した材料（Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ｉｒ，Ｏｓ）に応じて５０ｎｍ以下の範囲に調整す
る。
０ｎｍとしているが、本発明はこれに限るものではな
く、選択した材料（Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ｉｒ，Ｏｓ）に応じて５０ｎｍ以下の範囲に調整す
る。
【００４１】つぎに、実施例３の表面記録型媒体の記録
・再生方法について説明する。図７は、実施例３の表面
記録型媒体の記録方法を説明するための記録系の概略構
成を示す図である。図８は、実施例３の表面記録型媒体
の再生方法を説明するための再生系の概略構成を示す図
である。
・再生方法について説明する。図７は、実施例３の表面
記録型媒体の記録方法を説明するための記録系の概略構
成を示す図である。図８は、実施例３の表面記録型媒体
の再生方法を説明するための再生系の概略構成を示す図
である。
【００４２】まず、実施例３の表面記録型媒体の記録方
法について図７を参照して説明する。図７において、５
０１は光情報記録媒体、５０２は光情報記録媒体５０１
に形成された記録マーク、５０３はレーザーダイオー
ド、５０４はフォトダイオード、５０５はビームスプリ
ッタ、５０６は対物レンズ、５０７は集光レンズを示
す。
法について図７を参照して説明する。図７において、５
０１は光情報記録媒体、５０２は光情報記録媒体５０１
に形成された記録マーク、５０３はレーザーダイオー
ド、５０４はフォトダイオード、５０５はビームスプリ
ッタ、５０６は対物レンズ、５０７は集光レンズを示
す。
【００４３】同図において、情報の記録は実施例１及び
実施例２の光情報記録媒体と同様に、第二の保護層側か
ら行う。媒体表面に近接させた集光レンズ（５０７）に
よりレーザービームを絞り込み、微小の記録マーク（５
０２）を記録する。
実施例２の光情報記録媒体と同様に、第二の保護層側か
ら行う。媒体表面に近接させた集光レンズ（５０７）に
よりレーザービームを絞り込み、微小の記録マーク（５
０２）を記録する。
【００４４】つぎに、実施例３の表面記録型媒体の再生
方法について図８を参照して説明する。図８において、
５０８はレーザーダイオード、５０９はフォトダイオー
ド、５１０はビームスプリッタ、５１１は対物レンズを
示す。同図において、再生は基板側からレーザービーム
を照射して行う。このように、金属層に透光性を持たせ
ることにより、第二の保護層側から記録した情報を、基
板側からも再生することが可能となる。
方法について図８を参照して説明する。図８において、
５０８はレーザーダイオード、５０９はフォトダイオー
ド、５１０はビームスプリッタ、５１１は対物レンズを
示す。同図において、再生は基板側からレーザービーム
を照射して行う。このように、金属層に透光性を持たせ
ることにより、第二の保護層側から記録した情報を、基
板側からも再生することが可能となる。
【００４５】尚、本発明は、上記した実施の形態に限定
されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で適
宜変形可能である。
されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で適
宜変形可能である。
【００４６】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、金属層
を、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｖ，Ｔｅ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｒ，
Ｉｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選
ばれる少なくとも一種類の元素を含有する構成としたの
で、平滑な表面とすることができ、近接場光記録などの
ようにレンズを媒体表面に近接させる記録方式において
は、安定した記録再生が実現できる。
を、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｖ，Ｔｅ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｒ，
Ｉｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選
ばれる少なくとも一種類の元素を含有する構成としたの
で、平滑な表面とすることができ、近接場光記録などの
ようにレンズを媒体表面に近接させる記録方式において
は、安定した記録再生が実現できる。
【００４７】請求項２に記載の発明によれば、金属層
を、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｉ
ｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選
ばれる少なくとも一種類の元素を含有する薄膜で構成さ
れる２層以上の積層構成とし、積層構成において基板に
接する層は少なくてもＴｉを含有することとしたので、
Ｔｉ含有層により、基板から放出される放出ガスを吸着
でき、Ｔｉ含有層上に成膜した金属層および記録層への
影響を回避でき、耐環境性・耐久性に優れた光情報記録
媒体を提供することが可能となる。
を、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｉ
ｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選
ばれる少なくとも一種類の元素を含有する薄膜で構成さ
れる２層以上の積層構成とし、積層構成において基板に
接する層は少なくてもＴｉを含有することとしたので、
Ｔｉ含有層により、基板から放出される放出ガスを吸着
でき、Ｔｉ含有層上に成膜した金属層および記録層への
影響を回避でき、耐環境性・耐久性に優れた光情報記録
媒体を提供することが可能となる。
【００４８】請求項３に記載の発明によれば、金属層
を、Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，
Ｏｓ群から選ばれる少なくとも一種類の元素を含有し、
かつその膜厚を５０ｎｍ以下とした構成であるので、通
常の記録再生媒体（ＣＤ，ＤＶＤ等）と同じように基板
側からの再生が可能となる。
を、Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，
Ｏｓ群から選ばれる少なくとも一種類の元素を含有し、
かつその膜厚を５０ｎｍ以下とした構成であるので、通
常の記録再生媒体（ＣＤ，ＤＶＤ等）と同じように基板
側からの再生が可能となる。
【図１】金属層にＡｌＴｉを用いた表面記録型媒体の層
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】実施例１の表面記録型媒体の層構成（金属層に
Ａｇ薄膜を用いた構成）を示す図である。
Ａｇ薄膜を用いた構成）を示す図である。
【図３】図１に示した金属層をＡｌＴｉとした表面記録
型媒体の表面ＳＥＭ像を示す図である。
型媒体の表面ＳＥＭ像を示す図である。
【図４】図２に示した金属層をＡｇとした表面記録型媒
体（実施例１）の表面ＳＥＭ像を示す図である。
体（実施例１）の表面ＳＥＭ像を示す図である。
【図５】実施例２の表面記録型媒体の層構成（金属層を
多層とした構成）を示す図である。
多層とした構成）を示す図である。
【図６】実施例３の表面記録型媒体の層構成（金属層が
透過性を有する構成）を示す図である。
透過性を有する構成）を示す図である。
【図７】実施例３の表面記録型媒体の記録方法を説明す
るための記録系の概略構成を示す図である。
るための記録系の概略構成を示す図である。
【図８】実施例３の表面記録型媒体の再生方法を説明す
るための再生系の概略構成を示す図である。
るための再生系の概略構成を示す図である。
【符号の説明】 １０１ ポリカーボネート基板 １０２ ＡｌＴｉ薄膜（金属層） １０３ Ａｇ薄膜（金属層） １０４ ＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護層） １０５ ＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（記録層） １０６ ＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の保護層） １０７ ＳｉＮ薄膜（第二の保護層） ３０１ ポリカーボネート基板 ３０２ Ｔｉ薄膜（金属層） ３０３ Ａｇ薄膜（金属層） ３０４ ＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護層） ３０５ ＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（記録層） ３０６ ＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の保護層） ３０７ ＳｉＮ薄膜（第二の保護層） ４０１ ポリカーボネート基板 ４０３ Ａｇ薄膜 ４０４ ＺｎＳ−ＳｉＯ2薄膜（第一の保護層） ４０５ ＡｇＩｎＳｂＴｅ薄膜（記録層） ４０６ ＺｎＳ−ＳｉＯ2（第二の保護層） ４０７ ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒ
ｂｏｎ）薄膜 ５０１ 光情報記録媒体 ５０２ 記録マーク ５０３ レーザーダイオード ５０４ フォトダイオード ５０５ ビームスプリッタ ５０６ 対物レンズ ５０７ 集光レンズ ５０８ レーザーダイオード ５０９ フォトダイオード ５１０ ビームスプリッタ ５１１ 対物レンズ
ｂｏｎ）薄膜 ５０１ 光情報記録媒体 ５０２ 記録マーク ５０３ レーザーダイオード ５０４ フォトダイオード ５０５ ビームスプリッタ ５０６ 対物レンズ ５０７ 集光レンズ ５０８ レーザーダイオード ５０９ フォトダイオード ５１０ ビームスプリッタ ５１１ 対物レンズ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と記録層との層間に金属層を有する
光情報記録媒体において、 前記金属層は、Ｔｉ、Ｇｅ，Ｖ，Ｔｅ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｚ
ｎ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｍ
ｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，
Ｏｓ群から選ばれる少なくとも一種類の元素を含有する
ことを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 基板と記録層との層間に金属層を有する
光情報記録媒体において、 前記金属層は、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｚｎ，
Ｃｒ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｂｉ，Ｍｏ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群
から選ばれる少なくとも一種類の元素を含有する薄膜で
構成される２層以上の積層構成を有し、前記基板に接す
る金属層は、少なくともＴｉを含有することを特徴とす
る光情報記録媒体。 - 【請求項３】 基板と記録層との層間に金属層を有する
光情報記録媒体において、 前記金属層は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ｉｒ，Ｏｓ群から選ばれる少なくとも一種類の元素
を含有し、当該金属層の膜厚を５０ｎｍ以下としたこと
を特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11125140A JP2000298877A (ja) | 1999-02-10 | 1999-04-30 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-33433 | 1999-02-10 | ||
| JP3343399 | 1999-02-10 | ||
| JP11125140A JP2000298877A (ja) | 1999-02-10 | 1999-04-30 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000298877A true JP2000298877A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=26372117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11125140A Pending JP2000298877A (ja) | 1999-02-10 | 1999-04-30 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000298877A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003041011A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Teijin Chem Ltd | 光学記録媒体 |
| EP1128374A3 (en) * | 2000-02-21 | 2008-04-02 | Sony Corporation | Optical recording medium, optical pickup and optical recording and/or reproducing apparatus |
| US7533396B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, reproducing method, and recording method |
| CN111416038A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-14 | 广东石油化工学院 | 一种结合能力强、低阻值的GeSbTe相变材料薄膜器件 |
| CN111416038B (en) * | 2020-04-27 | 2024-04-30 | 广东石油化工学院 | GeSbTe phase-change material thin film device with strong binding capacity and low resistance |
-
1999
- 1999-04-30 JP JP11125140A patent/JP2000298877A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8717861B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, reproducing method, and recording method |
| US8379504B2 (en) | 2005-01-31 | 2013-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, reproducing method, and recording method |
| US8427916B2 (en) | 2005-01-31 | 2013-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, reproducing method, and recording method |
| US8446803B2 (en) | 2005-01-31 | 2013-05-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, reproducing method, and recording method |
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| US8717860B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, reproducing method, and recording method |
| US8542567B2 (en) | 2005-01-31 | 2013-09-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, reproducing method, and recording method |
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| US8711668B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, reproducing method, and recording method |
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