JPH07141694A

JPH07141694A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH07141694A
Application number: JP5290513A
Authority: JP
Inventors: Koichi Nakamura; 浩一中村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-11-19
Filing date: 1993-11-19
Publication date: 1995-06-02

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、レーザ照射による記録層の流動性
を抑制し、繰り返し特性に優れ、かつ従来の基板の側か
らのレーザ照射ではなく保護層の側からのレーザ照射に
より、記録，消去を可能とし、高ＮＡレンズに対応で
き、高記録密度化を達成できるとともに、製造工程を簡
略化し、生産性に優れた光記録媒体の提供を目的とす
る。【構成】本発明の光記録媒体は、一面又は両面に微細
な凹部２２が形成されたガラス基板１と、前記ガラス基
板１の凹部２２の形成面に順次積層された反射層８と、
誘電体層９と、記録層３２と、保護層４と、を有する構
成を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録装置等に用いら
れる光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報の高度化、多量化が急速に進
み、情報機器の小型化、大容量化を目的としたハードデ
ィスク、並びに光記録媒体の開発が進められている。光
記録媒体は、レーザの短波長化、レンズの高ＮＡ化、狭
トラックピッチ化、記録方式の改良等により大容量化が
可能であり、また光ヘッドと光記録媒体がハードディス
クドライブとは異なり非接触であるため、ドライブ中の
光記録媒体の損傷も少なく信頼性も高いことから小型、
大容量記録媒体として有望視されている。情報の記録、
再生、消去が可能な書換型の光記録媒体の記録方式とし
ては、レーザの照射により記録層が加熱され、その加熱
された部分が外部磁界により磁化の向きが反転すること
により記録が行われ、また再生には記録層のカー効果を
利用する光磁気記録方式や、光を用いて異なる吸収スペ
クトルを持つ２つの状態の可逆変化を利用した光モード
記録方式、その他相変化記録方式等が知られている。相
変化記録方式に用いられる相変化光記録媒体は、単一ビ
ームでのオーバーライトが可能であり、しかも光学系も
単純化できることから研究開発が活発に進められてい
る。

【０００３】以下に従来の相変化記録方式に用いられる
光記録媒体について説明する。図１３は従来の光記録媒
体の構造を示す要部断面図である。１１はガラス基板、
１２はガラス基板１１に積層された第１の誘電体層、１
３は第１の誘電体層１２に積層された記録層、１４は記
録層１３上に積層された第２の誘電体層、１５は第２の
誘電体層１４上に積層された反射層、１６は反射層１５
上に積層された紫外線硬化樹脂（以下、ＵＶ硬化樹脂と
いう）層である。

【０００４】以上のように構成された従来の光記録媒体
について、以下その記録方式について説明する。図１４
は従来の光記録媒体の記録方式を示す模式図である。１
７はレーザ照射部、１８は光記録媒体である。レーザ照
射部１７からレーザを媒体の基板側から集光，照射し、
レーザが記録パワーで光記録媒体１８に照射されると、
照射された部分の記録膜が融解して急冷され非晶質にな
る。レーザが消去パワーで光記録媒体１８に照射される
と、結晶化可能な温度まで記録膜が加熱されるので、記
録膜は、結晶状態になる。再生は、記録・消去パワーよ
りも低いレーザーパワーを用いて非晶質、結晶間の相転
移による光学定数の差を利用して行う。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、光記録媒体はレーザ照射により記録層を溶
融し、急冷させることで記録マークである非晶質を形成
するため、記録，消去を繰り返し行うと、保護層や反射
層に生じるクラック、記録層での物質移動などの原因に
より、基板上に形成した各層を形成する薄膜に欠陥が生
じる場合があり、特性が劣化するといった問題点を有し
ている。また、光記録媒体の記録密度を向上させる方法
の１つとして、高ＮＡレンズを使用することにより、レ
ーザスポット径を小さくし、高記録密度化を図る方法が
ある。しかし、高ＮＡレンズを使用するとレーザの焦点
深度が浅くなるため、基板の厚みが厚いとレーザ光の焦
点部分が記録膜に達しなくなるため相変化が生じなくな
るという問題点を有していた。また、基板の厚みを薄く
すると基板の機械的強度に欠け耐久性に欠けるという問
題点を有していた。更に、従来の光記録媒体は、一般に
は基板に第１の誘電体層、記録膜、第２の誘電体層、反
射層、ＵＶ硬化樹脂層を順次積層する５層構造で形成さ
れるので光記録媒体の製造工程が複雑化し多大の生産工
数を要すという問題点を有していた。

【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、レーザ照射による記録層の流動性を抑制し、繰り返
し特性に優れ、保護層の側からのレーザ照射を可能と
し、高ＮＡレンズに対応でき、高記録密度化を著しく向
上させることができるとともに、製造工程を簡略化し、
生産性に優れた光記録媒体を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載の光記録媒体は、一面又は両
面に微細な凹部が形成された基板を備えた構成を有して
おり、請求項２に記載の光記録媒体は、請求項１におい
て、前記基板の凹部形成面に順次積層された記録層と、
保護層と、を有する構成からなり、請求項３に記載の光
記録媒体は、請求項１において、前記基板の凹部形成面
に順次積層された反射層と、記録層と、保護層と、を有
する構成からなり、請求項４に記載の光記録媒体は、請
求項１において、前記基板の凹部形成面に順次積層され
た反射層と、誘電体層と、記録層と、保護層と、を有す
る構成からなり、請求項５に記載の光記録媒体は、一面
に微細な凹部が形成された基板又は前記基板の凹部形成
面に請求項２乃至４の内いずれか１に記載された各層が
形成された２枚の基板の前記凹部が形成されていない裏
面間を接着剤層を介して接着形成されている構成を有し
ており、請求項６に記載の光記録媒体は、請求項１乃至
５の内いずれか１において、前記凹部が０．０１μｍ〜
１μｍ好ましくは０．０５μｍ〜０．０８μｍ更に好ま
しくは０．５μｍ〜０．８μｍの幅と、２５ｎｍ〜１０
００ｎｍ好ましくは５０ｎｍ〜８０ｎｍの深さを有する
構成からなる。

【０００８】光記録媒体の基板としては、ポリカーボネ
ート，アクリル樹脂，エポキシ樹脂，ガラス，アルミニ
ウム，セラミック等が用いられる。記録層の材料として
は、結晶と非晶質との間で可逆的に相変化する材料が選
ばれ、例えばＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔ
ｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−
Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ、Ｉ
ｎ−Ｓｂ等があげられる。保護層の材料としては、Ｚｎ
Ｓ・ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、
ＺｒＯ₂等が例示できるが、他にも耐湿性、耐摩耗性等
の適性を有するものが使用できる。反射層の材料として
は、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕが例示でき、再生信
号のエンハンス効果及びレーザ照射により生じる熱の拡
散効果があるものが好適に用いられる。誘電体層の材料
としては、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＴｉＯ
₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＭｇＯ、ＧｅＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢＮ、Ａｌ
Ｎ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等が例示さ
れ、記録層との密着性及びレーザによる記録，消去の際
の熱的効果が大きいものが好適に使用される。

【０００９】次に、光記録媒体の作製方法について、ま
ずガラス原盤に感光剤を塗布しレーザ照射による露光を
行い現像することにより、微細な凹部を形成する。この
原盤にニッケル電気鋳造を行い剥離・洗浄することでス
タンパを形成する。このスタンパに前記基板をのせフォ
トポリマー樹脂を充填させ硬化させることで、基板上に
微細な凹部をつける。次いで、前記微細な凹部をつけた
基板に記録層を形成し、更にその上に保護層を成膜する
か、微細な凹部をつけた基板に反射層を成膜し、反射層
で覆われた凹部に記録層を形成し、記録層の上に保護層
を成膜するか、又は、微細な凹部をつけた基板に反射
層，誘電体層を順次成膜し、反射層，誘電体層が積層さ
れた凹部に記録層を形成し、記録層の上に保護層を成膜
するかのいずれかの方法をとることにより媒体上に各層
を形成する薄膜を成膜する。

【００１０】一方、両面記録が可能な光記録媒体を作製
する方法としては、基板の両面に微細な凹部を形成し、
基板の両面に上記に記載したように薄膜を成膜する方法
か、又は基板の片側に前記したように各層の薄膜を被膜
した後、薄膜が成膜されていない面を内側に対向するよ
うに張り合わせを行い、接着剤で接着形成して行われ
る。光記録媒体の張り合わせを行う際に用いる接着剤と
してはホットメルトタイプ等物理的接着強度に優れたも
のが使用できる。

【００１１】前記各層は、真空蒸着法，電子ビーム蒸着
法，イオンプレーティング法，プラズマＣＶＤ法，光Ｃ
ＶＤ法，スパッタリング法等によって形成できる。薄膜
の成膜は、Ａｒガスによるスパッタリング法が適する
が、材料によっては（Ａｒ＋Ｎ ₂）ガス，（Ａｒ＋Ｈ₂）
ガス，Ｎ₂ガス，Ｈ₂ガスによるスパッタリングが好適に
用いられる。このような製造過程を経て、光記録媒体が
作製される。尚、光記録媒体の表面に潤滑剤又は帯電防
止剤を塗布しても構わない。このようにして作製された
光記録媒体の記録層は、非晶質状態であるので、記録マ
ークを形成するために結晶化温度に達するレーザパワー
を持ったレーザの照射を行い、光記録媒体の初期化を行
う必要がある。

【００１２】

【作用】この構成によって、基板上に微細な凹部に記録
層を形成しているので、レーザ照射による記録層の結
晶，非晶質化の繰り返しにより生ずる記録層の物質移動
の発生を抑え、光記録媒体の繰り返し特性を向上させる
ことができる。また、物理的強度の優れた保護層を表面
に有しているので、レーザ照射を成膜した保護層の側か
ら行うことができるので、高ＮＡレンズに対応すること
ができ、光記録媒体の高記録密度化を図ることができ
る。反射層を形成することによりレーザにより発生する
熱を拡散させることができるとともに信号の増幅を図る
ことができる。誘電体層を形成することにより、記録層
のレーザ熱による流動化及び変形を防止できる。更に、
光記録媒体の積層構造が２層乃至４層に簡略化すること
ができる。

【００１３】

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。

【００１４】（実施例１）図１は本発明の第１実施例に
おける光記録媒体の構成を示す模式図である。１は直径
８６ｍｍのガラス基板、２は幅が、０．５μｍ，深さが
略５０ｎｍでガラス基板１上に均一に多数形成された凹
部、３は凹部２に形成されたＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等で形成
された記録層、４は記録層３上に成膜されたＳｉＯ₂等
からなる保護層である。必要に応じて保護層４の上に潤
滑剤層や帯電防止剤層を塗布形成することもできる。

【００１５】以上のように構成された第１実施例の光記
録媒体について、以下その製造方法を図面を参照しなが
ら説明する。図２はガラス原盤にフォトレジストを塗布
した状態を示す模式図、図３はガラス原盤に塗布したフ
ォトレジスト膜をレーザ照射により露光した状態を示す
模式図であり、図４はガラス原盤に形成された凹部を示
す模式図であり、図５はスタンパに基板をのせフォトポ
リマー樹脂を充填した状態を示す模式図であり、図６は
基板上に形成された凹部を示す模式図である。

【００１６】まず、図２に示すように、表面を研磨した
ガラス原盤５を洗浄，乾燥させその上にフォトレジスト
６を膜厚５０ｎｍでコーティングする。コーティングを
行ったガラス原盤５は、ベーキングによりガラス原盤５
とフォトレジスト６との密着性を高めさせる。次いで、
図３に示すように、フォトレジスト６をコーティングし
たガラス原盤５にレーザー発振装置１３によって変調を
受けたレーザを照射し、露光させる。露光後フォトレジ
スト６を除去すると、図４に示すように、ガラス原盤５
に幅０．５μｍ、深さ５０ｎｍの凹部２が形成される。
微細な凹部２を多数形成したガラス原盤５に対しニッケ
ル電気鋳造を行い、剥離，洗浄を行うことでスタンパを
形成する。次いで、図５に示すように、前記工程で形成
された前記スタンパに、フォトポリマー樹脂７を充填あ
るいは塗布した後、直径８６ｎｍのガラス基板１をの
せ、紫外線を照射する。紫外線照射により液体状であっ
たフォトポリマー樹脂７は光架橋反応により硬化する。
その後ガラス基板１から硬化したフォトポリマー樹脂７
をはぎ取ると図６に示すようにガラス基板１上に微細な
凹部２が形成される。このようにして作製したガラス基
板１を真空スパッタ装置内に設置し、チャンバー内を５
×１０^-7Ｔｏｒｒの高真空にする。次にチャンバー内に
Ａｒガスを導入し、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等のターゲットを
スパッタリングしてガラス基板１に記録層３を略１００
ｎｍ成膜する。次に記録層３をドライエッチングにより
５０ｎｍの厚みにする。これによりガラス基板１上の凹
部２のみに記録層３が形成される。次に、記録層３上に
保護層４としてＳｉＯ₂をスパッタリングして５００ｎ
ｍの薄膜を形成する。その後必要に応じて保護層４表面
にスピンコータにより潤滑剤又は帯電防止剤を塗布す
る。

【００１７】また、両面記録の光記録媒体を作製する場
合、ガラス基板１の両面に微細な凹部２を形成し、次い
で、ガラス基板１の両面に前記の方法で薄層を成膜する
方法か又はガラス基板１の片側に前記と同様にして薄層
を被膜した後、薄層が成膜されていない面を接着剤層を
介して張り合わせることにより両面記録が可能な光記録
媒体とすることができる。

【００１８】以上のようにして作製された第１実施例の
光記録媒体について、保護層４側からレーザ照射を行い
繰り返し特性の評価を行った。図７は本発明の第１実施
例における光記録媒体の繰り返し特性の測定結果を示す
模式図である。試験方法は、光記録媒体の線速度を１０
ｍ／ｓとし、半導体レーザの波長λは８３０ｎｍ，記録
パワーは１５ｍＷ，消去パワーは５ｍＷで記録，再生を
行い、繰り返し特性として光記録媒体のＣ／Ｎ値をスペ
クトロアナライザにて測定を行った。

【００１９】（比較例１）比較例として従来の相変化光
記録媒体を用い、基板側からレーザ照射を行った他は第
１実施例と同一の条件で繰り返し特性を評価した。その
結果を図８に示した。

【００２０】この図７，図８から明らかなように、従来
の光記録媒体では繰り返し回数１０ ⁴回以上からＣ／Ｎ
値が減少するのに対し、第１実施例の光記録媒体はガラ
ス基板１上の微細な凹部２に記録層３を形成し、その上
に保護層４を成膜しているので、繰り返し回数が１０⁶
回以上になってもＣ／Ｎ値の低下が認められなかった。
これは、記録，消去パワーでのレーザ照射を繰り返して
も記録層３の物質移動が抑制されるためと考えられる。
また、本実施例から明らかなように表面に機械的強度の
優れた保護層４を形成しているので、保護層４側からレ
ーザ照射を行うことが実証できた。このことから光ディ
スクの設計の自由度を拡大できることがわかった。

【００２１】（実施例２）以下本発明の第２実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。図９は本発明の第
２実施例における光記録媒体の構成を示す模式図であ
る。１はガラス基板、４は保護層であり、これらは第１
実施例と同様なものなので同一の番号を付し説明を省略
する。８はガラス基板１に成膜されたＡｌ−Ｃｒの反射
層、２１は幅が０．１μｍ，深さが反射層８の厚みを考
慮して２５０ｎｍと第１実施例に対し深めにガラス基板
１上に均一に多数形成された凹部、３１は反射層８で覆
われた凹部２１に形成されたＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等で形成
された記録層である。保護層４の上に潤滑剤層や帯電防
止剤層を塗布形成することもできる。

【００２２】以上のように構成された第２実施例の光記
録媒体について、以下にその製造方法を、前記図２乃至
図６を参照しながら説明する。第１実施例と異なるの
は、図２において、表面を研磨したガラス原盤５を洗
浄，乾燥させその上にフォトレジスト６を凹部２１の深
さに合わせて膜厚が２５０ｎｍの深さでコーティングさ
れた点であり、他は第１実施例と同様にして行う。次い
で、第１実施例と同様に図３に示すように、フォトレジ
スト６をコーティングしたガラス原盤５を露光し、露光
後フォトレジスト６を除去すると図４に示すようにガラ
ス原盤５に幅０．５μｍ、深さ２５０ｎｍの凹部２１が
形成される。次いで、第１実施例と同様にして、スタン
パを形成し、前記スタンパに直径８６ｍｍのガラス基板
１をのせ、スタンパとガラス基板１との間にフォトポリ
マー樹脂７を塗布等後、紫外線を照射し、硬化させた
後、ガラス基板１と硬化したフォトポリマー樹脂７をは
ぎ取ると図６に示すように、ガラス基板１上に微細な凹
部２１が形成される。

【００２３】本実施例では更に反射層８を形成するため
に、このようにして作製したガラス基板１を真空スパッ
タ装置内に設置し、チャンバー内を５×１０^-7Ｔｏｒｒ
の高真空下で、Ａｒガスを導入し、Ａｌ−Ｃｒターゲッ
トをスパッタリングしてガラス基板１に反射層８を２０
０ｎｍ成膜する。次にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等のターゲット
をスパッタリングしてガラス基板１上の反射層８に記録
層３１を１００ｎｍ成膜し、次に記録層３１をドライエ
ッチングにより５０ｎｍの厚みに形成する。これにより
ガラス基板１上の凹部２１のみに記録層３１を形成する
ことができる。次に、記録層３１上に保護層４としてＳ
ｉＯ₂を５００ｎｍ形成する。必要に応じて保護層４の
表面にスピンコータにより潤滑剤又は帯電防止剤を塗布
する。

【００２４】以上のようにして作製された第２実施例の
光記録媒体について、繰り返し特性の評価を行った。そ
の結果を図１０に示した。図１０は本発明の第２実施例
における光記録媒体の繰り返し特性の測定結果を示す模
式図である。

【００２５】この図１０から明らかなように、本実施例
によれば、ガラス基板１上に微細な凹部２１を形成しそ
の上に反射層８が成膜されその上に記録層３１が形成さ
れているので、従来の光記録媒体に比べ繰り返し回数が
１０⁶回以上でもＣ／Ｎ値の低下がみられず、優れた繰
り返し特性を示すとともに、ガラス基板１と記録層３１
との間に反射層８が成膜されているので、信号の増幅を
可能とし、また、記録層の物質移動が抑制されるととも
に、再生信号のエンハンス効果及びレーザ照射の際に生
じる熱の拡散効果によりＣ／Ｎが向上し、繰り返し回数
１０⁷回においてもＣ／Ｎ値の低下がみられなかった。

【００２６】（実施例３）以下本発明の第３実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。図１１は本発明の
第３実施例における光記録媒体の構成を示す模式図であ
る。１はガラス基板、４は保護層、８はガラス基板１に
成膜されたＡｌ−Ｃｒの反射層であり、これらは第２実
施例と同様なものなので同一の符号を付し説明を省略す
る。９は反射層８の上にスパッタリングされたＺｎＳ・
ＳｉＯ₂の誘電体層、２２は幅が０．５μｍ，深さが反
射層８，誘電体層９の厚みを考慮して２７５ｍｍと第２
実施例のものよりも深目に形成されてガラス基板１上に
均一に多数形成された凹部、３２は反射層８と誘電体層
９で覆われた凹部２に形成されたＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等か
らなる記録層である。保護層４の上に潤滑剤層や帯電防
止剤層を塗布形成することもできる。

【００２７】以上のように構成された第３実施例の光記
録媒体について、以下にその製造方法を、前記図２乃至
図６を参照しながら説明する。図２において、第２実施
例と異なるのは、表面を研磨したガラス原盤５を洗浄，
乾燥させその上にフォトレジスト６を凹部２２の深さに
合わせて膜厚が２７５ｎｍの深さでコーティングされた
点であり、他は第２実施例と同様にして行われる。次い
で、第２実施例と同様にして、図３に示すように、フォ
トレジスト６をコーティングしたガラス原盤５を露光
し、露光後フォトレジスト６を除去すると図４に示すよ
うにガラス原盤５に幅０．５μｍ、深さ２７５ｎｍの凹
部２２が形成される。次いで、第２実施例と同様にし
て、スタンパを形成した後、前記スタンパに直径８６ｍ
ｍのガラス基板１をのせ、スタンパとガラス基板１との
間にフォトポリマー樹脂７を塗布等した後、紫外線を照
射し硬化後、フォトポリマー樹脂７をはぎ取ると図６に
示すようにガラス基板１上に微細な凹部２２が形成され
る。次に、第２実施例と同様にしてガラス基板１に反射
層８を２００ｎｍ成膜する。次いで、本実施例では更に
反射層８上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂等をスパッタリングし
て２５ｎｍの厚みで誘電体層を形成する。更に、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ等のターゲットをスパッタリングして、ガラ
ス基板１に積層された反射層８，誘電体層９の上に記録
層３２を１００ｎｍの厚さで成膜し、この記録層３２に
ドライエッチングを行い５０ｎｍの膜厚にする。次に、
保護層４としてＳｉＯ₂をスパッタリングして５００ｎ
ｍの膜厚で形成する。その後、必要に応じて保護層４の
表面にスピンコータにより潤滑剤又は帯電防止剤を塗布
する。

【００２８】以上のようにして作製された第３実施例の
光記録媒体について、繰り返し特性の評価を行った。そ
の結果を図１２に示した。図１２は本発明の第３実施例
における光記録媒体の繰り返し特性の測定結果を示す模
式図である。

【００２９】この図１２から明らかなように、本実施例
によればガラス基板１上に形成された微細な凹部２２上
に順次積層された反射層８、誘電体層９、記録層３２が
形成されているので、従来の光記録媒体に比べ繰り返し
回数が１０⁶回以上でもＣ／Ｎ値の低下が認められず、
優れた繰り返し特性を示すとともに、反射層８と記録層
３２との間に誘電体層９が成膜されているので、記録層
３２との密着性及びレーザによる記録，消去の際の記録
層３２のレーザ熱による流動化及び変形を防止すること
ができるということがわかった。

【００３０】

【発明の効果】以上のように本発明は、光記録媒体の基
板に微細な凹部を有しその部分に記録層が形成され、そ
の上に保護層が成膜された構成、もしくは前記凹部を有
する基板に成膜された反射層を有し、その反射層に覆わ
れた微細な凹部に成膜された記録層を有し、その上に成
膜された保護層を有する構造、又は、前記凹部を有する
基板に順次成膜された反射層，誘電体層を有し、反射
層，誘電体層が積層された微細な凹部に成膜された記録
層を有し、その上に成膜された保護層を有する構成を有
しているので、レーザ照射による記録，消去の繰り返し
による記録膜の物質移動の発生が抑制され、繰り返し特
性に優れ、かつ、光記録媒体の記録，再生，消去におけ
るレーザの照射を保護層の側から行うことができるの
で、高ＮＡレンズに対応でき、高記録密度化を著しく向
上させることができる。更に従来の光記録媒体よりも構
造を簡略化することができるので生産性を向上させるこ
とができ低原価で量産性に優れた光記録媒体を実現でき
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例における光記録媒体の構成
を示す模式図

【図２】本発明の一実施例におけるガラス原盤にフォト
レジストを塗布した状態を示す模式図

【図３】本発明の一実施例におけるガラス原盤に塗布し
たフォトレジスト膜をレーザ照射により露光した状態を
示す模式図

【図４】本発明の一実施例におけるガラス原盤に形成さ
れた凹部を示す模式図

【図５】本発明の一実施例におけるスタンパに基板をの
せフォトポリマー樹脂を充填した状態を示す模式図

【図６】本発明の一実施例における基板上に形成された
凹部を示す模式図

【図７】本発明の第１実施例における光記録媒体の繰り
返し特性の測定結果を示す模式図

【図８】従来の光記録媒体の繰り返し特性の測定結果を
示す模式図

【図９】本発明の第２実施例における光記録媒体の構成
を示す模式図

【図１０】本発明の第２実施例における光記録媒体の繰
り返し特性の測定結果を示す模式図

【図１１】本発明の第３実施例における光記録媒体の構
成を示す模式図

【図１２】本発明の第３実施例における光記録媒体の繰
り返し特性の測定結果を示す模式図

【図１３】従来の光記録媒体の構造を示す要部断面図

【図１４】従来の光記録媒体の記録方式を示す模式図

【符号の説明】

１，１１ガラス基板２，２１，２２凹部３，１３，３１，３２記録層４保護層５ガラス原盤６フォトレジスト７フォトポリマー樹脂８，１５反射層９誘電体層１２第１の誘電体層１４第２の誘電体層１６紫外線硬化樹脂層（ＵＶ硬化樹脂）１７レーザ照射部１８光記録媒体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一面又は両面に微細な凹部が形成された基
板を備えたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】前記基板の凹部形成面に順次積層された記
録層と、保護層と、を有することを特徴とする請求項１
に記載の光記録媒体。
【請求項３】前記基板の凹部形成面に順次積層された反
射層と、記録層と、保護層と、を有することを特徴とす
る請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項４】前記基板の凹部形成面に順次積層された反
射層と、誘電体層と、記録層と、保護層と、を有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項５】一面に微細な凹部が形成された基板又は前
記基板の凹部形成面に請求項２乃至４の内いずれか１に
記載された各層が形成された２枚の基板の前記凹部が形
成されていない裏面間を接着剤層を介して接着形成され
ていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項６】前記凹部が０．０１μｍ〜１μｍの幅と、
２５ｎｍ〜１０００ｎｍの深さと、を有することを特徴
とする請求項１乃至５の内いずれか１に記載の光記録媒
体。