JPH113538A - 相変化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法 - Google Patents
相変化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法Info
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- JPH113538A JPH113538A JP9170955A JP17095597A JPH113538A JP H113538 A JPH113538 A JP H113538A JP 9170955 A JP9170955 A JP 9170955A JP 17095597 A JP17095597 A JP 17095597A JP H113538 A JPH113538 A JP H113538A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバーライト時、照射されたレーザー光に
よって相変化記録層内で発生した熱を炭化珪素からなる
誘電体層に良好に伝導して放熱することにより、記録層
の熱的損傷を低減すると共に、書き換え性能が向上した
相変化型光ディスクを提供する。 【解決手段】 透光性基板１上に、第一の誘電体層２
と、相変化記録層３と、第二の誘電体層４と、反射層５
と、保護膜６とを順次積層してなる相変化型光ディスク
Ａにおいて、第一の誘電体層２は、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合体、あるいは金属酸化物からなり，相変化記
録層３は、レーザ光の照射により原子の配列が変化して
可逆的に反射率が変化する相変化材料からなり，第二の
誘電体層４は、炭化珪素からなる。
よって相変化記録層内で発生した熱を炭化珪素からなる
誘電体層に良好に伝導して放熱することにより、記録層
の熱的損傷を低減すると共に、書き換え性能が向上した
相変化型光ディスクを提供する。 【解決手段】 透光性基板１上に、第一の誘電体層２
と、相変化記録層３と、第二の誘電体層４と、反射層５
と、保護膜６とを順次積層してなる相変化型光ディスク
Ａにおいて、第一の誘電体層２は、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合体、あるいは金属酸化物からなり，相変化記
録層３は、レーザ光の照射により原子の配列が変化して
可逆的に反射率が変化する相変化材料からなり，第二の
誘電体層４は、炭化珪素からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学的に情報の記
録、再生、消去が可能な相変化型光ディスク及び相変化
型光ディスクの製造方法に関する。
録、再生、消去が可能な相変化型光ディスク及び相変化
型光ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型光ディスクは、Ｔｅ、Ｓｅ等の
カルコゲンを主成分とした記録層と、この記録層を両面
から挟み込む第一の誘電体層と第二の誘電体層、ならび
にレーザー光の入射側とは反対に設けた反射層と保護層
とから構成されている。
カルコゲンを主成分とした記録層と、この記録層を両面
から挟み込む第一の誘電体層と第二の誘電体層、ならび
にレーザー光の入射側とは反対に設けた反射層と保護層
とから構成されている。
【０００３】初期化によりディスク全面を反射率の高い
結晶状態にした光ディスクに、レーザー光を局所的に照
射して記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態に相変
化させる。相変化に伴い記録層の複素屈折率が変化し
て、情報を記録する。再生は、弱いレーザー光を照射し
て記録層における結晶状態とアモルファス状態との反射
率差、または位相差を検出して行う。書き換えは、アモ
ルファス状態の記録層の結晶化を引き起こす程度の低エ
ネルギーのバイアスパワーに重畳した記録ピークパワー
のレーザー光を記録層に照射することにより、消去過程
を経ることなく、すでに記録された記録マーク上に書き
換え（オーバーライト）する。
結晶状態にした光ディスクに、レーザー光を局所的に照
射して記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態に相変
化させる。相変化に伴い記録層の複素屈折率が変化し
て、情報を記録する。再生は、弱いレーザー光を照射し
て記録層における結晶状態とアモルファス状態との反射
率差、または位相差を検出して行う。書き換えは、アモ
ルファス状態の記録層の結晶化を引き起こす程度の低エ
ネルギーのバイアスパワーに重畳した記録ピークパワー
のレーザー光を記録層に照射することにより、消去過程
を経ることなく、すでに記録された記録マーク上に書き
換え（オーバーライト）する。
【０００４】さて、このオーバーライトの際に、記録層
は高温に熱せられ溶融、急冷し新たに記録マークが書き
込まれる。記録層にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系（ゲルマニウム
−アンチモン−テルル系）相変化材料を用いた場合、化
合物の融点である６００℃以上に熱せられるため、記録
層の溶融による膨張、これに伴う誘電体層や反射層なら
びに基板の変形、記録層の物質移動等が生じ、多数回の
書き換えを行うとエラーが急激に増加するという問題が
あった。
は高温に熱せられ溶融、急冷し新たに記録マークが書き
込まれる。記録層にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系（ゲルマニウム
−アンチモン−テルル系）相変化材料を用いた場合、化
合物の融点である６００℃以上に熱せられるため、記録
層の溶融による膨張、これに伴う誘電体層や反射層なら
びに基板の変形、記録層の物質移動等が生じ、多数回の
書き換えを行うとエラーが急激に増加するという問題が
あった。
【０００５】この問題を解決するための手法としては、
第一ならびに第二の誘電体層を結晶質のカルコゲン化物
と、ガラスまたはガラス化を促進する複数の化合物の混
合物とから構成することにより、記録・消去の繰り返し
に関する信頼性を向上させた光学式情報記録部材があっ
た（例えば特公平４−７４７８５号公報記載）。
第一ならびに第二の誘電体層を結晶質のカルコゲン化物
と、ガラスまたはガラス化を促進する複数の化合物の混
合物とから構成することにより、記録・消去の繰り返し
に関する信頼性を向上させた光学式情報記録部材があっ
た（例えば特公平４−７４７８５号公報記載）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た手法においては、第一ならびに第二の誘電体層を硫化
亜鉛と二酸化珪素の混合物からなる化合物で形成して、
オーバーライトを行ったところ、１０万回のオーバーラ
イトで記録層の物質移動が生じ、信号出力が低下してし
まい、この結果、オーバーライトにおける十分な信頼性
が得られないという問題があった。本発明は、オーバー
ライト時に照射されたレーザー光によって、記録層内で
発生した熱が記録層を挟む高熱伝導、高硬度の炭化珪素
からなる、第一ならびに第二の誘電体層に良好に伝導し
て放熱するため、記録層の熱的損傷を減少させ、記録層
の流動を抑制して、透明基板の熱変形を生じることな
く、書き換え性能を大幅に向上できる相変化型光ディス
ク及び相変化型光ディスクの製造方法を提供することを
目的とする。
た手法においては、第一ならびに第二の誘電体層を硫化
亜鉛と二酸化珪素の混合物からなる化合物で形成して、
オーバーライトを行ったところ、１０万回のオーバーラ
イトで記録層の物質移動が生じ、信号出力が低下してし
まい、この結果、オーバーライトにおける十分な信頼性
が得られないという問題があった。本発明は、オーバー
ライト時に照射されたレーザー光によって、記録層内で
発生した熱が記録層を挟む高熱伝導、高硬度の炭化珪素
からなる、第一ならびに第二の誘電体層に良好に伝導し
て放熱するため、記録層の熱的損傷を減少させ、記録層
の流動を抑制して、透明基板の熱変形を生じることな
く、書き換え性能を大幅に向上できる相変化型光ディス
ク及び相変化型光ディスクの製造方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明は下記（１）〜（９）の構成になる相変
化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法を提
供する。
ために、本発明は下記（１）〜（９）の構成になる相変
化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法を提
供する。
【０００８】（１） 図１に示すように、透光性基板１
上に、第一の誘電体層２と、相変化記録層３と、第二の
誘電体層４と、反射層５と、保護膜６とを順次積層して
なる相変化型光ディスクＡにおいて、前記第一の誘電体
層２は、硫化亜鉛と金属酸化物との混合体、あるいは金
属酸化物からなり，前記相変化記録層３は、レーザ光の
照射により原子の配列が変化して可逆的に反射率が変化
する相変化材料からなり，前記第二の誘電体層４は、炭
化珪素からなることを特徴とする相変化型光ディスク。
上に、第一の誘電体層２と、相変化記録層３と、第二の
誘電体層４と、反射層５と、保護膜６とを順次積層して
なる相変化型光ディスクＡにおいて、前記第一の誘電体
層２は、硫化亜鉛と金属酸化物との混合体、あるいは金
属酸化物からなり，前記相変化記録層３は、レーザ光の
照射により原子の配列が変化して可逆的に反射率が変化
する相変化材料からなり，前記第二の誘電体層４は、炭
化珪素からなることを特徴とする相変化型光ディスク。
【０００９】（２） 図２に示すように、透光性基板１
上に、第一の誘電体層２と、相変化記録層３と、第二の
誘電体層４と、反射層５と、保護膜６とを順次積層し、
かつ前記第一の誘電体層２を２つの誘電体層２Ａ，２Ｂ
から構成してなる相変化型光ディスクＢであって、前記
第一の誘電体層２を構成しかつ前記透光性基板１上に形
成される一方の誘電体層２Ａは、硫化亜鉛と金属酸化物
との混合体、あるいは金属酸化物からなり、前記第一の
誘電体層２を構成しかつ前記相変化記録層３が形成され
る他方の誘電体層２Ｂは、炭化珪素からなり、前記相変
化記録層３は、レーザ光の照射により原子の配列が変化
して可逆的に反射率が変化する相変化材料からなり，前
記第二の誘電体層４は、炭化珪素からなることを特徴と
する相変化型光ディスク。
上に、第一の誘電体層２と、相変化記録層３と、第二の
誘電体層４と、反射層５と、保護膜６とを順次積層し、
かつ前記第一の誘電体層２を２つの誘電体層２Ａ，２Ｂ
から構成してなる相変化型光ディスクＢであって、前記
第一の誘電体層２を構成しかつ前記透光性基板１上に形
成される一方の誘電体層２Ａは、硫化亜鉛と金属酸化物
との混合体、あるいは金属酸化物からなり、前記第一の
誘電体層２を構成しかつ前記相変化記録層３が形成され
る他方の誘電体層２Ｂは、炭化珪素からなり、前記相変
化記録層３は、レーザ光の照射により原子の配列が変化
して可逆的に反射率が変化する相変化材料からなり，前
記第二の誘電体層４は、炭化珪素からなることを特徴と
する相変化型光ディスク。
【００１０】（３） 図２に示す前記第一の誘電体層２
を構成する一方の誘電体層２Ａの厚さは、前記第一の誘
電体層２を構成する他方の誘電体層２Ｂの厚さより大で
あることを特徴とする上記（２）記載の相変化型光ディ
スク。
を構成する一方の誘電体層２Ａの厚さは、前記第一の誘
電体層２を構成する他方の誘電体層２Ｂの厚さより大で
あることを特徴とする上記（２）記載の相変化型光ディ
スク。
【００１１】（４） 図１，２に示す前記相変化記録層
３は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化材料からなることを
特徴とする上記（１）〜（３）のうちのいずれかに記載
の相変化型光ディスク。
３は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化材料からなることを
特徴とする上記（１）〜（３）のうちのいずれかに記載
の相変化型光ディスク。
【００１２】（５） 図１，２に示す前記第二の誘電体
層４は、炭素濃度を低減した炭化珪素からなることを特
徴とする上記（１）〜（４）のうちのいずれかに記載の
相変化型光ディスク。
層４は、炭素濃度を低減した炭化珪素からなることを特
徴とする上記（１）〜（４）のうちのいずれかに記載の
相変化型光ディスク。
【００１３】（６） 図１，２に示す前記反射層５は、
熱伝導が高い金属、熱伝導が高い金属を含む合金、ある
いは熱伝導が高い半導体からなることを特徴とする上記
（１）〜（５）のうちのいずれかに記載の相変化型光デ
ィスク。
熱伝導が高い金属、熱伝導が高い金属を含む合金、ある
いは熱伝導が高い半導体からなることを特徴とする上記
（１）〜（５）のうちのいずれかに記載の相変化型光デ
ィスク。
【００１４】（７） 前記第一の誘電体層２の厚さは、
６０〜１５０ｎｍ、前記相変化記録層３の厚さは、１０
〜６０ｎｍ、前記第二の誘電体層４の厚さは、５〜８０
ｎｍ、であることを特徴とする上記（１）〜（６）のう
ちのいずれかに記載の相変化型光ディスク。
６０〜１５０ｎｍ、前記相変化記録層３の厚さは、１０
〜６０ｎｍ、前記第二の誘電体層４の厚さは、５〜８０
ｎｍ、であることを特徴とする上記（１）〜（６）のう
ちのいずれかに記載の相変化型光ディスク。
【００１５】（８） 透光性基板１上に、第一の誘電体
層２と、相変化記録層３と、第二の誘電体層４と、反射
層５と、保護膜６とを順次積層してなる相変化型光ディ
スクＡを製造する相変化型光ディスクの製造方法であっ
て、硫化亜鉛と金属酸化物との混合体あるいは金属酸化
物からなる前記第一の誘電体層２と、レーザ光の照射に
より原子の配列が変化して可逆的に反射率が変化する相
変化材料からなる前記相変化記録層３と、前記反射層５
とを、それぞれ、直流、交流、反応性、イオンビームの
各スパッタリング法、あるいはイオンプレーティング法
のいずれかにより成膜し、炭化珪素から構成される前記
第二の誘電体層４を、ＳｉＣターゲットを高周波スパッ
タリング法により成膜するか、あるいはＳｉターゲット
をメタンやエタンガスを導入しながら反応性スパッタリ
ング法により成膜することを特徴とする相変化型光ディ
スクの製造方法。
層２と、相変化記録層３と、第二の誘電体層４と、反射
層５と、保護膜６とを順次積層してなる相変化型光ディ
スクＡを製造する相変化型光ディスクの製造方法であっ
て、硫化亜鉛と金属酸化物との混合体あるいは金属酸化
物からなる前記第一の誘電体層２と、レーザ光の照射に
より原子の配列が変化して可逆的に反射率が変化する相
変化材料からなる前記相変化記録層３と、前記反射層５
とを、それぞれ、直流、交流、反応性、イオンビームの
各スパッタリング法、あるいはイオンプレーティング法
のいずれかにより成膜し、炭化珪素から構成される前記
第二の誘電体層４を、ＳｉＣターゲットを高周波スパッ
タリング法により成膜するか、あるいはＳｉターゲット
をメタンやエタンガスを導入しながら反応性スパッタリ
ング法により成膜することを特徴とする相変化型光ディ
スクの製造方法。
【００１６】（９） 透光性基板１上に、第一の誘電体
層２と、相変化記録層３と、第二の誘電体層４と、反射
層５と、保護膜６とを順次積層し、かつ前記第一の誘電
体層２を２つの誘電体層２Ａ，２Ｂから構成してなる相
変化型光ディスクＢを製造する相変化型光ディスクの製
造方法であって、硫化亜鉛と金属酸化物との混合体ある
いは金属酸化物からなり、前記第一の誘電体層２を構成
しかつ前記透光性基板１上に形成される一方の誘電体層
２Ａと、レーザ光の照射により原子の配列が変化して可
逆的に反射率が変化する相変化材料からなる前記相変化
記録層３と、前記反射層５とを、それぞれ、抵抗加熱型
あるいは電子ビーム型の真空蒸着法、直流、交流、反応
性、イオンビームの各スパッタリング法、あるいはイオ
ンプレーティング法のいずれかにより成膜し、炭化珪素
からなり、前記第一の誘電体層２を構成しかつ前記相変
化記録層３が形成される他方の誘電体層２Ｂと、炭化珪
素からなる前記第二の誘電体層４とを、それぞれ、Ｓｉ
Ｃターゲットを高周波スパッタリング法により成膜する
か、あるいはＳｉターゲットをメタンやエタンガスを導
入しながら反応性スパッタリング法により成膜すること
を特徴とする相変化型光ディスクの製造方法。
層２と、相変化記録層３と、第二の誘電体層４と、反射
層５と、保護膜６とを順次積層し、かつ前記第一の誘電
体層２を２つの誘電体層２Ａ，２Ｂから構成してなる相
変化型光ディスクＢを製造する相変化型光ディスクの製
造方法であって、硫化亜鉛と金属酸化物との混合体ある
いは金属酸化物からなり、前記第一の誘電体層２を構成
しかつ前記透光性基板１上に形成される一方の誘電体層
２Ａと、レーザ光の照射により原子の配列が変化して可
逆的に反射率が変化する相変化材料からなる前記相変化
記録層３と、前記反射層５とを、それぞれ、抵抗加熱型
あるいは電子ビーム型の真空蒸着法、直流、交流、反応
性、イオンビームの各スパッタリング法、あるいはイオ
ンプレーティング法のいずれかにより成膜し、炭化珪素
からなり、前記第一の誘電体層２を構成しかつ前記相変
化記録層３が形成される他方の誘電体層２Ｂと、炭化珪
素からなる前記第二の誘電体層４とを、それぞれ、Ｓｉ
Ｃターゲットを高周波スパッタリング法により成膜する
か、あるいはＳｉターゲットをメタンやエタンガスを導
入しながら反応性スパッタリング法により成膜すること
を特徴とする相変化型光ディスクの製造方法。
【００１７】
【発明の実施の態様】以下、本発明の相変化型光ディス
ク及び相変化型光ディスクの製造方法について、図１〜
図５を用いて説明する。図１，図２はそれぞれ本発明の
相変化型光ディスクの第１，第２実施例構成を説明する
ための図、図３，図４はそれぞれ本発明の実施例１，２
の相変化型光ディスクを用いて１０万回の書き換えを行
うことを説明するための図、図５は本発明の実施例３の
相変化型光ディスクを用いて３０万回の書き換えを行う
ことを説明するための図、図６は比較例１の相変化型光
ディスクを用いて１０万回の書き換えを行うことを説明
するための図である。
ク及び相変化型光ディスクの製造方法について、図１〜
図５を用いて説明する。図１，図２はそれぞれ本発明の
相変化型光ディスクの第１，第２実施例構成を説明する
ための図、図３，図４はそれぞれ本発明の実施例１，２
の相変化型光ディスクを用いて１０万回の書き換えを行
うことを説明するための図、図５は本発明の実施例３の
相変化型光ディスクを用いて３０万回の書き換えを行う
ことを説明するための図、図６は比較例１の相変化型光
ディスクを用いて１０万回の書き換えを行うことを説明
するための図である。
【００１８】本発明の第１実施例である相変化型光ディ
スクＡは、図１に示すように、レーザー光Ｌが入射され
る基板１上に、第一の誘電体層２、相変化型記録層（記
録層）３、第二の誘電体層４、反射層５、保護膜６を、
順次積層形成してなるものである。
スクＡは、図１に示すように、レーザー光Ｌが入射され
る基板１上に、第一の誘電体層２、相変化型記録層（記
録層）３、第二の誘電体層４、反射層５、保護膜６を、
順次積層形成してなるものである。
【００１９】また、本発明の第２実施例である相変化型
光ディスクＢは、図２に示すように、レーザー光Ｌが入
射される基板１上に、第一の誘電体層２、相変化型記録
層（記録層）３、第二の誘電体層４、反射層５、保護膜
６を、順次積層形成してなるものであり、さらに、この
第一の誘電体層２は２層（誘電体層２Ａ，２Ｂ）で構成
される。
光ディスクＢは、図２に示すように、レーザー光Ｌが入
射される基板１上に、第一の誘電体層２、相変化型記録
層（記録層）３、第二の誘電体層４、反射層５、保護膜
６を、順次積層形成してなるものであり、さらに、この
第一の誘電体層２は２層（誘電体層２Ａ，２Ｂ）で構成
される。
【００２０】前記した基板１は、記録と再生のレーザー
光Ｌが透過できる透光性基板で、レーザー光Ｌを案内す
るプリグルーブやプリピットが設けられ（図示せず）、
ポリカーボネート、ポリオレフィン、アクリル等のプラ
スチック基板やガラス基板が用いられる。レーザー光Ｌ
を案内するプリグルーブやプリピットは、直接、射出成
形されたり、平滑基板上に２Ｐ法（フォトポリマー法）
で形成される。また、ＣＡＶ（constant angular veloc
ity 角速度一定）やＣＬＶ（constantlinear velocity
線速度一定）あるいはＺＣＡＶ（zone constant angu
lar velocity）やＺＣＬＶ（zone constant linear vel
ocity ）等のフォーマットでプリグルーブやプリピット
が形成され、また、各セクターの先頭にはアドレス信号
がエンボスピットとしてあらかじめ記録されている。ユ
ーザーが使用する情報エリアは、空溝で構成され、ラン
ドとグルーブに記録を行う場合には、ランド部とグルー
ブ部の再生信号やオーバーライト性能がそれぞれ同等に
なるように、ランドとグルーブの幅を設定する。
光Ｌが透過できる透光性基板で、レーザー光Ｌを案内す
るプリグルーブやプリピットが設けられ（図示せず）、
ポリカーボネート、ポリオレフィン、アクリル等のプラ
スチック基板やガラス基板が用いられる。レーザー光Ｌ
を案内するプリグルーブやプリピットは、直接、射出成
形されたり、平滑基板上に２Ｐ法（フォトポリマー法）
で形成される。また、ＣＡＶ（constant angular veloc
ity 角速度一定）やＣＬＶ（constantlinear velocity
線速度一定）あるいはＺＣＡＶ（zone constant angu
lar velocity）やＺＣＬＶ（zone constant linear vel
ocity ）等のフォーマットでプリグルーブやプリピット
が形成され、また、各セクターの先頭にはアドレス信号
がエンボスピットとしてあらかじめ記録されている。ユ
ーザーが使用する情報エリアは、空溝で構成され、ラン
ドとグルーブに記録を行う場合には、ランド部とグルー
ブ部の再生信号やオーバーライト性能がそれぞれ同等に
なるように、ランドとグルーブの幅を設定する。
【００２１】相変化型光ディスクＡを作製するには、こ
の基板１を図示せぬ真空成膜装置内に設置し、第一の誘
電体層２と相変化型記録層３と第二の誘電体層４と反射
層５とを順次積層形成する。各層２，３，５の成膜方法
は、直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリン
グ、イオンビームスパッタリング、イオンプレーティン
グ等が用いられる。一方、後述するように炭化珪素から
構成される第二の誘電体層４の成膜方法は、ＳｉＣター
ゲットを高周波スパッタリングするかＳｉターゲットを
メタンやエタンガスを導入しながら反応性スパッタリン
グして相変化型記録層３上に形成する。こうした製造装
置は、複数枚のディスク基板を同時に成膜するバッチ式
やディスク基板を１枚ずつ順次成膜する枚葉式が用いら
れる。
の基板１を図示せぬ真空成膜装置内に設置し、第一の誘
電体層２と相変化型記録層３と第二の誘電体層４と反射
層５とを順次積層形成する。各層２，３，５の成膜方法
は、直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリン
グ、イオンビームスパッタリング、イオンプレーティン
グ等が用いられる。一方、後述するように炭化珪素から
構成される第二の誘電体層４の成膜方法は、ＳｉＣター
ゲットを高周波スパッタリングするかＳｉターゲットを
メタンやエタンガスを導入しながら反応性スパッタリン
グして相変化型記録層３上に形成する。こうした製造装
置は、複数枚のディスク基板を同時に成膜するバッチ式
やディスク基板を１枚ずつ順次成膜する枚葉式が用いら
れる。
【００２２】また、相変化型光ディスクＢを作製するに
は、この基板１を図示せぬ真空成膜装置内に設置し、第
一の誘電体層２を構成する誘電体層２Ａ，２Ｂと相変化
型記録層３と第二の誘電体層４と反射層５とを順次積層
形成する。各層２Ａ，３，５の成膜方法は、抵抗加熱型
や電子ビーム型の真空蒸着、直流や交流スパッタリン
グ、反応性スパッタリング、イオンビームスパッタリン
グ、イオンプレーティング等が用いられる。一方、後述
するように炭化珪素から構成される誘電体層２Ｂと第二
の誘電体層４との成膜方法は、ＳｉＣターゲットを高周
波スパッタリングするかＳｉターゲットをメタンやエタ
ンガスを導入しながら反応性スパッタリングして形成す
る。こうした製造装置は、複数枚のディスク基板を同時
に成膜するバッチ式やディスク基板を１枚ずつ順次成膜
する枚葉式が用いられる。
は、この基板１を図示せぬ真空成膜装置内に設置し、第
一の誘電体層２を構成する誘電体層２Ａ，２Ｂと相変化
型記録層３と第二の誘電体層４と反射層５とを順次積層
形成する。各層２Ａ，３，５の成膜方法は、抵抗加熱型
や電子ビーム型の真空蒸着、直流や交流スパッタリン
グ、反応性スパッタリング、イオンビームスパッタリン
グ、イオンプレーティング等が用いられる。一方、後述
するように炭化珪素から構成される誘電体層２Ｂと第二
の誘電体層４との成膜方法は、ＳｉＣターゲットを高周
波スパッタリングするかＳｉターゲットをメタンやエタ
ンガスを導入しながら反応性スパッタリングして形成す
る。こうした製造装置は、複数枚のディスク基板を同時
に成膜するバッチ式やディスク基板を１枚ずつ順次成膜
する枚葉式が用いられる。
【００２３】前記した第一の誘電体層２は、硫化亜鉛と
金属酸化物の混合体、あるいは金属酸化物が用いられ
る。硫化亜鉛と金属酸化物の混合体としては、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 、ＺｎＳ−Ｔａ2Ｏ5 、ＺｎＳ−Ａｌ2 Ｏ3 、
ＺｎＳ−ＺｒＯ2 、ＺｎＳ−ＴｉＯ2 、ＺｎＳ−Ｙ２Ｏ
3 、ＺｎＳ−ＣｅＯ2 、ＺｎＳ−Ｎｂ２Ｏ3 、ＺｎＳ−
Ｎｄ２Ｏ3 、ＺｎＳ−ＭｇＯ、ＺｎＳ−ＺｎＯ、ＺｎＳ
−ＢａＴｉＯ3 、ＺｎＳ−ＳｎＯ2 、ＺｎＳ−ＬａＣｒ
Ｏ3 、ＺｎＳ−Ｌａ２Ｏ3 、ＺｎＳ−Ｓｂ２Ｏ3 などが
用いられる。前記した混合体における金属酸化物は２種
類以上含んでもよい。また、金属酸化物としては、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、
Ｙ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、ＢａＴｉＯ3 、ＳｎＯ2 、ＬａＣｒＯ3 、
Ｌａ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 などが用いられる。この金属酸
化物は２種類以上を含んでもよい。
金属酸化物の混合体、あるいは金属酸化物が用いられ
る。硫化亜鉛と金属酸化物の混合体としては、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 、ＺｎＳ−Ｔａ2Ｏ5 、ＺｎＳ−Ａｌ2 Ｏ3 、
ＺｎＳ−ＺｒＯ2 、ＺｎＳ−ＴｉＯ2 、ＺｎＳ−Ｙ２Ｏ
3 、ＺｎＳ−ＣｅＯ2 、ＺｎＳ−Ｎｂ２Ｏ3 、ＺｎＳ−
Ｎｄ２Ｏ3 、ＺｎＳ−ＭｇＯ、ＺｎＳ−ＺｎＯ、ＺｎＳ
−ＢａＴｉＯ3 、ＺｎＳ−ＳｎＯ2 、ＺｎＳ−ＬａＣｒ
Ｏ3 、ＺｎＳ−Ｌａ２Ｏ3 、ＺｎＳ−Ｓｂ２Ｏ3 などが
用いられる。前記した混合体における金属酸化物は２種
類以上含んでもよい。また、金属酸化物としては、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、
Ｙ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、ＢａＴｉＯ3 、ＳｎＯ2 、ＬａＣｒＯ3 、
Ｌａ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 などが用いられる。この金属酸
化物は２種類以上を含んでもよい。
【００２４】第一の誘電体層２の膜厚は１０〜２００ｎ
ｍの範囲にある。使用するレーザー光Ｌの波長によって
最適膜厚は変動するが、好ましくは、再生信号を増大さ
せるために、６０〜１５０ｎｍとするのがよい。
ｍの範囲にある。使用するレーザー光Ｌの波長によって
最適膜厚は変動するが、好ましくは、再生信号を増大さ
せるために、６０〜１５０ｎｍとするのがよい。
【００２５】さらに、前記した第一の誘電体層２は、繰
り返し多数回オーバーライトをした場合の記録層３の流
動を抑制するために、２層（誘電体層２Ａ，２Ｂ）で構
成する。即ち、図２に示すように、基板１側に形成され
た誘電体層２Ａには硫化亜鉛と金属酸化物の混合体か、
あるいは金属酸化物が用いられる。一方、記録層３側の
面に形成された誘電体層２Ｂには炭化珪素が用いられ
る。この炭化珪素はレーザー光Ｌが記録層３に照射され
たために発生する熱の放熱を促し、基板１の熱変形を抑
制するものである。
り返し多数回オーバーライトをした場合の記録層３の流
動を抑制するために、２層（誘電体層２Ａ，２Ｂ）で構
成する。即ち、図２に示すように、基板１側に形成され
た誘電体層２Ａには硫化亜鉛と金属酸化物の混合体か、
あるいは金属酸化物が用いられる。一方、記録層３側の
面に形成された誘電体層２Ｂには炭化珪素が用いられ
る。この炭化珪素はレーザー光Ｌが記録層３に照射され
たために発生する熱の放熱を促し、基板１の熱変形を抑
制するものである。
【００２６】２層（誘電体層２Ａ，２Ｂ）から構成され
る第一の誘電体層２の膜厚は、合計して１０〜２００ｎ
ｍの範囲にある。使用するレーザー光Ｌの波長によって
最適膜厚は変動するが、好ましくは、再生信号を増大さ
せるために、６０〜１５０ｎｍとするのがよい。また、
誘電体層２Ａの膜厚は記録感度を低下させないために、
誘電体層２Ｂの膜厚より厚くする。誘電体層２Ａの膜厚
ｄ１と、炭化珪素からなる誘電体層２Ｂの膜厚ｄ２との
比、ｄ１／ｄ２は、１．１から１０の範囲にある。
る第一の誘電体層２の膜厚は、合計して１０〜２００ｎ
ｍの範囲にある。使用するレーザー光Ｌの波長によって
最適膜厚は変動するが、好ましくは、再生信号を増大さ
せるために、６０〜１５０ｎｍとするのがよい。また、
誘電体層２Ａの膜厚は記録感度を低下させないために、
誘電体層２Ｂの膜厚より厚くする。誘電体層２Ａの膜厚
ｄ１と、炭化珪素からなる誘電体層２Ｂの膜厚ｄ２との
比、ｄ１／ｄ２は、１．１から１０の範囲にある。
【００２７】前記した相変化型記録層３は、レーザー光
Ｌの照射により原子の配列が変化して可逆的に反射率あ
るいは屈折率が変化することを利用する相変化材料が用
いられる。アモルファス−結晶間の反射率変化あるいは
屈折率変化を利用する、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相
変化材料が用いられる。記録層３の膜厚は５〜１００ｎ
ｍ、好ましくは、再生信号を増大させるために、１０〜
６０ｎｍとするのがよい。
Ｌの照射により原子の配列が変化して可逆的に反射率あ
るいは屈折率が変化することを利用する相変化材料が用
いられる。アモルファス−結晶間の反射率変化あるいは
屈折率変化を利用する、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相
変化材料が用いられる。記録層３の膜厚は５〜１００ｎ
ｍ、好ましくは、再生信号を増大させるために、１０〜
６０ｎｍとするのがよい。
【００２８】前記した第二の誘電体層４には、炭化珪素
が用いられる。レーザー光Ｌを照射した場合に記録層３
が光を吸収し昇温し、この熱が第一、第二の誘電体層
２，４や反射層５ならびに耐熱温度の低いプラスチック
基板１を大きく変形させる。この変形に伴い溶融した記
録層３材料を流動させる。炭化珪素は熱伝導率が高く、
弾性率も大きいため基板１への熱応力の影響を低減す
る。炭化珪素は必要に応じてその熱伝導率と屈折率を炭
素濃度を制御する事で変化させることができる。たとえ
ば、反応性スパッタリングの場合にはＡｒとメタンのガ
ス圧を調整し、メタンガス濃度を低くすれば炭素成分が
減少する。ＳｉＣをｒｆスパッタリングした場合には炭
素成分が不足したＳｉＣx （x ＜１）として形成され
る。炭化珪素層である第二の誘電体層４の膜厚は５〜８
０ｎｍの範囲にある。炭化珪素は熱伝導率が高いため８
０ｎｍ以上にすると記録感度が低くなりオーバーライト
ができなくなる。また、５ｎｍ以下にすると熱伝導率向
上させて放熱する効果が現れない。
が用いられる。レーザー光Ｌを照射した場合に記録層３
が光を吸収し昇温し、この熱が第一、第二の誘電体層
２，４や反射層５ならびに耐熱温度の低いプラスチック
基板１を大きく変形させる。この変形に伴い溶融した記
録層３材料を流動させる。炭化珪素は熱伝導率が高く、
弾性率も大きいため基板１への熱応力の影響を低減す
る。炭化珪素は必要に応じてその熱伝導率と屈折率を炭
素濃度を制御する事で変化させることができる。たとえ
ば、反応性スパッタリングの場合にはＡｒとメタンのガ
ス圧を調整し、メタンガス濃度を低くすれば炭素成分が
減少する。ＳｉＣをｒｆスパッタリングした場合には炭
素成分が不足したＳｉＣx （x ＜１）として形成され
る。炭化珪素層である第二の誘電体層４の膜厚は５〜８
０ｎｍの範囲にある。炭化珪素は熱伝導率が高いため８
０ｎｍ以上にすると記録感度が低くなりオーバーライト
ができなくなる。また、５ｎｍ以下にすると熱伝導率向
上させて放熱する効果が現れない。
【００２９】前記した反射層５は、熱伝導が高い金属、
あるいは半導体等の薄膜が用いられる。Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｔなどの金属、
あるいはこれらの合金や半導体が用いられる。熱伝導率
の制御や耐熱耐湿性の向上のために、Ｃｒ，Ｔａ，Ｓ
ｉ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔｉ等を添加してもよい。その膜厚は
５０〜３００ｎｍにすることが望ましい。
あるいは半導体等の薄膜が用いられる。Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｔなどの金属、
あるいはこれらの合金や半導体が用いられる。熱伝導率
の制御や耐熱耐湿性の向上のために、Ｃｒ，Ｔａ，Ｓ
ｉ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔｉ等を添加してもよい。その膜厚は
５０〜３００ｎｍにすることが望ましい。
【００３０】前記した保護膜６は、成膜したディスクを
大気中に取り出し、反射層５上に紫外線硬化樹脂を塗布
して形成される。膜厚は、１〜２０μm である。塗布方
法としては、スピンコート法、スプレー法、ディップ
法、ブレードコート法、ロールコート法、スクリーン印
刷法等が用いられる。紫外線硬化樹脂は、少なくともプ
レポリマ−、単官能アクリレ−トモノマ−、多官能アク
リレ−トモノマ−等と光重合開始剤からなる。
大気中に取り出し、反射層５上に紫外線硬化樹脂を塗布
して形成される。膜厚は、１〜２０μm である。塗布方
法としては、スピンコート法、スプレー法、ディップ
法、ブレードコート法、ロールコート法、スクリーン印
刷法等が用いられる。紫外線硬化樹脂は、少なくともプ
レポリマ−、単官能アクリレ−トモノマ−、多官能アク
リレ−トモノマ−等と光重合開始剤からなる。
【００３１】前述の図１に示した相変化型光ディスクＡ
は、基板１上に、第一の誘電体層２、相変化型記録層
３、第二の誘電体層４、反射層５、保護膜６を順次積層
形成してなるものであるが、本発明の相変化型光ディス
クはこの構成に限定されることなく、次の２つ実施例の
構成も含むものである。
は、基板１上に、第一の誘電体層２、相変化型記録層
３、第二の誘電体層４、反射層５、保護膜６を順次積層
形成してなるものであるが、本発明の相変化型光ディス
クはこの構成に限定されることなく、次の２つ実施例の
構成も含むものである。
【００３２】その一つのディスクは、図１の構成のディ
スクの保護膜６上に、接着剤層を介して、基板１と同様
の透明基板を１枚貼り合わせた構成の相変化型光ディス
クである。即ち、基板１上に、第一の誘電体層２、相変
化型記録層３、第二の誘電体層４、反射層５、保護膜
６、接着剤層、基板１を順次積層した構成の相変化型光
ディスクである。
スクの保護膜６上に、接着剤層を介して、基板１と同様
の透明基板を１枚貼り合わせた構成の相変化型光ディス
クである。即ち、基板１上に、第一の誘電体層２、相変
化型記録層３、第二の誘電体層４、反射層５、保護膜
６、接着剤層、基板１を順次積層した構成の相変化型光
ディスクである。
【００３３】また、もう一つのディスクは、図１の構成
のディスクの保護膜６上に、接着剤層を介して、図１の
構成のディスクをもう一枚貼り合わせた構成の相変化型
光ディスクである。即ち、基板１上に、第一の誘電体層
２、相変化型記録層３、第二の誘電体層４、反射層５、
保護膜６、接着剤層、保護膜６、反射層５、第二の誘電
体層４、相変化型記録層３、第一の誘電体層２、基板１
を順次積層した構成の相変化型光ディスクである。この
場合、レーザ光は両方の基板１側からそれぞれ入射する
ことになる。
のディスクの保護膜６上に、接着剤層を介して、図１の
構成のディスクをもう一枚貼り合わせた構成の相変化型
光ディスクである。即ち、基板１上に、第一の誘電体層
２、相変化型記録層３、第二の誘電体層４、反射層５、
保護膜６、接着剤層、保護膜６、反射層５、第二の誘電
体層４、相変化型記録層３、第一の誘電体層２、基板１
を順次積層した構成の相変化型光ディスクである。この
場合、レーザ光は両方の基板１側からそれぞれ入射する
ことになる。
【００３４】また、前述の図２に示した相変化型光ディ
スクＢは、基板１上に、誘電体層２Ａ，２Ｂからなる第
一の誘電体層２、相変化型記録層３、第二の誘電体層
４、反射層５、保護膜６を順次積層形成してなるもので
あるが、本発明の相変化型光ディスクはこの構成に限定
されることなく、次の２つ実施例の構成も含むものであ
る。
スクＢは、基板１上に、誘電体層２Ａ，２Ｂからなる第
一の誘電体層２、相変化型記録層３、第二の誘電体層
４、反射層５、保護膜６を順次積層形成してなるもので
あるが、本発明の相変化型光ディスクはこの構成に限定
されることなく、次の２つ実施例の構成も含むものであ
る。
【００３５】その一つのディスクは、図２の構成のディ
スクの保護膜６上に、接着剤層を介して、基板１と同様
の透明基板を１枚貼り合わせた構成の相変化型光ディス
クである。即ち、基板１上に、誘電体層２Ａ，２Ｂから
なる第一の誘電体層２、相変化型記録層３、第二の誘電
体層４、反射層５、保護膜６、接着剤層、基板１を順次
積層した構成の相変化型光ディスクである。
スクの保護膜６上に、接着剤層を介して、基板１と同様
の透明基板を１枚貼り合わせた構成の相変化型光ディス
クである。即ち、基板１上に、誘電体層２Ａ，２Ｂから
なる第一の誘電体層２、相変化型記録層３、第二の誘電
体層４、反射層５、保護膜６、接着剤層、基板１を順次
積層した構成の相変化型光ディスクである。
【００３６】また、もう一つのディスクは、図２の構成
のディスクの保護膜６上に、接着剤層を介して、図２の
構成のディスクをもう一枚貼り合わせた構成の相変化型
光ディスクである。即ち、基板１上に、誘電体層２Ａ，
２Ｂからなる第一の誘電体層２、相変化型記録層３、第
二の誘電体層４、反射層５、保護膜６、接着剤層、保護
膜６、反射層５、第二の誘電体層４、相変化型記録層
３、誘電体層２Ｂ，２Ａからなる第一の誘電体層２、基
板１を順次積層した構成の相変化型光ディスクである。
この場合、レーザ光は両方の基板１側からそれぞれ入射
することになる。
のディスクの保護膜６上に、接着剤層を介して、図２の
構成のディスクをもう一枚貼り合わせた構成の相変化型
光ディスクである。即ち、基板１上に、誘電体層２Ａ，
２Ｂからなる第一の誘電体層２、相変化型記録層３、第
二の誘電体層４、反射層５、保護膜６、接着剤層、保護
膜６、反射層５、第二の誘電体層４、相変化型記録層
３、誘電体層２Ｂ，２Ａからなる第一の誘電体層２、基
板１を順次積層した構成の相変化型光ディスクである。
この場合、レーザ光は両方の基板１側からそれぞれ入射
することになる。
【００３７】こうして作製した光ディスクに、レーザー
光やフラッシュランプ等を照射して、記録膜である相変
化型記録層３を結晶化温度以上に加熱し初期化処理を行
う。実用的には、光ディスクに照射される初期化用レー
ザビームはトラック幅よりも大きなビーム径（スポット
径）を有し、好ましくは半径方向に長く、ディスクを回
転しながら複数のトラックを同時に初期化する。
光やフラッシュランプ等を照射して、記録膜である相変
化型記録層３を結晶化温度以上に加熱し初期化処理を行
う。実用的には、光ディスクに照射される初期化用レー
ザビームはトラック幅よりも大きなビーム径（スポット
径）を有し、好ましくは半径方向に長く、ディスクを回
転しながら複数のトラックを同時に初期化する。
【００３８】次に、上述した相変化型光ディスクの製造
方法及びそのオーバーライトの評価について、図３〜図
６を用いて、実施例１−４、比較例１−３を説明する。
方法及びそのオーバーライトの評価について、図３〜図
６を用いて、実施例１−４、比較例１−３を説明する。
【００３９】＜実施例１＞トラックピッチ１．６μｍ、
溝深さ６０ｎｍのプリグルーブが設けられたポリカーボ
ネート基板１に、第一誘電体層２、相変化記録層３、第
二誘電体層４、反射層５をスパッタリングによって成膜
する（相変化型光ディスクＡの製造過程）。
溝深さ６０ｎｍのプリグルーブが設けられたポリカーボ
ネート基板１に、第一誘電体層２、相変化記録層３、第
二誘電体層４、反射層５をスパッタリングによって成膜
する（相変化型光ディスクＡの製造過程）。
【００４０】まず、真空度５×１０-7Torrに排気した
後、ＴａターゲットをＡｒとＯ2 の混合ガスでＤＣ（直
流）反応性スパッタリングして、酸化タンタルを第一誘
電体層２として１００ｎｍ設けた。次いで、相変化記録
層３としてＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをＤＣスパッタ
リングしてＧｅ16Ｓｂ27Ｔｅ57を２２ｎｍ形成した。次
いで、第二誘電体層４としてＳｉＣターゲットをｒｆ
（高周波）スパッタリングして炭化珪素を１５ｎｍ成膜
した。次いで、反射層５としてＡｌＺｒ合金ターゲット
をＤＣスパッタリングしてＡｌ98Ｚｒ2 を１００ｎｍ設
けてディスクを作製した。真空チャンバーからディスク
を取り出した後、保護層６として紫外線硬化樹脂（住友
化学製 ＸＲ１１）を反射層５上にスピンコートし、紫
外線を照射して硬化させた保護膜６の膜厚は、５μｍで
あった。こうして、上述した相変化型光ディスクＡを作
製した。
後、ＴａターゲットをＡｒとＯ2 の混合ガスでＤＣ（直
流）反応性スパッタリングして、酸化タンタルを第一誘
電体層２として１００ｎｍ設けた。次いで、相変化記録
層３としてＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをＤＣスパッタ
リングしてＧｅ16Ｓｂ27Ｔｅ57を２２ｎｍ形成した。次
いで、第二誘電体層４としてＳｉＣターゲットをｒｆ
（高周波）スパッタリングして炭化珪素を１５ｎｍ成膜
した。次いで、反射層５としてＡｌＺｒ合金ターゲット
をＤＣスパッタリングしてＡｌ98Ｚｒ2 を１００ｎｍ設
けてディスクを作製した。真空チャンバーからディスク
を取り出した後、保護層６として紫外線硬化樹脂（住友
化学製 ＸＲ１１）を反射層５上にスピンコートし、紫
外線を照射して硬化させた保護膜６の膜厚は、５μｍで
あった。こうして、上述した相変化型光ディスクＡを作
製した。
【００４１】次に、＜実施例１＞の相変化型光ディスク
Ａのオーバーライトを評価した。まず、ディスクＡを回
転しながら基板１側からレーザー光Ｌを照射して相変化
記録層３を反射率の低い状態から反射率の高い状態へ相
変化させて初期化した。基板１側から相変化記録層３の
案内溝間のランド部に記録を行った。ランドは、レーザ
ー光Ｌの入射方向（図１中の矢印方向）からみて凹状に
なっている。
Ａのオーバーライトを評価した。まず、ディスクＡを回
転しながら基板１側からレーザー光Ｌを照射して相変化
記録層３を反射率の低い状態から反射率の高い状態へ相
変化させて初期化した。基板１側から相変化記録層３の
案内溝間のランド部に記録を行った。ランドは、レーザ
ー光Ｌの入射方向（図１中の矢印方向）からみて凹状に
なっている。
【００４２】記録の条件は、次の通りである。線速度
６．０ｍ／ｓ、記録レーザ（レーザー光Ｌの）波長は６
８４ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６、ピークパワー１
２．０ｍＷ，バイアスパワー４．５ｍＷ。８−１６変調
信号を記録した。最短マーク３Ｔと最長マーク１４Ｔの
ｒｆ信号のhigh level とlow level をオシロスコープ
で測定した。１回目の記録と１０万回のオーバーライト
した後の結果を図３に示す。イニシャル記録に対する１
０万回のオーバーライト後の各レベル（３Ｔ low，３Ｔ
high ，１４Ｔ low，１４Ｔhigh における各レベル）
には、ほとんど変化がなく物質移動が認められず、繰り
返し性能が良好である。
６．０ｍ／ｓ、記録レーザ（レーザー光Ｌの）波長は６
８４ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６、ピークパワー１
２．０ｍＷ，バイアスパワー４．５ｍＷ。８−１６変調
信号を記録した。最短マーク３Ｔと最長マーク１４Ｔの
ｒｆ信号のhigh level とlow level をオシロスコープ
で測定した。１回目の記録と１０万回のオーバーライト
した後の結果を図３に示す。イニシャル記録に対する１
０万回のオーバーライト後の各レベル（３Ｔ low，３Ｔ
high ，１４Ｔ low，１４Ｔhigh における各レベル）
には、ほとんど変化がなく物質移動が認められず、繰り
返し性能が良好である。
【００４３】＜実施例２＞第一の誘電体層２を硫化亜鉛
と二酸化珪素の混合物ＺｎＳ−ＳｉＯ2 に変えた以外
は、＜実施例１＞と同様の相変化型光ディスクを作製
し、同条件で評価した。
と二酸化珪素の混合物ＺｎＳ−ＳｉＯ2 に変えた以外
は、＜実施例１＞と同様の相変化型光ディスクを作製
し、同条件で評価した。
【００４４】まず、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （８０：２０ｍｏ
ｌ％）をＡｒガスで高周波スパッタリングして第一誘電
体層２として９０ｎｍ設けた。次いで、相変化記録層３
としてＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをＤＣスパッタリン
グしてＧｅ16Ｓｂ27Ｔｅ57を２２ｎｍ形成した。この上
に第二誘電体層４としてＳｉＣターゲットをｒｆ（高周
波）スパッタリングして炭化珪素を１５ｎｍ成膜した。
次いで、反射層５としてＡｌＺｒ合金ターゲットをＤＣ
スパッタリングしてＡｌ98Ｚｒ2 を１００ｎｍ設けて光
ディスクを作製した。＜実施例１＞と同様にして保護層
６を形成し、初期化を施した後に、同様の線速度にして
ピークパワー１１．０ｍＷ，バイアスパワー４．５ｍ
Ｗ、冷却パワー１．０ｍＷのマルチパルス記録でこのデ
ィスクを評価した。
ｌ％）をＡｒガスで高周波スパッタリングして第一誘電
体層２として９０ｎｍ設けた。次いで、相変化記録層３
としてＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをＤＣスパッタリン
グしてＧｅ16Ｓｂ27Ｔｅ57を２２ｎｍ形成した。この上
に第二誘電体層４としてＳｉＣターゲットをｒｆ（高周
波）スパッタリングして炭化珪素を１５ｎｍ成膜した。
次いで、反射層５としてＡｌＺｒ合金ターゲットをＤＣ
スパッタリングしてＡｌ98Ｚｒ2 を１００ｎｍ設けて光
ディスクを作製した。＜実施例１＞と同様にして保護層
６を形成し、初期化を施した後に、同様の線速度にして
ピークパワー１１．０ｍＷ，バイアスパワー４．５ｍ
Ｗ、冷却パワー１．０ｍＷのマルチパルス記録でこのデ
ィスクを評価した。
【００４５】１回目の記録と１０万回までオーバーライ
トした後の結果を図４に示す。イニシャル記録に対する
１０万回のオーバーライト後の各レベルには、ほとんど
変化がなく物質移動が認められず、繰り返し性能が良好
である。
トした後の結果を図４に示す。イニシャル記録に対する
１０万回のオーバーライト後の各レベルには、ほとんど
変化がなく物質移動が認められず、繰り返し性能が良好
である。
【００４６】＜実施例３＞トラックピッチ１．６μｍ、
溝深さ６０ｎｍのプリグルーブが設けられたポリカーボ
ネート基板１に、第一の誘電体層２を構成する２層の誘
電体層２Ａ，２Ｂ、相変化記録層３、第２誘電体層４、
反射層５をスパッタリングによって成膜した（相変化型
光ディスクＢの製造過程）。
溝深さ６０ｎｍのプリグルーブが設けられたポリカーボ
ネート基板１に、第一の誘電体層２を構成する２層の誘
電体層２Ａ，２Ｂ、相変化記録層３、第２誘電体層４、
反射層５をスパッタリングによって成膜した（相変化型
光ディスクＢの製造過程）。
【００４７】まず、真空度５×１０-7Torr以下に排気し
た後、ＴａターゲットをＡｒとＯ2の混合ガスでＤＣ
（直流）反応性スパッタリングして、酸化タンタルを第
一の誘電体層２を構成する誘電体層２Ａとして８５ｎｍ
設けた。次いで、第一の誘電体層２を構成する誘電体層
２ＢとしてＳｉＣターゲットをｒｆ（高周波）スパッタ
リングして炭化珪素を１５ｎｍ成膜した。次いで、相変
化記録層３としてＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをＤＣス
パッタリングしてＧｅ16Ｓｂ27Ｔｅ57を２２ｎｍ形成し
た。次いで、第二の誘電体層４としてＳｉＣターゲット
をｒｆ（高周波）スパッタリングして炭化珪素を１５ｎ
ｍ成膜した。次いで、反射層５としてＡｌＺｒ合金ター
ゲットをＤＣスパッタリングしてＡｌ98Ｚｒ2 を１００
ｎｍ設けてディスクを作製した。真空チャンバーからデ
ィスクを取り出した後、保護層６として紫外線硬化樹脂
（住友化学製 ＸＲ１１）を反射層５上にスピンコート
し、紫外線を照射して硬化させた保護膜６の膜厚は、５
μｍであった。こうして、上述した相変化型光ディスク
Ｂを作製した。
た後、ＴａターゲットをＡｒとＯ2の混合ガスでＤＣ
（直流）反応性スパッタリングして、酸化タンタルを第
一の誘電体層２を構成する誘電体層２Ａとして８５ｎｍ
設けた。次いで、第一の誘電体層２を構成する誘電体層
２ＢとしてＳｉＣターゲットをｒｆ（高周波）スパッタ
リングして炭化珪素を１５ｎｍ成膜した。次いで、相変
化記録層３としてＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをＤＣス
パッタリングしてＧｅ16Ｓｂ27Ｔｅ57を２２ｎｍ形成し
た。次いで、第二の誘電体層４としてＳｉＣターゲット
をｒｆ（高周波）スパッタリングして炭化珪素を１５ｎ
ｍ成膜した。次いで、反射層５としてＡｌＺｒ合金ター
ゲットをＤＣスパッタリングしてＡｌ98Ｚｒ2 を１００
ｎｍ設けてディスクを作製した。真空チャンバーからデ
ィスクを取り出した後、保護層６として紫外線硬化樹脂
（住友化学製 ＸＲ１１）を反射層５上にスピンコート
し、紫外線を照射して硬化させた保護膜６の膜厚は、５
μｍであった。こうして、上述した相変化型光ディスク
Ｂを作製した。
【００４８】次に、＜実施例３＞の相変化型光ディスク
Ｂのオーバーライトを評価した。まず、ディスクＢを回
転しながら基板１側からレーザー光Ｌを照射して相変化
記録層３を反射率の低い状態から反射率の高い状態へ相
変化させて初期化した。基板１側から相変化記録層３の
案内溝間のランド部に記録を行った。ランドは、レーザ
ー光Ｌの入射方向（図２中の矢印方向）からみて凹状に
なっている。
Ｂのオーバーライトを評価した。まず、ディスクＢを回
転しながら基板１側からレーザー光Ｌを照射して相変化
記録層３を反射率の低い状態から反射率の高い状態へ相
変化させて初期化した。基板１側から相変化記録層３の
案内溝間のランド部に記録を行った。ランドは、レーザ
ー光Ｌの入射方向（図２中の矢印方向）からみて凹状に
なっている。
【００４９】記録の条件は、次の通りである。線速度
６．０ｍ／ｓ、記録レーザ（レーザー光Ｌの）波長は６
８４ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６、ピークパワー１
２．０ｍＷ，バイアスパワー４．５ｍＷ。８−１６変調
信号を記録した。最短マーク３Ｔと最長マーク１４Ｔの
ｒｆ信号のhigh level とlow level をオシロスコープ
で測定した。１回目の記録と３０万回までオーバーライ
トした後の結果を図５に示す。イニシャル記録に対する
３０万回のオーバーライト後の各レベル（３Ｔ low，３
Ｔ high ，１４Ｔ low，１４Ｔ high における各レベ
ル）には、変化がほとんどなく、物質移動が抑制されて
いる。さらに、３０万回まで繰り返し回数がのびた。
６．０ｍ／ｓ、記録レーザ（レーザー光Ｌの）波長は６
８４ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６、ピークパワー１
２．０ｍＷ，バイアスパワー４．５ｍＷ。８−１６変調
信号を記録した。最短マーク３Ｔと最長マーク１４Ｔの
ｒｆ信号のhigh level とlow level をオシロスコープ
で測定した。１回目の記録と３０万回までオーバーライ
トした後の結果を図５に示す。イニシャル記録に対する
３０万回のオーバーライト後の各レベル（３Ｔ low，３
Ｔ high ，１４Ｔ low，１４Ｔ high における各レベ
ル）には、変化がほとんどなく、物質移動が抑制されて
いる。さらに、３０万回まで繰り返し回数がのびた。
【００５０】＜比較例１＞第一の誘電体層２と第二の誘
電体層４の両方を硫化亜鉛と二酸化珪素の混合物ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 に変えた以外は、＜実施例１＞と同様の相変
化型光ディスクを作製し、同条件で評価した。ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 （８０：２０ｍｏｌ％）をＡｒガスで高周波ス
パッタリングして第一誘電体層２として１００ｎｍ設け
た。次いで、記録層３としてＧｅＳｂＴｅ合金ターゲッ
トをＤＣスパッタリングしてＧｅ16Ｓｂ27Ｔｅ57を２２
ｎｍ形成した。この上に第二誘電体層４としてＺｎＳ−
ＳｉＯ2 （８０：２０ｍｏｌ％）を高周波スパッタリン
グ法で１５ｎｍ成膜し、さらに反射層５としてＡｌＺｒ
合金ターゲットをＤＣスパッタリングしてＡｌ98Ｚｒ2
を１００ｎｍ設けてディスクを作製した。＜実施例１＞
と同様にして、初期化を施した後に、ピークパワー１
１．０ｍＷ，バイアスパワー４．５ｍＷ、冷却パワー
１．０ｍＷでこのディスクを評価した。１回目の記録と
１０万回までオーバーライトした後の結果を図６に示
す。イニシャル記録に対する１０万回のオーバーライト
後の各レベル（３Ｔ low，３Ｔ high ，１４Ｔ low，１
４Ｔ high における各レベル）を比較すると、オーバー
ライトを繰り返し行うと、記録層３が流動して各信号の
レベルは低下して、繰り返し性能が劣化する。
電体層４の両方を硫化亜鉛と二酸化珪素の混合物ＺｎＳ
−ＳｉＯ2 に変えた以外は、＜実施例１＞と同様の相変
化型光ディスクを作製し、同条件で評価した。ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 （８０：２０ｍｏｌ％）をＡｒガスで高周波ス
パッタリングして第一誘電体層２として１００ｎｍ設け
た。次いで、記録層３としてＧｅＳｂＴｅ合金ターゲッ
トをＤＣスパッタリングしてＧｅ16Ｓｂ27Ｔｅ57を２２
ｎｍ形成した。この上に第二誘電体層４としてＺｎＳ−
ＳｉＯ2 （８０：２０ｍｏｌ％）を高周波スパッタリン
グ法で１５ｎｍ成膜し、さらに反射層５としてＡｌＺｒ
合金ターゲットをＤＣスパッタリングしてＡｌ98Ｚｒ2
を１００ｎｍ設けてディスクを作製した。＜実施例１＞
と同様にして、初期化を施した後に、ピークパワー１
１．０ｍＷ，バイアスパワー４．５ｍＷ、冷却パワー
１．０ｍＷでこのディスクを評価した。１回目の記録と
１０万回までオーバーライトした後の結果を図６に示
す。イニシャル記録に対する１０万回のオーバーライト
後の各レベル（３Ｔ low，３Ｔ high ，１４Ｔ low，１
４Ｔ high における各レベル）を比較すると、オーバー
ライトを繰り返し行うと、記録層３が流動して各信号の
レベルは低下して、繰り返し性能が劣化する。
【００５１】＜比較例２＞第二の誘電体層４である炭化
珪素の膜厚を１５ｎｍから８０ｎｍに変えた以外は、＜
実施例１＞と同様の相変化型光ディスクを作製し、同条
件で評価した。＜実施例１＞と同様にして、初期化を施
した後に、ピークパワー１２．０ｍＷ，バイアスパワー
４．５ｍＷ、冷却パワー１．０ｍＷでこのディスクを評
価した。１万回のオーバーライト後のｒｆ信号はノイズ
が増大して、各レベル（３Ｔ low，３Ｔ high ，１４Ｔ
low，１４Ｔ high における各レベル）の判別ができな
くなり、測定ができなくなった。誘電体層２，４の破壊
が進行したものと予想される。
珪素の膜厚を１５ｎｍから８０ｎｍに変えた以外は、＜
実施例１＞と同様の相変化型光ディスクを作製し、同条
件で評価した。＜実施例１＞と同様にして、初期化を施
した後に、ピークパワー１２．０ｍＷ，バイアスパワー
４．５ｍＷ、冷却パワー１．０ｍＷでこのディスクを評
価した。１万回のオーバーライト後のｒｆ信号はノイズ
が増大して、各レベル（３Ｔ low，３Ｔ high ，１４Ｔ
low，１４Ｔ high における各レベル）の判別ができな
くなり、測定ができなくなった。誘電体層２，４の破壊
が進行したものと予想される。
【００５２】＜比較例３＞第一の誘電体層２を酸化タン
タル１００ｎｍから炭化珪素８２ｎｍに変えた以外は、
＜実施例１＞と同様の相変化型光ディスクを作製し、同
条件で評価した。＜実施例１＞と同様にして、初期化を
施した後に、ピークパワー１２．０ｍＷ，バイアスパワ
ー４．５ｍＷ、冷却パワー１．０ｍＷでこのディスクを
評価した。この結果、記録パワーが不足して記録ならび
にオーバーライトができなかった。
タル１００ｎｍから炭化珪素８２ｎｍに変えた以外は、
＜実施例１＞と同様の相変化型光ディスクを作製し、同
条件で評価した。＜実施例１＞と同様にして、初期化を
施した後に、ピークパワー１２．０ｍＷ，バイアスパワ
ー４．５ｍＷ、冷却パワー１．０ｍＷでこのディスクを
評価した。この結果、記録パワーが不足して記録ならび
にオーバーライトができなかった。
【００５３】
【発明の効果】上述した構成を有する本発明の相変化型
光ディスクは、オーバーライト時に照射されたレーザー
光によって相変化記録層内で発生した熱が、記録層に接
する高熱伝導高硬度の炭化珪素からなる第二の誘電体層
に、良好に伝導して放熱されるため、あるいは、相変化
記録層内で発生した熱が、記録層を挟むように高熱伝導
高硬度の炭化珪素からなる第一，第二の誘電体層に良好
に伝導して放熱されるため、この結果、相変化記録層の
熱的損傷を減少させ、記録層を構成する物質の流動（移
動）を抑制して透明基板の熱変形を確実に防止すること
ができ、また、記録層を構成する物質の流動による再生
振幅低下を抑制することができ、書き換え性能を大幅に
向上することができる。また、本発明の相変化型光ディ
スクの製造方法は、上述した効果を奏する相変化型光デ
ィスクを作製することができる。
光ディスクは、オーバーライト時に照射されたレーザー
光によって相変化記録層内で発生した熱が、記録層に接
する高熱伝導高硬度の炭化珪素からなる第二の誘電体層
に、良好に伝導して放熱されるため、あるいは、相変化
記録層内で発生した熱が、記録層を挟むように高熱伝導
高硬度の炭化珪素からなる第一，第二の誘電体層に良好
に伝導して放熱されるため、この結果、相変化記録層の
熱的損傷を減少させ、記録層を構成する物質の流動（移
動）を抑制して透明基板の熱変形を確実に防止すること
ができ、また、記録層を構成する物質の流動による再生
振幅低下を抑制することができ、書き換え性能を大幅に
向上することができる。また、本発明の相変化型光ディ
スクの製造方法は、上述した効果を奏する相変化型光デ
ィスクを作製することができる。
【図１】本発明の相変化型光ディスクの第１実施例構成
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２】本発明の相変化型光ディスクの第２実施例構成
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】本発明の実施例１の相変化型光ディスクを用い
て１０万回の書き換えを行うことを説明するための図で
ある。
て１０万回の書き換えを行うことを説明するための図で
ある。
【図４】本発明の実施例２の相変化型光ディスクを用い
て１０万回の書き換えを行うことを説明するための図で
ある。
て１０万回の書き換えを行うことを説明するための図で
ある。
【図５】本発明の実施例３の相変化型光ディスクを用い
て３０万回の書き換えを行うことを説明するための図で
ある。
て３０万回の書き換えを行うことを説明するための図で
ある。
【図６】比較例１の相変化型光ディスクを用いて１０万
回の書き換えを行うことを説明するための図である。
回の書き換えを行うことを説明するための図である。
１ 透光性基板 ２ 第一の誘電体層 ２Ａ，２Ｂ 一方，他方の誘電体層 ３ 相変化記録層 ４ 第二の誘電体層 ５ 反射層 ６ 保護膜 Ａ，Ｂ 相変化型光ディスク
Claims (9)
- 【請求項１】透光性基板上に、第一の誘電体層と、相変
化記録層と、第二の誘電体層と、反射層と、保護膜とを
順次積層してなる相変化型光ディスクにおいて、 前記第一の誘電体層は、硫化亜鉛と金属酸化物との混合
体、あるいは金属酸化物からなり，前記相変化記録層
は、レーザ光の照射により原子の配列が変化して可逆的
に反射率が変化する相変化材料からなり，前記第二の誘
電体層は、炭化珪素からなることを特徴とする相変化型
光ディスク。 - 【請求項２】透光性基板上に、第一の誘電体層と、相変
化記録層と、第二の誘電体層と、反射層と、保護膜とを
順次積層し、かつ前記第一の誘電体層を２つの誘電体層
から構成してなる相変化型光ディスクであって、 前記第一の誘電体層を構成しかつ前記透光性基板上に形
成される一方の誘電体層は、硫化亜鉛と金属酸化物との
混合体、あるいは金属酸化物からなり、 前記第一の誘電体層を構成しかつ前記相変化記録層が形
成される他方の誘電体層は、炭化珪素からなり、 前記相変化記録層は、レーザ光の照射により原子の配列
が変化して可逆的に反射率が変化する相変化材料からな
り，前記第二の誘電体層は、炭化珪素からなることを特
徴とする相変化型光ディスク。 - 【請求項３】前記第一の誘電体層を構成する一方の誘電
体層の厚さは、前記第一の誘電体層を構成する他方の誘
電体層の厚さより大であることを特徴とする請求項２記
載の相変化型光ディスク。 - 【請求項４】前記相変化記録層は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
の相変化材料からなることを特徴とする請求項１乃至３
のうちのいずれかに記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項５】前記第二の誘電体層は、炭素濃度を低減し
た炭化珪素からなることを特徴とする請求項１乃至４の
うちのいずれかに記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項６】前記反射層は、熱伝導が高い金属、熱伝導
が高い金属を含む合金、あるいは熱伝導が高い半導体か
らなることを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれ
かに記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項７】前記第一の誘電体層の厚さは、６０〜１５
０ｎｍ、 前記相変化記録層の厚さは、１０〜６０ｎｍ、 前記第二の誘電体層の厚さは、５〜８０ｎｍ、 であることを特徴とする請求項１乃至６のうちのいずれ
かに記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項８】透光性基板上に、第一の誘電体層と、相変
化記録層と、第二の誘電体層と、反射層と、保護膜とを
順次積層してなる相変化型光ディスクを製造する相変化
型光ディスクの製造方法であって、 硫化亜鉛と金属酸化物との混合体あるいは金属酸化物か
らなる前記第一の誘電体層と、レーザ光の照射により原
子の配列が変化して可逆的に反射率が変化する相変化材
料からなる前記相変化記録層と、前記反射層とを、それ
ぞれ、直流、交流、反応性、イオンビームの各スパッタ
リング法、あるいはイオンプレーティング法のいずれか
により成膜し、 炭化珪素から構成される前記第二の誘電体層を、ＳｉＣ
ターゲットを高周波スパッタリング法により成膜する
か、あるいはＳｉターゲットをメタンやエタンガスを導
入しながら反応性スパッタリング法により成膜すること
を特徴とする相変化型光ディスクの製造方法。 - 【請求項９】透光性基板上に、第一の誘電体層と、相変
化記録層と、第二の誘電体層と、反射層と、保護膜とを
順次積層し、かつ前記第一の誘電体層を２つの誘電体層
から構成してなる相変化型光ディスクを製造する相変化
型光ディスクの製造方法であって、 硫化亜鉛と金属酸化物との混合体あるいは金属酸化物か
らなり、前記第一の誘電体層を構成しかつ前記透光性基
板上に形成される一方の誘電体層と、レーザ光の照射に
より原子の配列が変化して可逆的に反射率が変化する相
変化材料からなる前記相変化記録層と、前記反射層と
を、それぞれ、抵抗加熱型あるいは電子ビーム型の真空
蒸着法、直流、交流、反応性、イオンビームの各スパッ
タリング法、あるいはイオンプレーティング法のいずれ
かにより成膜し、 炭化珪素からなり、前記第一の誘電体層を構成しかつ前
記相変化記録層が形成される他方の誘電体層と、炭化珪
素からなる前記第二の誘電体層とを、それぞれ、ＳｉＣ
ターゲットを高周波スパッタリング法により成膜する
か、あるいはＳｉターゲットをメタンやエタンガスを導
入しながら反応性スパッタリング法により成膜すること
を特徴とする相変化型光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9170955A JPH113538A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 相変化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9170955A JPH113538A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 相変化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113538A true JPH113538A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15914486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9170955A Pending JPH113538A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 相変化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH113538A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132147B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-11-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording medium |
| US7357969B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording medium |
| US9773933B2 (en) | 2010-02-23 | 2017-09-26 | Tenksolar, Inc. | Space and energy efficient photovoltaic array |
-
1997
- 1997-06-12 JP JP9170955A patent/JPH113538A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132147B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-11-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording medium |
| US7291375B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording medium |
| US7294382B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording medium |
| US7357969B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-change optical recording medium |
| US9773933B2 (en) | 2010-02-23 | 2017-09-26 | Tenksolar, Inc. | Space and energy efficient photovoltaic array |
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