JP2001266405A - 相変化型光デイスク媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 狭トラックピッチの基板を用い、ランド／グ
ルーブ記録を行っても、既に記録されている隣接トラッ
クの情報が損なわれることのない、クロスイレーズ特性
に優れた相変化型光デイスク媒体およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 石英製の基板１上の隣接したランド部
（凹部）およびグルーブ部（凸部）に積層された記録層
３を不連続に形成する。そのために、表面が平坦な基盤
１上に、下部誘電体層２、記録層３、上部誘電体層４、
反射膜層５及び保護誘電体層６を順次に成膜する。さら
に、下層レジスト及び上層レジストで断面がＴ字型のフ
ォトレジストパターンを形成し、下部誘電体層２〜保護
誘電体層６の積層厚と等しい厚さだけ基板１にイオンエ
ッチングを施す。この状態で、下部誘電体層２〜保護誘
電体層６と同様の薄膜を積層し、下部レジストから上側
の部分全部を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の照射に
よる書換型光学式情報記録再生装置等に用いられる光学
式情報記録再生媒体及びその製造方法に関し、特に案内
溝により構成される記録トラックとしてのランド部およ
びグルーブ部に対して情報記録を行う方式の相変化型光
ディスク媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、レーザ光を用いた光情報記録再生
方式は大容量の情報を非接触かつ高速でアクセスが可能
であるため、各所で大容量メモリに採用され実用化され
ている。光情報記録再生方式を用いた光学式情報記録再
生媒体は、コンパクトデイスクやレーザデイスクとして
知られている再生専用型、ユーザ自身で記録ができる追
記型、及びユーザ側で繰返し記録再生が可能な書換型に
分類される。追記型及び書換型の光学式情報記録再生媒
体はコンピユータの外部メモリや文書、画像フアイルと
して使用されつつある。書換型の光学式情報記録再生媒
体には、記録膜の相変化を利用した相変化型光デイスク
と垂直磁化膜の磁化方向の変化を利用した光磁気デイス
クがある。このうち、相変化型光デイスクでは、光磁気
デイスクでは必要とされる情報を記録する際の外部磁界
が不要であり、さらに記録情報の重ね書き、即ちオーバ
ライトが容易に可能なことから、今後、書換型の光学式
情報記録再生媒体の主流になることが期待されている。

【０００３】従来より、レーザ光の照射により、記録膜
の結晶−非晶質間の相変化を利用した書換可能な相変化
型光デイスクが知られている。相変化型光デイスクで
は、記録膜に高パワのレーザ光を照射し、記録膜温度を
局所的に上昇させることにより、記録膜の結晶−非晶質
間の相変化を起こさせて記録を行う。記録した情報の再
生は、記録時に比べ、比較的低パワのレーザ光を照射
し、情報記録部の光学定数の変化を反射光強度差として
検出することにより行われている。

【０００４】相変化型光デイスクの記録膜には、カルコ
ゲナイド系材料であるゲルマニウム・アンチモン・テル
ル（ＧｅＳｂＴｅ）系、インジウム・アンチモン・テル
ル（ＩｎＳｂＴｅ）系及び銀・インジウム・テルル（Ａ
ｇＩｎＳｂＴｅ）系等が用いられている。これらの記録
膜はいずれも抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着
法、スパッタリング法等の成膜方法で形成される。成膜
直後の記録膜の状態は一種の非晶質状態にあり、この記
録膜に記録を行って、非晶質の記録部を形成するため
に、記録膜全体を結晶質にするための初期化処理が行わ
れる。記録はこの結晶化された状態の中に非晶質部分を
形成することにより達成される。

【０００５】一般的な相変化型光デイスクの記録再生方
法は、レーザ光のパワのレベルを変化させることにより
行う。すなわち、記録時には記録膜の温度を融点以上に
上昇させることが可能なパワのレーザ光を記録膜に照射
し、その照射部分が冷却時に非晶質状態となることによ
り行う。また、情報を消去する場合には、記録膜の温度
が結晶化温度以上、融点以下の温度に達するようなパワ
のレーザ光を照射する。一方、再生は、結晶化温度以下
の温度にしかならない低パワのレーザ光を記録膜に照射
することにより、記録内容を記録膜からの反射光強度差
として読み取ることにより行う。このとき記録内容は保
持される。

【０００６】上述した相変化型光デイスクを構成する記
録膜は螺旋状もしくは同心円状の案内溝、すなわち記録
トラック（ランド部：凹部およびグルーブ部：凸部）が
予め配設されたデイスク基板上に形成される。この記録
トラックによって、情報記録再生装置の光ヘッドから出
射されるレーザ光が情報列に沿ってガイドされる。この
記録トラックの形状は凹形と凸形が交互に配置されてい
る。光ヘッドからみて凹形、つまり遠い側をランド部と
称し、逆に凸形、つまり近い側をグルーブ部と称する。
またランド部の中心から隣のランド部の中心までの距離
もしくはグルーブ部の中心から隣のグループの中心まで
の距離をトラックピッチと称している。

【０００７】以上に述べた記録膜及びディスク基板（以
下、「基板」と記す）を用いて相変化型光デイスク媒体
を形成するには、基板上に第１の誘電体層、記録膜、第
２の誘電体層が順次配設されること、もしくは基板上に
第１の誘電体層、記録膜、第２の誘電体層、反射膜等が
順次配設されること、もしくは基板上に第１の誘電体
層、第２の誘電体層、記録膜、第３の誘電体層、反射膜
等が順次配設されることが一般的である。ここで、第
１，第２，第３の各誘電体層は所望の反射率を得るため
に設けられるものであって、それぞれが少なくとも１層
の誘電体層から成る。第２，第３の誘電体層を設けるか
否か、及び各誘電体層を何層にするかは、使用される材
料と所望の反射率とによって定まる。

【０００８】図１１に、一般的に用いられている溝付の
ポリカーボネイト（ＰＣ）基板１１を用いた相変化型光
ディスク媒体の断面図を示す。図１１に示す構成では、
ＰＣ基板１１上のランド部（凹部）およびグルーブ部
（凸部）に積層された記録層１３が連続的に形成されて
いる。

【０００９】この相変化型光ディスク媒体を比較的低線
速で使用する場合には、熱的な観点から、記録層と反射
膜に挟まれた誘電体層は、基板と記録膜に挟まれた第１
の誘電体層もしくは第１の誘電体層と第２の誘電体層と
のトータルの膜厚に比べ、かなり薄い膜厚で積層され、
反射膜側に放熱する目的で用いられている。また基板に
直接接する第１の誘電体層は、レーザ光の昇温による記
録膜の流動や基板からの剥離を防ぐために、厚く（８０
ｎｍ以上）積層される。

【００１０】さらに近年、記録密度の高密度化の要求に
伴い、記録トラックのトラックピッチの狭トラック化及
び案内溝の凹部（ランド部）とこのランド部の間にある
凸部（グルーブ部）の両方に情報を記録するランド／グ
ルーブ記録が一般的となっている。しかしながら、上述
した狭トラックピッチの基板においてランド／グルーブ
記録を行うと、情報の記録及び消去時のレーザ光の照射
に伴う熱によって隣接トラックの温度が上昇し、それに
よって隣接トラックに既に記録されていた情報が消され
てしまう（クロスイレーズ）という問題点が指摘されて
いる。これは、隣接したランド部とグルーブ部に連続的
に媒体を構成する各層が付着し、これらの層を介してレ
ーザ光の熱が隣接したグルーブもしくはランドに伝播す
るために起こるものといわれている。

【００１１】この問題を解決する一手段として、上述し
た案内溝の深さを従来の７０ｎｍ近傍に比べ、より深い
値（例えば１３５ｎｍ近傍もしくは３１０ｎｍ近傍）に
設定することが知られている。このように案内溝の深さ
を従来のものより深くすることによって、隣接するトラ
ックへの熱伝播距離を長くし、クロスイレーズが低減で
きることが示されている。

【００１２】また、特開平８−１２４２１１号公報に
は、クロストークを抑えながら、クロスイレーズも抑え
ることができる「光記録媒体」が記載されている。この
媒体は、グループ部（凹部）の深さを６０ｎｍ以上と
し、かつ、光ビームがグループ部又はランド部（凸部）
からなる所定のトラックに照射された際に、そのトラッ
クと隣接するトラックにおける記録状態にある部位と非
記録媒体にある部位との光ビームに対する反射率が互い
に等しくなるよう、保護層、記録層及び干渉層のうち少
なくとも１層以上をグループ部とランド部の間において
異なる層厚でもって形成されている。また、保護層、記
録層、干渉層及び反射層のいずれかの層のランド側壁部
を、グループ部及びランド部の層厚よりも薄膜化するか
除去するかしている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
大容量、高密度化の急加速に伴い、トラックピッチが
０．８ｕｍ以下（ランド部およびグルーブ部の幅として
は、各々０．４ｕｍ以下）となりつつある現状では、上
述したように案内溝の深さを深くして隣接するトラック
への熱伝播距離を長くしても、特開平８−１２４２１１
号公報記載の技術もそうであるように、相変化型光デイ
スクを構成する保護膜、記録膜及び反射膜がランド部と
グルーブ部に連続的に積層されているため、積層された
膜を介して、熱が伝播してしまう。特に、記録時のレー
ザ光の熱が相変化記録層自体を介して、記録トラックに
隣接したトラックに伝播し、隣接トラックの情報が消去
される（クロスイレーズ）という問題点が頻繁に発生す
るようになった。

【００１４】また特開平８−１２４２１１号公報には、
ランド部側壁の膜厚を薄膜化、または除去する技法が記
載されているが、このような方法ではサブミクロンのピ
ッチで配列されたランド部側壁の膜厚の制御性が悪く、
ランド部およびグルーブ部の平坦部に積層された膜をも
薄膜化・除去時に同時に除去してしまう。従って、光記
録媒体本来の特性を損ねてしまうという製造上の重大な
欠陥があることが容易に判る。

【００１５】さらに、トラックピッチが狭トラックピッ
チ化されると、いくら案内溝の深さを深くしても、相対
的にランド部とグルーブ部の距離は近くなり、熱が伝播
しやすくなるため、溝の深さを深くした効果が薄れてし
まうという問題が生じてくる。

【００１６】また、単に案内溝の深さを深くし、相変化
型光デイスクを構成する保護膜、記録膜及び反射膜等を
積層した場合、膜の積層状態のばらつきに伴い、側壁部
に積層される膜厚が変動する。これに伴い、デイスク基
板上の一部分ではクロスイレーズの低減が認められて
も、その他の部分ではクロスイレーズの低減が十分にな
されないという問題点がある。

【００１７】本発明の目的は、上述した従来例の有する
不都合を改善し、トラックピッチが０．７ｕｍ以下の狭
トラックピッチの基板を用い、ランド／グルーブ記録を
行っても、既に記録されている隣接トラックの情報が損
なわれることのない、クロスイレーズ特性に優れた相変
化型光デイスク媒体を提供することにある。

【００１８】また、本発明の他の目的は、再現性と量産
性に優れた上述の相変化型光デイスク媒体の製造方法を
提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の相変化型光デイ
スク媒体は、基板上に少なくとも１層以上の誘電体層か
らなる下部誘電体層、相変化記録層の順に積層された相
変化型光デイスク媒体、もしくは基板上に少なくとも１
層以上の誘電体層からなる下部誘電体層、相変化記録
層、少なくとも１層以上の誘電体層からなる上部誘電体
層の順に積層された相変化型光デイスク媒体、もしくは
基板上に少なくとも１層以上の誘電体層からなる下部誘
電体層、相変化記録層、少なくとも１層以上の誘電体層
からなる上部誘電体層、反射膜層の順に積層された相変
化型光デイスク媒体、もしくは基板上に少なくとも１層
以上の誘電体層からなる下部誘電体層、相変化記録層、
少なくとも１層以上の誘電体層からなる上部誘電体層、
反射膜層、少なくとも１層以上の誘電体層からなる保護
誘電体層の順に積層された相変化型光デイスク媒体にお
いて、ディスク基板上の隣接したランド部（凹部）およ
びグルーブ部（凸部）に積層された相変化記録層が不連
続であることを特徴とする。

【００２０】さらに、本発明の相変化型光デイスク媒体
の製造方法は、上述した相変化型光デイスク媒体におい
て、ディスク基板上に、誘電体層、相変化記録層、反射
膜層等の薄膜を必要に応じて積層する第１工程と、該積
層部上にフォトレジストを積層する第２工程と、該積層
したフォトレジストについてＴ字型（ステンシル）のフ
オトレジストパターンを形成する第３工程と、該形成し
たＴ字型（ステンシル）のフオトレジストパターンをマ
スクとして、イオンエツチングを施しパターニングを行
う第４工程と、該パターニング後、Ｔ字型（ステンシ
ル）のフオトレジストパターンを残した状態で再度、第
１工程と同様の薄膜を積層する第５工程と、該薄膜を積
層した後に基板上に残されているＴ字型（ステンシル）
のフオトレジストパターンを除去する第６工程（リフト
オフ）を含むことを特徴とする。

【００２１】さらに、上述した第４工程において、Ｔ字
型（ステンシル）のフオトレジストパターンをマスクと
して、イオンエツチングを施しパターニングを行う際の
ディスク基板へのエツチング深さが、相変化記録層の膜
厚以上の深さであることを特徴とする。

【００２２】また、上述したＴ字型（ステンシル）のフ
オトレジストパターンは、下層レジストと上層レジスト
の2層のフオトレジストからなることを特徴とする。

【００２３】また、上述した相変化型光デイスク媒体お
よびその製造方法において、ディスク基板がガラス基板
又は石英基板又はＳｉ基板であることを特徴とする。

【００２４】本発明では、隣接したランド部（凹部）及
びグループ部（凸部）に積層される相変化記録層を不連
続としたため、実験によって確認できたように、クロス
イレーズ特性が飛躍的に向上した。

【００２５】

【発明の実施の形態】図１に本発明に係る一例の断面図
を示す。この光ディスク媒体は厚さ０．６ｍｍ、直径１
２０ｍｍの石英基板（以下、「基板」と記す）１上に、
厚さ１３０ｎｍの下部誘電体層２、相変化記録層である
厚さ１５ｎｍの記録層３、厚さ２０ｎｍの上部誘電体層
４、反射層である厚さ７０ｎｍの反射膜層５、厚さ２０
ｎｍの保護誘電体層６の順に形成され、一連の成膜プロ
セス後、紫外線硬化樹脂等が塗布される。このような相
変化型光デイスク媒体は、上述した単板構造、もしくは
デイスク貼り合わせ用の接着剤（紫外線硬化樹脂等）を
用いた、密着貼り合わせ構造で使用される。

【００２６】本例では、基板１として石英基板を用い、
上記、下部誘電体層２及び上部誘電体層４の層数をそれ
ぞれ１層とし、下部誘電体層２としてＺｎＳ・ＳｉＯ２
膜、記録層３としてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５膜、上部誘電体
層４としてＺｎＳ・ＳｉＯ２膜、反射膜層５としてＡｌ
Ｔｉ合金膜、保護誘電体層６としてＳｉＯ２膜を用いて
いる。以下に本相変化型光デイスク媒体の製造方法を工
程毎に説明する。

【００２７】（１）第１工程 フラットな石英製の基板１上に、上述した各層が順次、
インライン型のスパッタ装置を用いて、下記手順により
形成される。まず、ＺｎＳ・ＳｉＯ２膜からなる厚さ１
３０ｎｍの下部誘電体層２はＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲッ
トを用い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間
距離１５ｃｍ、パワー密度２．２ワット／平方センチメ
ートル（Ｗ／ｃｍ２）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で
成膜される。Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５膜からなる厚さ１５ｎ
ｍの記録層３は、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ターゲットを用
い、アルゴンガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１
５ｃｍ、パワー密度０．２７（Ｗ／ｃｍ２）、ガス圧
１．０（Ｐａ）で成膜される。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２
膜からなる厚さ２０ｎｍの上部誘電体層４はＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ２ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中でター
ゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密度２．２（Ｗ／
ｃｍ２）、ガス圧０．１（Ｐａ）で成膜される。ＡｌＴ
ｉ合金膜からなる厚さ７０ｎｍの反射膜５はＴｉを２ｗ
ｔ％含有するＡｌＴｉ合金ターゲットを用い、アルゴン
ガス雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワ
ー密度１．６（Ｗ／ｃｍ２）、ガス圧０．０８（Ｐａ）
で成膜される。ＳｉＯ２膜からなる厚さ２０ｎｍの保護
誘電体層６はＳｉＯ２ターゲットを用い、アルゴンガス
雰囲気中でターゲットと基板間距離１５ｃｍ、パワー密
度２．４７（Ｗ／ｃｍ２）、ガス圧０．１（Ｐａ）で成
膜される。

【００２８】なお、各層の成膜時間は適宜、所望の膜厚
になるように調整した。第１工程完了後の状態を図２に
示す。

【００２９】（２）第２工程 第１工程において成膜を行った石英基板１をオーブンに
投入し、窒素ガス雰囲気中で１００℃、３０分のベーク
を行う。その後、室温まで冷却した後に、下層レジスト
７をスピンコートする。本実施例では、下層レジスト７
０としてＬＯＬ−１０００（商品名）を用い、スピンコ
ート条件としては、基板を３００ｒｐｍ、１５ｓｅｃの
条件で回転させ、レジストを展開し、さらに２０００ｒ
ｐｍ、３０ｓｅｃで振りきりを行う。下層レジスト７０
を塗布後、オーブンに投入し、窒素ガス雰囲気中で１７
０℃、３０分のベークを行う。その後、室温まで冷却し
た後に、上層レジスト８０をスピンコートする。上層レ
ジスト８０としてウルトラアイ１２０（商品名）を用
い、スピンコート条件としては、基板を３００ｒｐｍ、
１５ｓｅｃの条件で回転させ、レジストを展開し、さら
に４０００ｒｐｍ、３０ｓｅｃで振りきりを行う。第２
工程完了後の状態を図３に示す。

【００３０】（３）第３工程 上層レジスト８０を塗布後、オーブンに投入し、窒素ガ
ス雰囲気中で９０℃、３０分のベークを行う。その後、
室温まで冷却した後に、露光機を用いて０．７ｕｍピッ
チのパターンを露光した後、再度、オーブンに投入し、
窒素ガス雰囲気中で１２５℃、５分のベークを行う。そ
の後、室温まで冷却した後に、有機アルカリ現像液を用
いて、現像、水洗、乾燥を行う。第３工程完了後の状態
を図４に示す。

【００３１】（４）第４工程 第３工程において形成したＴ字型（ステンシル）のフオ
トレジストパターンをマスクとして、イオンエツチング
を施し、パターニングを行う。本実施例では、イオンエ
ツチングを行う際、イオンミリング装置を用い、アルゴ
ンガス０．０００５（Ｐａ）、加速電圧２６０Ｖ、加速
電流１３２ｍＡ、減速電圧−１３０Ｖ、入射角度０度で
イオンエツチングを行う。エツチング時間は、図４にお
いて、レジストパターンで被覆されていない部分の積層
膜が完全に除去され、さらに、基板１が第１工程で積層
した薄膜の膜厚に等しい厚さだけエツチングされるよう
に調整した。第４工程完了後の状態を図５に示す。

【００３２】（５）第５工程 第４工程においてパターニング後、Ｔ字型のレジストパ
ターンを残したままで、再度、工程１と同様の薄膜を積
層した。に、第５工程完了後の状態を図６示す。

【００３３】（６）第６工程 第５工程において再度、薄膜を積層した後に、基板上に
残されているＴ字型のレジストパターンを剥離材によっ
て除去する（リフトオフ）。第６工程完了後の状態は、
図１と同様である。

【００３４】上述した第１工程から第６工程のプロセス
フローによって、本発明では、トラックピッチが０．７
ｕｍのランド／グルーブに相変化記録媒体が積層された
相変化型光デイスク媒体が作製される。

【００３５】上記プロセスの第４工程において、イオン
エツチング時間を変化させ、レジストパターンで被覆さ
れていない部分の積層膜を完全に除去した後の石英基板
へのエツチングの深さを５ｎｍ〜２５５ｎｍの範囲で変
化させた媒体を各々作製した。代表例として、図７，図
８および図９に、石英基板１へのエツチング深さが５ｎ
ｍ、１５ｎｍおよび１００ｎｍである場合のそれぞれの
媒体断面図を示す。

【００３６】図７，図８および図９のようにエッチング
の深さを変えた各媒体について、隣接トラックへのクロ
スイレーズの影響を評価した。評価は、記録パワ＝８．
５ｍＷ、バイアスパワ＝４．５ｍＷ、再生パワ＝１．０
ｍＷ、線速＝５．４ｍ／ｓｅｃ、周波数＝２９．１８Ｍ
Ｈｚの条件にて読み書き（Ｒ／Ｗ）を行うことにより実
施した。以下にクロスイレーズ特性の評価手順を示す。

【００３７】クロスイレーズの評価は（ｍ−１）、ｍ、
（ｍ＋１）で表した任意の３つの隣接したトラックで行
う。トラックｍがグルーブのとき、（ｍ−１）、（ｍ＋
１）のトラックはランドでる。一方、トラックｍがラン
ドのときは、（ｍ−１）、（ｍ＋１）のトラックはグル
ーブである。クロスイレーズの評価は、上述したグルー
ブトラック及びランドトラックの各々に対して行うもの
とする。 １：上記Ｒ／Ｗ条件にて、ｍのトラックに８Ｔ（Ｔは周
期）信号を１０回記録する。 ２：上記、ｍのトラックにて８ＴのキャリアＣ１及びＣ
１／Ｎ１を読み取る。なお、Ｃは信号、Ｎは雑音を意味
する。 ３：（ｍ−１）、（ｍ＋１）のトラックに７Ｔ信号を３
０回記録する。 ４：ｍのトラックにて８ＴのキャリアＣ２及びＣ２／Ｎ
２を読み取る。 ５：Ｃ１−Ｃ２をクロスイレーズ量とする。

【００３８】図１０に、基板１へのエツチング深さと、
隣接トラックへの実測したクロスイレーズ量の関係を示
す。図１０より、隣接トラックへのクロスイレーズ量
は、基板１へのエツチング深さの増加に伴い減少するこ
とが判る。エツチング深さが相変化記録層の膜厚と同等
（本実施例では１５ｎｍ）の場合には、クロスイレーズ
量が０．５（ｄＢ）以下となり、エツチング深さが相変
化記録層の膜厚を超えると隣接トラックへのクロスイレ
ーズの影響がなくなることが確認できた。従って、ラン
ド部とグルーブ部の相変化記録層が不連続になること
で、レーザー光によって照射された部分の熱が隣接トラ
ックに伝わらなくなり、クロスイレーズの影響がなくな
ることが判る。なお、図１０において、エツチング深さ
が０ｎｍの場合とは、従来から一般的に用いられている
溝付のＰＣ基板を用いたものである。

【００３９】以上のことから、基板に対するエツチング
深さは、記録層３の膜厚以上とすることが望ましい。ま
た、上記の第３工程において、マスクとして、Ｔ字型の
レジストパターンではなく、一般的に用いられている一
層の矩形のレジストマスクを形成した場合には、第５工
程において、再度薄膜を形成し、第６工程においてリフ
トオフする際に、後から成膜した薄膜がレジストマスク
の側壁に付着し、レジストパターンが完全に除去するこ
とができないことが判った。従って、薄膜をリフトオフ
するためのレジスト形状としては、Ｔ字型のレジストパ
ターン形状が望ましい。

【００４０】さらに、Ｔ字型のレジストパターンを作製
するためには、画像反転レジスト等を用い、一層のレジ
ストのみでパターンを形成する方法もある。しかしなが
ら、この方法では、Ｔ字型のレジストパターンを形成す
る際のＴ字の肩の部分のレジスト後退量の制御性が悪
く、デイスク面内でレジストパターン形状がばらつき、
均一にリフトオフできない。従って、薄膜をリフトオフ
するためのレジストとしては下層レジスト７及び上層レ
ジスト８の２層のレジストを用い、面内均一にリフトオ
フする方法が望ましい。

【００４１】また、本発明の相変化型光デイスク媒体を
作製する際には、薄膜をリフトオフするための、レジス
トパターン形成等のフオトリソ工程が入るために、用い
る基板としては耐熱性が要求される。このような観点か
ら、用いる基板としては、耐熱性およびイオンエツチン
グの加工性に優れたガラス基板又は石英基板又はＳｉ基
板を用いることが望ましい。

【００４２】以上のことから、基板上の隣接したランド
部（凹部）およびグルーブ部（凸部）に積層された記録
層３を不連続に形成することによって、レーザー光照射
時の熱が隣接トラックに影響を及ぼすことが抑制され、
クロスイレーズ特性に優れた相変化型光デイスク媒体を
提供することができるようになる。

【００４３】なお、上述した実施例において、記録膜の
組成、Ａｌ合金反射膜の組成、下部誘電体層及び上部誘
電体層の層数、媒体の各々の膜厚及び貼り合わせ方法等
は、上述のものに限定されるものではなく、所望の記録
再生特性及び用途に応じて、適宜選択され、これらに対
しても同様の効果があることは言うまでもない。

【００４４】また、基板をエツチングする際の手段とし
ては、上述したイオンミリング法に限定されるものでは
なく、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）等の手段でも
同様の効果があること、および基板の材質としては上述
したエツチング方法に適した基板を適宜選択することで
同様の効果が得られることは言うまでもない。

【００４５】さらに、パターニングの際に用いるレジス
トおよび現像液としては、上述した材料に限定されるも
のではなく、露光光源および現像液に対して、光エネル
ギー吸収率および溶解度の異なる種類のレジストの組み
合わせを適宜選択し、これらに対しても同様の効果があ
ることは言うまでもない。

【００４６】また、基板の厚みは、上述した厚さに限定
されるものではなく、必要に応じて適宜選択しても同様
の効果が得られることは言うまでもない。

【００４７】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、基板上の隣接したランド部（凹部）およびグルーブ
部（凸部）に積層された相変化記録層を不連続に形成す
る構成としたため、狭トラックピッチの基板を用い、ラ
ンド／グルーブ記録を行っても既に記録されている隣接
トラックの情報が損なわれることのない、クロスイレー
ズ特性に優れた相変化型光ディスク媒体を得ることがで
きる。

【００４８】また、相変化記録層を不連続に形成するこ
ととしたため、従来技術におけるようにランド部側壁の
膜厚を薄膜化したり削除する必要がなく、再現性と量産
性に優れた相変化型光ディスク媒体の製造方法得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態を示す相変化型光デイス
ク媒体の断面図

【図２】図１に示した相変化型光デイスク媒体の第１工
程完了後の断面図

【図３】図１に示した相変化型光ディスク媒体の第２工
程完了後の断面図

【図４】図１に示した相変化型光ディスク媒体の第３工
程完了後の断面図

【図５】図１に示した相変化型光ディスク媒体の第４工
程完了後の断面図

【図６】図１に示した相変化型光ディスク媒体の第５工
程完了後の断面図

【図７】石英基板へのエツチング深さが５ｎｍである場
合の相変化型光デイスク媒体の断面図

【図８】石英基板へのエツチング深さが１５ｎｍである
場合の相変化型光デイスク媒体の断面図

【図９】石英基板へのエツチング深さが１００ｎｍであ
る場合の相変化型光デイスク媒体の断面図

【図１０】石英基板へのエツチング深さと隣接トラック
へのクロスイレーズ量（実測値）の関係を示した図

【図１１】一般的に用いられている溝付のＰＣ基板を用
いた従来の相変化型光デイスク媒体の断面図

【符号の説明】

１ 石英基板 ２ 下部誘電体層 ３ 相変化記録層 ４ 上部誘電体層 ５ 反射層 ６ 保護誘電体層 ７ 下層レジスト ８ 上層レジスト ９ 積層部 １０ 積層部 １１ ＰＣ基盤 １２ 下部誘電体層 １３ 記録層 １４ 上部誘電体層 １５ 反射膜層 １６ 保護誘電体層 ７０ 下層レジスト ８０ 上層レジスト

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ディスク基板上に少なくとも１層以上の
   誘電体層からなる下部誘電体層、相変化記録層の順に積
   層された相変化型光デイスク媒体において、前記ディス
   ク基板上の隣接したランド部（凹部）およびグルーブ部
   （凸部）に積層された相変化記録層が不連続であること
   を特徴とする相変化型光デイスク媒体。
2. 【請求項２】 ディスク基板上に少なくとも１層以上の
   誘電体層からなる下部誘電体層、相変化記録層、少なく
   とも１層以上の誘電体層からなる上部誘電体層の順に積
   層された相変化型光デイスク媒体において、前記ディス
   ク基板上の隣接したランド部（凹部）およびグルーブ部
   （凸部）に積層された相変化記録層が不連続であること
   を特徴とする相変化型光デイスク媒体。
3. 【請求項３】 ディスク基板上に少なくとも１層以上の
   誘電体層からなる下部誘電体層、相変化記録層、少なく
   とも１層以上の誘電体層からなる上部誘電体層、反射膜
   層の順に積層された相変化型光デイスク媒体において、
   前記ディスク基板上の隣接したランド部（凹部）および
   グルーブ部（凸部）に積層された相変化記録層が不連続
   であることを特徴とする相変化型光デイスク媒体。
4. 【請求項４】 ディスク基板上に少なくとも１層以上の
   誘電体層からなる下部誘電体層、相変化記録層、少なく
   とも１層以上の誘電体層からなる上部誘電体層、反射膜
   層、少なくとも１層以上の誘電体層からなる保護誘電体
   層の順に積層された相変化型光デイスク媒体において、
   前記ディスク基板上の隣接したランド部（凹部）および
   グルーブ部（凸部）に積層された相変化記録層が不連続
   であることを特徴とする相変化型光デイスク媒体。
5. 【請求項５】 ディスク基板上に、誘電体層、相変化記
   録層、反射膜層等の薄膜を必要に応じて積層する第１工
   程と、該積層部上にフォトレジストを積層する第２工程
   と、該積層したフォトレジストについて断面がＴ字型
   （ステンシル）のフオトレジストパターンを形成する第
   ３工程と、該形成したＴ字型（ステンシル）のフオトレ
   ジストパターンをマスクとして、イオンエツチングを施
   しパターニングを行う第４工程と、該パターニング後、
   Ｔ字型（ステンシル）のフオトレジストパターンを残し
   た状態で再度、前記第１工程と同様の薄膜を積層する第
   ５工程と、該薄膜を積層した後に前記ディスク基板上に
   残されているＴ字型（ステンシル）のフオトレジストパ
   ターンを除去する（リフトオフ）第６工程を含むことを
   特徴とする相変化型光デイスク媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記第４工程において、Ｔ字型（ステン
   シル）のフオトレジストパターンをマスクとして、イオ
   ンエツチングを施しパターニングを行う際のディスク基
   板へのエツチング深さが、前記相変化記録層の膜厚以上
   の深さであることを特徴とする請求項５記載の相変化型
   光デイスク媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 前記Ｔ字型（ステンシル）のフオトレジ
   ストパターンは、下層レジストと上層レジストの２層の
   フオトレジストからなることを特徴とする請求項５及び
   請求項６記載の相変化型光デイスク媒体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記ディスク基板がガラス基板又は石英
   基板又はＳｉ基板であることを特徴とする請求項１ない
   し請求項４のいずれかに記載の相変化型光デイスク媒
   体。
9. 【請求項９】 前記ディスク基板がガラス基板又は石英
   基盤又はＳｉ基盤であることを特徴とする請求項５ない
   し請求項７のいずれかに記載の相変化型光ディスク媒体
   の製造方法。