JP2003123311A - 光学記録媒体およびその製造方法と記録再生方法 - Google Patents
光学記録媒体およびその製造方法と記録再生方法Info
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- JP2003123311A JP2003123311A JP2001313149A JP2001313149A JP2003123311A JP 2003123311 A JP2003123311 A JP 2003123311A JP 2001313149 A JP2001313149 A JP 2001313149A JP 2001313149 A JP2001313149 A JP 2001313149A JP 2003123311 A JP2003123311 A JP 2003123311A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】グルーブ記録方式用とランドグルーブ記録方式
用ドライブのいずれにも対応可能な光学記録媒体と、そ
の製造方法および記録再生方法を提供する。 【解決手段】光透過層を通して光学記録膜に光を照射
し、データを記録または再生する光学記録媒体であっ
て、基板１５と、基板に形成され、光に対するトラック
領域を区分する凹凸形状を有する光学記録膜１６と、光
学記録膜を保護する保護層１７とを有し、光学記録膜
は、第１記録領域と第２記録領域に区分されており、当
該第１記録領域と第２記録領域で、グルーブＧやランド
Ｌの幅（ＷL1，Ｗ L2，ＷG1，ＷG2）あるいはグルーブ深
さ（ｄ1 ，ｄ2 ）などの凹凸形状が異なっている構成と
する。第１記録領域とグルーブ記録方式用として、第２
記録領域をランドグルーブ記録方式用として用いる。
用ドライブのいずれにも対応可能な光学記録媒体と、そ
の製造方法および記録再生方法を提供する。 【解決手段】光透過層を通して光学記録膜に光を照射
し、データを記録または再生する光学記録媒体であっ
て、基板１５と、基板に形成され、光に対するトラック
領域を区分する凹凸形状を有する光学記録膜１６と、光
学記録膜を保護する保護層１７とを有し、光学記録膜
は、第１記録領域と第２記録領域に区分されており、当
該第１記録領域と第２記録領域で、グルーブＧやランド
Ｌの幅（ＷL1，Ｗ L2，ＷG1，ＷG2）あるいはグルーブ深
さ（ｄ1 ，ｄ2 ）などの凹凸形状が異なっている構成と
する。第１記録領域とグルーブ記録方式用として、第２
記録領域をランドグルーブ記録方式用として用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録媒体（以
下光ディスクとも言う）およびその製造方法並びに記録
再生方法に関し、特に記録再生方法の異なる２つの記録
領域を有する光学記録媒体およびその製造方法並びに記
録再生方法に関する。
下光ディスクとも言う）およびその製造方法並びに記録
再生方法に関し、特に記録再生方法の異なる２つの記録
領域を有する光学記録媒体およびその製造方法並びに記
録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、動画、静止画などのビデオデータ
をデジタルに記録する技術の発展に伴い、大容量のデー
タが取り扱われるようになり、大容量記録装置としてＣ
ＤやＤＶＤなどの光ディスク装置が脚光を浴びており、
さらなる大容量化の研究が進められている。
をデジタルに記録する技術の発展に伴い、大容量のデー
タが取り扱われるようになり、大容量記録装置としてＣ
ＤやＤＶＤなどの光ディスク装置が脚光を浴びており、
さらなる大容量化の研究が進められている。
【０００３】上記の光ディスクのうち、ユーザによって
情報信号の記録再生が可能な光ディスクとしては、相変
化材料を光学記録膜とする相変化光ディスク（商品例：
ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）や、磁気
光学効果を有する光磁気材料を光学記録膜とする光磁気
ディスク（同：５．２５インチＭＯ，３．５インチＭ
Ｏ，ＭＤ）、有機色素を光学記録膜とする有機色素ディ
スク（同：ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ−Ｒ）、あるいはＴｅ−Ｏ
等の無機酸化物を光学記録膜としたものなどがある。特
に、相変化光ディスクと光磁気ディスクは多数回の書換
えが可能という特徴を有している。
情報信号の記録再生が可能な光ディスクとしては、相変
化材料を光学記録膜とする相変化光ディスク（商品例：
ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）や、磁気
光学効果を有する光磁気材料を光学記録膜とする光磁気
ディスク（同：５．２５インチＭＯ，３．５インチＭ
Ｏ，ＭＤ）、有機色素を光学記録膜とする有機色素ディ
スク（同：ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ−Ｒ）、あるいはＴｅ−Ｏ
等の無機酸化物を光学記録膜としたものなどがある。特
に、相変化光ディスクと光磁気ディスクは多数回の書換
えが可能という特徴を有している。
【０００４】上記の光ディスクの大容量化は、主に、光
学情報記録方式に用いる光源となるレーザ光の短波長化
と、高開口のレンズを採用することにより、焦点面での
スポットサイズを小さくすることで達成してきた。
学情報記録方式に用いる光源となるレーザ光の短波長化
と、高開口のレンズを採用することにより、焦点面での
スポットサイズを小さくすることで達成してきた。
【０００５】例えば、ＣＤでは、レーザ光波長が７８０
ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）が０．４５であり、６５
０ＭＢの容量であったが、ＤＶＤ−ＲＯＭでは、レーザ
光波長が６５０ｎｍ、ＮＡが０．６であり、４．７ＧＢ
の容量となっている。さらに、次世代の光ディスクシス
テムにおいては、光学記録膜上に例えば１００μｍ程度
の薄い光透過性の保護層（カバー層）が形成された光デ
ィスクを用いて、レーザ光波長を４５０ｎｍ以下、ＮＡ
を０．７８以上とすることで、２２ＧＢ以上の大容量化
が可能である。
ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）が０．４５であり、６５
０ＭＢの容量であったが、ＤＶＤ−ＲＯＭでは、レーザ
光波長が６５０ｎｍ、ＮＡが０．６であり、４．７ＧＢ
の容量となっている。さらに、次世代の光ディスクシス
テムにおいては、光学記録膜上に例えば１００μｍ程度
の薄い光透過性の保護層（カバー層）が形成された光デ
ィスクを用いて、レーザ光波長を４５０ｎｍ以下、ＮＡ
を０．７８以上とすることで、２２ＧＢ以上の大容量化
が可能である。
【０００６】図３３（ａ）は、上記の大容量の記録可能
型光ディスクの光の照射の様子を示す模式斜視図であ
る。光ディスクＤＣは、中心部にセンターホールＣＨが
開口された略円盤形状をしており、ドライブ方向ＤＲに
回転駆動される。情報を記録または再生するときには、
光ディスクＤＣ中の光学記録膜に対して、例えば開口数
が０．８以上の対物レンズＯＬにより、青〜青紫色の領
域のレーザ光などの光ＬＴが照射される。
型光ディスクの光の照射の様子を示す模式斜視図であ
る。光ディスクＤＣは、中心部にセンターホールＣＨが
開口された略円盤形状をしており、ドライブ方向ＤＲに
回転駆動される。情報を記録または再生するときには、
光ディスクＤＣ中の光学記録膜に対して、例えば開口数
が０．８以上の対物レンズＯＬにより、青〜青紫色の領
域のレーザ光などの光ＬＴが照射される。
【０００７】図３３（ｂ）は模式断面図であり、図３３
（ｃ）は図３３（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断
面図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートな
どからなるディスク基板１１５の一方の表面に、凹部１
１５ｒが設けられている。この凹部１１５ｒを含む凹凸
に沿って光学記録積層体１１６が形成されている。光学
記録積層体１１６は、上層側から例えば誘電体膜、相変
化膜などの光学記録膜、誘電体膜および反射膜などがこ
の順番で積層された構成であり、層構成や層数は、記録
材料の種類や設計によって異なる。さらに、光学記録積
層体１１６の上層に、例えば０．１ｍｍの膜厚の光透過
性の保護層１１７が形成されている。
（ｃ）は図３３（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断
面図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートな
どからなるディスク基板１１５の一方の表面に、凹部１
１５ｒが設けられている。この凹部１１５ｒを含む凹凸
に沿って光学記録積層体１１６が形成されている。光学
記録積層体１１６は、上層側から例えば誘電体膜、相変
化膜などの光学記録膜、誘電体膜および反射膜などがこ
の順番で積層された構成であり、層構成や層数は、記録
材料の種類や設計によって異なる。さらに、光学記録積
層体１１６の上層に、例えば０．１ｍｍの膜厚の光透過
性の保護層１１７が形成されている。
【０００８】上記の構成の光ディスクにおいて、情報を
記録または再生するときには、保護層１１７側から光学
記録積層体１１６中の光学記録膜に対してレーザ光ＬＴ
が照射される。光ディスクの再生時においては、光学記
録膜で反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処
理回路により所定の信号を生成して、再生信号が取り出
される。
記録または再生するときには、保護層１１７側から光学
記録積層体１１６中の光学記録膜に対してレーザ光ＬＴ
が照射される。光ディスクの再生時においては、光学記
録膜で反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処
理回路により所定の信号を生成して、再生信号が取り出
される。
【０００９】上述の図３３に示す光ディスクの他、従来
より用いられている光透過性の基板側からレーザ光を光
学記録膜に照射する光ディスクなどの記録可能型光ディ
スクにおいては、光ピックアップからのレーザ光により
記録を行う。このとき、記録密度を高密度化するには、
記録されたマークが並ぶ領域（トラック）を整然と並べ
る必要がある。すなわち、記録可能型光ディスクでは、
ユーザが情報を書き込むためにレーザ光をトラックに沿
ってガイドする（トラッキングする）必要がある。上記
の構成の光ディスクにおいては、ディスク基板１１５の
一方の表面に設けられた溝１１５ｒに応じて光学記録積
層体１１６も凹凸形状を有しており、これによりトラッ
ク領域が区分され、レーザ光ＬＴのガイド用の案内溝と
して機能している。ガイド用の案内溝となる溝１１５ｒ
は、一般に、ディスクの内周から外周に向けてスパイラ
ル状に、あるいは同心円状に設けられる。
より用いられている光透過性の基板側からレーザ光を光
学記録膜に照射する光ディスクなどの記録可能型光ディ
スクにおいては、光ピックアップからのレーザ光により
記録を行う。このとき、記録密度を高密度化するには、
記録されたマークが並ぶ領域（トラック）を整然と並べ
る必要がある。すなわち、記録可能型光ディスクでは、
ユーザが情報を書き込むためにレーザ光をトラックに沿
ってガイドする（トラッキングする）必要がある。上記
の構成の光ディスクにおいては、ディスク基板１１５の
一方の表面に設けられた溝１１５ｒに応じて光学記録積
層体１１６も凹凸形状を有しており、これによりトラッ
ク領域が区分され、レーザ光ＬＴのガイド用の案内溝と
して機能している。ガイド用の案内溝となる溝１１５ｒ
は、一般に、ディスクの内周から外周に向けてスパイラ
ル状に、あるいは同心円状に設けられる。
【００１０】上記の光ディスクの製造方法としては、例
えば、フォトレジストが塗布されたガラス原盤に対し
て、上記凹凸形状に沿ったパターンの露光処理を行い、
現像して凹凸形状のレジスト膜を形成する。上記のパタ
ーニングされたレジスト膜上にニッケルメッキを施して
メタルマスタと呼ばれる金型を作成する。次に、メタル
マスタから凹凸を転写させたマザースタンパと呼ばれる
金型を作成し、さらにマザースタンパから凹凸を転写さ
せたスタンパと呼ばれる金型を作成する。上記のスタン
パを金型とするプラスチック射出成型や紫外線硬化樹脂
を用いたいわゆる２Ｐ（フォトポリマー法）により、上
記の凹凸を転写してディスク基板を作成する。次に、デ
ィスク基板の凹凸形成面上に、光学記録積層体を積層さ
せ、保護層を成膜して図２５に示す構成の光ディスクを
形成することができる。
えば、フォトレジストが塗布されたガラス原盤に対し
て、上記凹凸形状に沿ったパターンの露光処理を行い、
現像して凹凸形状のレジスト膜を形成する。上記のパタ
ーニングされたレジスト膜上にニッケルメッキを施して
メタルマスタと呼ばれる金型を作成する。次に、メタル
マスタから凹凸を転写させたマザースタンパと呼ばれる
金型を作成し、さらにマザースタンパから凹凸を転写さ
せたスタンパと呼ばれる金型を作成する。上記のスタン
パを金型とするプラスチック射出成型や紫外線硬化樹脂
を用いたいわゆる２Ｐ（フォトポリマー法）により、上
記の凹凸を転写してディスク基板を作成する。次に、デ
ィスク基板の凹凸形成面上に、光学記録積層体を積層さ
せ、保護層を成膜して図２５に示す構成の光ディスクを
形成することができる。
【００１１】上記の構成の光ディスクにおいては、一般
に、トラック領域を区分する案内溝となる凹部と凸部の
うち、一方をグルーブ、他方をランドと呼ぶが、ディス
クの作成プロセスの中に凹凸反転工程が入る場合もある
ので一義的ではない。そこで、本明細書では便宜上、製
造プロセスにおける原盤作成時に、溝となる凹凸を形成
するためのレーザ露光領域となった部分をグルーブ、露
光されずに残った部分をランドと呼ぶことにする。
に、トラック領域を区分する案内溝となる凹部と凸部の
うち、一方をグルーブ、他方をランドと呼ぶが、ディス
クの作成プロセスの中に凹凸反転工程が入る場合もある
ので一義的ではない。そこで、本明細書では便宜上、製
造プロセスにおける原盤作成時に、溝となる凹凸を形成
するためのレーザ露光領域となった部分をグルーブ、露
光されずに残った部分をランドと呼ぶことにする。
【００１２】上記のランドとグルーブについて、グルー
ブのみに記録するグルーブ記録方式あるいはランドのみ
に記録するランド記録方式（以下、代表してグルーブ記
録方式と称する）と、グルーブとランドすなわち凹凸の
両方に情報を記録するランドグルーブ記録方式とが知ら
れている（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖ０ｌ．
３２（１９９３）ｐｐ．５３２４−５３２８）。ランド
グルーブ記録方式は、従来より採用されていたグルーブ
記録方式に対して記録可能型光ディスクの高密度化手法
の一つとして提案されたものであり、実際に相変化光デ
ィスクを用いたＤＶＤ−ＲＡＭが商品化されている。
ブのみに記録するグルーブ記録方式あるいはランドのみ
に記録するランド記録方式（以下、代表してグルーブ記
録方式と称する）と、グルーブとランドすなわち凹凸の
両方に情報を記録するランドグルーブ記録方式とが知ら
れている（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖ０ｌ．
３２（１９９３）ｐｐ．５３２４−５３２８）。ランド
グルーブ記録方式は、従来より採用されていたグルーブ
記録方式に対して記録可能型光ディスクの高密度化手法
の一つとして提案されたものであり、実際に相変化光デ
ィスクを用いたＤＶＤ−ＲＡＭが商品化されている。
【００１３】ランドグルーブ記録方式においては、グル
ーブの深さを適当に選択する（レーザ光波長λおよび光
透過層の屈折率ｎに対して、グルーブの深さを例えばλ
／（６ｎ）とする）ことで、隣接するグルーブ／ランド
間の情報信号の漏れ込み、即ち、クロストークを低減さ
せることができる。ランドグルーブ記録方式の技術は、
従来のグルーブ記録方式に比べて単純にはトラック密度
が２倍になるのでディスク１枚の記録容量を２倍にする
技術とされた。しかしながら、これまでのところグルー
ブ記録に対してそこまでの優位性は実証されていない。
ーブの深さを適当に選択する（レーザ光波長λおよび光
透過層の屈折率ｎに対して、グルーブの深さを例えばλ
／（６ｎ）とする）ことで、隣接するグルーブ／ランド
間の情報信号の漏れ込み、即ち、クロストークを低減さ
せることができる。ランドグルーブ記録方式の技術は、
従来のグルーブ記録方式に比べて単純にはトラック密度
が２倍になるのでディスク１枚の記録容量を２倍にする
技術とされた。しかしながら、これまでのところグルー
ブ記録に対してそこまでの優位性は実証されていない。
【００１４】例えば、最近商品化された二つの書き換え
可能型のＤＶＤ規格、すなわちランドグルーブ記録方式
を適用したＤＶＤ−ＲＡＭと、グルーブ記録方式を適用
したＤＶＤ−ＲＷ方式とを比較する。いずれも波長６５
０ｎｍのレーザ光と開口数ＮＡ０．６の対物レンズから
なる光ピックアップで記録再生するものであるが、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭでは、記録線密度が０．２８０μｍ／ｂｉ
ｔ、トラックピッチが０．６１５μｍであり、一方、Ｄ
ＶＤ−ＲＷでは、記録線密度が０．２６７μｍ／ｂｉ
ｔ、トラックピッチが０．７４０μｍであるが、φ１２
０ｍｍのサイズの光ディスクでは記録容量は両規格とも
４．７ＧＢで、同一ディスクサイズに対して全く同じ記
録容量となっている。これは、トラック密度ではランド
グルーブ記録を用いた効果によりＤＶＤ−ＲＡＭの優位
性が示されたが、線密度やフォーマット効率（全情報領
域中、ユーザが使用可能な領域の割合）の点でＤＶＤ−
ＲＷが上回っているためである。
可能型のＤＶＤ規格、すなわちランドグルーブ記録方式
を適用したＤＶＤ−ＲＡＭと、グルーブ記録方式を適用
したＤＶＤ−ＲＷ方式とを比較する。いずれも波長６５
０ｎｍのレーザ光と開口数ＮＡ０．６の対物レンズから
なる光ピックアップで記録再生するものであるが、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭでは、記録線密度が０．２８０μｍ／ｂｉ
ｔ、トラックピッチが０．６１５μｍであり、一方、Ｄ
ＶＤ−ＲＷでは、記録線密度が０．２６７μｍ／ｂｉ
ｔ、トラックピッチが０．７４０μｍであるが、φ１２
０ｍｍのサイズの光ディスクでは記録容量は両規格とも
４．７ＧＢで、同一ディスクサイズに対して全く同じ記
録容量となっている。これは、トラック密度ではランド
グルーブ記録を用いた効果によりＤＶＤ−ＲＡＭの優位
性が示されたが、線密度やフォーマット効率（全情報領
域中、ユーザが使用可能な領域の割合）の点でＤＶＤ−
ＲＷが上回っているためである。
【００１５】到達可能な記録容量は、ディスク、ドライ
ブ（サーボ、ピックアップ等）の製造マージンやシステ
ムマージン等をトータルに考慮し決められるが、ランド
グルーブ記録方式とグルーブ記録方式には、各々以下に
示すような長所と短所があり、トータルで見ると記録密
度の点で大差はないのが現状である。
ブ（サーボ、ピックアップ等）の製造マージンやシステ
ムマージン等をトータルに考慮し決められるが、ランド
グルーブ記録方式とグルーブ記録方式には、各々以下に
示すような長所と短所があり、トータルで見ると記録密
度の点で大差はないのが現状である。
【００１６】（ランドグルーブ記録方式の利点）
（１）グルーブ記録方式と比較し、トラック密度を上げ
やすい。クロストークに関して有利である。 （２）グルーブ記録方式と比較し、トラックピッチに対
してグルーブ幅が広いのでインジェクション成型工程等
ディスクの製造が容易である。 （３）グルーブ記録方式と比較し、トラックピッチに対
してグルーブ幅が広いのでトラッキング誤差信号振幅が
大きくサーボが安定である。 （４）グルーブ記録方式と比較し、記録マークの幅が広
くとれ、再生信号振幅を大きくとれる。 （５）グルーブ記録方式と比較し、反射光に対するグル
ーブ溝のエッジ部分の影響が小さく、ディスクノイズを
低く抑制できる。 （６）一般にディスク内の位置検出の精度が高いピット
アドレスフォーマットを適用できる。
やすい。クロストークに関して有利である。 （２）グルーブ記録方式と比較し、トラックピッチに対
してグルーブ幅が広いのでインジェクション成型工程等
ディスクの製造が容易である。 （３）グルーブ記録方式と比較し、トラックピッチに対
してグルーブ幅が広いのでトラッキング誤差信号振幅が
大きくサーボが安定である。 （４）グルーブ記録方式と比較し、記録マークの幅が広
くとれ、再生信号振幅を大きくとれる。 （５）グルーブ記録方式と比較し、反射光に対するグル
ーブ溝のエッジ部分の影響が小さく、ディスクノイズを
低く抑制できる。 （６）一般にディスク内の位置検出の精度が高いピット
アドレスフォーマットを適用できる。
【００１７】（グルーブ記録方式の利点）
（１）ランドグルーブ記録方式と比較し、再生専用ディ
スク（ＲＯＭ）や追記型ディスクとほぼ同じディスク構
造なので、互換性確保が容易である。ランド、グルーブ
の切り替えが不要なので光ピックアップを単純化でき
る。 （２）ランドグルーブ記録方式と比較し、物理的に形状
が異なる２領域の信号品質のバランスをとる必要がない
ことから、例えば光学記録膜の設計マージンおよび製造
マージンなどのマージンが広がる。 （３）ランドグルーブ記録方式と比較し、記録時に隣接
トラックの信号を部分的に消去してしまういわゆるクロ
スイレース（またはクロスライト）の影響が小さい。 （４）ランドグルーブ記録方式の記録可能型光ディスク
において問題となる、予めディスク上に配置しておく記
録セクタのアドレス情報の作成法に工夫を要し、マスタ
リング工程が複雑になることがなく、映像、音声などの
連続データの扱いが容易である。 （５）ランドグルーブ記録方式と比較し、フォーマット
利用効率が高い。これは（４）に関して後述するアドレ
ス方式の違いに起因する。ウォブルアドレスの方が、ピ
ットアドレスよりも有利である。 （６）ランドグルーブ記録方式と比較し、ピットアドレ
ス領域が不要なので、２層ディスクを作りやすい。
スク（ＲＯＭ）や追記型ディスクとほぼ同じディスク構
造なので、互換性確保が容易である。ランド、グルーブ
の切り替えが不要なので光ピックアップを単純化でき
る。 （２）ランドグルーブ記録方式と比較し、物理的に形状
が異なる２領域の信号品質のバランスをとる必要がない
ことから、例えば光学記録膜の設計マージンおよび製造
マージンなどのマージンが広がる。 （３）ランドグルーブ記録方式と比較し、記録時に隣接
トラックの信号を部分的に消去してしまういわゆるクロ
スイレース（またはクロスライト）の影響が小さい。 （４）ランドグルーブ記録方式の記録可能型光ディスク
において問題となる、予めディスク上に配置しておく記
録セクタのアドレス情報の作成法に工夫を要し、マスタ
リング工程が複雑になることがなく、映像、音声などの
連続データの扱いが容易である。 （５）ランドグルーブ記録方式と比較し、フォーマット
利用効率が高い。これは（４）に関して後述するアドレ
ス方式の違いに起因する。ウォブルアドレスの方が、ピ
ットアドレスよりも有利である。 （６）ランドグルーブ記録方式と比較し、ピットアドレ
ス領域が不要なので、２層ディスクを作りやすい。
【００１８】上記のグルーブ記録方式の利点（４）およ
び（５）の理由について、以下に説明する。従来、記録
可能型光ディスクは、同心円状の案内溝を有した構成が
知られており、ディスク一周分の記録が終了すると隣の
トラックにトラックジャンプして書き込みを続ける構成
であった。この場合、各セクタがセクタ番地で管理され
（プリピットで記録）、例えばコンピュータデータ等の
不連続データの記録再生に対応していた。ところが、動
画や音声等マルチメディア用の連続データに対しては、
ＣＤのようにスパイラル状の案内溝構造が好ましい。
び（５）の理由について、以下に説明する。従来、記録
可能型光ディスクは、同心円状の案内溝を有した構成が
知られており、ディスク一周分の記録が終了すると隣の
トラックにトラックジャンプして書き込みを続ける構成
であった。この場合、各セクタがセクタ番地で管理され
（プリピットで記録）、例えばコンピュータデータ等の
不連続データの記録再生に対応していた。ところが、動
画や音声等マルチメディア用の連続データに対しては、
ＣＤのようにスパイラル状の案内溝構造が好ましい。
【００１９】しかしながら、ランドグルーブ記録の場合
はランド部とグルーブ部の両方にプリピットを形成する
必要がある。グルーブ記録方式ではグルーブ部の形成と
プリピットの形成を同時に行うことが可能であるが、ラ
ンドグルーブ記録方式ではマスタリング時に新たなプリ
ピット形成工程を要する。また隣接するトラックのプリ
ピット間のクロストークが大きくなりやすく、マスタリ
ング時に高度な制御を要する。この問題に関しては、
（ａ）ランドとグルーブの中間にプリピットを配置す
る、（ｂ）案内溝の片側のエッジのみウォブルさせる、
等の技術が開発されている。後者は、グルーブ記録方式
では、案内溝を適当な周波数と振幅で蛇行させるいわゆ
るウォブルアドレスが主流であるが、ランドグルーブで
はマスタリング時に露光しない部分（ランド）の幅がウ
ォブルの影響で広くなったり狭くなったりする影響を低
減するため、片側のみとしている。いずれにしても、グ
ルーブ記録用の基板製造工程と比較して、複雑な工程と
なる。
はランド部とグルーブ部の両方にプリピットを形成する
必要がある。グルーブ記録方式ではグルーブ部の形成と
プリピットの形成を同時に行うことが可能であるが、ラ
ンドグルーブ記録方式ではマスタリング時に新たなプリ
ピット形成工程を要する。また隣接するトラックのプリ
ピット間のクロストークが大きくなりやすく、マスタリ
ング時に高度な制御を要する。この問題に関しては、
（ａ）ランドとグルーブの中間にプリピットを配置す
る、（ｂ）案内溝の片側のエッジのみウォブルさせる、
等の技術が開発されている。後者は、グルーブ記録方式
では、案内溝を適当な周波数と振幅で蛇行させるいわゆ
るウォブルアドレスが主流であるが、ランドグルーブで
はマスタリング時に露光しない部分（ランド）の幅がウ
ォブルの影響で広くなったり狭くなったりする影響を低
減するため、片側のみとしている。いずれにしても、グ
ルーブ記録用の基板製造工程と比較して、複雑な工程と
なる。
【００２０】以上のような連続データの扱い易さの違い
が、各規格の普及当初において、ランドグルーブ記録が
コンピュータ用途、グルーブ記録がマルチメディア用途
とされた主な理由である。
が、各規格の普及当初において、ランドグルーブ記録が
コンピュータ用途、グルーブ記録がマルチメディア用途
とされた主な理由である。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、ランドグルーブ記録方式とグルーブ記録方式に
は各々利点があることから、同一のレーザ波長および開
口数の対物レンズを用いた光学ピックアップを採用して
いる場合でも、互換性のない二つのフォーマットの光デ
ィスクシステムが商品化されているため、ユーザに対し
て混乱を招く原因の一つとなっている。
ように、ランドグルーブ記録方式とグルーブ記録方式に
は各々利点があることから、同一のレーザ波長および開
口数の対物レンズを用いた光学ピックアップを採用して
いる場合でも、互換性のない二つのフォーマットの光デ
ィスクシステムが商品化されているため、ユーザに対し
て混乱を招く原因の一つとなっている。
【００２２】例えば、ランドグルーブ記録方式を採用し
た記録可能型の光ディスク装置を購入したユーザは、グ
ルーブ記録方式に対応した記録メディアに記録すること
はできない。その逆も不可能である。仮に、両方の記録
メディアに対応した記録可能型の光ディスク装置という
折衷案を実現しようとすると、異なる部品を組合せる場
合と比べて、より高度な技術を開発する必要があり、い
ずれにしても光ディスク装置のコストアップ、ひいては
ユーザの負担につながる可能性が高い。
た記録可能型の光ディスク装置を購入したユーザは、グ
ルーブ記録方式に対応した記録メディアに記録すること
はできない。その逆も不可能である。仮に、両方の記録
メディアに対応した記録可能型の光ディスク装置という
折衷案を実現しようとすると、異なる部品を組合せる場
合と比べて、より高度な技術を開発する必要があり、い
ずれにしても光ディスク装置のコストアップ、ひいては
ユーザの負担につながる可能性が高い。
【００２３】また、次世代の光ディスクでは青紫色レー
ザによる短波長化や対物レンズの高ＮＡ化による高密度
化が進むが、これらは、上記で述べた各々の記録方式の
問題をより深刻なものとする。例えば、マスクリングや
記録膜成膜工程に要求される精度が格段に高まるので、
上記の折衷案の実現性はより低くなる。記録方式は業界
で統一することが望ましいが、前述のようにランドグル
ーブ記録方式とグルーブ記録方式の両記録方式には各々
利点があることから、同一のレーザ波長および開口数の
対物レンズを用いたシステムに関して、互換性のない両
記録方式のそれぞれに対する商品化が行われる場合もあ
る。
ザによる短波長化や対物レンズの高ＮＡ化による高密度
化が進むが、これらは、上記で述べた各々の記録方式の
問題をより深刻なものとする。例えば、マスクリングや
記録膜成膜工程に要求される精度が格段に高まるので、
上記の折衷案の実現性はより低くなる。記録方式は業界
で統一することが望ましいが、前述のようにランドグル
ーブ記録方式とグルーブ記録方式の両記録方式には各々
利点があることから、同一のレーザ波長および開口数の
対物レンズを用いたシステムに関して、互換性のない両
記録方式のそれぞれに対する商品化が行われる場合もあ
る。
【００２４】本発明は上記の状況に鑑みてなされたもの
であり、従って本発明の目的は、グルーブ記録方式（ま
たはランド記録方式）用およびランドグルーブ記録方式
用ドライブのいずれにも対応可能な光学記録媒体と、そ
の製造方法および記録再生方法を提供することである。
であり、従って本発明の目的は、グルーブ記録方式（ま
たはランド記録方式）用およびランドグルーブ記録方式
用ドライブのいずれにも対応可能な光学記録媒体と、そ
の製造方法および記録再生方法を提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光学記録媒体は、光透過層を通して光学
記録膜に光を照射し、データを記録または再生する光学
記録媒体であって、基板と、上記基板に形成され、上記
光に対するトラック領域を区分する凹凸形状を有する光
学記録膜と、上記光学記録膜を保護する保護層とを有
し、上記光学記録膜は、第１記録領域と第２記録領域に
区分されており、当該第１記録領域と第２記録領域で、
上記凹凸形状が異なっている。
めに、本発明の光学記録媒体は、光透過層を通して光学
記録膜に光を照射し、データを記録または再生する光学
記録媒体であって、基板と、上記基板に形成され、上記
光に対するトラック領域を区分する凹凸形状を有する光
学記録膜と、上記光学記録膜を保護する保護層とを有
し、上記光学記録膜は、第１記録領域と第２記録領域に
区分されており、当該第１記録領域と第２記録領域で、
上記凹凸形状が異なっている。
【００２６】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光学記録媒体の製造方法は、基板の一方の面に領域
を区分して、第１の凹凸形状と当該第１の凹凸形状と異
なる形状の第２の凹凸形状を形成する工程と、上記基板
の第１および第２の凹凸形状の形成面上に少なくとも光
学記録膜を形成する工程と、上記光学記録膜を保護する
保護層を形成する工程とを有する。
明の光学記録媒体の製造方法は、基板の一方の面に領域
を区分して、第１の凹凸形状と当該第１の凹凸形状と異
なる形状の第２の凹凸形状を形成する工程と、上記基板
の第１および第２の凹凸形状の形成面上に少なくとも光
学記録膜を形成する工程と、上記光学記録膜を保護する
保護層を形成する工程とを有する。
【００２７】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光学記録媒体の製造方法は、少なくとも２層の光学
記録膜を有する光学記録媒体の製造方法であって、第１
基板の一方の面に第１の形状の凹凸形状を形成する工程
と、上記基板の凹凸形状形成面上に少なくとも第１光学
記録膜を形成する工程と、保護層となる第２基板の一方
の面に上記第１の形状と異なる第２の形状の凹凸形状を
形成する工程と、上記第２基板の凹凸形状形成面上に少
なくとも第２光学記録膜を形成する工程と、上記第１光
学記録膜の形成面と上記第２光学記録膜の形成面とを貼
り合わせる工程とを有する。
明の光学記録媒体の製造方法は、少なくとも２層の光学
記録膜を有する光学記録媒体の製造方法であって、第１
基板の一方の面に第１の形状の凹凸形状を形成する工程
と、上記基板の凹凸形状形成面上に少なくとも第１光学
記録膜を形成する工程と、保護層となる第２基板の一方
の面に上記第１の形状と異なる第２の形状の凹凸形状を
形成する工程と、上記第２基板の凹凸形状形成面上に少
なくとも第２光学記録膜を形成する工程と、上記第１光
学記録膜の形成面と上記第２光学記録膜の形成面とを貼
り合わせる工程とを有する。
【００２８】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光学記録媒体の製造方法は、少なくとも２層の光学
記録膜を有する光学記録媒体の製造方法であって、基板
の一方の面に第１の凹凸形状を形成する工程と、上記基
板の他方の面に上記第１の凹凸形状と異なる形状の第２
の凹凸形状を形成する工程と、上記一方の面の第１の凹
凸形状形の成面上に少なくとも第１光学記録膜を形成す
る工程と、上記他方の面の第２の凹凸形状の形成面上に
少なくとも第２光学記録膜を形成する工程と、上記第１
光学記録膜を保護する光透過性の保護層を形成する工程
と、上記第２光学記録膜を保護する光透過性の保護層を
形成する工程とを有する。
明の光学記録媒体の製造方法は、少なくとも２層の光学
記録膜を有する光学記録媒体の製造方法であって、基板
の一方の面に第１の凹凸形状を形成する工程と、上記基
板の他方の面に上記第１の凹凸形状と異なる形状の第２
の凹凸形状を形成する工程と、上記一方の面の第１の凹
凸形状形の成面上に少なくとも第１光学記録膜を形成す
る工程と、上記他方の面の第２の凹凸形状の形成面上に
少なくとも第２光学記録膜を形成する工程と、上記第１
光学記録膜を保護する光透過性の保護層を形成する工程
と、上記第２光学記録膜を保護する光透過性の保護層を
形成する工程とを有する。
【００２９】また、上記の目的を達成するために、本発
明の光学記録媒体の記録再生方法は、光透過層を通して
光学記録膜に光を照射し、データを記録または再生する
光学記録媒体の記録再生方法であって、基板と、上記基
板に形成され、上記光に対するトラック領域を区分する
凹凸形状を有する光学記録膜と、上記光学記録膜上に形
成された保護層とを有し、上記光学記録膜は、第１記録
領域と第２記録領域に区分されており、当該第１記録領
域と第２記録領域で、上記凹凸形状が異なっている光学
記録媒体に対して、上記第１記録領域において上記凹凸
形状の凹部および凸部のいずれか一方のみで記録再生を
行い、上記第２記録領域において上記凹凸形状の凹部お
よび凸部の両方で記録再生を行う。
明の光学記録媒体の記録再生方法は、光透過層を通して
光学記録膜に光を照射し、データを記録または再生する
光学記録媒体の記録再生方法であって、基板と、上記基
板に形成され、上記光に対するトラック領域を区分する
凹凸形状を有する光学記録膜と、上記光学記録膜上に形
成された保護層とを有し、上記光学記録膜は、第１記録
領域と第２記録領域に区分されており、当該第１記録領
域と第２記録領域で、上記凹凸形状が異なっている光学
記録媒体に対して、上記第１記録領域において上記凹凸
形状の凹部および凸部のいずれか一方のみで記録再生を
行い、上記第２記録領域において上記凹凸形状の凹部お
よび凸部の両方で記録再生を行う。
【００３０】上記の本発明の光学記録媒体は、トラック
領域を区分する凹凸形状を有する光学記録膜が、第１記
録領域と第２記録領域に区分されており、第１記録領域
と第２記録領域で、上記凹凸形状が異なっている構成と
なっている。即ち、第１記録領域において凹凸形状の凹
部および凸部のいずれか一方のみで記録再生を行う、即
ちグルーブ記録方式（またはランド記録方式）の規格の
記録領域とし、一方、第２記録領域において凹凸形状の
凹部および凸部の両方で記録再生を行う、即ちランドグ
ルーブ記録方式の規格の記録領域とすることが可能とな
り、グルーブ記録方式（またはランド記録方式）用およ
びランドグルーブ記録方式用ドライブのいずれにも対応
可能な光学記録媒体である。
領域を区分する凹凸形状を有する光学記録膜が、第１記
録領域と第２記録領域に区分されており、第１記録領域
と第２記録領域で、上記凹凸形状が異なっている構成と
なっている。即ち、第１記録領域において凹凸形状の凹
部および凸部のいずれか一方のみで記録再生を行う、即
ちグルーブ記録方式（またはランド記録方式）の規格の
記録領域とし、一方、第２記録領域において凹凸形状の
凹部および凸部の両方で記録再生を行う、即ちランドグ
ルーブ記録方式の規格の記録領域とすることが可能とな
り、グルーブ記録方式（またはランド記録方式）用およ
びランドグルーブ記録方式用ドライブのいずれにも対応
可能な光学記録媒体である。
【００３１】上記の光学記録媒体は、基板の一方の面に
領域を区分して第１の凹凸形状と第２の凹凸形状を形成
し、その凹凸形成面上に少なくとも光学記録膜を形成す
ることにより製造可能である。また、少なくとも２層の
光学記録膜を有する光学記録媒体の場合には、第１基板
に第１の凹凸形状を形成して少なくとも第１光学記録膜
を形成し、第２基板に第２の形状の凹凸形状を形成して
少なくとも第２光学記録膜を形成し、第１光学記録膜と
第２光学記録膜の各形成面を貼り合わせる、あるいは、
基板の一方の面に第１の凹凸形状を形成し、他方の面に
第２の凹凸形状を形成し、一方の面に少なくとも第１光
学記録膜を形成し、他方の面に少なくとも第２光学記録
膜を形成することで製造可能である。
領域を区分して第１の凹凸形状と第２の凹凸形状を形成
し、その凹凸形成面上に少なくとも光学記録膜を形成す
ることにより製造可能である。また、少なくとも２層の
光学記録膜を有する光学記録媒体の場合には、第１基板
に第１の凹凸形状を形成して少なくとも第１光学記録膜
を形成し、第２基板に第２の形状の凹凸形状を形成して
少なくとも第２光学記録膜を形成し、第１光学記録膜と
第２光学記録膜の各形成面を貼り合わせる、あるいは、
基板の一方の面に第１の凹凸形状を形成し、他方の面に
第２の凹凸形状を形成し、一方の面に少なくとも第１光
学記録膜を形成し、他方の面に少なくとも第２光学記録
膜を形成することで製造可能である。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳しく説明する。本実施の形態は、光学
記録媒体（光ディスク）およびその製造方法並びに記録
再生方法に関する。
て図面を用いて詳しく説明する。本実施の形態は、光学
記録媒体（光ディスク）およびその製造方法並びに記録
再生方法に関する。
【００３３】第１実施形態
図１（ａ）は本実施形態に係る光ディスクの光の照射の
様子を示す模式斜視図である。光ディスクＤＣは、中心
部にセンターホールＣＨが開口された略円盤形状をして
おり、ドライブ方向ＤＲに回転駆動される。情報を記録
または再生するときには、光ディスクＤＣ中の光学記録
膜に対して、例えば開口数が０．８以上の対物レンズＯ
Ｌにより、青〜青紫色の領域のレーザ光などの光ＬＴが
照射されて用いられる。
様子を示す模式斜視図である。光ディスクＤＣは、中心
部にセンターホールＣＨが開口された略円盤形状をして
おり、ドライブ方向ＤＲに回転駆動される。情報を記録
または再生するときには、光ディスクＤＣ中の光学記録
膜に対して、例えば開口数が０．８以上の対物レンズＯ
Ｌにより、青〜青紫色の領域のレーザ光などの光ＬＴが
照射されて用いられる。
【００３４】図１（ｂ）は模式断面図であり、図１
（ｃ）は図１（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断面
図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートなど
からなるディスク基板１５の一方の表面に、凹部１５ｒ
が設けられている。この凹部１５ｒを含む凹凸に沿って
光学記録積層体１６が形成されている。光学記録積層体
１６は、例えば、上層側から例えば誘電体膜、相変化膜
などの光学記録膜、誘電体膜および反射膜などがこの順
番で積層された構成であり、層構成や層数は、記録材料
の種類や設計によって異なる。光学記録膜としては、相
変化膜の他、例えば光磁気記録膜、あるいは有機色素を
含む記録膜を用いることもできる。さらに、光学記録積
層体１６の上層に、例えば０．１ｍｍの膜厚の光透過性
の保護層１７が形成されている。
（ｃ）は図１（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断面
図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートなど
からなるディスク基板１５の一方の表面に、凹部１５ｒ
が設けられている。この凹部１５ｒを含む凹凸に沿って
光学記録積層体１６が形成されている。光学記録積層体
１６は、例えば、上層側から例えば誘電体膜、相変化膜
などの光学記録膜、誘電体膜および反射膜などがこの順
番で積層された構成であり、層構成や層数は、記録材料
の種類や設計によって異なる。光学記録膜としては、相
変化膜の他、例えば光磁気記録膜、あるいは有機色素を
含む記録膜を用いることもできる。さらに、光学記録積
層体１６の上層に、例えば０．１ｍｍの膜厚の光透過性
の保護層１７が形成されている。
【００３５】上記の構成の光ディスクにおいて、情報を
記録または再生するときには、保護層１７側から光学記
録積層体１６中の光学記録膜に対してレーザ光ＬＴが照
射される。光ディスクの再生時においては、光学記録膜
で反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処理回
路により所定の信号を生成して、再生信号が取り出され
る。
記録または再生するときには、保護層１７側から光学記
録積層体１６中の光学記録膜に対してレーザ光ＬＴが照
射される。光ディスクの再生時においては、光学記録膜
で反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処理回
路により所定の信号を生成して、再生信号が取り出され
る。
【００３６】上記の構成の光ディスクにおいては、ディ
スク基板１５の一方の表面に設けられた凹部（溝）１５
ｒに応じて光学記録積層体１６も凹凸形状を有してお
り、これによりトラック領域が区分され、レーザ光ＬＴ
のガイド用の案内溝として機能している。ガイド用の案
内溝となる凹部（溝）１５ｒは、一般に、ディスクの内
周から外周に向けてスパイラル状に、あるいは同心円状
に設けられる。
スク基板１５の一方の表面に設けられた凹部（溝）１５
ｒに応じて光学記録積層体１６も凹凸形状を有してお
り、これによりトラック領域が区分され、レーザ光ＬＴ
のガイド用の案内溝として機能している。ガイド用の案
内溝となる凹部（溝）１５ｒは、一般に、ディスクの内
周から外周に向けてスパイラル状に、あるいは同心円状
に設けられる。
【００３７】上記の構成の光ディスクにおいては、トラ
ック領域を区分する案内溝となる凹部と凸部のうち、一
方をグルーブ、他方をランドと呼ぶが、ディスクの作成
プロセスの中に凹凸反転工程が入る場合もあるので一義
的ではない。そこで、本明細書では便宜上、下記にて説
明する製造プロセスにおける原盤作成時に、溝となる凹
凸を形成するためのレーザ露光領域となった部分をグル
ーブ、露光されずに残った部分をランドと呼ぶことにす
る。
ック領域を区分する案内溝となる凹部と凸部のうち、一
方をグルーブ、他方をランドと呼ぶが、ディスクの作成
プロセスの中に凹凸反転工程が入る場合もあるので一義
的ではない。そこで、本明細書では便宜上、下記にて説
明する製造プロセスにおける原盤作成時に、溝となる凹
凸を形成するためのレーザ露光領域となった部分をグル
ーブ、露光されずに残った部分をランドと呼ぶことにす
る。
【００３８】上記のランドとグルーブに関して、グルー
ブのみに記録するグルーブ記録方式あるいはランドのみ
に記録するランド記録方式（以下、代表してグルーブ記
録方式とも称する）と、グルーブとランドすなわち凹凸
の両方に情報を記録するランドグルーブ記録方式とがあ
る。本実施形態の光ディスクにおいては、上記の同一の
層である光学記録膜に、第１記録領域と第２記録領域の
２つの領域が区分して配置されている。第１記録領域
は、グルーブ記録方式により記録再生を行う領域であ
り、第２記録領域は、ランドグルーブ記録方式により記
録再生を行う領域である。
ブのみに記録するグルーブ記録方式あるいはランドのみ
に記録するランド記録方式（以下、代表してグルーブ記
録方式とも称する）と、グルーブとランドすなわち凹凸
の両方に情報を記録するランドグルーブ記録方式とがあ
る。本実施形態の光ディスクにおいては、上記の同一の
層である光学記録膜に、第１記録領域と第２記録領域の
２つの領域が区分して配置されている。第１記録領域
は、グルーブ記録方式により記録再生を行う領域であ
り、第２記録領域は、ランドグルーブ記録方式により記
録再生を行う領域である。
【００３９】図２（ａ）は、グルーブ記録方式の第１記
録領域の断面構造を示す模式図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）中のランドとグルーブの部分Ｒ1 を拡大した模
式図である。ディスク基板１５の表面に凹部１５ｒ1 お
よび凸部１５ｐ1 からなる凹凸形状が形成されており、
その上層に光学記録積層体１６が形成され、その上層に
保護層１７が形成されている。後述するように、本実施
形態においては、凹部１５ｒ1 に相当する部分をグルー
ブＧ、凸部１５ｐ1 に相当する部分をランドＬとする。
第１記録領域においては、上記のグルーブＧとランドＬ
のいずれかを記録領域として用いており、図面上は対物
レンズＯＬを用いてランドＬにレーザ光ＬＴを照射して
いる状態を示している。グルーグ幅ＷG1は、グルーブ上
端の幅をＷGT1 、下底の幅をＷGB1 としたとき、ＷG1＝
（ＷGT1 ＋ＷGB1 ）／２で定義する。同様にランド幅Ｗ
L1についても、ランド上端の幅をＷLT1 、下底の幅をＷ
LB1 としたとき、ＷL1＝（ＷLT1 ＋ＷLB 1 ）／２で定義
する。グルーブ幅ＷG1／ランド幅ＷL1比をグルーブデュ
ーティと呼ぶ。記録トラック中心から隣の記録トラック
中心までの距離をトラックピッチＴＰ 1 とする。すなわ
ちトラックピッチは、図示するようにランド記録の場
合、隣接する２条のランドのトラック中心間の距離とす
る。案内溝の深さ（グルーブ底部からグルーブ上端まで
の距離）をグルーブ深さｄ 1 と呼び、光透過層である保
護層１７の屈折率ｎ、再生レーザ光の波長λに対して、
λ／（４ｎ）〜λ／（１２ｎ）の範囲内に設定する。
録領域の断面構造を示す模式図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）中のランドとグルーブの部分Ｒ1 を拡大した模
式図である。ディスク基板１５の表面に凹部１５ｒ1 お
よび凸部１５ｐ1 からなる凹凸形状が形成されており、
その上層に光学記録積層体１６が形成され、その上層に
保護層１７が形成されている。後述するように、本実施
形態においては、凹部１５ｒ1 に相当する部分をグルー
ブＧ、凸部１５ｐ1 に相当する部分をランドＬとする。
第１記録領域においては、上記のグルーブＧとランドＬ
のいずれかを記録領域として用いており、図面上は対物
レンズＯＬを用いてランドＬにレーザ光ＬＴを照射して
いる状態を示している。グルーグ幅ＷG1は、グルーブ上
端の幅をＷGT1 、下底の幅をＷGB1 としたとき、ＷG1＝
（ＷGT1 ＋ＷGB1 ）／２で定義する。同様にランド幅Ｗ
L1についても、ランド上端の幅をＷLT1 、下底の幅をＷ
LB1 としたとき、ＷL1＝（ＷLT1 ＋ＷLB 1 ）／２で定義
する。グルーブ幅ＷG1／ランド幅ＷL1比をグルーブデュ
ーティと呼ぶ。記録トラック中心から隣の記録トラック
中心までの距離をトラックピッチＴＰ 1 とする。すなわ
ちトラックピッチは、図示するようにランド記録の場
合、隣接する２条のランドのトラック中心間の距離とす
る。案内溝の深さ（グルーブ底部からグルーブ上端まで
の距離）をグルーブ深さｄ 1 と呼び、光透過層である保
護層１７の屈折率ｎ、再生レーザ光の波長λに対して、
λ／（４ｎ）〜λ／（１２ｎ）の範囲内に設定する。
【００４０】また、図２（ｃ）は、ランドグルーブ記録
方式の第２記録領域の断面構造を示す模式図であり、図
２（ｄ）は図２（ｃ）中のランドとグルーブの部分Ｒ2
を拡大した模式図である。上記と同様、凹部１５ｒ2 に
相当する部分をグルーブＧ、凸部１５ｐ2 に相当する部
分をランドＬとする。第２記録領域においては、上記の
グルーブＧとランドＬの両方を記録領域として用いてお
り、図面上は対物レンズＯＬを用いてランドＬにレーザ
光ＬＴを照射している状態を示している。グルーグ幅Ｗ
G2は、グルーブ上端の幅をＷGT2 、下底の幅をＷGB2 と
したとき、ＷG2＝（ＷGT2 ＋ＷGB2 ）／２で定義する。
同様にランド幅ＷL2についても、ランド上端の幅をＷ
LT2 、下底の幅をＷLB2 としたとき、ＷL2＝（ＷLT2 ＋
ＷLB 2 ）／２で定義する。グルーブ幅ＷG2／ランド幅Ｗ
L2比をグルーブデューティと呼ぶ。記録トラック中心か
ら隣の記録トラック中心までの距離をトラックピッチＴ
Ｐ 2 とする。すなわちトラックピッチは、図示するよう
にランドグルーブ記録の場合、隣接するランドとグルー
ブのトラック中心間の距離とする。案内溝の深さ（グル
ーブ底部からグルーブ上端までの距離）をグルーブ深さ
ｄ 2 と呼び、光透過層である保護層１７の屈折率ｎ、再
生レーザ光の波長λに対して、λ／（４ｎ）〜λ／（１
２ｎ）の範囲内に設定する。
方式の第２記録領域の断面構造を示す模式図であり、図
２（ｄ）は図２（ｃ）中のランドとグルーブの部分Ｒ2
を拡大した模式図である。上記と同様、凹部１５ｒ2 に
相当する部分をグルーブＧ、凸部１５ｐ2 に相当する部
分をランドＬとする。第２記録領域においては、上記の
グルーブＧとランドＬの両方を記録領域として用いてお
り、図面上は対物レンズＯＬを用いてランドＬにレーザ
光ＬＴを照射している状態を示している。グルーグ幅Ｗ
G2は、グルーブ上端の幅をＷGT2 、下底の幅をＷGB2 と
したとき、ＷG2＝（ＷGT2 ＋ＷGB2 ）／２で定義する。
同様にランド幅ＷL2についても、ランド上端の幅をＷ
LT2 、下底の幅をＷLB2 としたとき、ＷL2＝（ＷLT2 ＋
ＷLB 2 ）／２で定義する。グルーブ幅ＷG2／ランド幅Ｗ
L2比をグルーブデューティと呼ぶ。記録トラック中心か
ら隣の記録トラック中心までの距離をトラックピッチＴ
Ｐ 2 とする。すなわちトラックピッチは、図示するよう
にランドグルーブ記録の場合、隣接するランドとグルー
ブのトラック中心間の距離とする。案内溝の深さ（グル
ーブ底部からグルーブ上端までの距離）をグルーブ深さ
ｄ 2 と呼び、光透過層である保護層１７の屈折率ｎ、再
生レーザ光の波長λに対して、λ／（４ｎ）〜λ／（１
２ｎ）の範囲内に設定する。
【００４１】本実施形態においては、第１記録領域と第
２記録領域でガイド溝形状（グルーブ深さ、グループ
幅）が異なる構成をとる。第１記録領域、第２記録領域
の各領域内においては、一種類の溝形状が形成されてい
てもよいし、各領域内に２種類以上の形状があってもよ
い。前者の方が作成プロセスが容易であるので好まし
い。溝形状は後述の製造プロセスにおいてフォトレジス
トの厚さやパターン露光時のレーザ光のパワー等を調整
することによりコントロールする。
２記録領域でガイド溝形状（グルーブ深さ、グループ
幅）が異なる構成をとる。第１記録領域、第２記録領域
の各領域内においては、一種類の溝形状が形成されてい
てもよいし、各領域内に２種類以上の形状があってもよ
い。前者の方が作成プロセスが容易であるので好まし
い。溝形状は後述の製造プロセスにおいてフォトレジス
トの厚さやパターン露光時のレーザ光のパワー等を調整
することによりコントロールする。
【００４２】上述の第１記録領域および第２記録領域で
は、トラックピッチＴＰ1 ＝ＴＰ2であった場合、グル
ーブ記録とランドグルーブ記録の場合の幾何学的形状か
ら自明なように、必然的にグルーブ幅についてＷG1＜Ｗ
G2となり、ランド幅についてＷL1＜ＷL2となる。通常、
ＷG1＝ＷG2／２、および、ＷL1＝ＷL2／２程度になる。
一方、溝深さはｄ1 ＝ｄ2 でも構わないが、ｄ1 ＜ｄ2
とすることにより各々の領域で記録再生特性の向上が図
られる。特に、ｄ1 ＜３５ｎｍ、ｄ2 ＞３５ｎｍとする
ことにより、第１記録領域では再生信号のキャリアレベ
ルの増大もしくはノイズレベル低減によるＳ／Ｎ比の向
上が図られ、第２記録領域ではクロストーク低減および
クロスイレース低減によるＳ／Ｎ比向上が図られる。
は、トラックピッチＴＰ1 ＝ＴＰ2であった場合、グル
ーブ記録とランドグルーブ記録の場合の幾何学的形状か
ら自明なように、必然的にグルーブ幅についてＷG1＜Ｗ
G2となり、ランド幅についてＷL1＜ＷL2となる。通常、
ＷG1＝ＷG2／２、および、ＷL1＝ＷL2／２程度になる。
一方、溝深さはｄ1 ＝ｄ2 でも構わないが、ｄ1 ＜ｄ2
とすることにより各々の領域で記録再生特性の向上が図
られる。特に、ｄ1 ＜３５ｎｍ、ｄ2 ＞３５ｎｍとする
ことにより、第１記録領域では再生信号のキャリアレベ
ルの増大もしくはノイズレベル低減によるＳ／Ｎ比の向
上が図られ、第２記録領域ではクロストーク低減および
クロスイレース低減によるＳ／Ｎ比向上が図られる。
【００４３】上記の構造の光ディスクに対する記録再生
方法は、以下のように行う。図３（ａ）は、第１記録領
域の断面構造を示す模式図であり、図３（ｂ）はランド
記録方式での記録マークの配置の例を示す平面図、図３
（ｃ）はグルーブ記録方式での記録マークの配置の例を
示す平面図である。第１記録領域では、ランド記録方式
の場合はランドＬのみに記録マークＲＭが形成され、グ
ルーブ記録方式の場合はグルーブＧのみに記録マークＲ
Ｍが形成される。一方、図３（ｄ）は、第２記録領域の
断面構造を示す模式図であり、図３（ｅ）はランドグル
ーブ記録方式での記録マークの配置の例を示す平面図で
ある。第２記録領域では、ランドグルーブ記録方式であ
るので、ランドＬおよびグルーブＧに記録マークＲＭが
形成される。
方法は、以下のように行う。図３（ａ）は、第１記録領
域の断面構造を示す模式図であり、図３（ｂ）はランド
記録方式での記録マークの配置の例を示す平面図、図３
（ｃ）はグルーブ記録方式での記録マークの配置の例を
示す平面図である。第１記録領域では、ランド記録方式
の場合はランドＬのみに記録マークＲＭが形成され、グ
ルーブ記録方式の場合はグルーブＧのみに記録マークＲ
Ｍが形成される。一方、図３（ｄ）は、第２記録領域の
断面構造を示す模式図であり、図３（ｅ）はランドグル
ーブ記録方式での記録マークの配置の例を示す平面図で
ある。第２記録領域では、ランドグルーブ記録方式であ
るので、ランドＬおよびグルーブＧに記録マークＲＭが
形成される。
【００４４】図４（ａ）〜（ｃ）は、上記の第１記録領
域ＡＲ1 と第２記録領域ＡＲ2 の配置の例を示す平面図
である。図４（ａ）は、ディスクの内周側に第１記録領
域ＡＲ1 を、外周側に第２記録領域ＡＲ2 を配置した場
合である。図４（ｂ）は、ディスクの外周側に第１記録
領域ＡＲ1 を、内周側に第２記録領域ＡＲ2 を配置した
場合である。図４（ｃ）は、ディスク上に同心円状に領
域を複数に区分し、第１記録領域ＡＲ1 と第２記録領域
ＡＲ2 を交互に配置した場合である。図４（ａ）および
（ｂ）の場合は、内周と外周の２領域に第１記録領域と
第２記録領域を分離した配置で、最もシンプルであり、
駆動装置側からみてもアクセスに半径方向の制御だけで
済むので駆動が容易であり、好ましい。
域ＡＲ1 と第２記録領域ＡＲ2 の配置の例を示す平面図
である。図４（ａ）は、ディスクの内周側に第１記録領
域ＡＲ1 を、外周側に第２記録領域ＡＲ2 を配置した場
合である。図４（ｂ）は、ディスクの外周側に第１記録
領域ＡＲ1 を、内周側に第２記録領域ＡＲ2 を配置した
場合である。図４（ｃ）は、ディスク上に同心円状に領
域を複数に区分し、第１記録領域ＡＲ1 と第２記録領域
ＡＲ2 を交互に配置した場合である。図４（ａ）および
（ｂ）の場合は、内周と外周の２領域に第１記録領域と
第２記録領域を分離した配置で、最もシンプルであり、
駆動装置側からみてもアクセスに半径方向の制御だけで
済むので駆動が容易であり、好ましい。
【００４５】上記の光ディスクの製造方法について説明
する。まず、図５（ａ）に示すようなガラス原盤１０の
表面を研磨および洗浄し、次に、図５（ｂ）に示すよう
に、例えばスピン塗布などによりガラス原盤１０上にレ
ジスト材料を数１０〜１００ｎｍの膜厚で塗布してレジ
スト膜１１を形成し、ガラス原盤１０上にレジスト膜１
１が成膜されたレジスト原盤ＲＤとする。
する。まず、図５（ａ）に示すようなガラス原盤１０の
表面を研磨および洗浄し、次に、図５（ｂ）に示すよう
に、例えばスピン塗布などによりガラス原盤１０上にレ
ジスト材料を数１０〜１００ｎｍの膜厚で塗布してレジ
スト膜１１を形成し、ガラス原盤１０上にレジスト膜１
１が成膜されたレジスト原盤ＲＤとする。
【００４６】次に、図６（ａ）に示すように、対物レン
ズＯＬにより露光用のレーザ光ＬＴを集光して露光する
レーザ露光装置などを用いて、レジスト膜１１に対し
て、ディスク基板の凹凸形状を形成するためのパターニ
ング露光を行う。レーザ露光装置においては、例えば露
光用のレーザ光をレジスト膜１１上に照射しながら、ガ
ラス基板を回転させることで、スパイラル状、あるいは
同心円状に露光する。この露光工程において、未露光の
レジスト膜１１ａの領域に相当するディスク基板の領域
をランドと呼び、露光されたレジスト膜１１ｂの領域に
相当するディスク基板の領域をグルーブと呼ぶ。
ズＯＬにより露光用のレーザ光ＬＴを集光して露光する
レーザ露光装置などを用いて、レジスト膜１１に対し
て、ディスク基板の凹凸形状を形成するためのパターニ
ング露光を行う。レーザ露光装置においては、例えば露
光用のレーザ光をレジスト膜１１上に照射しながら、ガ
ラス基板を回転させることで、スパイラル状、あるいは
同心円状に露光する。この露光工程において、未露光の
レジスト膜１１ａの領域に相当するディスク基板の領域
をランドと呼び、露光されたレジスト膜１１ｂの領域に
相当するディスク基板の領域をグルーブと呼ぶ。
【００４７】ここで、本実施形態の光ディスクにおい
て、ディスク基板１５の表面を第１記録領域と第２記録
領域に区分して、凹凸形状の幅が異なるように形成する
には、上記の露光領域で露光パターンを第１記録領域と
第２記録領域で変えることで対応することができる。即
ち、第１記録領域においては、幅の細いパターンで露光
し、第２記録領域においては、幅の広いパターンで露光
する。
て、ディスク基板１５の表面を第１記録領域と第２記録
領域に区分して、凹凸形状の幅が異なるように形成する
には、上記の露光領域で露光パターンを第１記録領域と
第２記録領域で変えることで対応することができる。即
ち、第１記録領域においては、幅の細いパターンで露光
し、第２記録領域においては、幅の広いパターンで露光
する。
【００４８】次に、図６（ｂ）に示すように、レジスト
膜を専用の現像液により現像処理を施して、未露光のレ
ジスト膜１１ａを残して露光されたレジスト膜１１ｂを
溶出し、ディスク基板のグルーブとなる領域を開口する
ようにパターニングする。
膜を専用の現像液により現像処理を施して、未露光のレ
ジスト膜１１ａを残して露光されたレジスト膜１１ｂを
溶出し、ディスク基板のグルーブとなる領域を開口する
ようにパターニングする。
【００４９】次に、図７（ａ）に示すように、例えばニ
ッケルメッキ処理などを行い、上記ガラス原盤１０およ
びレジスト膜１１ａ上にメタルマスタ１２と呼ばれる金
型を作成する。メタルマスタ１２の表面には、レジスト
膜１１ａにより形成された凹部１１ｒと逆パターンの凹
凸が転写され、凸部１２ｐが形成されており、この領域
がグルーブとなる。
ッケルメッキ処理などを行い、上記ガラス原盤１０およ
びレジスト膜１１ａ上にメタルマスタ１２と呼ばれる金
型を作成する。メタルマスタ１２の表面には、レジスト
膜１１ａにより形成された凹部１１ｒと逆パターンの凹
凸が転写され、凸部１２ｐが形成されており、この領域
がグルーブとなる。
【００５０】次に、図７（ｂ）に示すように、ガラス原
盤１０およびレジスト膜１１ａからメタルマスタ１２を
離型する。
盤１０およびレジスト膜１１ａからメタルマスタ１２を
離型する。
【００５１】次に、図８（ａ）に示すように、メタルマ
スタ１２の表面に重クロム酸によるニッケル表面酸化処
理を行い、不図示の皮膜を形成した後、さらにニッケル
メッキ処理などを行い、メタルマスタ１２上にマザース
タンパ１３と呼ばれる金型を作成する。マザースタンパ
１３の表面には、メタルマスタ１２の凸部１２ｐと逆パ
ターンの凹凸が転写され、凹部１３ｒが形成されてお
り、この領域がグルーブとなる。
スタ１２の表面に重クロム酸によるニッケル表面酸化処
理を行い、不図示の皮膜を形成した後、さらにニッケル
メッキ処理などを行い、メタルマスタ１２上にマザース
タンパ１３と呼ばれる金型を作成する。マザースタンパ
１３の表面には、メタルマスタ１２の凸部１２ｐと逆パ
ターンの凹凸が転写され、凹部１３ｒが形成されてお
り、この領域がグルーブとなる。
【００５２】次に、図８（ｂ）に示すように、マザース
タンパ１３の表面に重クロム酸によるニッケル表面酸化
処理を行い、不図示の皮膜を形成した後、さらにニッケ
ルメッキ処理などを行い、マザースタンパ１３上にスタ
ンパ１４と呼ばれる金型を作成する。スタンパ１４の表
面には、マザースタンパ１３の凹部１３ｒと逆パターン
の凹凸が転写され、凸部１４ｐが形成されており、この
領域がグルーブとなる。
タンパ１３の表面に重クロム酸によるニッケル表面酸化
処理を行い、不図示の皮膜を形成した後、さらにニッケ
ルメッキ処理などを行い、マザースタンパ１３上にスタ
ンパ１４と呼ばれる金型を作成する。スタンパ１４の表
面には、マザースタンパ１３の凹部１３ｒと逆パターン
の凹凸が転写され、凸部１４ｐが形成されており、この
領域がグルーブとなる。
【００５３】次に、図９（ａ）に示すように、例えば、
上記のスタンパ１４を金型に用いた射出成形により、デ
ィスク基板を形成する。即ち、上記で得られたスタンパ
１４を金型（ＭＤ１，ＭＤ２）からなるキャビティ内に
固定し、射出成形用金型を構成する。このとき、スタン
パ１４の凸部形成面１４’がキャビティ内側を臨むよう
に設置する。上記の射出成形用金型のキャビティ内に、
例えば溶融状態のポリカーボネートなどの樹脂１５’を
金型の注入口ＩＭから射出することで、図９（ｂ）に示
すように、スタンパ１４の凹凸パターン上にディスク基
板１５を形成する。ここで、ディスク基板１５の表面に
は、スタンパ１４の凸部１４ｐと逆パターンの凹凸が転
写され、凹部１５ｒが形成されており、この領域がグル
ーブとなる。凹部１５ｒで挟まれた領域がランドとな
る。即ち、上記の第１記録領域において幅の細いパター
ンで露光し、第２記録領域において幅の広いパターンで
露光したのに対応し、第１記録領域においては幅の狭い
凹凸パターンが形成され、第２記録領域においては幅の
広い凹凸パターンが形成される。
上記のスタンパ１４を金型に用いた射出成形により、デ
ィスク基板を形成する。即ち、上記で得られたスタンパ
１４を金型（ＭＤ１，ＭＤ２）からなるキャビティ内に
固定し、射出成形用金型を構成する。このとき、スタン
パ１４の凸部形成面１４’がキャビティ内側を臨むよう
に設置する。上記の射出成形用金型のキャビティ内に、
例えば溶融状態のポリカーボネートなどの樹脂１５’を
金型の注入口ＩＭから射出することで、図９（ｂ）に示
すように、スタンパ１４の凹凸パターン上にディスク基
板１５を形成する。ここで、ディスク基板１５の表面に
は、スタンパ１４の凸部１４ｐと逆パターンの凹凸が転
写され、凹部１５ｒが形成されており、この領域がグル
ーブとなる。凹部１５ｒで挟まれた領域がランドとな
る。即ち、上記の第１記録領域において幅の細いパター
ンで露光し、第２記録領域において幅の広いパターンで
露光したのに対応し、第１記録領域においては幅の狭い
凹凸パターンが形成され、第２記録領域においては幅の
広い凹凸パターンが形成される。
【００５４】上記の射出成形金型から離型することで、
図１０（ａ）に示すような表面にランドとグルーブのパ
ターンとなる凹部１５ｒが形成されたディスク基板１５
が得られる。
図１０（ａ）に示すような表面にランドとグルーブのパ
ターンとなる凹部１５ｒが形成されたディスク基板１５
が得られる。
【００５５】次に、図１０（ｂ）に示すように、ディス
ク基板１３の表面に空気や窒素ガスなどのガスを吹き付
けてダストを除去した後、例えばスパッタリング法など
により、反射膜、誘電体膜、光学記録膜、誘電体膜から
なる光学記録積層体１６をこの成膜順序で成膜する。光
学記録膜は、例えば、相変化型の光学記録膜、光磁気記
録膜あるいは有機色素を含む記録膜を用いることができ
る。
ク基板１３の表面に空気や窒素ガスなどのガスを吹き付
けてダストを除去した後、例えばスパッタリング法など
により、反射膜、誘電体膜、光学記録膜、誘電体膜から
なる光学記録積層体１６をこの成膜順序で成膜する。光
学記録膜は、例えば、相変化型の光学記録膜、光磁気記
録膜あるいは有機色素を含む記録膜を用いることができ
る。
【００５６】次に、図１０（ｃ）に示すように、光学記
録積層体１６の上層に光透過性の保護層１７を形成す
る。以上で、図１に示す構造の光ディスクを製造するこ
とができる。
録積層体１６の上層に光透過性の保護層１７を形成す
る。以上で、図１に示す構造の光ディスクを製造するこ
とができる。
【００５７】上記の本実施形態によれば、第１記録領域
においては幅の狭い凹凸パターンが形成され、第２記録
領域においては幅の広い凹凸パターンを形成することが
でき、これにより、同一の層である光学記録膜に、第１
記録領域と第２記録領域の２つの領域が区分して配置さ
れ、第１記録領域をグルーブ記録方式により記録再生を
行う領域とし、第２記録領域をランドグルーブ記録方式
により記録再生を行う領域として利用することができる
光ディスクを製造することができる。
においては幅の狭い凹凸パターンが形成され、第２記録
領域においては幅の広い凹凸パターンを形成することが
でき、これにより、同一の層である光学記録膜に、第１
記録領域と第２記録領域の２つの領域が区分して配置さ
れ、第１記録領域をグルーブ記録方式により記録再生を
行う領域とし、第２記録領域をランドグルーブ記録方式
により記録再生を行う領域として利用することができる
光ディスクを製造することができる。
【００５８】近年商品化したＤＶＤの記録密度以上の高
密度記録を実現するには、（１）波長３８０ｎｍ〜４２
０ｎｍのレーザ特に半導体レーザ、（２）対物レンズの
ＮＡを０．８０以上０．９０以下（これ以上は製造マー
ジン、システムマージンの減少を招く）に設定した光ピ
ックアップの適用が有効である。この場合、上記の第１
記録領域のトラックピッチＴＰ1 、第２記録領域のトラ
ックピッチＴＰ2 をいずれも３５０ｎｍ以下とし、かつ
最短記録マーク長を第１記録領域ＡＲ1 および第２記録
領域ＡＲ2 のいずれにおいても２００ｎｍ以下とする組
み合わせにより、例えば直径１２ｃｍのディスクで２０
ＧＢ以上の記録容量を実現することが可能となる。
密度記録を実現するには、（１）波長３８０ｎｍ〜４２
０ｎｍのレーザ特に半導体レーザ、（２）対物レンズの
ＮＡを０．８０以上０．９０以下（これ以上は製造マー
ジン、システムマージンの減少を招く）に設定した光ピ
ックアップの適用が有効である。この場合、上記の第１
記録領域のトラックピッチＴＰ1 、第２記録領域のトラ
ックピッチＴＰ2 をいずれも３５０ｎｍ以下とし、かつ
最短記録マーク長を第１記録領域ＡＲ1 および第２記録
領域ＡＲ2 のいずれにおいても２００ｎｍ以下とする組
み合わせにより、例えば直径１２ｃｍのディスクで２０
ＧＢ以上の記録容量を実現することが可能となる。
【００５９】また、第１記録領域ＡＲ1 および第２記録
領域ＡＲ2 におけるグルーブデューティ（グルーブ幅／
ランド幅比）はいずれの値でも構わないが、記録再生信
号のバランス（キャリアレベルやクロストーク、クロス
イレース）を考慮し、４０：６０〜６０：４０の範囲と
することが好ましい。
領域ＡＲ2 におけるグルーブデューティ（グルーブ幅／
ランド幅比）はいずれの値でも構わないが、記録再生信
号のバランス（キャリアレベルやクロストーク、クロス
イレース）を考慮し、４０：６０〜６０：４０の範囲と
することが好ましい。
【００６０】本実施形態に係る光ディスクにおいて、デ
ィスク基板１５に用いる材料としては、ポリカーボネイ
ト、アクリル系樹脂等のプラスチック材料がコスト等の
点で優れているが、ガラスを用いることもできる。作成
法には、射出成型法（インジェクション法）の他、紫外
線硬化樹脂を使うフォトポリマー法（２Ｐ法）を用いる
ことができる。これ以外にも所望の形状（例えば厚さ
１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク形状）と光学的
に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であれば良
い。基板の直径はいずれでも構わないが、１４ｃｍ以下
であれば現在市販されている１２ｃｍや１３ｃｍのディ
スクと同等のサイズでありユーザにとって利便性を損な
うことがない。
ィスク基板１５に用いる材料としては、ポリカーボネイ
ト、アクリル系樹脂等のプラスチック材料がコスト等の
点で優れているが、ガラスを用いることもできる。作成
法には、射出成型法（インジェクション法）の他、紫外
線硬化樹脂を使うフォトポリマー法（２Ｐ法）を用いる
ことができる。これ以外にも所望の形状（例えば厚さ
１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク形状）と光学的
に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であれば良
い。基板の直径はいずれでも構わないが、１４ｃｍ以下
であれば現在市販されている１２ｃｍや１３ｃｍのディ
スクと同等のサイズでありユーザにとって利便性を損な
うことがない。
【００６１】基板の厚さは特に限定されないが、特に
０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下であることが好ましい。
基板の厚さが０．３ｍｍより薄いとディスクの強度が下
がったり反りやすくなったりする。逆に１．３ｍｍより
厚いとディスクの厚みがＣＤやＤＶＤの１．２ｍｍより
厚くなるので、これら全てに対応する駆動装置を商品化
するときに同じディスクトレイを共用できなくなる可能
性がある。
０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下であることが好ましい。
基板の厚さが０．３ｍｍより薄いとディスクの強度が下
がったり反りやすくなったりする。逆に１．３ｍｍより
厚いとディスクの厚みがＣＤやＤＶＤの１．２ｍｍより
厚くなるので、これら全てに対応する駆動装置を商品化
するときに同じディスクトレイを共用できなくなる可能
性がある。
【００６２】また、記録再生のためのレーザが光透過性
の保護層側から入射する場合においては、基板の材料を
金属等の非透明材料としてもよい。
の保護層側から入射する場合においては、基板の材料を
金属等の非透明材料としてもよい。
【００６３】上記光透過性の保護層は、記録再生を行う
レーザの波長に対して吸収能を有しない材料からなるこ
とが好ましく、具体的には透過率は９０％以上の材料と
する。光透過性の保護層の厚さは０．３ｍｍ以下とす
る。特に、特開平１０−３２６４３５に記載されている
ように、厚さを３μｍ〜１７７μｍとし、高い開口率例
えばＮＡ＝０．８５と組み合わせることで、これまでに
ない高記録密度を実現することができる。
レーザの波長に対して吸収能を有しない材料からなるこ
とが好ましく、具体的には透過率は９０％以上の材料と
する。光透過性の保護層の厚さは０．３ｍｍ以下とす
る。特に、特開平１０−３２６４３５に記載されている
ように、厚さを３μｍ〜１７７μｍとし、高い開口率例
えばＮＡ＝０．８５と組み合わせることで、これまでに
ない高記録密度を実現することができる。
【００６４】また、光透過性の保護層の表面上にゴミが
付着したり、キズがついたりすることを防止する目的
で、有機系あるいは無機系の材料からなる保護層を形成
してもよい。この場合も記録再生を行うレーザの波長に
対して吸収能を殆ど有しない材料が望ましい。
付着したり、キズがついたりすることを防止する目的
で、有機系あるいは無機系の材料からなる保護層を形成
してもよい。この場合も記録再生を行うレーザの波長に
対して吸収能を殆ど有しない材料が望ましい。
【００６５】上述の光透過性の保護層側からレーザ光を
照射して記録再生を行う光ディスクの作製法としては、
大きく分けて以下の二つの方法を用いることができる。
第一の方法は、案内溝が形成された基板上に光学記録積
層体を積層し、最後に平滑な光透過性の保護層を形成す
る方法である。この方法を用いる場合、光透過性の保護
層の形成方法としては、例えば、厚さ０．３ｍｍ以下の
ポリカーボネイト、アクリル系樹脂等のプラスチック材
料からなる光学的に十分平滑な光透過性のシート（フィ
ルム）を紫外線硬化樹脂を接着材（例えば５〜１５μ
ｍ）とし紫外線照射により貼り合わせる方法を用いるこ
とができる。また、例えば、紫外線硬化樹脂をスピンコ
ーター等で０．３ｍｍ以下の所望の厚さになるように塗
布した後、紫外線照射をする方法を用いてもよい。
照射して記録再生を行う光ディスクの作製法としては、
大きく分けて以下の二つの方法を用いることができる。
第一の方法は、案内溝が形成された基板上に光学記録積
層体を積層し、最後に平滑な光透過性の保護層を形成す
る方法である。この方法を用いる場合、光透過性の保護
層の形成方法としては、例えば、厚さ０．３ｍｍ以下の
ポリカーボネイト、アクリル系樹脂等のプラスチック材
料からなる光学的に十分平滑な光透過性のシート（フィ
ルム）を紫外線硬化樹脂を接着材（例えば５〜１５μ
ｍ）とし紫外線照射により貼り合わせる方法を用いるこ
とができる。また、例えば、紫外線硬化樹脂をスピンコ
ーター等で０．３ｍｍ以下の所望の厚さになるように塗
布した後、紫外線照射をする方法を用いてもよい。
【００６６】第二の方法は、案内溝が形成された光透過
性の保護層上に光学記録積層体を積層し、最後に平滑な
ディスク基板を貼り合わせる方法である。厚さ０．３ｍ
ｍ以下の光透過性の保護層に凹凸のトラックを形成する
方法としては、射出成型（インジェクション）法、フォ
トポリマー法（２Ｐ法）、圧着・加圧により凹凸を転写
する方法等を用いることができる。ただし、光透過性の
保護層上に凹凸を形成する工程、あるいは、光学記録積
層体を成膜する工程は必ずしも容易ではないので、量産
等を考えた場合には第一の方法を用いる方が有利であ
る。
性の保護層上に光学記録積層体を積層し、最後に平滑な
ディスク基板を貼り合わせる方法である。厚さ０．３ｍ
ｍ以下の光透過性の保護層に凹凸のトラックを形成する
方法としては、射出成型（インジェクション）法、フォ
トポリマー法（２Ｐ法）、圧着・加圧により凹凸を転写
する方法等を用いることができる。ただし、光透過性の
保護層上に凹凸を形成する工程、あるいは、光学記録積
層体を成膜する工程は必ずしも容易ではないので、量産
等を考えた場合には第一の方法を用いる方が有利であ
る。
【００６７】本実施形態に係る光ディスクとしては、上
述の反射膜、誘電体膜、光学記録膜、誘電体膜からなる
構成の光学記録積層体のほか、下記に示す種々の構成の
光学記録膜または積層体を用いることができる。図１１
（ａ）は、光学記録膜１６ＲＬの単層構成の断面図であ
る。図１１（ｂ）は、ディスク基板１５側から、反射膜
１６ＲＦと光学記録膜１６ＲＬが積層した構成の断面図
である。図１１（ｃ）は、ディスク基板１５側から、誘
電体膜１６ＩＢ、光学記録膜１６ＲＬ、誘電体膜１６Ｉ
Ａが積層した構成の断面図である。図１１（ｄ）は、デ
ィスク基板１５側から、反射膜１６ＲＦ、誘電体膜１６
ＩＢ、光学記録膜１６ＲＬ、誘電体膜１６ＩＡが積層し
た構成の断面図である。図１２（ｅ）は、ディスク基板
１５側から、反射膜１６ＲＦ、誘電体膜１６ＩＢ、光学
記録膜１６ＲＬ、誘電体膜１６ＩＡ、光吸収制御層１６
ＡＢが積層した構成の断面図である。図１２（ｆ）は、
ディスク基板１５側から、反射膜１６ＲＦ、腐食防止層
１６ＣＰ、誘電体膜１６ＩＢ、光学記録膜１６ＲＬ、誘
電体膜１６ＩＡ、熱ダメージ低減層１６ＤＲが積層した
構成の断面図である。
述の反射膜、誘電体膜、光学記録膜、誘電体膜からなる
構成の光学記録積層体のほか、下記に示す種々の構成の
光学記録膜または積層体を用いることができる。図１１
（ａ）は、光学記録膜１６ＲＬの単層構成の断面図であ
る。図１１（ｂ）は、ディスク基板１５側から、反射膜
１６ＲＦと光学記録膜１６ＲＬが積層した構成の断面図
である。図１１（ｃ）は、ディスク基板１５側から、誘
電体膜１６ＩＢ、光学記録膜１６ＲＬ、誘電体膜１６Ｉ
Ａが積層した構成の断面図である。図１１（ｄ）は、デ
ィスク基板１５側から、反射膜１６ＲＦ、誘電体膜１６
ＩＢ、光学記録膜１６ＲＬ、誘電体膜１６ＩＡが積層し
た構成の断面図である。図１２（ｅ）は、ディスク基板
１５側から、反射膜１６ＲＦ、誘電体膜１６ＩＢ、光学
記録膜１６ＲＬ、誘電体膜１６ＩＡ、光吸収制御層１６
ＡＢが積層した構成の断面図である。図１２（ｆ）は、
ディスク基板１５側から、反射膜１６ＲＦ、腐食防止層
１６ＣＰ、誘電体膜１６ＩＢ、光学記録膜１６ＲＬ、誘
電体膜１６ＩＡ、熱ダメージ低減層１６ＤＲが積層した
構成の断面図である。
【００６８】上述の光学記録膜は、相変化材料、光磁気
材料、有機色素材料、無機酸化物材料のいずれかにより
なる。
材料、有機色素材料、無機酸化物材料のいずれかにより
なる。
【００６９】相変化材料とは、レーザビームの照射を受
けて可逆的な状態変化を生じる材料である。特に、アモ
ルファス状態と結晶状態の可逆的相変化しく、カルコゲ
ン化合物あるいは単体のカルコゲン等、公知のものがい
ずれも使用可能である。例示するならば、Ｔｅ，Ｓｅ，
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓ
ｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｅ，Ｓｂ
−Ｓｅ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ，Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕ等を含む
系、あるいはこれらの系に窒素、酸素等のガス添加物を
導入した系等を挙げることができる。
けて可逆的な状態変化を生じる材料である。特に、アモ
ルファス状態と結晶状態の可逆的相変化しく、カルコゲ
ン化合物あるいは単体のカルコゲン等、公知のものがい
ずれも使用可能である。例示するならば、Ｔｅ，Ｓｅ，
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓ
ｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｅ，Ｓｂ
−Ｓｅ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ，Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕ等を含む
系、あるいはこれらの系に窒素、酸素等のガス添加物を
導入した系等を挙げることができる。
【００７０】これらのうち、特に好適なのは、（１）Ｓ
ｂ−Ｔｅの共晶組成（Ｓｂ７０Ｔｅ３０）にマークの保
存安定性や結晶化速度をコントロールするための添加元
素（Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ａｇ等）を
導入した化合物、（２）ＧｅｘＳｂｙＴｅｚ（ｘ，ｙ，
ｚは各元素の原子比）なる組成式で表したときに、１７
≦ｘ≦２５，１７≦ｙ≦２５，４５≦Ｚ≦６５の組成範
囲となるようなＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系を主成分とする材料
（これにＰｄ，Ｓｎ等の元素を添加してもよい）の二つ
のタイプである。（１）はＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＷ
に、（２）はＤＶＤ−ＲＡＭに適用されている。
ｂ−Ｔｅの共晶組成（Ｓｂ７０Ｔｅ３０）にマークの保
存安定性や結晶化速度をコントロールするための添加元
素（Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ａｇ等）を
導入した化合物、（２）ＧｅｘＳｂｙＴｅｚ（ｘ，ｙ，
ｚは各元素の原子比）なる組成式で表したときに、１７
≦ｘ≦２５，１７≦ｙ≦２５，４５≦Ｚ≦６５の組成範
囲となるようなＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系を主成分とする材料
（これにＰｄ，Ｓｎ等の元素を添加してもよい）の二つ
のタイプである。（１）はＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＷ
に、（２）はＤＶＤ−ＲＡＭに適用されている。
【００７１】相変化材料は、レーザビームの強弱によ
り、アモルファス状態と結晶状態の間を可逆的に相変化
させることができる。この状態変化による反射率等の光
学的変化を利用して、記録、再生、消去、オーバーライ
ト等の動作を行うことができる。一般的には、一旦結晶
化（一般に初期化という）し、記録再生等を行う。
り、アモルファス状態と結晶状態の間を可逆的に相変化
させることができる。この状態変化による反射率等の光
学的変化を利用して、記録、再生、消去、オーバーライ
ト等の動作を行うことができる。一般的には、一旦結晶
化（一般に初期化という）し、記録再生等を行う。
【００７２】光磁気材料は、希土類元素例えばＴｂ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｎｄと遷移金属例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉがフ
エリ磁性結合したもので、ＴｂＦｅＣｏ合金やＧｄＦｅ
Ｃｏ合金など垂直磁気異方性、保磁力、カー回転角が大
きい材料である。これらの材料に光を照射したときの反
射光の偏向面が回転する硬化すなわちカー効果を用いて
信号の再生が可能である。記録は光照射で媒体の温度を
キュリー温度以上に上昇させ磁石により磁化反転させ
る。これらの材料はＩＳＯ規格のＭＯやミニディスクに
適用されている。この他にＰｔＣｏを適用してもよい。
ｄ，Ｄｙ，Ｎｄと遷移金属例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉがフ
エリ磁性結合したもので、ＴｂＦｅＣｏ合金やＧｄＦｅ
Ｃｏ合金など垂直磁気異方性、保磁力、カー回転角が大
きい材料である。これらの材料に光を照射したときの反
射光の偏向面が回転する硬化すなわちカー効果を用いて
信号の再生が可能である。記録は光照射で媒体の温度を
キュリー温度以上に上昇させ磁石により磁化反転させ
る。これらの材料はＩＳＯ規格のＭＯやミニディスクに
適用されている。この他にＰｔＣｏを適用してもよい。
【００７３】有機色素材料のうち特に本発明に有効なも
のは、シアニン系、フタロシアニン系、アゾ系である。
これらは光ディスクに適用したときに、良好な耐久性、
光学特性、色素分解性、安定な塗布成膜性を有してい
る。
のは、シアニン系、フタロシアニン系、アゾ系である。
これらは光ディスクに適用したときに、良好な耐久性、
光学特性、色素分解性、安定な塗布成膜性を有してい
る。
【００７４】無機酸化物材料の代表例としては、Ｔｅ−
Ｏ−ＰｄまたはＴｅ−Ｏ−Ａｕ系が挙げられる。ＴｅＯ
2 中のアモルファス中にＴｅ微粒子が分散された状態に
あり、レーザ光照射によりこのＴｅ粒子が大きくなって
結晶化する。結晶化による反射率変化を再生する。この
膜はアモルファス化しにくく、追記型光ディスクへの適
用が可能である。
Ｏ−ＰｄまたはＴｅ−Ｏ−Ａｕ系が挙げられる。ＴｅＯ
2 中のアモルファス中にＴｅ微粒子が分散された状態に
あり、レーザ光照射によりこのＴｅ粒子が大きくなって
結晶化する。結晶化による反射率変化を再生する。この
膜はアモルファス化しにくく、追記型光ディスクへの適
用が可能である。
【００７５】なお、光学記録膜は連続する２層以上の異
なる層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）
で構成してもよい。これらの層は連続していてもよい
し、間に誘電体層が介在されていてもよい。
なる層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）
で構成してもよい。これらの層は連続していてもよい
し、間に誘電体層が介在されていてもよい。
【００７６】上述の反射層は、記録再生用レーザの波長
に対して反射能を有し、熱伝導率が０．０００４［Ｊ／
ｃｍ・Ｋ・ｓ］〜４．５［Ｊ／ｃｍ・Ｋ・ｓ］なる値を
有する金属元素、半金属元素、半導体およびそれらの化
合物または混合物からなることが好ましい。基本的には
従来の光ディスクに用いられてきたいずれの反射膜も適
用することができる。
に対して反射能を有し、熱伝導率が０．０００４［Ｊ／
ｃｍ・Ｋ・ｓ］〜４．５［Ｊ／ｃｍ・Ｋ・ｓ］なる値を
有する金属元素、半金属元素、半導体およびそれらの化
合物または混合物からなることが好ましい。基本的には
従来の光ディスクに用いられてきたいずれの反射膜も適
用することができる。
【００７７】例示するならば、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｇｅ等の単体、あるいはこれらを主成分とする合金を用
いることができる。このうち特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ
系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。
合金としては、例えばＮ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｃ
ｕ，Ａｌ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｃ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ，Ｓｉ−Ｂ等が挙げられる。これ
らの材料を光学特性および熱特性を考慮し設定する。一
般的には材料の膜厚を光が透過しない程度の厚さ（例え
ば４０ｎｍ以上）に設定すると反射率が高くなりまた熱
が逃げやすくなる。特にＡｌ系やＡｇ系材料は短波長領
域例えば波長４００ｎｍにおいても８０％以上の高反射
率を有するので好適である。
ｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｇｅ等の単体、あるいはこれらを主成分とする合金を用
いることができる。このうち特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ
系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。
合金としては、例えばＮ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｃ
ｕ，Ａｌ−Ｃｏ，Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｃ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ，Ｓｉ−Ｂ等が挙げられる。これ
らの材料を光学特性および熱特性を考慮し設定する。一
般的には材料の膜厚を光が透過しない程度の厚さ（例え
ば４０ｎｍ以上）に設定すると反射率が高くなりまた熱
が逃げやすくなる。特にＡｌ系やＡｇ系材料は短波長領
域例えば波長４００ｎｍにおいても８０％以上の高反射
率を有するので好適である。
【００７８】例えば、Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−
Ｃｏ，Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ，Ａｇ−Ｐ
ｄ−Ｔｉ等の合金も好適である。なお、Ａｇを用いる場
合、硫化反応（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 のＳと反応）の
懸念があるので、Ａｇを合金化する、あるいはＡｇとＺ
ｎＳ−Ｓｉｏ2 等Ｓを含む層との間にＳを含まない別の
層を挿入してＡｇの硫化反応を抑制してもよい。後者の
方法としては、例えばＳｉＮ，ＡｌＮ，Ａｌ2 ０3 ，Ｇ
ｅＮからなる誘電体層を挿入する方法が好適である。
Ｃｏ，Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ，Ａｇ−Ｐ
ｄ−Ｔｉ等の合金も好適である。なお、Ａｇを用いる場
合、硫化反応（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 のＳと反応）の
懸念があるので、Ａｇを合金化する、あるいはＡｇとＺ
ｎＳ−Ｓｉｏ2 等Ｓを含む層との間にＳを含まない別の
層を挿入してＡｇの硫化反応を抑制してもよい。後者の
方法としては、例えばＳｉＮ，ＡｌＮ，Ａｌ2 ０3 ，Ｇ
ｅＮからなる誘電体層を挿入する方法が好適である。
【００７９】また、例えば特開平８−１２４２１８号公
報や特開平９−９１７５５号公報に記載されているよう
に、高速ダイレクトオーバーライトを実現するための一
手法として吸収率制御技術がある。この技術は、光学記
録膜が結晶状態にあるときの光学記録膜における吸収率
Ａｃとアモルファス状態にあるときの光学記録膜におけ
る吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａを１以上とすることによ
り、記録前の状態によらず高精度で記録マークを形成す
る技術である。この吸収率制御を実現する一手段とし
て、反射層の透過率を、例えば３０％以上の意図的に高
める手法がある。本発明における光ディスクにもこの構
成を適用してもよく、例えばＳｉ，Ｇｅ，Ａｕの単体あ
るいはこれらを主成分とする化合物あるいは混合物を適
用できる。また上述に反射層の例として示した材料の厚
さを１０ｎｍ以下に薄くする構成をとってもよい。な
お、反射層は連続する２層以上の異なる層（材料、組
成、複素屈折率のいずれかが異なる）で構成してもよ
い。これらの層は連続していてもよいし、間に誘電体層
が介在されていてもよい。
報や特開平９−９１７５５号公報に記載されているよう
に、高速ダイレクトオーバーライトを実現するための一
手法として吸収率制御技術がある。この技術は、光学記
録膜が結晶状態にあるときの光学記録膜における吸収率
Ａｃとアモルファス状態にあるときの光学記録膜におけ
る吸収率Ａａの比Ａｃ／Ａａを１以上とすることによ
り、記録前の状態によらず高精度で記録マークを形成す
る技術である。この吸収率制御を実現する一手段とし
て、反射層の透過率を、例えば３０％以上の意図的に高
める手法がある。本発明における光ディスクにもこの構
成を適用してもよく、例えばＳｉ，Ｇｅ，Ａｕの単体あ
るいはこれらを主成分とする化合物あるいは混合物を適
用できる。また上述に反射層の例として示した材料の厚
さを１０ｎｍ以下に薄くする構成をとってもよい。な
お、反射層は連続する２層以上の異なる層（材料、組
成、複素屈折率のいずれかが異なる）で構成してもよ
い。これらの層は連続していてもよいし、間に誘電体層
が介在されていてもよい。
【００８０】上述の誘電体層に用いる材料としては、記
録再生用レーザの波長に対して吸収能のないものが望ま
しく、具体的には消衰係数ｋの値が０．３以下である材
料が好ましい。かかる材料としては、例えばＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 混合体（特にモル比約４：１）を挙げることがで
きる。ただし、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合体以外にも従来よ
り光記録媒体に用いられている材料がいずれも誘電体層
に適用可能である。例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｂ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ，Ｇｅ
等の金属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化
物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物
等からなる層およびこれらを主成分とする層を用いるこ
とができる。具体的には、ＡｌＮx （０．５≦ｘ≦
１）、Ａ１2 Ｏ3-x （０≦ｘ≦１）、Ｓｉ3 Ｎ4-x （０
≦ｘ≦１）、ＳｉＯx （１≦ｘ≦２）、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ
3 、ＭｇＡ１2 Ｏ4 、ＴｉＯx （１≦ｘ≦２）、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＳｔＴｉＯ3 、Ｔａ2 Ｏ 5 、ＧｅＯx （１≦Ｘ
≦２）、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ
−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ2 、ＬａＦ、ＭｇＦ2 、Ｎ
ａＦ、ＴｈＦ4 等を挙げることができる。特に好ましい
のは、ＡｌＮ、Ａ１2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＯ、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 などである。これらからな
る層およびこれらを主成分とする層が適用可能である。
あるいはこれらの混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ2 から
なる層を誘電体層とすることも可能である。
録再生用レーザの波長に対して吸収能のないものが望ま
しく、具体的には消衰係数ｋの値が０．３以下である材
料が好ましい。かかる材料としては、例えばＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 混合体（特にモル比約４：１）を挙げることがで
きる。ただし、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合体以外にも従来よ
り光記録媒体に用いられている材料がいずれも誘電体層
に適用可能である。例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｂ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｃａ，Ｌａ，Ｇｅ
等の金属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化
物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物
等からなる層およびこれらを主成分とする層を用いるこ
とができる。具体的には、ＡｌＮx （０．５≦ｘ≦
１）、Ａ１2 Ｏ3-x （０≦ｘ≦１）、Ｓｉ3 Ｎ4-x （０
≦ｘ≦１）、ＳｉＯx （１≦ｘ≦２）、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ
3 、ＭｇＡ１2 Ｏ4 、ＴｉＯx （１≦ｘ≦２）、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＳｔＴｉＯ3 、Ｔａ2 Ｏ 5 、ＧｅＯx （１≦Ｘ
≦２）、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ
−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ2 、ＬａＦ、ＭｇＦ2 、Ｎ
ａＦ、ＴｈＦ4 等を挙げることができる。特に好ましい
のは、ＡｌＮ、Ａ１2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＯ、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 などである。これらからな
る層およびこれらを主成分とする層が適用可能である。
あるいはこれらの混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ2 から
なる層を誘電体層とすることも可能である。
【００８１】なお、誘電体層は連続する２層以上の異な
る層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で
構成してもよい。この場合、光学設計上（例えば上述の
吸収率比Ａｃ／Ａａを高める）、特に隣接する２つの誘
電体層の屈折率ｎ（記録再生用レーザに対する複素屈折
率をｎ−ｉＫとするとき）の差が大きい方が望ましい。
特に０．２以上であると望ましい。例えば、一般に相変
化光ディスクで用いられるＺｎＳ−Ｓｉ０2 （モル比
４：１）に対しては、例えばＳｉＯ2 、ＬｉＦ，ＭｇＦ
2 、ＣａＦ2 、ＮａＦ，ＺｎＳ，ＴｉＯ2 等の材料を隣
接して設定すると吸収率比ＡｃｌＡａを高めることが容
易になる。また、例えばＺｎＳ−Ｓｉ０2 ／Ｓｉ０2 ／
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 というように同一層を２層以上挿入し
た構成としてもよい。いずれにしろ、隣接する誘電体同
士が異なる層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異
なる）であれば何層であってもよい。層の数が多くなる
ほど光学設計自由度が増すのでＡｃ／Ａａを高めやすく
なる。
る層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で
構成してもよい。この場合、光学設計上（例えば上述の
吸収率比Ａｃ／Ａａを高める）、特に隣接する２つの誘
電体層の屈折率ｎ（記録再生用レーザに対する複素屈折
率をｎ−ｉＫとするとき）の差が大きい方が望ましい。
特に０．２以上であると望ましい。例えば、一般に相変
化光ディスクで用いられるＺｎＳ−Ｓｉ０2 （モル比
４：１）に対しては、例えばＳｉＯ2 、ＬｉＦ，ＭｇＦ
2 、ＣａＦ2 、ＮａＦ，ＺｎＳ，ＴｉＯ2 等の材料を隣
接して設定すると吸収率比ＡｃｌＡａを高めることが容
易になる。また、例えばＺｎＳ−Ｓｉ０2 ／Ｓｉ０2 ／
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 というように同一層を２層以上挿入し
た構成としてもよい。いずれにしろ、隣接する誘電体同
士が異なる層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異
なる）であれば何層であってもよい。層の数が多くなる
ほど光学設計自由度が増すのでＡｃ／Ａａを高めやすく
なる。
【００８２】また、多層誘電体の位置は全多層膜のどの
位置にきてもよいが、特に光学記録膜と光透過性の保護
層の間に設けると吸収率比Ａｃ／Ａａのコントロールが
容易になる。以上が、光学設計からみた誘電体の多層化
であるが、熱設計的観点から誘電体を多層化してもよ
い。例えば、光学記録膜と反射層間の誘電体層の熱伝導
率が高いほど急冷構成とすることが可能になるが、一方
で高熱伝導性の誘電体が必ずしも光学記録膜とのなじみ
が良いとは限らない。
位置にきてもよいが、特に光学記録膜と光透過性の保護
層の間に設けると吸収率比Ａｃ／Ａａのコントロールが
容易になる。以上が、光学設計からみた誘電体の多層化
であるが、熱設計的観点から誘電体を多層化してもよ
い。例えば、光学記録膜と反射層間の誘電体層の熱伝導
率が高いほど急冷構成とすることが可能になるが、一方
で高熱伝導性の誘電体が必ずしも光学記録膜とのなじみ
が良いとは限らない。
【００８３】例えば相変化ディスクでは、光学記録膜と
接触する誘電体は、熱伝導率の高いＡｌＮやＳｉＮ、Ｓ
ｉＯ2 よりもＺｎＳ−ＳｉＯ2 が用いられることが多
い。これは記録マーク（アモルファス）が年月を経て消
去（結晶化）する問題に関し、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 が好ま
しいことが一因である。以上を踏まえ、例えば、光学記
録膜／ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ／高熱伝導性誘電体（ＡｌＮ，
ＳｉＮ等）／反射膜の順に積層した構成をとることもで
きる。
接触する誘電体は、熱伝導率の高いＡｌＮやＳｉＮ、Ｓ
ｉＯ2 よりもＺｎＳ−ＳｉＯ2 が用いられることが多
い。これは記録マーク（アモルファス）が年月を経て消
去（結晶化）する問題に関し、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 が好ま
しいことが一因である。以上を踏まえ、例えば、光学記
録膜／ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ／高熱伝導性誘電体（ＡｌＮ，
ＳｉＮ等）／反射膜の順に積層した構成をとることもで
きる。
【００８４】前述の吸収率制御を実現する他の方法とし
ては、光透過性の保護層と光学記録膜間の任意の位置
に、光吸収制御層を設ける方法が挙げられる。光吸収制
御層は、記録再生用レーザの波長に対して吸収能を有
し、かつ光吸収制御層のみ（単層）での透過率が３％以
上の金属、半金属元素、半導体およびそれらの化合物ま
たは混合物からなることを特徴とする。特に光吸収制御
層のみ（単層）での吸収率が３％以上で、かつ光吸収制
御層のみ（単層）での透過率が２０％以上である場合に
吸収率制御の効果が高くなる。単層での透過率が３％よ
り低い場合は記録および消去感度が悪くなってしまう。
光吸収制御層には、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｗ，ＭＯ，Ｇｅ等の単
体、あるいはこれらを主成分とする合金を用いることが
できる。このうち特にＡｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｇｅの
単体、あるいはいずれかを主成分とする化合物または混
合物が実用性の面から好ましい。Ａｕ，Ａｌ，Ａｇを用
いる場合は膜厚を３〜３０ｎｍにすることが光学的に好
ましい。なお、光吸収制御層は連続する２層以上の異な
る層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で
構成してもよい。これらの層は連続していてもよいし、
間に誘電体層が介在されていてもよい。
ては、光透過性の保護層と光学記録膜間の任意の位置
に、光吸収制御層を設ける方法が挙げられる。光吸収制
御層は、記録再生用レーザの波長に対して吸収能を有
し、かつ光吸収制御層のみ（単層）での透過率が３％以
上の金属、半金属元素、半導体およびそれらの化合物ま
たは混合物からなることを特徴とする。特に光吸収制御
層のみ（単層）での吸収率が３％以上で、かつ光吸収制
御層のみ（単層）での透過率が２０％以上である場合に
吸収率制御の効果が高くなる。単層での透過率が３％よ
り低い場合は記録および消去感度が悪くなってしまう。
光吸収制御層には、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｗ，ＭＯ，Ｇｅ等の単
体、あるいはこれらを主成分とする合金を用いることが
できる。このうち特にＡｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｇｅの
単体、あるいはいずれかを主成分とする化合物または混
合物が実用性の面から好ましい。Ａｕ，Ａｌ，Ａｇを用
いる場合は膜厚を３〜３０ｎｍにすることが光学的に好
ましい。なお、光吸収制御層は連続する２層以上の異な
る層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で
構成してもよい。これらの層は連続していてもよいし、
間に誘電体層が介在されていてもよい。
【００８５】上記熱ダメージ低減層は、例えば相変化材
料を光学記録膜としたディスクへの記録時に、光学記録
膜の温度は一般に６００℃以上の高温になるが、この熱
が光透性の保護過層に伝播し、保護層に変形等のダメー
ジを与える現象を低減する役割を果たす（反射層側は熱
伝導の高い反射層の存在により急冷するのでダメージは
少ない）。例えば、光学記録膜／光透過性の保護層間の
誘電体層の熱伝導率が低い（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ
2 ）、または膜厚が薄い場合は熱ダメージが大きくな
る。熱ダメージ低減層としては、熱伝導が高く、かつ記
録再生用レーザの波長に対する吸収能が殆どない材料が
好ましく、ＳｉＮ，ＡｌＮ，Ａｌ2 ０3 等の高熱伝導性
誘電体が特に好ましい。光学記録膜／熱ダメージ低減層
／保護層としてもよいが、その場合、光学記録膜との接
触により悪影響（記録マークの保存安定性の劣化）をお
よぼす材料は好ましくない。
料を光学記録膜としたディスクへの記録時に、光学記録
膜の温度は一般に６００℃以上の高温になるが、この熱
が光透性の保護過層に伝播し、保護層に変形等のダメー
ジを与える現象を低減する役割を果たす（反射層側は熱
伝導の高い反射層の存在により急冷するのでダメージは
少ない）。例えば、光学記録膜／光透過性の保護層間の
誘電体層の熱伝導率が低い（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ
2 ）、または膜厚が薄い場合は熱ダメージが大きくな
る。熱ダメージ低減層としては、熱伝導が高く、かつ記
録再生用レーザの波長に対する吸収能が殆どない材料が
好ましく、ＳｉＮ，ＡｌＮ，Ａｌ2 ０3 等の高熱伝導性
誘電体が特に好ましい。光学記録膜／熱ダメージ低減層
／保護層としてもよいが、その場合、光学記録膜との接
触により悪影響（記録マークの保存安定性の劣化）をお
よぼす材料は好ましくない。
【００８６】上記腐食防止層は、反射層／誘電体層界面
で生じる腐食反応を抑制する役割を果たす。例えば反射
層にＡｇ合金、誘電体層にＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いた場
合、高温になるとＡｇ元素とＳ元素の化学反応によりＡ
ｇ−Ｓ系化合物が生成しやすい。これは局所的な再生信
号の劣化をもたらす。これを抑制するために、ＳｉＮ，
ＡｌＮ，Ａｌ２Ｏ３等Ｓを含まない誘電体を腐食防止層
そして適用することが好ましい場合がある。光学記録膜
／腐食防止層／反射層としてもよいが、その場合、光学
記録膜との接触により悪影響（記録マークの保存安定性
の劣化）をおよぼす材料は好ましくない。
で生じる腐食反応を抑制する役割を果たす。例えば反射
層にＡｇ合金、誘電体層にＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いた場
合、高温になるとＡｇ元素とＳ元素の化学反応によりＡ
ｇ−Ｓ系化合物が生成しやすい。これは局所的な再生信
号の劣化をもたらす。これを抑制するために、ＳｉＮ，
ＡｌＮ，Ａｌ２Ｏ３等Ｓを含まない誘電体を腐食防止層
そして適用することが好ましい場合がある。光学記録膜
／腐食防止層／反射層としてもよいが、その場合、光学
記録膜との接触により悪影響（記録マークの保存安定性
の劣化）をおよぼす材料は好ましくない。
【００８７】以上のような各層の組み合わせにより形成
される情報記録面に関し、第１記録領域と第２記録領域
で、各層の組成、膜厚および積層構造を全て同一として
も良いし、変えても良い。同一である場合、光学記録積
層体の成膜工程を第１記録領域と第２記録領域で変える
必要がないので、製造時の低コスト化をもたらす。一
方、第１記録領域と第２記録領域で、それぞれ最適な組
成、膜厚、積層構造を適用することにより、信号特性を
改善することができる。例えば、グルーブ記録では、ラ
ンドグルーブ記録のようにランドとグループの信号バラ
ンスをはかる必要がないので、例えばグルーブに有利な
膜厚とした方が望ましい。
される情報記録面に関し、第１記録領域と第２記録領域
で、各層の組成、膜厚および積層構造を全て同一として
も良いし、変えても良い。同一である場合、光学記録積
層体の成膜工程を第１記録領域と第２記録領域で変える
必要がないので、製造時の低コスト化をもたらす。一
方、第１記録領域と第２記録領域で、それぞれ最適な組
成、膜厚、積層構造を適用することにより、信号特性を
改善することができる。例えば、グルーブ記録では、ラ
ンドグルーブ記録のようにランドとグループの信号バラ
ンスをはかる必要がないので、例えばグルーブに有利な
膜厚とした方が望ましい。
【００８８】第２実施形態
図１３（ａ）は、本実施形態に係る光ディスクの断面構
造を示す模式図である。第１ディスク基板１５ａの一方
の表面に、凹部１５ｒ1 が設けられている。この凹部１
５ｒ1 を含む凹凸に沿って第１光学記録積層体１６ａが
形成され、その上層に、例えば０．１ｍｍの膜厚の光透
過性の保護層１７ａが形成されている。一方、第２ディ
スク基板１５ｂの一方の表面に、凹部１５ｒ2 が設けら
れている。この凹部１５ｒ2 を含む凹凸に沿って第２光
学記録積層体１６ｂが形成され、その上層に、例えば
０．１ｍｍの膜厚の光透過性の保護層１７ｂが形成され
ている。上記の第１ディスク基板１５ａの第１光学記録
積層体１６ａの反対側の面と、第２ディスク基板１５ｂ
の第２光学記録積層体１６ｂの反対側の面とが接着層Ｂ
Ｌにより貼り合わされて一体化されている。
造を示す模式図である。第１ディスク基板１５ａの一方
の表面に、凹部１５ｒ1 が設けられている。この凹部１
５ｒ1 を含む凹凸に沿って第１光学記録積層体１６ａが
形成され、その上層に、例えば０．１ｍｍの膜厚の光透
過性の保護層１７ａが形成されている。一方、第２ディ
スク基板１５ｂの一方の表面に、凹部１５ｒ2 が設けら
れている。この凹部１５ｒ2 を含む凹凸に沿って第２光
学記録積層体１６ｂが形成され、その上層に、例えば
０．１ｍｍの膜厚の光透過性の保護層１７ｂが形成され
ている。上記の第１ディスク基板１５ａの第１光学記録
積層体１６ａの反対側の面と、第２ディスク基板１５ｂ
の第２光学記録積層体１６ｂの反対側の面とが接着層Ｂ
Ｌにより貼り合わされて一体化されている。
【００８９】本実施形態に係る光ディスクは、上記の第
１ディスク基板１５ａの凹部１５ｒ 1 による凹凸形状と
第２ディスク基板１５ｂの凹部１５ｒ2 による凹凸形状
は異なっており、第１ディスク基板１５ａに形成された
第１光学記録積層体１６ａがグルーブ記録領域となる第
１記録領域として、また、第２ディスク基板１５ｂに形
成された第２光学記録積層体１６ｂがランドグルーブ記
録領域となる第２記録領域として区分されている。本実
施形態に係る光ディスクの上記のこと以外については、
第１実施形態に説明した光ディスクと同様の構成とする
ことができる。
１ディスク基板１５ａの凹部１５ｒ 1 による凹凸形状と
第２ディスク基板１５ｂの凹部１５ｒ2 による凹凸形状
は異なっており、第１ディスク基板１５ａに形成された
第１光学記録積層体１６ａがグルーブ記録領域となる第
１記録領域として、また、第２ディスク基板１５ｂに形
成された第２光学記録積層体１６ｂがランドグルーブ記
録領域となる第２記録領域として区分されている。本実
施形態に係る光ディスクの上記のこと以外については、
第１実施形態に説明した光ディスクと同様の構成とする
ことができる。
【００９０】この場合、ディスクを裏返すだけグルーブ
記録用駆動装置とランドグルーブ記録用，駆動装置に対
応することが可能である。例えば、表面にＤＶＤ−ＲＷ
のメディアを、裏面にＤＶＤ−ＲＡＭのメディアを配し
た構成とすれば、各々４．７ＧＢ容量のコンテンツを従
来同様の使い勝手で利用できる。
記録用駆動装置とランドグルーブ記録用，駆動装置に対
応することが可能である。例えば、表面にＤＶＤ−ＲＷ
のメディアを、裏面にＤＶＤ−ＲＡＭのメディアを配し
た構成とすれば、各々４．７ＧＢ容量のコンテンツを従
来同様の使い勝手で利用できる。
【００９１】上記の光ディスクは、ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭなどの２種類の光ディスクを接着層で貼り合
わせることで製造することが可能である。
Ｄ−ＲＡＭなどの２種類の光ディスクを接着層で貼り合
わせることで製造することが可能である。
【００９２】また、図１３（ｂ）の模式図に示すよう
に、上記光ディスクにおける第１ディスク基板と第２デ
ィスク基板を予め一体に形成した構成とすることもでき
る。この場合には、例えば射出成形工程において、ディ
スク基板の一方の表面上にグルーブ記録領域となる第１
記録領域用の凹凸形状を形成し、他方の表面上にグルー
ブ記録領域となる第２記録領域用の凹凸形状を形成し、
それぞれの面に光学記録積層体および保護層を形成する
ことで、形成することができる。
に、上記光ディスクにおける第１ディスク基板と第２デ
ィスク基板を予め一体に形成した構成とすることもでき
る。この場合には、例えば射出成形工程において、ディ
スク基板の一方の表面上にグルーブ記録領域となる第１
記録領域用の凹凸形状を形成し、他方の表面上にグルー
ブ記録領域となる第２記録領域用の凹凸形状を形成し、
それぞれの面に光学記録積層体および保護層を形成する
ことで、形成することができる。
【００９３】第３実施形態
図１４（ａ）は、本実施形態に係る２層の光学記録膜を
設けた光ディスクの光の照射の様子を示す模式斜視図で
ある。光ディスクＤＣは、中心部にセンターホールＣＨ
が開口された略円盤形状をしており、ドライブ方向ＤＲ
に回転駆動される。情報を記録または再生するときに
は、光ディスクＤＣ中の光学記録膜に対して、例えば開
口数が０．８以上の対物レンズＯＬにより、青〜青紫色
の領域のレーザ光などの光ＬＴが照射される。
設けた光ディスクの光の照射の様子を示す模式斜視図で
ある。光ディスクＤＣは、中心部にセンターホールＣＨ
が開口された略円盤形状をしており、ドライブ方向ＤＲ
に回転駆動される。情報を記録または再生するときに
は、光ディスクＤＣ中の光学記録膜に対して、例えば開
口数が０．８以上の対物レンズＯＬにより、青〜青紫色
の領域のレーザ光などの光ＬＴが照射される。
【００９４】図１４（ｂ）は模式断面図であり、図１４
（ｃ）は図１４（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断
面図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートな
どからなるディスク基板１５の一方の表面に、凹部１５
ｒが設けられている。この凹部１５ｒを含む凹凸に沿っ
て第１光学記録積層体１６が形成されている。第１光学
記録積層体１６は、例えば、上層側から例えば誘電体
膜、相変化膜などの光学記録膜、誘電体膜および反射膜
などがこの順番で積層された構成であり、層構成や層数
は、記録材料の種類や設計によって異なる。第１光学記
録積層体１６の上層に接着層１８が形成されており、そ
の上層に第２光学記録積層体２４が形成されている。第
２光学記録積層体２４は、例えば、上層側から例えば誘
電体膜、相変化膜などの光学記録膜、誘電体膜および反
射膜などがこの順番で積層された構成であり、層構成や
層数は、記録材料の種類や設計によって異なる。第２光
学記録積層体２４の上層に、例えば０．１ｍｍの膜厚の
光透過性の保護層２３が形成されている。光透過性の保
護層２３は、第２光学記録積層体２４側の表面に凹部２
３ｒが設けられている。この凹部２３ｒを含む凹凸に沿
って、第２光学記録積層体２４が形成されている。
（ｃ）は図１４（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断
面図である。厚さが約１．１ｍｍのポリカーボネートな
どからなるディスク基板１５の一方の表面に、凹部１５
ｒが設けられている。この凹部１５ｒを含む凹凸に沿っ
て第１光学記録積層体１６が形成されている。第１光学
記録積層体１６は、例えば、上層側から例えば誘電体
膜、相変化膜などの光学記録膜、誘電体膜および反射膜
などがこの順番で積層された構成であり、層構成や層数
は、記録材料の種類や設計によって異なる。第１光学記
録積層体１６の上層に接着層１８が形成されており、そ
の上層に第２光学記録積層体２４が形成されている。第
２光学記録積層体２４は、例えば、上層側から例えば誘
電体膜、相変化膜などの光学記録膜、誘電体膜および反
射膜などがこの順番で積層された構成であり、層構成や
層数は、記録材料の種類や設計によって異なる。第２光
学記録積層体２４の上層に、例えば０．１ｍｍの膜厚の
光透過性の保護層２３が形成されている。光透過性の保
護層２３は、第２光学記録積層体２４側の表面に凹部２
３ｒが設けられている。この凹部２３ｒを含む凹凸に沿
って、第２光学記録積層体２４が形成されている。
【００９５】上記の光ディスクを記録あるいは再生する
場合には、対物レンズＯＬにより、レーザ光などの光Ｌ
Ｔを光透過性の保護層２３側から第１光学記録積層体１
６あるいは第２光学記録積層体２４に合焦するように照
射する。対物レンズＯＬの光ディスクからの距離を調整
して、第１光学記録積層体１６と第２光学記録積層体２
４のいずれかに焦点を合わせるかにより、第１光学記録
積層体１６と第２光学記録積層体２４のいずれかを選択
的に記録または再生する。上記の構成で、第２光学記録
積層体２４は半透過性であり、光ＬＴを第１光学記録積
層体１６に照射する場合には第２光学記録積層体２４を
透過させて行う。光ディスクの再生時においては、第１
および第２光学記録積層体（１６、２４）のいずれかで
反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処理回路
により所定の信号を生成して、再生信号が取り出され
る。
場合には、対物レンズＯＬにより、レーザ光などの光Ｌ
Ｔを光透過性の保護層２３側から第１光学記録積層体１
６あるいは第２光学記録積層体２４に合焦するように照
射する。対物レンズＯＬの光ディスクからの距離を調整
して、第１光学記録積層体１６と第２光学記録積層体２
４のいずれかに焦点を合わせるかにより、第１光学記録
積層体１６と第２光学記録積層体２４のいずれかを選択
的に記録または再生する。上記の構成で、第２光学記録
積層体２４は半透過性であり、光ＬＴを第１光学記録積
層体１６に照射する場合には第２光学記録積層体２４を
透過させて行う。光ディスクの再生時においては、第１
および第２光学記録積層体（１６、２４）のいずれかで
反射された戻り光が受光素子で受光され、信号処理回路
により所定の信号を生成して、再生信号が取り出され
る。
【００９６】本実施形態に係る光ディスクは、上記のデ
ィスク基板１５の凹部１５ｒによる凹凸形状と保護層２
３の凹部２３ｒによる凹凸形状は異なっている。例えば
図１５（ａ）の断面図に示すように、ディスク基板１５
の凹凸形状に沿って形成された第１光学記録積層体１６
がランドグルーブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 と
して、また、保護層２３の凹凸形状に沿って形成された
第２光学記録積層体２４がグルーブ記録領域となる第１
記録領域ＡＲ1 として区分されている。
ィスク基板１５の凹部１５ｒによる凹凸形状と保護層２
３の凹部２３ｒによる凹凸形状は異なっている。例えば
図１５（ａ）の断面図に示すように、ディスク基板１５
の凹凸形状に沿って形成された第１光学記録積層体１６
がランドグルーブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 と
して、また、保護層２３の凹凸形状に沿って形成された
第２光学記録積層体２４がグルーブ記録領域となる第１
記録領域ＡＲ1 として区分されている。
【００９７】また、例えば図１５（ｂ）の断面図に示す
ように、ディスク基板１５の凹凸形状に沿って形成され
た第１光学記録積層体１６がグルーブ記録領域となる第
１記録領域ＡＲ1 として、また、保護層２３の凹凸形状
に沿って形成された第２光学記録積層体２４がランドグ
ルーブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分さ
れている。
ように、ディスク基板１５の凹凸形状に沿って形成され
た第１光学記録積層体１６がグルーブ記録領域となる第
１記録領域ＡＲ1 として、また、保護層２３の凹凸形状
に沿って形成された第２光学記録積層体２４がランドグ
ルーブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分さ
れている。
【００９８】また、例えば図１５（ｃ）の断面図に示す
ように、ディスク基板１５側から第１光学記録積層体１
６、第２光学記録積層体２６、第３光学記録積層体２
４’が、光透過性の接着層（１８、２５）を介して積層
している構成とし、第１光学記録積層体１６および第３
光学記録積層体２４’をグルーブ記録領域となる第１記
録領域ＡＲ1 として、第２光学記録積層体２６をランド
グルーブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分
している構成とすることもできる。
ように、ディスク基板１５側から第１光学記録積層体１
６、第２光学記録積層体２６、第３光学記録積層体２
４’が、光透過性の接着層（１８、２５）を介して積層
している構成とし、第１光学記録積層体１６および第３
光学記録積層体２４’をグルーブ記録領域となる第１記
録領域ＡＲ1 として、第２光学記録積層体２６をランド
グルーブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分
している構成とすることもできる。
【００９９】上記の構成の光ディスクは、例えば光ピッ
クアップから見て１層目にＤＶＤ−ＲＷのメディアを２
層目にＤＶＤ−ＲＡＭのメディアを配した構成とすれ
ば、各々４．７ＧＢ容量のコンテンツを層間ジャンプに
よる焦点位置制御により、従来同様の使い勝手で利用で
きる。
クアップから見て１層目にＤＶＤ−ＲＷのメディアを２
層目にＤＶＤ−ＲＡＭのメディアを配した構成とすれ
ば、各々４．７ＧＢ容量のコンテンツを層間ジャンプに
よる焦点位置制御により、従来同様の使い勝手で利用で
きる。
【０１００】次に、上記の２層の光学記録膜を有する光
ディスクの製造方法について説明する。まず、別工程に
おいて予め、第１実施形態と同様にして、表面に例えば
第１光学記録積層体用の形状の凹部（溝）１５ｒが形成
されたディスク基板１５を形成し、第１光学記録積層体
１６を形成する。
ディスクの製造方法について説明する。まず、別工程に
おいて予め、第１実施形態と同様にして、表面に例えば
第１光学記録積層体用の形状の凹部（溝）１５ｒが形成
されたディスク基板１５を形成し、第１光学記録積層体
１６を形成する。
【０１０１】一方、図１６（ａ）に示すように、例えば
第２光学記録積層体用の形状の凸部２０ｐを含む凹凸パ
ターンを有する光透過性の保護層用スタンパ２０上に、
紫外線硬化樹脂２１を塗布などにより供給し、図１６
（ｂ）に示すように、その上層に光透過性の保護層用シ
ート２２を配置する。この状態で回転させるスピンコー
トの手法により、図１６（ｃ）に示すように、光透過性
の保護層用スタンパ２０と光透過性の保護層用シート２
２の間隙に均一な膜厚となるように紫外線硬化樹脂２１
を行き渡らせる。
第２光学記録積層体用の形状の凸部２０ｐを含む凹凸パ
ターンを有する光透過性の保護層用スタンパ２０上に、
紫外線硬化樹脂２１を塗布などにより供給し、図１６
（ｂ）に示すように、その上層に光透過性の保護層用シ
ート２２を配置する。この状態で回転させるスピンコー
トの手法により、図１６（ｃ）に示すように、光透過性
の保護層用スタンパ２０と光透過性の保護層用シート２
２の間隙に均一な膜厚となるように紫外線硬化樹脂２１
を行き渡らせる。
【０１０２】次に、図１７（ａ）に示すように、紫外線
ＵＶを照射して、紫外線硬化樹脂２１を硬化せしめ、光
透過性の保護層用シート２２と紫外線硬化樹脂２１を一
体化させ、光透過性の保護層２３を形成する。次に、図
１７（ｂ）に示すように、光透過性の保護層用スタンパ
２０から離型すると、得られた光透過性の保護層２３の
表面には、光透過性の保護層用スタンパ２０の凸部２０
ｐに対応する位置に凹部（溝）２３ｒが転写されてい
る。
ＵＶを照射して、紫外線硬化樹脂２１を硬化せしめ、光
透過性の保護層用シート２２と紫外線硬化樹脂２１を一
体化させ、光透過性の保護層２３を形成する。次に、図
１７（ｂ）に示すように、光透過性の保護層用スタンパ
２０から離型すると、得られた光透過性の保護層２３の
表面には、光透過性の保護層用スタンパ２０の凸部２０
ｐに対応する位置に凹部（溝）２３ｒが転写されてい
る。
【０１０３】次に、図１８（ａ）に示すような光透過性
の保護層２３の凹凸形成面上に、図１８（ｂ）に示すよ
うに、第２光学記録積層体２４を成膜する。次に、図１
９（ａ）に示すように、上記のディスク基板１５に形成
した第１光学記録積層体１６と光透過性の保護層２３に
形成した第２光学記録積層体２４とを接着層１８により
貼り合わせて、図１９（ｂ）に示す構成とする。接着層
１８としては、例えば紫外線硬化樹脂系の接着剤や感圧
性粘着剤などを用いることができる。以上で、図１４に
示す構成の２層の光学記録積層体を設けた光ディスクを
製造することができる。
の保護層２３の凹凸形成面上に、図１８（ｂ）に示すよ
うに、第２光学記録積層体２４を成膜する。次に、図１
９（ａ）に示すように、上記のディスク基板１５に形成
した第１光学記録積層体１６と光透過性の保護層２３に
形成した第２光学記録積層体２４とを接着層１８により
貼り合わせて、図１９（ｂ）に示す構成とする。接着層
１８としては、例えば紫外線硬化樹脂系の接着剤や感圧
性粘着剤などを用いることができる。以上で、図１４に
示す構成の２層の光学記録積層体を設けた光ディスクを
製造することができる。
【０１０４】上記の実施形態において、３層の光学記録
積層体を積層させる場合には、予め別工程で形成してお
いた光学記録積層体を他の光学記録積層体上に接着剤で
貼り合わせて転写するなどの工程を行うことにより、上
記と同様に製造することができる。
積層体を積層させる場合には、予め別工程で形成してお
いた光学記録積層体を他の光学記録積層体上に接着剤で
貼り合わせて転写するなどの工程を行うことにより、上
記と同様に製造することができる。
【０１０５】第４実施形態
本実施形態に係る光ディスクは、第２実施形態の光ディ
スクの構成と第３実施形態の光ディスクの構成を組み合
わせた構成である。即ち、ディスク基板の表面と裏面の
各々において、２層以上の光学記録積層体が光透過性の
接着層を介して積層して設けられている構成である。
スクの構成と第３実施形態の光ディスクの構成を組み合
わせた構成である。即ち、ディスク基板の表面と裏面の
各々において、２層以上の光学記録積層体が光透過性の
接着層を介して積層して設けられている構成である。
【０１０６】例えば、図２０（ａ）の断面構造を示す模
式図に示すように、ディスク基板の一方の表面に光学記
録積層体（１６ａ，２４ａ）が積層しており、他方の表
面に光学記録積層体（１６ｂ，２４ｂ）が積層している
構成とし、光学記録積層体（１６ａ，２４ａ）をグルー
ブ記録領域となる第１記録領域ＡＲ1 とし、光学記録積
層体（１６ｂ，２４ｂ）をランドグルーブ記録領域とな
る第２記録領域ＡＲ2として区分している構成とする。
式図に示すように、ディスク基板の一方の表面に光学記
録積層体（１６ａ，２４ａ）が積層しており、他方の表
面に光学記録積層体（１６ｂ，２４ｂ）が積層している
構成とし、光学記録積層体（１６ａ，２４ａ）をグルー
ブ記録領域となる第１記録領域ＡＲ1 とし、光学記録積
層体（１６ｂ，２４ｂ）をランドグルーブ記録領域とな
る第２記録領域ＡＲ2として区分している構成とする。
【０１０７】あるいは、例えば、図２０（ｂ）の断面構
造を示す模式図に示すように、ディスク基板の一方の表
面に光学記録積層体（１６ａ，２４ａ）が積層してお
り、他方の表面に光学記録積層体（１６ｂ，２４ｂ）が
積層している構成とし、光学記録積層体（２４ａ，２４
ｂ）をグルーブ記録領域となる第１記録領域ＡＲ1 と
し、光学記録積層体（１６ａ，１６ｂ）をランドグルー
ブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分してい
る構成とする。
造を示す模式図に示すように、ディスク基板の一方の表
面に光学記録積層体（１６ａ，２４ａ）が積層してお
り、他方の表面に光学記録積層体（１６ｂ，２４ｂ）が
積層している構成とし、光学記録積層体（２４ａ，２４
ｂ）をグルーブ記録領域となる第１記録領域ＡＲ1 と
し、光学記録積層体（１６ａ，１６ｂ）をランドグルー
ブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分してい
る構成とする。
【０１０８】あるいは、例えば、図２１（ａ）の断面構
造を示す模式図に示すように、ディスク基板の一方の表
面に光学記録積層体（１６ａ，２４ａ）が積層してお
り、他方の表面に光学記録積層体（１６ｂ，２４ｂ）が
積層している構成とし、光学記録積層体（１６ａ，１６
ｂ）をグルーブ記録領域となる第１記録領域ＡＲ1 と
し、光学記録積層体（２４ａ，２４ｂ）をランドグルー
ブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分してい
る構成とする。
造を示す模式図に示すように、ディスク基板の一方の表
面に光学記録積層体（１６ａ，２４ａ）が積層してお
り、他方の表面に光学記録積層体（１６ｂ，２４ｂ）が
積層している構成とし、光学記録積層体（１６ａ，１６
ｂ）をグルーブ記録領域となる第１記録領域ＡＲ1 と
し、光学記録積層体（２４ａ，２４ｂ）をランドグルー
ブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分してい
る構成とする。
【０１０９】あるいは、例えば、図２１（ｂ）の断面構
造を示す模式図に示すように、ディスク基板の一方の表
面に光学記録積層体（１６ａ，２４ａ）が積層してお
り、他方の表面に光学記録積層体（１６ｂ，２４ｂ）が
積層している構成とし、光学記録積層体（２４ａ，１６
ｂ）をグルーブ記録領域となる第１記録領域ＡＲ1 と
し、光学記録積層体（１６ａ，２４ｂ）をランドグルー
ブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分してい
る構成とする。
造を示す模式図に示すように、ディスク基板の一方の表
面に光学記録積層体（１６ａ，２４ａ）が積層してお
り、他方の表面に光学記録積層体（１６ｂ，２４ｂ）が
積層している構成とし、光学記録積層体（２４ａ，１６
ｂ）をグルーブ記録領域となる第１記録領域ＡＲ1 と
し、光学記録積層体（１６ａ，２４ｂ）をランドグルー
ブ記録領域となる第２記録領域ＡＲ2 として区分してい
る構成とする。
【０１１０】第５実施形態
上記の第１〜４実施形態において、ディスク基板の光学
記録膜が成膜される側の面に形成される案内溝は、スパ
イラル上、同心円状、ピット列等、各種の形状が適用可
能である。また、第１記録領域、第２記録領域の各領域
内に記録再生に供する部分に加えて、通常は、位置情報
（アドレス情報）検出用のピットアドレスあるいはウォ
ブル（蛇行）アドレス等が設定された構成とする。以下
に、その例を示す。
記録膜が成膜される側の面に形成される案内溝は、スパ
イラル上、同心円状、ピット列等、各種の形状が適用可
能である。また、第１記録領域、第２記録領域の各領域
内に記録再生に供する部分に加えて、通常は、位置情報
（アドレス情報）検出用のピットアドレスあるいはウォ
ブル（蛇行）アドレス等が設定された構成とする。以下
に、その例を示す。
【０１１１】図２２（ａ）は、スパイラル状のピット列
パターンＰＰのレイアウトを示し、図２２（ｂ）はその
全体のレイアウトパターンを示す。例えば、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭのようなＲＯＭディスクにおいて用いられる。
パターンＰＰのレイアウトを示し、図２２（ｂ）はその
全体のレイアウトパターンを示す。例えば、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭのようなＲＯＭディスクにおいて用いられる。
【０１１２】また、図２３（ａ）は、同心円状のグルー
ブＧおよびその間のランドＬのそれぞれに記録マークＲ
Ｍが形成されるランドグルーブ記録方式において、グル
ーブＧにウォブルアドレスＷが形成されており、かつ各
同心円の一部がアドレスを示すピットパターンＰＰによ
るピットヘッダＰＨとして形成されている構成のレイア
ウトを示し、図２３（ｂ）はその全体のレイアウトパタ
ーンを示す。例えばランドグルーブ記録を適用したＤＶ
Ｄ−ＲＡＭにおいて用いられる。
ブＧおよびその間のランドＬのそれぞれに記録マークＲ
Ｍが形成されるランドグルーブ記録方式において、グル
ーブＧにウォブルアドレスＷが形成されており、かつ各
同心円の一部がアドレスを示すピットパターンＰＰによ
るピットヘッダＰＨとして形成されている構成のレイア
ウトを示し、図２３（ｂ）はその全体のレイアウトパタ
ーンを示す。例えばランドグルーブ記録を適用したＤＶ
Ｄ−ＲＡＭにおいて用いられる。
【０１１３】また、図２４（ａ）は、スパイラル状のグ
ルーブＧおよびランドＬの内のグルーブＧに記録マーク
ＲＭが形成されるグルーブ記録方式において、グルーブ
ＧにウォブルアドレスＷが形成されている構成のレイア
ウトを示し、図２４（ｂ）はその全体のレイアウトパタ
ーンを示す。
ルーブＧおよびランドＬの内のグルーブＧに記録マーク
ＲＭが形成されるグルーブ記録方式において、グルーブ
ＧにウォブルアドレスＷが形成されている構成のレイア
ウトを示し、図２４（ｂ）はその全体のレイアウトパタ
ーンを示す。
【０１１４】本実施形態に係る光ディスクのディスク基
板には、上記に代表される案内溝やアドレスが予め形成
され、ディスク内の任意の位置に高速、高精度にアクセ
スすることが可能である。
板には、上記に代表される案内溝やアドレスが予め形成
され、ディスク内の任意の位置に高速、高精度にアクセ
スすることが可能である。
【０１１５】第６実施形態
図２５は、本実施形態に係る光ディスクの光の照射の様
子を示す断面構成を示す模式図である。ディスク基板３
６の第１記録領域において、第１光学記録積層体用の第
１の深さの凹部３６ｒ1 が形成されており、第２記録領
域において、第２光学記録積層体用の第２の深さの凹部
３６ｒ2 が形成されている。この上層に光透過性の保護
層３８が形成されている。凹部３６ｒ1 と凹部３６ｒ2
は深さが異なっており、例えば第１記録領域と第２記録
領域の内の一方をグルーブ記録方式とし、他方をランド
グルーブ記録方式として適用することが可能である。
子を示す断面構成を示す模式図である。ディスク基板３
６の第１記録領域において、第１光学記録積層体用の第
１の深さの凹部３６ｒ1 が形成されており、第２記録領
域において、第２光学記録積層体用の第２の深さの凹部
３６ｒ2 が形成されている。この上層に光透過性の保護
層３８が形成されている。凹部３６ｒ1 と凹部３６ｒ2
は深さが異なっており、例えば第１記録領域と第２記録
領域の内の一方をグルーブ記録方式とし、他方をランド
グルーブ記録方式として適用することが可能である。
【０１１６】上記の光ディスクの製造方法について説明
する。まず、図２６（ａ）に示すように、ガラス原盤３
０上に第１レジスト膜３１を形成して、第１記録領域Ａ
Ｒ1 において対物レンズＯＬによりレーザ光ＬＴを照射
してグルーブのパターン３１ａで露光を行う。
する。まず、図２６（ａ）に示すように、ガラス原盤３
０上に第１レジスト膜３１を形成して、第１記録領域Ａ
Ｒ1 において対物レンズＯＬによりレーザ光ＬＴを照射
してグルーブのパターン３１ａで露光を行う。
【０１１７】次に、図２６（ｂ）に示すように、現像し
て、パターン化されたレジスト膜を得た後、レジスト膜
３１をマスクとするＲＩＥ（反応性イオンエッチング）
などの異方性エッチング処理Ｅにより、ガラス原盤３０
に深さｄ1 の溝３０ｒを形成する。
て、パターン化されたレジスト膜を得た後、レジスト膜
３１をマスクとするＲＩＥ（反応性イオンエッチング）
などの異方性エッチング処理Ｅにより、ガラス原盤３０
に深さｄ1 の溝３０ｒを形成する。
【０１１８】次に、図２７（ａ）に示すように、レジス
ト膜３１を除去した後、図２７（ｂ）に示すように、第
２記録領域における厚さがｄ2 であるレジスト膜３２を
全面に形成する。次に、図２７（ｃ）に示すように、第
２記録領域ＡＲ2 において対物レンズＯＬによりレーザ
光ＬＴを照射してグルーブのパターン３２ａで露光を行
う。
ト膜３１を除去した後、図２７（ｂ）に示すように、第
２記録領域における厚さがｄ2 であるレジスト膜３２を
全面に形成する。次に、図２７（ｃ）に示すように、第
２記録領域ＡＲ2 において対物レンズＯＬによりレーザ
光ＬＴを照射してグルーブのパターン３２ａで露光を行
う。
【０１１９】次に、図２８（ａ）に示すように、第１記
録領域ＡＲ1 において全面に露光を行う。次に、図２８
（ｂ）に示すように、現像処理を行うことで、第１記録
領域ＡＲ 1 に深さｄ1 の凹部３０ｒが形成され、第２記
録領域ＡＲ2 において深さｄ2 の凹部３２ｒが形成され
たスタンパ形成用原盤３３を形成する。
録領域ＡＲ1 において全面に露光を行う。次に、図２８
（ｂ）に示すように、現像処理を行うことで、第１記録
領域ＡＲ 1 に深さｄ1 の凹部３０ｒが形成され、第２記
録領域ＡＲ2 において深さｄ2 の凹部３２ｒが形成され
たスタンパ形成用原盤３３を形成する。
【０１２０】次に、図２９（ａ）に示すように、スタン
パ形成用原盤３３上にニッケルなどの金属メッキ層３４
を形成し、離型してスタンパ３５を得る。以降は、第１
実施形態と同様にして、図２５に示すような深さの異な
る２種類の凹部（３６ｒ1 ，３６ｒ2 ）が形成された光
ディスクを製造することができる。
パ形成用原盤３３上にニッケルなどの金属メッキ層３４
を形成し、離型してスタンパ３５を得る。以降は、第１
実施形態と同様にして、図２５に示すような深さの異な
る２種類の凹部（３６ｒ1 ，３６ｒ2 ）が形成された光
ディスクを製造することができる。
【０１２１】次に示す製造工程により、深さの異なる３
種類の凹部が形成された光ディスクを製造することがで
きる。図３０（ａ）に至るまでは、上記の図２８（ｂ）
までの工程と同様にして形成可能である。次に、図３０
（ａ）に示すように、ＲＩＥなどの異方性エッチング処
理Ｅを全面に行う。この結果、ガラス原盤３０の第１記
録領域ＡＲ1 に深さｄ1 の溝３０ｒ1 形成し、第２記録
領域ＡＲ2 に深さｄ3 の溝３０ｒ2 形成する。次に、図
３０（ｃ）に示すようにレジスト膜を除去する。
種類の凹部が形成された光ディスクを製造することがで
きる。図３０（ａ）に至るまでは、上記の図２８（ｂ）
までの工程と同様にして形成可能である。次に、図３０
（ａ）に示すように、ＲＩＥなどの異方性エッチング処
理Ｅを全面に行う。この結果、ガラス原盤３０の第１記
録領域ＡＲ1 に深さｄ1 の溝３０ｒ1 形成し、第２記録
領域ＡＲ2 に深さｄ3 の溝３０ｒ2 形成する。次に、図
３０（ｃ）に示すようにレジスト膜を除去する。
【０１２２】次に、図３１（ａ）に示すように、第３記
録領域における厚さがｄ3 であるレジスト膜３６を全面
に形成する。次に、図３１（ｂ）に示すように、第３記
録領域ＡＲ3 において対物レンズＯＬによりレーザ光Ｌ
Ｔを照射してグルーブのパターン３６ａで露光を行う。
録領域における厚さがｄ3 であるレジスト膜３６を全面
に形成する。次に、図３１（ｂ）に示すように、第３記
録領域ＡＲ3 において対物レンズＯＬによりレーザ光Ｌ
Ｔを照射してグルーブのパターン３６ａで露光を行う。
【０１２３】次に、図３２（ａ）に示すように、第１記
録領域ＡＲ1 および第２記録領域ＡＲ2 において全面に
露光を行う。次に、図３２（ｂ）に示すように、現像処
理を行うことで、第１記録領域ＡＲ 1 に深さｄ1 の凹部
３０ｒ1 が形成され、第２記録領域ＡＲ2 において深さ
ｄ3の凹部３０ｒ2 が形成され、第３記録領域ＡＲ3 に
おいて深さｄ4 の凹部３６ｒが形成されたスタンパ形成
用原盤３３を形成する。
録領域ＡＲ1 および第２記録領域ＡＲ2 において全面に
露光を行う。次に、図３２（ｂ）に示すように、現像処
理を行うことで、第１記録領域ＡＲ 1 に深さｄ1 の凹部
３０ｒ1 が形成され、第２記録領域ＡＲ2 において深さ
ｄ3の凹部３０ｒ2 が形成され、第３記録領域ＡＲ3 に
おいて深さｄ4 の凹部３６ｒが形成されたスタンパ形成
用原盤３３を形成する。
【０１２４】以降は、第１実施形態と同様にして、深さ
の異なる３種類の凹部が形成された光ディスクを製造す
ることができる。
の異なる３種類の凹部が形成された光ディスクを製造す
ることができる。
【０１２５】実施例
本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に
基づいて説明する。以下の実施例１〜６においては、特
に説明している場合を除いて、光学記録積層体は図１２
（ｆ）に示した構成とした。
基づいて説明する。以下の実施例１〜６においては、特
に説明している場合を除いて、光学記録積層体は図１２
（ｆ）に示した構成とした。
【０１２６】光ディスクの基本構成は、以下の通りとし
た。 ディスク基板 ：ポリカーボネイト基板（厚さ１．１ｍｍ，直径１２ｃ ｍ） 反射層 ：Ａｇ合金（厚さ１００ｎｍ） 腐食防止層 ：ＳｉＮ（厚さ１０ｎｍ） 誘電体層 ：ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （厚さ５ｎｍ） 光学記録膜（相変化材料）：ＡｇＧｅＳｂＴｅ（厚さ１２ｎｍ） 誘電体層 ：ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （厚さ２５ｎｍ） 熱ダメージ低減層 ：ＳｉＮ（厚さ２５ｎｍ） 保護層 ：紫外線硬化樹脂（厚さ１００μｍ）
た。 ディスク基板 ：ポリカーボネイト基板（厚さ１．１ｍｍ，直径１２ｃ ｍ） 反射層 ：Ａｇ合金（厚さ１００ｎｍ） 腐食防止層 ：ＳｉＮ（厚さ１０ｎｍ） 誘電体層 ：ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （厚さ５ｎｍ） 光学記録膜（相変化材料）：ＡｇＧｅＳｂＴｅ（厚さ１２ｎｍ） 誘電体層 ：ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （厚さ２５ｎｍ） 熱ダメージ低減層 ：ＳｉＮ（厚さ２５ｎｍ） 保護層 ：紫外線硬化樹脂（厚さ１００μｍ）
【０１２７】光源には波長２６６ｎｍの固体紫外レーザ
を使用したマスタリングプロセスを行い、射出成型プロ
セスを経て凹凸が形成されたディスク基板を形成した。
得られたディスク基板上に、反射層、腐食防止層、誘電
体層、光学記録膜、誘電体層、熱ダメージ低減層の順に
スパッタリングプロセスにより順次成膜し、最後にスピ
ンコーターにより紫外線硬化樹脂を厚さ１００μｍにな
るように塗布し、紫外線により硬化した。なお厚さ１０
０μｍの光透過性の保護層として、厚さ９０μｍのポリ
カーボネイトからなる光学的に十分平滑な光透過性のシ
ート（フィルム）を紫外線硬化樹脂を接着材（厚さ１０
μｍ）で接着して場合も、同様な実験結果を得ている。
ディスク基板に形成される凹凸に関しては、第１記録領
域と第２記録領域で以下のように異なる溝形状とした。
を使用したマスタリングプロセスを行い、射出成型プロ
セスを経て凹凸が形成されたディスク基板を形成した。
得られたディスク基板上に、反射層、腐食防止層、誘電
体層、光学記録膜、誘電体層、熱ダメージ低減層の順に
スパッタリングプロセスにより順次成膜し、最後にスピ
ンコーターにより紫外線硬化樹脂を厚さ１００μｍにな
るように塗布し、紫外線により硬化した。なお厚さ１０
０μｍの光透過性の保護層として、厚さ９０μｍのポリ
カーボネイトからなる光学的に十分平滑な光透過性のシ
ート（フィルム）を紫外線硬化樹脂を接着材（厚さ１０
μｍ）で接着して場合も、同様な実験結果を得ている。
ディスク基板に形成される凹凸に関しては、第１記録領
域と第２記録領域で以下のように異なる溝形状とした。
【０１２８】（記録エリア）
第１記録領域（グルーブ記録方式用）：トラックピッチ
３２０ｎｍ、グルーブ幅１３０ｎｍ、グルーブ深さ２０
ｎｍ 第１記録領域（ランドグルーブ記録方式用）：トラック
ピッチ３００ｎｍ、グルーブ幅２４０ｎｍ、グルーブ深
さ４０ｎｍ
３２０ｎｍ、グルーブ幅１３０ｎｍ、グルーブ深さ２０
ｎｍ 第１記録領域（ランドグルーブ記録方式用）：トラック
ピッチ３００ｎｍ、グルーブ幅２４０ｎｍ、グルーブ深
さ４０ｎｍ
【０１２９】（アドレスエリア）
第１記録領域（グルーブ記録方式用）：
ウォブルアドレス
第２記録領域（ランドグルーブ記録方式用）：
ピットアドレスとウォブルの併用
【０１３０】以上のように作成した相変化光ディスクの
記録エリア全面を、市販の初期化装置（日立コンピュー
タ製）を用いて初期化、即ち、相変化材料を結晶化し
た。以下の各実施例ごとに初期化するタイミングを考慮
した。次に、初期化後の相変化光ディスクの記録再生特
性を測定した。第１記録領域での評価はグルーブ記録用
の駆動装置で行い、第２記録領域の評価はランドグルー
ブ記録用の装置で行った。グルーブ記録用とランドグル
ーブ記録用とは、両駆動装置は主に光学系が異なるもの
である。
記録エリア全面を、市販の初期化装置（日立コンピュー
タ製）を用いて初期化、即ち、相変化材料を結晶化し
た。以下の各実施例ごとに初期化するタイミングを考慮
した。次に、初期化後の相変化光ディスクの記録再生特
性を測定した。第１記録領域での評価はグルーブ記録用
の駆動装置で行い、第２記録領域の評価はランドグルー
ブ記録用の装置で行った。グルーブ記録用とランドグル
ーブ記録用とは、両駆動装置は主に光学系が異なるもの
である。
【０１３１】（評価条件）
・レーザ：波長４０４ｎｍのＧａＮ系半導体レーザ
・対物レンズ：開口数ＮＡ＝０．８５の２群レンズ
・変調方式：（１，７）
・記録線密度：１２０ｎｍ／ｂｉｔ（第１記録領域）、
１３０ｎｍ／ｂｉｔ（第２記録領域） ・記録再生線速度：５．５ｍ／ｓ
１３０ｎｍ／ｂｉｔ（第２記録領域） ・記録再生線速度：５．５ｍ／ｓ
【０１３２】（実施例１）図４（ａ）に示す領域に区分
して、半径２２ｍｍ〜４０ｍｍを第１記録領域（グルー
ブ記録用）とし、半径４０ｍｍ〜５８ｍｍを第２記録領
域（ランドグルーブ記録）とした。製造方法は第１実施
形態に第６実施形態に示す方法を適用した。即ち、ガラ
ス原盤の第１記録領域に、エッチングにより、深さｄ1
＝２０ｎｍを有するパターンを直接形成し、このガラス
原盤上にレジスト膜を厚さｄ2 ＝４０ｎｍで塗布し、第
２記録領域においてパターン露光し、また第１記録領域
においては全面に充分強く露光し、現像を行って露光し
た部分を溶解した。このように形成されたスタンパ用原
盤から、スタンパを作成し、射出成形などによりディス
ク基板を形成し、相変化材料を含む光学記録積層体、光
透過性の保護層を形成し、記録エリア全面を初期化し
た。
して、半径２２ｍｍ〜４０ｍｍを第１記録領域（グルー
ブ記録用）とし、半径４０ｍｍ〜５８ｍｍを第２記録領
域（ランドグルーブ記録）とした。製造方法は第１実施
形態に第６実施形態に示す方法を適用した。即ち、ガラ
ス原盤の第１記録領域に、エッチングにより、深さｄ1
＝２０ｎｍを有するパターンを直接形成し、このガラス
原盤上にレジスト膜を厚さｄ2 ＝４０ｎｍで塗布し、第
２記録領域においてパターン露光し、また第１記録領域
においては全面に充分強く露光し、現像を行って露光し
た部分を溶解した。このように形成されたスタンパ用原
盤から、スタンパを作成し、射出成形などによりディス
ク基板を形成し、相変化材料を含む光学記録積層体、光
透過性の保護層を形成し、記録エリア全面を初期化し
た。
【０１３３】上記の実施例１に係る光ディスクについ
て、上述の評価条件で２種類の駆動装置で記録再生実験
を行ったところ、（１）１００回オーバーライト後のジ
ッター値およに（２）１００回オーバーライト後、両隣
のトラックを１００回オーバーライトした際の真中のト
ラックのジッター値は、第１記録領域、第２記録領域の
いずれのエリアにおいても、１１％以下の良好な値を得
た。従って、本実施例１の光ディスクは、グルーブ記録
用、ランドグルーブ記録用いずれの駆動装置での正常に
動作することが証明された。
て、上述の評価条件で２種類の駆動装置で記録再生実験
を行ったところ、（１）１００回オーバーライト後のジ
ッター値およに（２）１００回オーバーライト後、両隣
のトラックを１００回オーバーライトした際の真中のト
ラックのジッター値は、第１記録領域、第２記録領域の
いずれのエリアにおいても、１１％以下の良好な値を得
た。従って、本実施例１の光ディスクは、グルーブ記録
用、ランドグルーブ記録用いずれの駆動装置での正常に
動作することが証明された。
【０１３４】また、上記の例では第１記録領域、第２記
録領域で同一の光学記録積層体の構成としたが、第１記
録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍから１４ｎｍに
変更し、第２記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍ
から１０ｎｍに変更すると、各々のジッター値は約０．
５％改善した。この場合は、スパッタリング時に、第１
記録領域あるいは第２記録領域をマスクすることにより
エリアごとに異なる膜構成となるようにした。
録領域で同一の光学記録積層体の構成としたが、第１記
録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍから１４ｎｍに
変更し、第２記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍ
から１０ｎｍに変更すると、各々のジッター値は約０．
５％改善した。この場合は、スパッタリング時に、第１
記録領域あるいは第２記録領域をマスクすることにより
エリアごとに異なる膜構成となるようにした。
【０１３５】なお、比較実験として第１記録領域と第２
記録領域のグルーブ深さを同じにしたときは、以下の問
題が生じた。ｄ1 ＝ｄ2 ＝２０ｎｍのときは、第２記録
領域で、クロストークおよびクロスライトが大きくなる
問題が生じた。一方、ｄ1 ＝ｄ2 ＝４０ｎｍのときは、
第１記録領域で、キャリアレベルおよびＲＦ振幅が低下
した。また、ｄ1 ＝ｄ2 ＝３０ｎｍのときは、第１記録
領域、第２記録領域のいずれの特性も悪化し、ジッター
値は１１％以上になった。
記録領域のグルーブ深さを同じにしたときは、以下の問
題が生じた。ｄ1 ＝ｄ2 ＝２０ｎｍのときは、第２記録
領域で、クロストークおよびクロスライトが大きくなる
問題が生じた。一方、ｄ1 ＝ｄ2 ＝４０ｎｍのときは、
第１記録領域で、キャリアレベルおよびＲＦ振幅が低下
した。また、ｄ1 ＝ｄ2 ＝３０ｎｍのときは、第１記録
領域、第２記録領域のいずれの特性も悪化し、ジッター
値は１１％以上になった。
【０１３６】（実施例２）図１３（ａ）に示した構成の
光ディスクを作成した。厚さを１．１ｍｍから０．５５
ｍｍと実施例１の場合の半分としたディスク基板を２枚
形成し、一方に第１記録領域用の光学記録積層体を形成
し、他方に第２記録領域用の光学記録積層体を形成し、
両ディスク基板を貼り合わせた構成とした。接着層には
紫外線硬化樹脂を用いた。その他は実施例１に示したデ
ィスク基本構成と同様の膜構成とした。
光ディスクを作成した。厚さを１．１ｍｍから０．５５
ｍｍと実施例１の場合の半分としたディスク基板を２枚
形成し、一方に第１記録領域用の光学記録積層体を形成
し、他方に第２記録領域用の光学記録積層体を形成し、
両ディスク基板を貼り合わせた構成とした。接着層には
紫外線硬化樹脂を用いた。その他は実施例１に示したデ
ィスク基本構成と同様の膜構成とした。
【０１３７】このように形成されたディスクを市販の初
期化装置で全面初期化した。まず第１記録領域側を初期
化し、次にディスクを裏返して第２記録領域側を初期化
した。前述の評価条件で２種類の駆動装置で記録再生実
験を行ったところ、（１）１００回オーバーライト後の
ジッター値と、（２）１００回オーバーライト後、両隣
のトラックを１００回オーバーライトした際の真中のト
ラックのジッター値は、第１記録領域、第２記録領域の
いずれの領域においても、１１％以下の良好な値を得
た。従って、本ディスクは、グルーブ記録用、ランドグ
ルーブ記録用いずれの駆動装置での正常に動作すること
が証明された。
期化装置で全面初期化した。まず第１記録領域側を初期
化し、次にディスクを裏返して第２記録領域側を初期化
した。前述の評価条件で２種類の駆動装置で記録再生実
験を行ったところ、（１）１００回オーバーライト後の
ジッター値と、（２）１００回オーバーライト後、両隣
のトラックを１００回オーバーライトした際の真中のト
ラックのジッター値は、第１記録領域、第２記録領域の
いずれの領域においても、１１％以下の良好な値を得
た。従って、本ディスクは、グルーブ記録用、ランドグ
ルーブ記録用いずれの駆動装置での正常に動作すること
が証明された。
【０１３８】また、上記の例では、第１記録領域、第２
記録領域で、同一の光学記録積層体の構成としたが、第
１記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍから１４ｎ
ｍに変更し、第２記録領域用の光学記録膜の厚さを１２
ｎｍから１０ｎｍに変更すると、各々のジッター値は約
０．５％改善した。この場合は、スパッタリング時に、
第１記録領域あるいは第２記録領域をマスクすることに
よりエリアごとに異なる膜構成となるようにした。
記録領域で、同一の光学記録積層体の構成としたが、第
１記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍから１４ｎ
ｍに変更し、第２記録領域用の光学記録膜の厚さを１２
ｎｍから１０ｎｍに変更すると、各々のジッター値は約
０．５％改善した。この場合は、スパッタリング時に、
第１記録領域あるいは第２記録領域をマスクすることに
よりエリアごとに異なる膜構成となるようにした。
【０１３９】なお、比較実験として第１記録領域と第２
記録領域のグルーブ深さを同じにしたときは、以下の問
題が生じた。ｄ1 ＝ｄ2 ＝２０ｎｍのときは、第２記録
領域で、クロストークおよびクロスライトが大きくなる
問題が生じた。一方、ｄ1 ＝ｄ2 ＝４０ｎｍのときは、
第１記録領域で、キャリアレベルおよびＲＦ振幅が低下
した。また、ｄ1 ＝ｄ2 ＝３０ｎｍのときは、第１記録
領域、第２記録領域のいずれの特性も悪化し、ジッター
値は１１％以上になった。
記録領域のグルーブ深さを同じにしたときは、以下の問
題が生じた。ｄ1 ＝ｄ2 ＝２０ｎｍのときは、第２記録
領域で、クロストークおよびクロスライトが大きくなる
問題が生じた。一方、ｄ1 ＝ｄ2 ＝４０ｎｍのときは、
第１記録領域で、キャリアレベルおよびＲＦ振幅が低下
した。また、ｄ1 ＝ｄ2 ＝３０ｎｍのときは、第１記録
領域、第２記録領域のいずれの特性も悪化し、ジッター
値は１１％以上になった。
【０１４０】（実施例３）図１５（ａ）に示した構成の
光ディスクを、第３実施形態で説明した製造方法により
作成した。但し、ポリカーネイトシートと紫外線硬化樹
脂の薄板に１層目の成膜を行う工程の際、安定に作業を
行うために、シート側にポリカーボネイトの支持台を一
時的に設定した。なお、基板の厚さを１．１ｍｍ、光透
過性の保護層の厚さを９０μｍ、接着部分である圧着シ
ートの厚さを２０μｍとした。
光ディスクを、第３実施形態で説明した製造方法により
作成した。但し、ポリカーネイトシートと紫外線硬化樹
脂の薄板に１層目の成膜を行う工程の際、安定に作業を
行うために、シート側にポリカーボネイトの支持台を一
時的に設定した。なお、基板の厚さを１．１ｍｍ、光透
過性の保護層の厚さを９０μｍ、接着部分である圧着シ
ートの厚さを２０μｍとした。
【０１４１】また、膜厚構成としては、１層目（第１記
録領域）は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ／ＡｌＮ／ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 ／ＡｇＧｅＳｂＴｅ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ／ＡｌＮ／
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 とし、２層目（第２記録領域）は、Ｚ
ｎＳ−ＳｌＯ2 ／ＡｇＧｅＳｂＴｅ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2
／Ａｇ−ａｌｌｏｙとした。初期化は、第１記録領域側
と第２記録領域側を接着する前に行った。
録領域）は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ／ＡｌＮ／ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 ／ＡｇＧｅＳｂＴｅ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ／ＡｌＮ／
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 とし、２層目（第２記録領域）は、Ｚ
ｎＳ−ＳｌＯ2 ／ＡｇＧｅＳｂＴｅ／ＺｎＳ−ＳｉＯ2
／Ａｇ−ａｌｌｏｙとした。初期化は、第１記録領域側
と第２記録領域側を接着する前に行った。
【０１４２】前述の評価条件で、２種類の駆動装置で記
録再生実験を行った。記録再生用のレーザ光は図１５
（ａ）に示すように光透過性の保護層側から入射した。
グルーブ記録用駆動装置では手前側の第１記録領域に、
ランドグルーブ記録用駆動装置では奥側の第２記録領域
にフォーカスが合うように調整した。（１）１００回オ
ーバーライト後のジッター値、および（２）１００回オ
ーバーライト後、両隣のトラックを１００回オーバーラ
イトした際の真中のトラックのジッター値は、第１記録
領域、第２記録領域のいずれのエリアにおいても、１２
％以下の良好な値を得た。従って、本ディスクは、グル
ーブ記録用、ランドグルーブ記録用いずれの駆動装置で
も正常に動作することが証明された。
録再生実験を行った。記録再生用のレーザ光は図１５
（ａ）に示すように光透過性の保護層側から入射した。
グルーブ記録用駆動装置では手前側の第１記録領域に、
ランドグルーブ記録用駆動装置では奥側の第２記録領域
にフォーカスが合うように調整した。（１）１００回オ
ーバーライト後のジッター値、および（２）１００回オ
ーバーライト後、両隣のトラックを１００回オーバーラ
イトした際の真中のトラックのジッター値は、第１記録
領域、第２記録領域のいずれのエリアにおいても、１２
％以下の良好な値を得た。従って、本ディスクは、グル
ーブ記録用、ランドグルーブ記録用いずれの駆動装置で
も正常に動作することが証明された。
【０１４３】また、上記の例では第１記録領域、第２記
録領域で、同一の光学記録積層体の構成としたが、第１
記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍから１４ｎｍ
に変更し、第２記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎ
ｍから１０ｎｍに変更すると、各々のジッター値は約
０．５％改善した。この場合は、スパッタリング時に、
第１記録領域あるいは第２記録領域をマスクすることに
よりエリアごとに異なる膜構成となるようにした。
録領域で、同一の光学記録積層体の構成としたが、第１
記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍから１４ｎｍ
に変更し、第２記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎ
ｍから１０ｎｍに変更すると、各々のジッター値は約
０．５％改善した。この場合は、スパッタリング時に、
第１記録領域あるいは第２記録領域をマスクすることに
よりエリアごとに異なる膜構成となるようにした。
【０１４４】なお、比較実験として第１記録領域と第２
記録領域のグルーブ深さを同じにしたときは、以下の問
題が生じた。ｄ1 ＝ｄ2 ＝２０ｎｍのときは、第２記録
領域で、クロストークおよびクロスライトが大きくなる
問題が生じた。一方、ｄ1 ＝ｄ2 ＝４０ｎｍのときは、
第１記録領域で、キャリアレベルおよびＲＦ振幅が低下
した。また、ｄ1 ＝ｄ2 ＝３０ｎｍのときは、第１記録
領域、第２記録領域のいずれの特性も悪化し、ジッター
値は１１％以上になった。
記録領域のグルーブ深さを同じにしたときは、以下の問
題が生じた。ｄ1 ＝ｄ2 ＝２０ｎｍのときは、第２記録
領域で、クロストークおよびクロスライトが大きくなる
問題が生じた。一方、ｄ1 ＝ｄ2 ＝４０ｎｍのときは、
第１記録領域で、キャリアレベルおよびＲＦ振幅が低下
した。また、ｄ1 ＝ｄ2 ＝３０ｎｍのときは、第１記録
領域、第２記録領域のいずれの特性も悪化し、ジッター
値は１１％以上になった。
【０１４５】（実施例４）図２０（ａ）に示した構成の
光ディスクを作成した。まず、実施例３と同様な方法に
より、厚さが０．５５ｍｍディスク基板を用いて第１記
録領域となる光学記録積層体を２層積層させたディスク
を形成した。一方、厚さが０．５５ｍｍディスク基板を
用いて第２記録領域となる光学記録積層体を２層積層さ
せたディスクを形成した。上記の２枚のディスクを実施
例２と同様な方法で貼り合わせた。
光ディスクを作成した。まず、実施例３と同様な方法に
より、厚さが０．５５ｍｍディスク基板を用いて第１記
録領域となる光学記録積層体を２層積層させたディスク
を形成した。一方、厚さが０．５５ｍｍディスク基板を
用いて第２記録領域となる光学記録積層体を２層積層さ
せたディスクを形成した。上記の２枚のディスクを実施
例２と同様な方法で貼り合わせた。
【０１４６】前述の評価条件で２種類の駆動装置で記録
再生実験を行った。記録再生用のレーザ光は図２０
（ａ）に示すように入射した。グルーブ記録用駆動装置
では２層の第１記録領域の光学記録積層体のいずれか
に、ランドグルーブ記録用駆動装置では２層の第２記録
領域の光学記録積層体のいずれかにフォーカスが合うよ
うに調整した。（１）１００回オーバーライト後のジッ
ター値、および（２）１００回オーバーライト後、両隣
のトラックを１００回オーバーライトした際の真中のト
ラックのジッター値は、第１記録領域、第２記録領域い
ずれのエリア（合計４層）においても、１２％以下の良
好な値を得た。従って、本ディスクは、グルーブ記録
用、ランドグルーブ記録用いずれの駆動装置でも正常に
動作すること、かつ各々２層化により約２倍の記録容量
を実現できることが証明された。
再生実験を行った。記録再生用のレーザ光は図２０
（ａ）に示すように入射した。グルーブ記録用駆動装置
では２層の第１記録領域の光学記録積層体のいずれか
に、ランドグルーブ記録用駆動装置では２層の第２記録
領域の光学記録積層体のいずれかにフォーカスが合うよ
うに調整した。（１）１００回オーバーライト後のジッ
ター値、および（２）１００回オーバーライト後、両隣
のトラックを１００回オーバーライトした際の真中のト
ラックのジッター値は、第１記録領域、第２記録領域い
ずれのエリア（合計４層）においても、１２％以下の良
好な値を得た。従って、本ディスクは、グルーブ記録
用、ランドグルーブ記録用いずれの駆動装置でも正常に
動作すること、かつ各々２層化により約２倍の記録容量
を実現できることが証明された。
【０１４７】また、上記の例では第１記録領域、第２記
録領域で、同一の光学記録積層体の構成としたが、第１
記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍから１４ｎｍ
に変更し、第２記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎ
ｍから１０ｎｍに変更すると、各々のジッター値は約
０．５％改善した。この場合は、スパッタリング時に、
第１記録領域あるいは第２記録領域をマスクすることに
よりエリアごとに異なる膜構成となるようにした。
録領域で、同一の光学記録積層体の構成としたが、第１
記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎｍから１４ｎｍ
に変更し、第２記録領域用の光学記録膜の厚さを１２ｎ
ｍから１０ｎｍに変更すると、各々のジッター値は約
０．５％改善した。この場合は、スパッタリング時に、
第１記録領域あるいは第２記録領域をマスクすることに
よりエリアごとに異なる膜構成となるようにした。
【０１４８】なお、比較実験として第１記録領域と第２
記録領域のグルーブ深さを同じにしたときは、以下の問
題が生じた。ｄ1 ＝ｄ2 ＝２０ｎｍのときは、第２記録
領域で、クロストークおよびクロスライトが大きくなる
問題が生じた。一方、ｄ1 ＝ｄ2 ＝４０ｎｍのときは、
第１記録領域で、キャリアレベルおよびＲＦ振幅が低下
した。また、ｄ1 ＝ｄ2 ＝３０ｎｍのときは、第１記録
領域、第２記録領域のいずれの特性も悪化し、ジッター
値は１２％以上になった。
記録領域のグルーブ深さを同じにしたときは、以下の問
題が生じた。ｄ1 ＝ｄ2 ＝２０ｎｍのときは、第２記録
領域で、クロストークおよびクロスライトが大きくなる
問題が生じた。一方、ｄ1 ＝ｄ2 ＝４０ｎｍのときは、
第１記録領域で、キャリアレベルおよびＲＦ振幅が低下
した。また、ｄ1 ＝ｄ2 ＝３０ｎｍのときは、第１記録
領域、第２記録領域のいずれの特性も悪化し、ジッター
値は１２％以上になった。
【０１４９】（実施例５）実施例１〜４において、第１
記録領域の光学記録膜をシアニン系の有機色素とし、反
射層をＡｕとした。他の誘電体層などの層は省いた。即
ち、ディスク基板／Ａｕ／シアニン系有機色素／光透過
性の保護層を基本構成とした。実施例１〜４と同様な評
価を行い、いずれもジッター値１２％以下を得た。但
し、第１記録領域での測定は１回記録の結果とした。以
上により、本発明による構成は、書き換え型、追記型い
ずれにも対応可能であることが証明された。
記録領域の光学記録膜をシアニン系の有機色素とし、反
射層をＡｕとした。他の誘電体層などの層は省いた。即
ち、ディスク基板／Ａｕ／シアニン系有機色素／光透過
性の保護層を基本構成とした。実施例１〜４と同様な評
価を行い、いずれもジッター値１２％以下を得た。但
し、第１記録領域での測定は１回記録の結果とした。以
上により、本発明による構成は、書き換え型、追記型い
ずれにも対応可能であることが証明された。
【０１５０】（実施例６）実施例１〜４において、第１
記録領域の光学記録膜をＴｅ−Ｏ−Ｐｄ系の無機酸化物
材料とした。即ち、ディスク基板／Ａｌ合金／ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 誘電体／Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ系の無機酸化物／Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 誘電体／光透過性の保護層を基本構成とし
た。実施例１〜４と同様な評価を行い、いずれもジッタ
ー値１２％以下を得た。但し、第１記録領域での測定は
１回記録の結果とした。以上により、本発明による構成
は、書き換え型、追記型いずれにも対応可能であること
が証明された。
記録領域の光学記録膜をＴｅ−Ｏ−Ｐｄ系の無機酸化物
材料とした。即ち、ディスク基板／Ａｌ合金／ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 誘電体／Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ系の無機酸化物／Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 誘電体／光透過性の保護層を基本構成とし
た。実施例１〜４と同様な評価を行い、いずれもジッタ
ー値１２％以下を得た。但し、第１記録領域での測定は
１回記録の結果とした。以上により、本発明による構成
は、書き換え型、追記型いずれにも対応可能であること
が証明された。
【０１５１】（実施例７）以上の実施例１〜６の構成
は、高ＮＡ（０．８５）の対物レンズ、短波長（４０４
ｎｍ）光源を採用した次世代光ディスクシステムに対応
するために、記録再生用レーザ光を０．１ｍｍ厚光透過
性の保護層側から入射するディスクを適用した例であっ
た。本実施例では、現在市販されているＤＶＤ−ＲＷの
構成を第１記録領域に、ＤＶＤ−ＲＡＭの構成を第２記
録領域に配置したディスク構成とした。
は、高ＮＡ（０．８５）の対物レンズ、短波長（４０４
ｎｍ）光源を採用した次世代光ディスクシステムに対応
するために、記録再生用レーザ光を０．１ｍｍ厚光透過
性の保護層側から入射するディスクを適用した例であっ
た。本実施例では、現在市販されているＤＶＤ−ＲＷの
構成を第１記録領域に、ＤＶＤ−ＲＡＭの構成を第２記
録領域に配置したディスク構成とした。
【０１５２】第１記録領域は、ＤＶＤ−ＲＷ規格、即
ち、記録線密度が０．２６７μｍ／ｂｉｔ、トラックピ
ッチが０．７４０μｍとして、φ１２０ｍｍのサイズで
４．７ＧＢの記録容量を実現する規格とした。一方、第
２記録領域は、ＤＶＤ−ＲＡＭ、即ち、記録線密度が
０．２８０μｍ／ｂｉｔ、トラックピッチが０．６１５
μｍとして、φ１２０ｍｍのサイズで４．７ＧＢの記録
容量を実現する規格とした。いずれの領域も、６５０ｎ
ｍのレーザとＮＡ０．６の対物レンズからなる光ピック
アップで記録再生した。評価条件も規格化されている条
件とした。アドレスフォーマット、記録エリアのグルー
ブ形状（グルーブ深さは、ＤＶＤ−ＲＷ＜ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ）も市販されているものと同様とした。
ち、記録線密度が０．２６７μｍ／ｂｉｔ、トラックピ
ッチが０．７４０μｍとして、φ１２０ｍｍのサイズで
４．７ＧＢの記録容量を実現する規格とした。一方、第
２記録領域は、ＤＶＤ−ＲＡＭ、即ち、記録線密度が
０．２８０μｍ／ｂｉｔ、トラックピッチが０．６１５
μｍとして、φ１２０ｍｍのサイズで４．７ＧＢの記録
容量を実現する規格とした。いずれの領域も、６５０ｎ
ｍのレーザとＮＡ０．６の対物レンズからなる光ピック
アップで記録再生した。評価条件も規格化されている条
件とした。アドレスフォーマット、記録エリアのグルー
ブ形状（グルーブ深さは、ＤＶＤ−ＲＷ＜ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ）も市販されているものと同様とした。
【０１５３】（評価条件）
・レーザ：波長６５０ｎｍの半導体レーザ
・対物レンズ：開口数ＮＡ＝０．６０の単レンズ
・記録線密度：２６７ｎｍ／ｂｉｔ（第１記録領域）、
２８０ｎｍ／ｂｉｔ（第２記録領域） ・記録再生線速度：３．４９ｍ／ｓ（第１記録領域）、
８．２ｍ／ｓ（第２記録領域） ・アドレスフォーマット：ウォブルを形成されたグルー
ブ（第１記録領域）、ウォブルを形成されたランドグル
ーブ（第２記録領域）
２８０ｎｍ／ｂｉｔ（第２記録領域） ・記録再生線速度：３．４９ｍ／ｓ（第１記録領域）、
８．２ｍ／ｓ（第２記録領域） ・アドレスフォーマット：ウォブルを形成されたグルー
ブ（第１記録領域）、ウォブルを形成されたランドグル
ーブ（第２記録領域）
【０１５４】また、本実施例では保護層側からレーザ光
を入射するのではなく、市販のＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−
ＲＡＭと同じように０．６ｍｍ厚の光透過性のディスク
基板側から光を入射して行う構成とした。
を入射するのではなく、市販のＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−
ＲＡＭと同じように０．６ｍｍ厚の光透過性のディスク
基板側から光を入射して行う構成とした。
【０１５５】上記の評価条件で２種類の駆動装置で記録
再生実験を行った。（１）１００回オーバーライト後の
ジッター値、および（２）１００回オーバーライト後、
両隣のトラックを１００回オーバーライトした際の真中
のトラックのジッター値は、第１記録領域、第２記録領
域いずれのエリアにおいても、１２％以下の良好な値を
得た。従って、現在既に商品化されているグルーブ記録
方式用、ランドグルーブ記録方式用いずれの駆動装置で
も正常に動作する光ディスクができることが証明され
た。
再生実験を行った。（１）１００回オーバーライト後の
ジッター値、および（２）１００回オーバーライト後、
両隣のトラックを１００回オーバーライトした際の真中
のトラックのジッター値は、第１記録領域、第２記録領
域いずれのエリアにおいても、１２％以下の良好な値を
得た。従って、現在既に商品化されているグルーブ記録
方式用、ランドグルーブ記録方式用いずれの駆動装置で
も正常に動作する光ディスクができることが証明され
た。
【０１５６】本発明は、上記の実施の形態に限定されな
い。例えば第１および第３実施形態に係る光ディスクに
おいては、ディスク基板を光透過性の保護層として、デ
ィスク基板側から光学記録膜にレーザ光を照射する構成
とすることも可能である。ディスク基板側からレーザ光
を入射する場合は、記録再生を行うレーザの波長に対し
て吸収能を殆ど有しない材料であれば、任意の材料を用
いることができる。なお、この場合、ディスク基板と保
護層の間に設置した光学記録積層体の層構成の順序を保
護層側からレーザ光を入射する場合の順序と逆にする。
い。例えば第１および第３実施形態に係る光ディスクに
おいては、ディスク基板を光透過性の保護層として、デ
ィスク基板側から光学記録膜にレーザ光を照射する構成
とすることも可能である。ディスク基板側からレーザ光
を入射する場合は、記録再生を行うレーザの波長に対し
て吸収能を殆ど有しない材料であれば、任意の材料を用
いることができる。なお、この場合、ディスク基板と保
護層の間に設置した光学記録積層体の層構成の順序を保
護層側からレーザ光を入射する場合の順序と逆にする。
【０１５７】また、例えば、光学記録膜の層構成は、実
施形態で説明した構成に限らず、記録膜の材料などに応
じて種々の構造とすることができる。また、相変化型の
光学記録媒体の他、光磁気記録媒体や、有機色素材料を
用いた光ディスク媒体にも適用可能である。その他、本
発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更をすることが
できる。
施形態で説明した構成に限らず、記録膜の材料などに応
じて種々の構造とすることができる。また、相変化型の
光学記録媒体の他、光磁気記録媒体や、有機色素材料を
用いた光ディスク媒体にも適用可能である。その他、本
発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更をすることが
できる。
【０１５８】
【発明の効果】本発明の光学記録媒体は、グルーブ記録
方式（またはランド記録方式）用およびランドグルーブ
記録方式用ドライブのいずれにも対応可能である。
方式（またはランド記録方式）用およびランドグルーブ
記録方式用ドライブのいずれにも対応可能である。
【０１５９】また、本発明の光学記録媒体の製造方法
は、グルーブ記録方式（またはランド記録方式）用およ
びランドグルーブ記録方式用ドライブのいずれにも対応
可能な光学記録媒体を製造できる。
は、グルーブ記録方式（またはランド記録方式）用およ
びランドグルーブ記録方式用ドライブのいずれにも対応
可能な光学記録媒体を製造できる。
【０１６０】また、本発明の光学記録媒体の記録再生方
法は、グルーブ記録方式（またはランド記録方式）用お
よびランドグルーブ記録方式用ドライブのいずれにも対
応して記録再生が可能である。
法は、グルーブ記録方式（またはランド記録方式）用お
よびランドグルーブ記録方式用ドライブのいずれにも対
応して記録再生が可能である。
【図１】図１（ａ）は第１実施形態に係る光ディスクの
光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図１（ｂ）は
模式断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）の模式断面
図の要部を拡大した断面図である。
光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図１（ｂ）は
模式断面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）の模式断面
図の要部を拡大した断面図である。
【図２】図２は第１実施形態に係る光ディスクのグルー
ブ記録方式の第１記録領域の断面構造を示す模式図であ
る。
ブ記録方式の第１記録領域の断面構造を示す模式図であ
る。
【図３】図３（ａ）は第１実施形態に係る光ディスクの
第１記録領域の断面構造を示す模式図であり、図３
（ｂ）はランド記録方式での記録マークの配置の例を示
す平面図、図３（ｃ）はグルーブ記録方式での記録マー
クの配置の例を示す平面図である。図３（ｄ）は第１実
施形態に係る光ディスクの第２記録領域の断面構造を示
す模式図であり、図３（ｅ）はランドグルーブ記録方式
での記録マークの配置の例を示す平面図である。
第１記録領域の断面構造を示す模式図であり、図３
（ｂ）はランド記録方式での記録マークの配置の例を示
す平面図、図３（ｃ）はグルーブ記録方式での記録マー
クの配置の例を示す平面図である。図３（ｄ）は第１実
施形態に係る光ディスクの第２記録領域の断面構造を示
す模式図であり、図３（ｅ）はランドグルーブ記録方式
での記録マークの配置の例を示す平面図である。
【図４】図４は第１実施形態に係る光ディスクの第１記
録領域ＡＲ1 と第２記録領域ＡＲ2 の配置の例を示す平
面図である。
録領域ＡＲ1 と第２記録領域ＡＲ2 の配置の例を示す平
面図である。
【図５】図５は第１実施形態に係る光ディスクの製造方
法の製造工程を示す断面図である。
法の製造工程を示す断面図である。
【図６】図６は第１実施形態に係る光ディスクの製造方
法の製造工程を示す断面図である。
法の製造工程を示す断面図である。
【図７】図７は第１実施形態に係る光ディスクの製造方
法の製造工程を示す断面図である。
法の製造工程を示す断面図である。
【図８】図８は第１実施形態に係る光ディスクの製造方
法の製造工程を示す断面図である。
法の製造工程を示す断面図である。
【図９】図９は第１実施形態に係る光ディスクの製造方
法の製造工程を示す（ａ）模式図および（ｂ）断面図で
ある。
法の製造工程を示す（ａ）模式図および（ｂ）断面図で
ある。
【図１０】図１０は第１実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図である。
造方法の製造工程を示す断面図である。
【図１１】図１１は光学記録積層体の構成を示す断面図
である。
である。
【図１２】図１２は光学記録積層体の構成を示す断面図
である。
である。
【図１３】図１３は第２実施形態に係る光ディスクの断
面構造を示す模式図である。
面構造を示す模式図である。
【図１４】図１４（ａ）は第３実施形態に係る光ディス
クの光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図１４
（ｂ）は模式断面図であり、図１４（ｃ）は図１４
（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断面図である。
クの光の照射の様子を示す模式斜視図であり、図１４
（ｂ）は模式断面図であり、図１４（ｃ）は図１４
（ｂ）の模式断面図の要部を拡大した断面図である。
【図１５】図１５は第３実施形態に係る光ディスクの断
面構造を示す模式図である。
面構造を示す模式図である。
【図１６】図１６は第３実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程において凹凸パターンを有する光透過
性の保護層を形成する工程を示す断面図である。
造方法の製造工程において凹凸パターンを有する光透過
性の保護層を形成する工程を示す断面図である。
【図１７】図１７は第３実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程において凹凸パターンを有する光透過
性の保護層を形成する工程を示す断面図である。
造方法の製造工程において凹凸パターンを有する光透過
性の保護層を形成する工程を示す断面図である。
【図１８】図１８は第３実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程において凹凸パターンを有する光透過
性の保護層に第２光学記録積層体を形成する工程を示す
断面図である。
造方法の製造工程において凹凸パターンを有する光透過
性の保護層に第２光学記録積層体を形成する工程を示す
断面図である。
【図１９】図１９は第１実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程において第１光学記録積層体と第２光
学記録積層体を貼り合わせる工程を示す断面図である。
造方法の製造工程において第１光学記録積層体と第２光
学記録積層体を貼り合わせる工程を示す断面図である。
【図２０】図２０は第４実施形態に係る光ディスクの断
面構造を示す模式図である。
面構造を示す模式図である。
【図２１】図２１は第４実施形態に係る光ディスクの断
面構造を示す模式図である。
面構造を示す模式図である。
【図２２】図２２は第５実施形態に係る光ディスクのピ
ット列パターンのレイアウトおよびその全体のレイアウ
トパターンを示す。
ット列パターンのレイアウトおよびその全体のレイアウ
トパターンを示す。
【図２３】図２３は第５実施形態に係る光ディスクのウ
ォブルおよびアドレスピットのレイアウトおよびその全
体のレイアウトパターンを示す。
ォブルおよびアドレスピットのレイアウトおよびその全
体のレイアウトパターンを示す。
【図２４】図２４は第５実施形態に係る光ディスクのウ
ォブルのレイアウトおよびその全体のレイアウトパター
ンを示す。
ォブルのレイアウトおよびその全体のレイアウトパター
ンを示す。
【図２５】図２５は第６実施形態に係る光ディスクの模
式断面図である。
式断面図である。
【図２６】図２６は第６実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図である。
造方法の製造工程を示す断面図である。
【図２７】図２７は第６実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図である。
造方法の製造工程を示す断面図である。
【図２８】図２８は第６実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図である。
造方法の製造工程を示す断面図である。
【図２９】図２９は第６実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図である。
造方法の製造工程を示す断面図である。
【図３０】図３０は第６実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図である。
造方法の製造工程を示す断面図である。
【図３１】図３１は第６実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図である。
造方法の製造工程を示す断面図である。
【図３２】図３２は第６実施形態に係る光ディスクの製
造方法の製造工程を示す断面図である。
造方法の製造工程を示す断面図である。
【図３３】図３３（ａ）は従来例に係る光ディスクの光
の照射の様子を示す模式斜視図であり、図３３（ｂ）は
模式断面図であり、図３３（ｃ）は図３３（ｂ）の模式
断面図の要部を拡大した断面図である。
の照射の様子を示す模式斜視図であり、図３３（ｂ）は
模式断面図であり、図３３（ｃ）は図３３（ｂ）の模式
断面図の要部を拡大した断面図である。
１０…ガラス原盤、１１…レジスト膜、１１ａ…未露光
のレジスト膜、１１ｂ…露光済のレジスト膜、１１ｒ…
凹部、１２…メタルマスタ、１２ｐ…凸部、１３…マザ
ースタンパ、１３ｒ…凹部、１４…スタンパ、１４ｐ…
凸部、１４’…凸部形成面、１５，１５ａ，１５ｂ…デ
ィスク基板、１５ｒ，１５ｒ1 ，１５ｒ 2 …凹部、１５
ｐ1 ，１５ｐ2 …凸部、１５’…樹脂、１６，１６ａ，
１６ｂ…光学記録積層体、１６ＲＬ…光学記録膜、１６
ＲＦ…反射膜、１６ＩＡ，１６ＩＢ…誘電体膜、１６Ａ
Ｂ…光吸収制御層、１６ＣＰ…腐食防止層、１６ＤＲ…
熱ダメージ低減層、１７，１７ａ，１７ｂ…保護層、１
８…接着層、２０…保護層用スタンパ、２０ｐ…凸部、
２１…紫外線硬化樹脂、２２…保護層用シート、２３…
保護層、２３ｒ…凹部、２４，２４ａ，２４ｂ，２４’
…光学記録積層体、２５…接着層、２６…光学記録積層
体、３０…ガラス原盤、３０ｒ，３０ｒ1 ，３０ｒ2 …
凹部、３１…レジスト膜、３１ａ…グルーブのパター
ン、３２…レジスト膜、３２ａ…グルーブのパターン、
３２ｒ…凹部、３３…スタンパ形成用原盤、３４…金属
メッキ層、３５…スタンパ、３６…ディスク基板、３６
ａ…グルーブのパターン、３６ｒ…凹部、３７…光学記
録積層体、３８…保護層、ＴＰ1，ＴＰ2 …トラックピ
ッチ、ＷL1，ＷL2…ランド幅、ＷG1，ＷG2…グルーブ
幅、ｄ1 ，ｄ2 …グルーブ深さ、ＰＰ…ピットパター
ン、Ｇ…グルーブ、Ｌ…ランド、Ｗ…ウォブル、ＰＨ…
ピットヘッダ、ＲＭ…記録マーク、Ｅ…エッチング、Ａ
Ｒ1 …第１記録領域、ＡＲ2 …第２記録領域、ＡＲ3 …
第３記録領域、ＵＶ…紫外線、ＩＭ…注入口、ＬＴ…レ
ーザ光、ＭＤ１，ＭＤ２…金型、ＯＬ…対物レンズ、Ｒ
Ｄ…レジスト原盤、ＤＲ…回転方向、ＤＣ…光ディス
ク、ＣＨ…センターホール。
のレジスト膜、１１ｂ…露光済のレジスト膜、１１ｒ…
凹部、１２…メタルマスタ、１２ｐ…凸部、１３…マザ
ースタンパ、１３ｒ…凹部、１４…スタンパ、１４ｐ…
凸部、１４’…凸部形成面、１５，１５ａ，１５ｂ…デ
ィスク基板、１５ｒ，１５ｒ1 ，１５ｒ 2 …凹部、１５
ｐ1 ，１５ｐ2 …凸部、１５’…樹脂、１６，１６ａ，
１６ｂ…光学記録積層体、１６ＲＬ…光学記録膜、１６
ＲＦ…反射膜、１６ＩＡ，１６ＩＢ…誘電体膜、１６Ａ
Ｂ…光吸収制御層、１６ＣＰ…腐食防止層、１６ＤＲ…
熱ダメージ低減層、１７，１７ａ，１７ｂ…保護層、１
８…接着層、２０…保護層用スタンパ、２０ｐ…凸部、
２１…紫外線硬化樹脂、２２…保護層用シート、２３…
保護層、２３ｒ…凹部、２４，２４ａ，２４ｂ，２４’
…光学記録積層体、２５…接着層、２６…光学記録積層
体、３０…ガラス原盤、３０ｒ，３０ｒ1 ，３０ｒ2 …
凹部、３１…レジスト膜、３１ａ…グルーブのパター
ン、３２…レジスト膜、３２ａ…グルーブのパターン、
３２ｒ…凹部、３３…スタンパ形成用原盤、３４…金属
メッキ層、３５…スタンパ、３６…ディスク基板、３６
ａ…グルーブのパターン、３６ｒ…凹部、３７…光学記
録積層体、３８…保護層、ＴＰ1，ＴＰ2 …トラックピ
ッチ、ＷL1，ＷL2…ランド幅、ＷG1，ＷG2…グルーブ
幅、ｄ1 ，ｄ2 …グルーブ深さ、ＰＰ…ピットパター
ン、Ｇ…グルーブ、Ｌ…ランド、Ｗ…ウォブル、ＰＨ…
ピットヘッダ、ＲＭ…記録マーク、Ｅ…エッチング、Ａ
Ｒ1 …第１記録領域、ＡＲ2 …第２記録領域、ＡＲ3 …
第３記録領域、ＵＶ…紫外線、ＩＭ…注入口、ＬＴ…レ
ーザ光、ＭＤ１，ＭＤ２…金型、ＯＬ…対物レンズ、Ｒ
Ｄ…レジスト原盤、ＤＲ…回転方向、ＤＣ…光ディス
ク、ＣＨ…センターホール。
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Ｆターム(参考） 5D029 JB08 RA01 RA44 RA49 WB17
WD07
5D090 AA01 BB05 BB07 BB10 BB11
CC12 CC14 DD02 GG01 GG03
GG07 GG10
5D121 AA01 AA02 AA07 FF01
Claims (25)
- 【請求項１】光透過層を通して光学記録膜に光を照射
し、データを記録または再生する光学記録媒体であっ
て、 基板と、 上記基板に形成され、上記光に対するトラック領域を区
分する凹凸形状を有する光学記録膜と、 上記光学記録膜を保護する保護層とを有し、 上記光学記録膜は、第１記録領域と第２記録領域に区分
されており、当該第１記録領域と第２記録領域で、上記
凹凸形状が異なっている光学記録媒体。 - 【請求項２】上記保護層が光透過性である請求項１に記
載の光学記録媒体。 - 【請求項３】上記基板が光透過性である請求項１に記載
の光学記録媒体。 - 【請求項４】上記第１記録領域における上記凹凸形状の
凹部の深さと、上記第２記録領域における上記凹凸形状
の凹部の深さが異なっている請求項１記載の光学記録媒
体。 - 【請求項５】上記第１記録領域と第２記録領域の各領域
内においては、それぞれ一種類の凹凸形状が形成されて
いる請求項１記載の光学記録媒体。 - 【請求項６】上記第１記録領域と第２記録領域が、上記
基板に形成された同一の層の光学記録膜について、区分
して配置されている請求項１に記載の光学記録媒体。 - 【請求項７】上記第１記録領域と第２記録領域が、上記
基板の内周側と外周側に区分して配置されている請求項
６に記載の光学記録媒体。 - 【請求項８】上記第１記録領域と第２記録領域が、上記
基板上において同心円状に区分して配置されている請求
項６に記載の光学記録媒体。 - 【請求項９】上記光学記録膜として、上記基板に複数の
光学記録膜が形成されており、上記複数の光学記録膜
は、各光学記録膜毎に上記第１記録領域と第２記録領域
のいずれかに区分されている請求項１に記載の光学記録
媒体。 - 【請求項１０】上記複数の光学記録膜は、上記基板の一
方の面と他方の面側にそれぞれ少なくとも１層ずつ形成
されている請求項９に記載の光学記録媒体。 - 【請求項１１】上記複数の光学記録膜は、上記基板の一
方の面側に、光透過性の接着層を介して積層して形成さ
れている請求項９に記載の光学記録媒体。 - 【請求項１２】上記複数の光学記録膜は、上記基板の一
方の面と他方の面側にそれぞれ多層ずつ光透過性の接着
層を介して積層して形成されている請求項１０に記載の
光学記録媒体。 - 【請求項１３】上記第１記録領域および第２記録領域の
各領域内における上記凹凸形状に、アドレス情報検出用
のウォブルが設けられている請求項１記載の光学記録媒
体。 - 【請求項１４】上記第１記録領域および第２記録領域の
各領域内に、アドレス情報検出用のピットアドレスが設
けられている請求項１記載の光学記録媒体。 - 【請求項１５】上記光学記録膜と上記基板の間および上
記光学記録膜と上記保護層の間の少なくともいずれか一
方に機能膜が形成されており、 上記機能膜と上記光学記録膜からなる光学積層体が、上
記第１記録領域と上記第２記録領域とで同一の構成とな
っている請求項１に記載の光学記録媒体。 - 【請求項１６】上記機能膜は、誘電体膜、反射膜、光吸
収制御膜、熱ダメージ低減膜、腐食防止膜の少なくとも
いずれかを含む請求項１５に記載の光学記録媒体。 - 【請求項１７】上記光学記録膜と上記基板の間および上
記光学記録膜と上記保護層の間の少なくともいずれか一
方に機能膜が形成されており、 上記機能膜と上記光学記録膜からなる光学積層体が、上
記第１記録領域と上記第２記録領域とで異なる構成とな
っている請求項１に記載の光学記録媒体。 - 【請求項１８】上記機能膜は、誘電体膜、反射膜、光吸
収制御膜、熱ダメージ低減膜、腐食防止膜の少なくとも
いずれかを含む請求項１７に記載の光学記録媒体。 - 【請求項１９】基板の一方の面に領域を区分して、第１
の凹凸形状と当該第１の凹凸形状と異なる形状の第２の
凹凸形状を形成する工程と、 上記基板の第１および第２の凹凸形状の形成面上に少な
くとも光学記録膜を形成する工程と、 上記光学記録膜を保護する保護層を形成する工程とを有
する光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】上記第１の形状と上記第２の形状は、深
さが異なっている請求項１９に記載の光学記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２１】少なくとも２層の光学記録膜を有する光
学記録媒体の製造方法であって、 第１基板の一方の面に第１の形状の凹凸形状を形成する
工程と、 上記基板の凹凸形状形成面上に少なくとも第１光学記録
膜を形成する工程と、保護層となる第２基板の一方の面
に上記第１の形状と異なる第２の形状の凹凸形状を形成
する工程と、 上記第２基板の凹凸形状形成面上に少なくとも第２光学
記録膜を形成する工程と、 上記第１光学記録膜の形成面と上記第２光学記録膜の形
成面とを貼り合わせる工程とを有する光学記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２２】上記第１の形状と上記第２の形状は、深
さが異なっている請求項２１に記載の光学記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２３】少なくとも２層の光学記録膜を有する光
学記録媒体の製造方法であって、 基板の一方の面に第１の凹凸形状を形成する工程と、上
記基板の他方の面に上記第１の凹凸形状と異なる形状の
第２の凹凸形状を形成する工程と、 上記一方の面の第１の凹凸形状形の成面上に少なくとも
第１光学記録膜を形成する工程と、 上記他方の面の第２の凹凸形状の形成面上に少なくとも
第２光学記録膜を形成する工程と、 上記第１光学記録膜を保護する光透過性の保護層を形成
する工程と、 上記第２光学記録膜を保護する光透過性の保護層を形成
する工程とを有する光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項２４】上記第１の形状と上記第２の形状は、深
さが異なっている請求項２３に記載の光学記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２５】光透過層を通して光学記録膜に光を照射
し、データを記録または再生する光学記録媒体の記録再
生方法であって、 基板と、上記基板に形成され、上記光に対するトラック
領域を区分する凹凸形状を有する光学記録膜と、上記光
学記録膜上に形成された保護層とを有し、上記光学記録
膜は、第１記録領域と第２記録領域に区分されており、
当該第１記録領域と第２記録領域で、上記凹凸形状が異
なっている光学記録媒体に対して、 上記第１記録領域において上記凹凸形状の凹部および凸
部のいずれか一方のみで記録再生を行い、 上記第２記録領域において上記凹凸形状の凹部および凸
部の両方で記録再生を行う光学記録媒体の記録再生方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313149A JP2003123311A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 光学記録媒体およびその製造方法と記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313149A JP2003123311A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 光学記録媒体およびその製造方法と記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003123311A true JP2003123311A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19131688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001313149A Pending JP2003123311A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 光学記録媒体およびその製造方法と記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003123311A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006526868A (ja) * | 2003-06-03 | 2006-11-24 | エルジー エレクトロニクス インコーポレーテッド | 高密度記録媒体ならびにその記録および／または再生装置 |
| KR100694036B1 (ko) * | 2000-06-01 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 그루브와 피트의 깊이가 다른 디스크 및 그 제조방법 |
| WO2007063800A1 (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置 |
| US7831986B2 (en) | 2003-06-03 | 2010-11-09 | Lg Electronics Inc. | High-density recording medium and recording and/or reproducing device therefor |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001313149A patent/JP2003123311A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100694036B1 (ko) * | 2000-06-01 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 그루브와 피트의 깊이가 다른 디스크 및 그 제조방법 |
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| JP4755976B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2011-08-24 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 高密度記録媒体ならびにその記録および／または再生装置 |
| WO2007063800A1 (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置 |
| US8110273B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-07 | Panasonic Corporation | Optical information recording medium, recording/reproducing method thereof and recording/reproducing apparatus |
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