JPH05151623A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPH05151623A JPH05151623A JP31602391A JP31602391A JPH05151623A JP H05151623 A JPH05151623 A JP H05151623A JP 31602391 A JP31602391 A JP 31602391A JP 31602391 A JP31602391 A JP 31602391A JP H05151623 A JPH05151623 A JP H05151623A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】こ発明は記録、消去特性が良好で、繰り返し特
性が安定しかつ寿命が長い光記録媒体を短時間で製造す
る方法を提供することにある。 【構成】この発明は基板上に設けた記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去および再生が可能で
あり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の
相変化によりおこなわれる光記録媒体を製造するに際し
て、該光記録媒体に光を照射して記録層を非晶質状態か
ら結晶状態に変える初期化処理を行った後、熱処理する
ことを特徴とするものである。
性が安定しかつ寿命が長い光記録媒体を短時間で製造す
る方法を提供することにある。 【構成】この発明は基板上に設けた記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去および再生が可能で
あり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の
相変化によりおこなわれる光記録媒体を製造するに際し
て、該光記録媒体に光を照射して記録層を非晶質状態か
ら結晶状態に変える初期化処理を行った後、熱処理する
ことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶相と結晶相の間の
相変化により情報を記録、再生または消去を行う光記録
媒体の製造方法に関する。
相変化により情報を記録、再生または消去を行う光記録
媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化を利用した書換え可能な光記録媒
体は、結晶状態な記録層にレーザ光パルスを短時間照射
し、その熱で記録層を非晶質状態に相変化させることに
より記録を行う。
体は、結晶状態な記録層にレーザ光パルスを短時間照射
し、その熱で記録層を非晶質状態に相変化させることに
より記録を行う。
【０００３】従来、上記光記録媒体は、基板の上に、蒸
着やスパッタリングなどの真空成膜法により、保護層、
記録層、反射層など設計の構成に合せて形成し、さら
に、表面保護のため紫外線硬化樹脂層を塗布形成し製造
していた。また、必要に応じて紫外線樹脂層上にさらに
接着剤を塗布し、２枚の光記録媒体を張合わせて製造し
ていた。
着やスパッタリングなどの真空成膜法により、保護層、
記録層、反射層など設計の構成に合せて形成し、さら
に、表面保護のため紫外線硬化樹脂層を塗布形成し製造
していた。また、必要に応じて紫外線樹脂層上にさらに
接着剤を塗布し、２枚の光記録媒体を張合わせて製造し
ていた。
【０００４】このように形成させた光記録媒体の記録層
は、一般に非晶質状態で形成される。したがって、上記
光記録媒体を使用するまえに、さらに、レーザ光などの
光を照射して、一度記録領域全体の記録層を結晶状態に
する初期化処理を行って製造していた。
は、一般に非晶質状態で形成される。したがって、上記
光記録媒体を使用するまえに、さらに、レーザ光などの
光を照射して、一度記録領域全体の記録層を結晶状態に
する初期化処理を行って製造していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の方法では、初期化処理後の記録、消去特性は安定して
得られるが、繰り返し特性、つまり、記録、消去を繰り
返し行ったときのビットエラーレイトの変化を測定する
とその特性が測定のたびに違って、特性が安定して得ら
れない問題があった。このような繰り返し特性が安定し
ない現象を本発明者が解析したところ、初期化してから
測定するまでの経過時間で変化し、経過時間が長いほう
が繰り返し特性が安定し、さらに繰り返しでの信号劣化
によるビットエラーレイトの増加が押さえられ寿命が長
くなることが分った。
の方法では、初期化処理後の記録、消去特性は安定して
得られるが、繰り返し特性、つまり、記録、消去を繰り
返し行ったときのビットエラーレイトの変化を測定する
とその特性が測定のたびに違って、特性が安定して得ら
れない問題があった。このような繰り返し特性が安定し
ない現象を本発明者が解析したところ、初期化してから
測定するまでの経過時間で変化し、経過時間が長いほう
が繰り返し特性が安定し、さらに繰り返しでの信号劣化
によるビットエラーレイトの増加が押さえられ寿命が長
くなることが分った。
【０００６】しかし、繰り返し特性が良好になるには初
期化後、数ヶ月必要とした。これでは、光記録媒体を製
造後、すぐに使用できず生産性が悪いばかりか信頼性が
得られず問題である。
期化後、数ヶ月必要とした。これでは、光記録媒体を製
造後、すぐに使用できず生産性が悪いばかりか信頼性が
得られず問題である。
【０００７】本発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み
創案されたもので、その目的とするところは記録、消去
特性が良好で、繰り返し特性が安定しかつ寿命が長い光
記録媒体を短時間で確実に製造する方法を提供すること
にある。
創案されたもので、その目的とするところは記録、消去
特性が良好で、繰り返し特性が安定しかつ寿命が長い光
記録媒体を短時間で確実に製造する方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上に形成された記録層に光を照射することによっ
て、情報の記録、消去および再生が可能であり、情報の
記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により
おこなわれる光記録媒体を製造するに際して、該光記録
媒体に光を照射して記録層を非晶質状態から結晶状態に
変える初期化処理を行った後、熱処理することを特徴と
する光記録媒体の製造方法により達成される。
基板上に形成された記録層に光を照射することによっ
て、情報の記録、消去および再生が可能であり、情報の
記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により
おこなわれる光記録媒体を製造するに際して、該光記録
媒体に光を照射して記録層を非晶質状態から結晶状態に
変える初期化処理を行った後、熱処理することを特徴と
する光記録媒体の製造方法により達成される。
【０００９】本発明において使用される光記録媒体とし
ては特に限定されず、公知の組成および構造を有するも
のがいずれも使用可能である。
ては特に限定されず、公知の組成および構造を有するも
のがいずれも使用可能である。
【００１０】本発明の光記録媒体の代表的な構成として
は、例えば透明基板／第一の誘電体層／記録層／第二の
誘電体層／反射層の積層体からなる（ここで光は基板側
から入射するものとする）ものがあげられるが、これに
限定されない。例えば、上記構成の反射層上に本発明の
効果を損なわない範囲でＳｉＯ2 やＺｎＳ、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 などの保護層、紫外線硬化樹脂などの樹脂層（Ｕ
Ｖ層）、および、他の基板と張り合わせるための接着剤
層などを設けたものでもよい。また、上記構成において
反射層がないものでもよい。さらに、必要に応じて２枚
の光記録媒体を張合わせたものでも良い。また、紫外線
硬化樹脂の代りに、反射層の上にＳｉＯ2 やＺｎＳ、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2などの第３の誘電体層を形成したり、さ
らにその上に紫外線硬化樹脂層を塗布形成したものでも
よい。
は、例えば透明基板／第一の誘電体層／記録層／第二の
誘電体層／反射層の積層体からなる（ここで光は基板側
から入射するものとする）ものがあげられるが、これに
限定されない。例えば、上記構成の反射層上に本発明の
効果を損なわない範囲でＳｉＯ2 やＺｎＳ、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 などの保護層、紫外線硬化樹脂などの樹脂層（Ｕ
Ｖ層）、および、他の基板と張り合わせるための接着剤
層などを設けたものでもよい。また、上記構成において
反射層がないものでもよい。さらに、必要に応じて２枚
の光記録媒体を張合わせたものでも良い。また、紫外線
硬化樹脂の代りに、反射層の上にＳｉＯ2 やＺｎＳ、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2などの第３の誘電体層を形成したり、さ
らにその上に紫外線硬化樹脂層を塗布形成したものでも
よい。
【００１１】本発明ではこのような光記録媒体媒体にま
ずレーザ光などを照射して記録層を非晶状態から結晶状
態に変える初期化処理を行なう。
ずレーザ光などを照射して記録層を非晶状態から結晶状
態に変える初期化処理を行なう。
【００１２】初期化の方法としては、アルゴンレーザ、
ヘルウム・カドミウムレーザなどのガスレーザおよび半
導体レーザなどのレーザ光、キセノンフラッシュランプ
などの光を光記録媒体に照射して行う方法があげられ
る。特に、レーザ光による初期化が基板や紫外線樹脂層
の熱変形による反りやクッラクが生じにくいので好まし
く、より好ましくは、装置が小型化でき、かつ消費電力
も小さくでき、生産コストが低くできることから半導体
レーザである。
ヘルウム・カドミウムレーザなどのガスレーザおよび半
導体レーザなどのレーザ光、キセノンフラッシュランプ
などの光を光記録媒体に照射して行う方法があげられ
る。特に、レーザ光による初期化が基板や紫外線樹脂層
の熱変形による反りやクッラクが生じにくいので好まし
く、より好ましくは、装置が小型化でき、かつ消費電力
も小さくでき、生産コストが低くできることから半導体
レーザである。
【００１３】ここで、非晶質状態の記録層の初期化処理
は、反射層を形成した後ならいつでもよいが、ＳｉＯ2
やＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの第３の誘電体層およ
び、紫外線硬化樹脂層を塗布形成した後に行うのがクラ
ック、ピンポールなどの欠陥が発生しにくいので好まし
く、より好ましくは、２枚の光記録媒体を張合わせた後
に行うのが良い。
は、反射層を形成した後ならいつでもよいが、ＳｉＯ2
やＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの第３の誘電体層およ
び、紫外線硬化樹脂層を塗布形成した後に行うのがクラ
ック、ピンポールなどの欠陥が発生しにくいので好まし
く、より好ましくは、２枚の光記録媒体を張合わせた後
に行うのが良い。
【００１４】所定の初期化処理が施された光記録媒体は
次いで３５〜９０℃の熱処理が施される。この熱処理に
より、初期化時の記録層から発生する熱による応力や、
相変化による記録層の体積変化により低下した記録層と
誘電体層の界面の密着性を回復させることができる。さ
らに、初期化による相変化で歪みの生じた記録層を緩和
することができる。したがって、熱処理を初期化処理前
に行っても本発明の効果はほとんどない。
次いで３５〜９０℃の熱処理が施される。この熱処理に
より、初期化時の記録層から発生する熱による応力や、
相変化による記録層の体積変化により低下した記録層と
誘電体層の界面の密着性を回復させることができる。さ
らに、初期化による相変化で歪みの生じた記録層を緩和
することができる。したがって、熱処理を初期化処理前
に行っても本発明の効果はほとんどない。
【００１５】初期化処理を施されてから熱処理を行うま
での時間は特に限定されず、適宜選択できる。
での時間は特に限定されず、適宜選択できる。
【００１６】本発明において使用される熱処理方法とし
ては、特に限定されず、公知の乾燥ないし熱処理手段が
いずれも適用できる。例えば光記録媒体を均一な温度管
理ができる送風定温乾燥器などに入れて行う方法が光記
録媒体の全面で均一な効果が得られかつ同条件で多数処
理できるので好ましい。
ては、特に限定されず、公知の乾燥ないし熱処理手段が
いずれも適用できる。例えば光記録媒体を均一な温度管
理ができる送風定温乾燥器などに入れて行う方法が光記
録媒体の全面で均一な効果が得られかつ同条件で多数処
理できるので好ましい。
【００１７】熱処理温度は、３５℃〜９０℃の範囲が好
ましく、より好ましくは４０℃〜７０℃である。３５℃
未満では、繰り返し特性が安定し良好になるまでの処理
時間がかなりかかるため生産性が悪く好ましくない。９
０℃より大きいと基板、ＵＶ樹脂層および張合わせ基板
においては接着層が熱変形し、基板の反りなどが大きく
なり機械特性が著しく劣化し好ましくない。熱処理する
時間は特に限定されないが、繰り返し特性の良好な光記
録媒体を効率良く得るためには、６時間から２４時間の
範囲が好ましい。
ましく、より好ましくは４０℃〜７０℃である。３５℃
未満では、繰り返し特性が安定し良好になるまでの処理
時間がかなりかかるため生産性が悪く好ましくない。９
０℃より大きいと基板、ＵＶ樹脂層および張合わせ基板
においては接着層が熱変形し、基板の反りなどが大きく
なり機械特性が著しく劣化し好ましくない。熱処理する
時間は特に限定されないが、繰り返し特性の良好な光記
録媒体を効率良く得るためには、６時間から２４時間の
範囲が好ましい。
【００１８】次に、本発明で使用できる光記録媒体につ
いて具体的に述べる。
いて具体的に述べる。
【００１９】基板は、プラスチック、ガラス、アルミニ
ウムなど従来の記録媒体の基板と同様なものでよい。特
に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が容
易であることからポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂
が好ましい。特に耐熱性が要求される場合には、エポキ
シ樹脂が好ましい。
ウムなど従来の記録媒体の基板と同様なものでよい。特
に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が容
易であることからポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂
が好ましい。特に耐熱性が要求される場合には、エポキ
シ樹脂が好ましい。
【００２０】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。基板はフレ
キシブルなものであっても良いし、リジッドなものであ
っても良い。フレキシブルな基板は、テープ状、シート
状、カ−ド状で使用される。リジッドな基板は、カード
状、あるいはディスク状で使用される。
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。基板はフレ
キシブルなものであっても良いし、リジッドなものであ
っても良い。フレキシブルな基板は、テープ状、シート
状、カ−ド状で使用される。リジッドな基板は、カード
状、あるいはディスク状で使用される。
【００２１】誘電体層は、記録時に基板、記録層などが
熱によって変形し記録特性が劣化することを防止するな
ど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学的な干渉
効果により、再生時の信号コントラストを大きくする効
果がある。この誘電体層としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、
窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜があ
る。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａなどの金属の酸化物薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒
化物の薄膜、及びこれらの混合物の膜が、耐熱性が高い
ことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜は、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜およびこれ
らの化合物の混合膜が、耐湿熱が高いことから好まし
い。また、これらにＭｇＦ2 などのフッ化物の混合した
ものも、膜の残留応力が小さいことから好ましい。特に
ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜は、記録、消去の繰り返しに
よっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起き
にくいことから好ましい。第１および第２誘電体層の厚
さは、およそ１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層
は、基板や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥
が生じ難いことから、１０〜４００ｎｍが好ましい。ま
た、第２誘電体層は、Ｃ／Ｎ、消去率など記録特性、安
定に多数回の書換えが可能なことから１０〜２００ｎｍ
が好ましい。
熱によって変形し記録特性が劣化することを防止するな
ど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学的な干渉
効果により、再生時の信号コントラストを大きくする効
果がある。この誘電体層としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、
窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜があ
る。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａなどの金属の酸化物薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒
化物の薄膜、及びこれらの混合物の膜が、耐熱性が高い
ことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜は、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜およびこれ
らの化合物の混合膜が、耐湿熱が高いことから好まし
い。また、これらにＭｇＦ2 などのフッ化物の混合した
ものも、膜の残留応力が小さいことから好ましい。特に
ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜は、記録、消去の繰り返しに
よっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起き
にくいことから好ましい。第１および第２誘電体層の厚
さは、およそ１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層
は、基板や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥
が生じ難いことから、１０〜４００ｎｍが好ましい。ま
た、第２誘電体層は、Ｃ／Ｎ、消去率など記録特性、安
定に多数回の書換えが可能なことから１０〜２００ｎｍ
が好ましい。
【００２２】記録層としては、特に限定するものではな
いが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金な
どがある。
いが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金な
どがある。
【００２３】Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消
去の繰り返しが可能であることから好ましく、特にＰｄ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が、前述の特性に優れることか
ら好ましい。
−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消
去の繰り返しが可能であることから好ましく、特にＰｄ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が、前述の特性に優れることか
ら好ましい。
【００２４】記録層の厚さとしては、特に限定するもの
ではないが１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。特
に記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であ
ることから１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好ま
しい。
ではないが１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。特
に記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であ
ることから１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好ま
しい。
【００２５】反射層は、光学的な干渉効果により、再生
時の信号コントラストを改善すると共に、冷却効果によ
り、非晶状態の記録マークの形成を容易にし、かつ消去
特性、繰り返し特性を改善する効果がある。この反射層
としては、Ａｌ、Ａｕなどの光反射性が高い金属やこれ
らを主成分とする合金、およびこれらの金属にＡｌ、Ｓ
ｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物
などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。Ａ
ｌ、Ａｕなどの金属、およびこれらを主成分とする合金
は、光反射性が高く、かつ熱伝導率が高くできることか
ら好ましい。
時の信号コントラストを改善すると共に、冷却効果によ
り、非晶状態の記録マークの形成を容易にし、かつ消去
特性、繰り返し特性を改善する効果がある。この反射層
としては、Ａｌ、Ａｕなどの光反射性が高い金属やこれ
らを主成分とする合金、およびこれらの金属にＡｌ、Ｓ
ｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物
などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。Ａ
ｌ、Ａｕなどの金属、およびこれらを主成分とする合金
は、光反射性が高く、かつ熱伝導率が高くできることか
ら好ましい。
【００２６】とりわけ、耐腐食性が良好でヒロックなど
の発生が起りにくいことから、反射層に添加元素を合計
で０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ−Ｃｒ合金、、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−
Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主
成分とする合金の構成することが好ましい。
の発生が起りにくいことから、反射層に添加元素を合計
で０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ−Ｃｒ合金、、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−
Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主
成分とする合金の構成することが好ましい。
【００２７】反射層の厚さとしては、特に限定するもの
ではないが、３０ｎｍから３００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、かつ消去率などの消去特性に優れ
ることから６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。
ではないが、３０ｎｍから３００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、かつ消去率などの消去特性に優れ
ることから６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。
【００２８】誘電体層、記録層、反射層を形成する方法
としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法など
があげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易で
あることから、スパッタリング法が好ましい。
としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法など
があげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易で
あることから、スパッタリング法が好ましい。
【００２９】形成する記録層などの厚さの制御は、公知
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
【００３０】２枚の光記録媒体の張合わせ構造は、公知
のエアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、
密着張合せ構造などあげられる。特に、ホットメルト接
着剤などの接着剤よる密着張合せ構造が高温高湿下にお
ける機械特性の劣化が少ないので好ましい。
のエアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、
密着張合せ構造などあげられる。特に、ホットメルト接
着剤などの接着剤よる密着張合せ構造が高温高湿下にお
ける機械特性の劣化が少ないので好ましい。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいて具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。
明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００３２】なお実施例中の特性は以下の方法に基づい
て評価したものである。
て評価したものである。
【００３３】（１）組成 記録層、誘電体層の組成は、ＩＣＰ発光分析（セイコー
電子工業（株）製ＦＴＳ−１１００型）によって各元素
の含有量を求め、組成比を算出した。
電子工業（株）製ＦＴＳ−１１００型）によって各元素
の含有量を求め、組成比を算出した。
【００３４】（２）記録、消去特性（１ビームオーバラ
イト特性） 初期化した光記録媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、デ
ィスク半径３０ｍｍ付近で基板側から周波数３．７ＭＨ
ｚ、パルス幅５０ｎｓで変調した記録パワー２０ｍＷ、
消去パワー１０ｍＷの波長８３０ｎｍの半導体レーザ光
を開口数０．５３の対物レンズで集光照射しオーバライ
ト記録を行なった。
イト特性） 初期化した光記録媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、デ
ィスク半径３０ｍｍ付近で基板側から周波数３．７ＭＨ
ｚ、パルス幅５０ｎｓで変調した記録パワー２０ｍＷ、
消去パワー１０ｍＷの波長８３０ｎｍの半導体レーザ光
を開口数０．５３の対物レンズで集光照射しオーバライ
ト記録を行なった。
【００３５】記録後、１．２ｍＷの半導体レーザ光で記
録部分を走査し記録の再生を行なった。さらに、記録部
分を先の条件の周波数を１．４ＭＨｚに変更しオーバラ
イト記録を行ない３．７ＭＨｚの記録信号を消去した
後、先と同一の条件で再生を行なった。記録後および消
去後再生信号をそれぞれスペクトル・アナライザにより
キャリヤレベルとノイズレベルを測定し、バンド幅３０
ｋＨｚの条件でキャリヤ対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）を求め、
さらに３．７ＭＨｚの記録時のキャリヤレベルと１．４
ＭＨｚの記録時（３．７ＭＨｚの消去時）の３．７ＭＨ
ｚのキャリヤレベルの差を消去率とした求めた。
録部分を走査し記録の再生を行なった。さらに、記録部
分を先の条件の周波数を１．４ＭＨｚに変更しオーバラ
イト記録を行ない３．７ＭＨｚの記録信号を消去した
後、先と同一の条件で再生を行なった。記録後および消
去後再生信号をそれぞれスペクトル・アナライザにより
キャリヤレベルとノイズレベルを測定し、バンド幅３０
ｋＨｚの条件でキャリヤ対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）を求め、
さらに３．７ＭＨｚの記録時のキャリヤレベルと１．４
ＭＨｚの記録時（３．７ＭＨｚの消去時）の３．７ＭＨ
ｚのキャリヤレベルの差を消去率とした求めた。
【００３６】（３）繰り返し特性 記録、消去特性測定と同じ条件で、１トラックに２−７
変調符号のランダム信号をオーバライト記録し、記録信
号のデータと再生信号のデータを比較しビットエラーレ
ート（ＢＥＲ）を測定した。このとき繰り返しによりＢ
ＥＲが１×１０-4以上になった回数を寿命とした。
変調符号のランダム信号をオーバライト記録し、記録信
号のデータと再生信号のデータを比較しビットエラーレ
ート（ＢＥＲ）を測定した。このとき繰り返しによりＢ
ＥＲが１×１０-4以上になった回数を寿命とした。
【００３７】（４）密着性 光記録媒体の紫外線樹脂保護層上にカッターで切れ目を
入れ、ポリエステル粘着テープＮｏ．３１Ｂ（日東電工
（株）製）を用いて剥離テストを行い評価した。
入れ、ポリエステル粘着テープＮｏ．３１Ｂ（日東電工
（株）製）を用いて剥離テストを行い評価した。
【００３８】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍ、１．６μｍピッチの
ＩＳＯ準処フォーマットのポリカーボネート製基板を毎
分３０回転で回転させながら、ＲＦマグネトロンスパッ
タリング法により記録層、誘電体層、および反射層を形
成した。
ＩＳＯ準処フォーマットのポリカーボネート製基板を毎
分３０回転で回転させながら、ＲＦマグネトロンスパッ
タリング法により記録層、誘電体層、および反射層を形
成した。
【００３９】まず、７×１０-5Ｐａまで排気した後、６
×１０-1Ｐａのアルゴンガス雰囲気中で基板上にＺｎＳ
とＳｉＯ2 のモル比が８０：２０のＺｎＳ−ＳｉＯ2 の
ターゲットをスパッタリし第１誘電体層を１７０ｎｍ形
成した。次に、ＰｄＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをスパ
ッタしてＰｄ1 Ｇｅ19Ｓｂ26Ｔｅ54（原子％）の元素組
成の記録層を２５ｎｍ形成した。さらに、第２誘電体層
をＺｎＳ−ＳｉＯ2 のターゲットをスパッタし２０ｎｍ
形成し、その上に反射層としてＭｎ0.01Ｓｉ0.04Ａｌ0.
95合金をスパッタし８０ｎｍ形成した。さらに、このデ
ィスクを真空容器より取り出した後、反射層上に紫外線
硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、その後紫外線
を照射して硬化させ１０μｍの保護樹脂層を形成した。
次に、このディスクを線速度５ｍ／秒で回転させ、基板
側から半値全幅が２２×６６μｍの長円に集光した波長
８２０ｎｍの半導体レーザ光を送りピッチが１回転で４
μｍ、膜面強度１．１Ｗの条件で照射して初期化した。
以上により本発明の熱処理を行う光記録媒体を得た。
×１０-1Ｐａのアルゴンガス雰囲気中で基板上にＺｎＳ
とＳｉＯ2 のモル比が８０：２０のＺｎＳ−ＳｉＯ2 の
ターゲットをスパッタリし第１誘電体層を１７０ｎｍ形
成した。次に、ＰｄＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをスパ
ッタしてＰｄ1 Ｇｅ19Ｓｂ26Ｔｅ54（原子％）の元素組
成の記録層を２５ｎｍ形成した。さらに、第２誘電体層
をＺｎＳ−ＳｉＯ2 のターゲットをスパッタし２０ｎｍ
形成し、その上に反射層としてＭｎ0.01Ｓｉ0.04Ａｌ0.
95合金をスパッタし８０ｎｍ形成した。さらに、このデ
ィスクを真空容器より取り出した後、反射層上に紫外線
硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、その後紫外線
を照射して硬化させ１０μｍの保護樹脂層を形成した。
次に、このディスクを線速度５ｍ／秒で回転させ、基板
側から半値全幅が２２×６６μｍの長円に集光した波長
８２０ｎｍの半導体レーザ光を送りピッチが１回転で４
μｍ、膜面強度１．１Ｗの条件で照射して初期化した。
以上により本発明の熱処理を行う光記録媒体を得た。
【００４０】この光記録媒体を、熱風オーブン（ＨＥＡ
ＴＴＲＥＡＴＩＮＧ ＯＶＥＮ ＨＰＳ−２１２、タバ
イ エスペック（株）製）により、５０℃で２０時間の
熱処理を行った。
ＴＴＲＥＡＴＩＮＧ ＯＶＥＮ ＨＰＳ−２１２、タバ
イ エスペック（株）製）により、５０℃で２０時間の
熱処理を行った。
【００４１】前記評価方法により光記録媒体を評価し
た。初期化処理後、熱処理を行わないですぐに評価した
場合は、Ｃ／Ｎが５４．０ｄＢ、消去率が２９．５ｄ
Ｂ、繰り返し寿命が３万回であった。一方、熱処理後
は、Ｃ／Ｎが、５４．０ｄＢ、消去率２９．５ｄＢ、繰
り返し寿命が１０万回以上であり、熱処理前より記録、
消去特性の劣化がなく繰り返し特性が良好になった。ま
た、剥離テストの結果、第２誘電体層と反射層の間で剥
離し、記録層と誘電体層との密着性は良好であった。 実施例２ 熱処理を６０℃で１２時間にした他は、実施例１と同様
に光記録媒体の作成、初期化処理および熱処理を行っ
た。その結果、実施例１と同様に良好な記録、消去特
性、繰り返し特性、密着性が得られた。
た。初期化処理後、熱処理を行わないですぐに評価した
場合は、Ｃ／Ｎが５４．０ｄＢ、消去率が２９．５ｄ
Ｂ、繰り返し寿命が３万回であった。一方、熱処理後
は、Ｃ／Ｎが、５４．０ｄＢ、消去率２９．５ｄＢ、繰
り返し寿命が１０万回以上であり、熱処理前より記録、
消去特性の劣化がなく繰り返し特性が良好になった。ま
た、剥離テストの結果、第２誘電体層と反射層の間で剥
離し、記録層と誘電体層との密着性は良好であった。 実施例２ 熱処理を６０℃で１２時間にした他は、実施例１と同様
に光記録媒体の作成、初期化処理および熱処理を行っ
た。その結果、実施例１と同様に良好な記録、消去特
性、繰り返し特性、密着性が得られた。
【００４２】実施例３ 実施例１の記録層を、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 合金ターゲッ
トでスパッタして形成した他は、実施例１と同様に光記
録媒体の作成、初期化処理および熱処理を行った。
トでスパッタして形成した他は、実施例１と同様に光記
録媒体の作成、初期化処理および熱処理を行った。
【００４３】初期化処理後、熱処理を行わないですぐに
光記録媒体を評価した場合、Ｃ／Ｎが５５．０ｄ、消去
率が３０．５ｄＢ、繰り返し寿命が２．５万回であっ
た。一方、熱処理後は、Ｃ／Ｎが、５５．０ｄＢ、消去
率３０．５ｄＢ、繰り返し寿命が１０万回以上であり、
熱処理前より記録、消去特性の劣化がなく繰り返し特性
が良好になった。また、記録層と誘電体層との密着性も
良好であった。
光記録媒体を評価した場合、Ｃ／Ｎが５５．０ｄ、消去
率が３０．５ｄＢ、繰り返し寿命が２．５万回であっ
た。一方、熱処理後は、Ｃ／Ｎが、５５．０ｄＢ、消去
率３０．５ｄＢ、繰り返し寿命が１０万回以上であり、
熱処理前より記録、消去特性の劣化がなく繰り返し特性
が良好になった。また、記録層と誘電体層との密着性も
良好であった。
【００４４】比較例１ 初期化処理後、熱処理を行わず室温状態で３０時間経過
後に特性を測定した他は、実施例１と同様に行った。
後に特性を測定した他は、実施例１と同様に行った。
【００４５】初期化後、室温状態で３０時間経過後は、
Ｃ／Ｎが５４．０ｄＢ、消去率が２９．５ｄＢ、繰り返
し寿命が４万回であり、初期化直後とほとんど差がな
く、繰り返し特性は向上しなかった。また、剥離テスト
の結果、記録層と第２誘電体層とで剥離した。
Ｃ／Ｎが５４．０ｄＢ、消去率が２９．５ｄＢ、繰り返
し寿命が４万回であり、初期化直後とほとんど差がな
く、繰り返し特性は向上しなかった。また、剥離テスト
の結果、記録層と第２誘電体層とで剥離した。
【００４６】
【発明の効果】本発明は、相変化を利用した書換え可能
な光記録媒体を初期化処理後、特定の温度で熱処理する
ようにしたので、初期化時の記録層から発生する熱によ
る応力や、相変化による記録層の体積変化により低下し
た記録層と保護層の界面の密着性を回復させることがで
き、短時間で繰り返し性の良好な光記録媒体を確実に得
ることができる。
な光記録媒体を初期化処理後、特定の温度で熱処理する
ようにしたので、初期化時の記録層から発生する熱によ
る応力や、相変化による記録層の体積変化により低下し
た記録層と保護層の界面の密着性を回復させることがで
き、短時間で繰り返し性の良好な光記録媒体を確実に得
ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射する
ことによって、情報の記録、消去および再生が可能であ
り、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相
変化によりおこなわれる光記録媒体を製造するに際し
て、該光記録媒体に光を照射して記録層を非晶質状態か
ら結晶状態に変える初期化処理を行った後、熱処理する
ことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】熱処理温度が３５℃〜９０℃であることを
特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31602391A JPH05151623A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31602391A JPH05151623A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05151623A true JPH05151623A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18072392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31602391A Pending JPH05151623A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05151623A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706179A2 (en) | 1994-09-27 | 1996-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production process of optical information recording medium and production apparatus therefor |
| US5684778A (en) * | 1994-09-27 | 1997-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Initialization process for a phase change recording medium with a zero level drop in flash light emission |
| EP0957477A3 (en) * | 1998-05-15 | 2003-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, recording and reproducing method therefor and optical information recording and reproduction apparatus |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP31602391A patent/JPH05151623A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706179A2 (en) | 1994-09-27 | 1996-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production process of optical information recording medium and production apparatus therefor |
| US5684778A (en) * | 1994-09-27 | 1997-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Initialization process for a phase change recording medium with a zero level drop in flash light emission |
| EP1669992A3 (en) * | 1994-09-27 | 2009-11-18 | Panasonic Corporation | Production process of optical information recording medium |
| EP0957477A3 (en) * | 1998-05-15 | 2003-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, recording and reproducing method therefor and optical information recording and reproduction apparatus |
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