JPH10275367A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPH10275367A JPH10275367A JP1663198A JP1663198A JPH10275367A JP H10275367 A JPH10275367 A JP H10275367A JP 1663198 A JP1663198 A JP 1663198A JP 1663198 A JP1663198 A JP 1663198A JP H10275367 A JPH10275367 A JP H10275367A
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- optical recording
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- recording layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光学系を必要とするレーザーや、ハロゲンラン
プのような特殊で効果な装置を必要とせず、低コストで
容易に光記録媒体の初期化を行う。 【解決手段】基板上に、少なくとも記録層を有する光記
録媒体に、該光記録媒体以上の温度を有する気体、液
体、固体を該光記録媒体に接触させることにより、記録
層を加熱し、非晶質から結晶質に相変化させることによ
り行うことを特徴とする光記録媒体の初期化方法。
プのような特殊で効果な装置を必要とせず、低コストで
容易に光記録媒体の初期化を行う。 【解決手段】基板上に、少なくとも記録層を有する光記
録媒体に、該光記録媒体以上の温度を有する気体、液
体、固体を該光記録媒体に接触させることにより、記録
層を加熱し、非晶質から結晶質に相変化させることによ
り行うことを特徴とする光記録媒体の初期化方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体の初
期化方法に関するものである。
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体の初
期化方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の初
期化方法は、以下のごときものである。スパッタリング
法などにより基板上に誘電体層などと積層させるように
非晶質状態で形成された記録層に、Ａｒレーザー光、半
導体レーザー光、ハロゲンランプ光などを照射して、加
熱し、結晶化せしめる（特開平２−５２４６号公報）と
いうものである。
期化方法は、以下のごときものである。スパッタリング
法などにより基板上に誘電体層などと積層させるように
非晶質状態で形成された記録層に、Ａｒレーザー光、半
導体レーザー光、ハロゲンランプ光などを照射して、加
熱し、結晶化せしめる（特開平２−５２４６号公報）と
いうものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の光記録媒体の初
期化方法では、レーザーを用いる場合は集光のための高
精度な光学系を必要とし、ハロゲンランプを光学系なし
で用いる場合は高出力のものを用いる必要があるため、
光源と電源のシステムが高価なものとなるため、製造コ
スト高の要因となる。
期化方法では、レーザーを用いる場合は集光のための高
精度な光学系を必要とし、ハロゲンランプを光学系なし
で用いる場合は高出力のものを用いる必要があるため、
光源と電源のシステムが高価なものとなるため、製造コ
スト高の要因となる。
【０００４】本発明の目的は、前述の従来の光記録媒体
の初期化方法の課題を解決し、容易でかつ安価にできる
初期化方法を提供することにある。
の初期化方法の課題を解決し、容易でかつ安価にできる
初期化方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体
を製造するに際し、基板上に、少なくとも記録層を形成
した後に、該光記録媒体以上の温度を有する気体、液体
または固体を該光記録媒体に接触させることにより、記
録層を加熱し、非晶質から結晶質に相変化させることを
特徴とする光記録媒体の製造方法である。
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体
を製造するに際し、基板上に、少なくとも記録層を形成
した後に、該光記録媒体以上の温度を有する気体、液体
または固体を該光記録媒体に接触させることにより、記
録層を加熱し、非晶質から結晶質に相変化させることを
特徴とする光記録媒体の製造方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】オーブン、電気炉、ガス炉などの
内部で光記録媒体以上の温度を有する気体、液体または
固体を該光記録媒体に接触させることにより、基板を含
めた光記録媒体全体を均一に加熱することで、記録層を
非晶質から結晶質に相変化させることができる。光記録
媒体に接触させる気体、液体または固体の温度として
は、１００℃以上、２３０℃以下が好ましい。記録層の
結晶化と基板の耐熱性の兼ね合いを考慮した場合、１０
５℃以上、１８０℃以下がより好ましい。１１０℃以
上、１６０℃以下がさらに好ましく、最も好ましくは、
１１５℃以上、１４５℃以下である。
内部で光記録媒体以上の温度を有する気体、液体または
固体を該光記録媒体に接触させることにより、基板を含
めた光記録媒体全体を均一に加熱することで、記録層を
非晶質から結晶質に相変化させることができる。光記録
媒体に接触させる気体、液体または固体の温度として
は、１００℃以上、２３０℃以下が好ましい。記録層の
結晶化と基板の耐熱性の兼ね合いを考慮した場合、１０
５℃以上、１８０℃以下がより好ましい。１１０℃以
上、１６０℃以下がさらに好ましく、最も好ましくは、
１１５℃以上、１４５℃以下である。
【０００７】記録層の結晶化温度が基板の耐熱温度以上
である場合などのように、基板を高温にするのが好まし
くない場合、記録層面もしくは記録層、誘電体層などか
らなる積層面側にのみに高温にした気体、液体もしくは
固体を接触させることで、記録層を加熱し非晶質から結
晶質に相変化させてもよい。記録層面もしくは記録層、
誘電体層などからなる積層面側に高温にした気体、液体
もしくは固体を接触させる方法としては、熱風を当て
る、スチーム蒸気を当てる、高温にした金属、セラミッ
クス、ガラス、樹脂、などを近付ける、接触させる、高
温にした液体をかける、液面に近付ける、接触させる方
法などがある。また、さらにはこの方法において基板面
側を積極的に冷却してもよい。基板面側を積極的に冷却
する方法としては、冷風を当てる、低温に維持した金
属、セラミックス、ガラス、樹脂などを接触させるなど
がある。
である場合などのように、基板を高温にするのが好まし
くない場合、記録層面もしくは記録層、誘電体層などか
らなる積層面側にのみに高温にした気体、液体もしくは
固体を接触させることで、記録層を加熱し非晶質から結
晶質に相変化させてもよい。記録層面もしくは記録層、
誘電体層などからなる積層面側に高温にした気体、液体
もしくは固体を接触させる方法としては、熱風を当て
る、スチーム蒸気を当てる、高温にした金属、セラミッ
クス、ガラス、樹脂、などを近付ける、接触させる、高
温にした液体をかける、液面に近付ける、接触させる方
法などがある。また、さらにはこの方法において基板面
側を積極的に冷却してもよい。基板面側を積極的に冷却
する方法としては、冷風を当てる、低温に維持した金
属、セラミックス、ガラス、樹脂などを接触させるなど
がある。
【０００８】本発明で用いる光記録媒体は、基板上に形
成された記録層のみからなるものでもよいが、記録層や
基板の保護のために基板、第一誘電体層、記録層、第二
誘電体層の順に２つの誘電体層を記録層に接して設けた
ものが好ましい。また、良好な記録再生特性を得るため
に、第二誘電体層の上に反射層などを設けたものでよ
い。さらには、第一誘電体層、第二誘電体層のいずれと
もそれぞれが２層以上の誘電体層からなっていてもよ
く、第二誘電体層と反射層の間に光吸収効果のある金
属、半導体などからなる層を設けてもよい。
成された記録層のみからなるものでもよいが、記録層や
基板の保護のために基板、第一誘電体層、記録層、第二
誘電体層の順に２つの誘電体層を記録層に接して設けた
ものが好ましい。また、良好な記録再生特性を得るため
に、第二誘電体層の上に反射層などを設けたものでよ
い。さらには、第一誘電体層、第二誘電体層のいずれと
もそれぞれが２層以上の誘電体層からなっていてもよ
く、第二誘電体層と反射層の間に光吸収効果のある金
属、半導体などからなる層を設けてもよい。
【０００９】本発明に用いる光記録媒体は以下の方法な
どにより製造することができる。記録層、誘電体層、金
属層などを基板上に形成する方法としては、真空中での
薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法などがあげられる。特に組成、膜
厚のコントロールが容易であることから、スパッタリン
グ法が好ましい。形成する記録層などの厚さの制御は、
水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングする
ことで、容易に行える。
どにより製造することができる。記録層、誘電体層、金
属層などを基板上に形成する方法としては、真空中での
薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法などがあげられる。特に組成、膜
厚のコントロールが容易であることから、スパッタリン
グ法が好ましい。形成する記録層などの厚さの制御は、
水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングする
ことで、容易に行える。
【００１０】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させた
り、さらには公転を組み合わせてもよい。
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させた
り、さらには公転を組み合わせてもよい。
【００１１】また、反射層などを形成した後、傷、変形
の防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、これらの混合物
などの誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護
層などを必要に応じて設けてもよい。また、反射層など
を形成した後、あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成
した後、２枚の基板を対向して、接着材で張り合わせて
もよい。さらには、レーザーが入射する基板面に樹脂ハ
ードコート層を設けてもよく、この層の形成は、第一誘
電体層などの形成前でも、反射層などの形成後に行って
もよい。
の防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、これらの混合物
などの誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護
層などを必要に応じて設けてもよい。また、反射層など
を形成した後、あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成
した後、２枚の基板を対向して、接着材で張り合わせて
もよい。さらには、レーザーが入射する基板面に樹脂ハ
ードコート層を設けてもよく、この層の形成は、第一誘
電体層などの形成前でも、反射層などの形成後に行って
もよい。
【００１２】本発明の第１及び第２誘電体層には、記録
時に基板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣
化することを防止するなど、基板、記録層を熱から保護
する効果のみでなく、光学的な干渉効果により、再生時
の信号コントラストを改善する効果がある。
時に基板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣
化することを防止するなど、基板、記録層を熱から保護
する効果のみでなく、光学的な干渉効果により、再生時
の信号コントラストを改善する効果がある。
【００１３】第１誘電体層の厚さｄ１は、基板や記録層
から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、通常５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。記録再生
信号の高コントラスト化による高キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）化を図るためには、さらに好ましくは、ｄ１
は記録、再生に用いる光の波長λに対して０．２５λ／
ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１である。ｎ１は第一誘電
体層の屈折率の実部。
から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、通常５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。記録再生
信号の高コントラスト化による高キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）化を図るためには、さらに好ましくは、ｄ１
は記録、再生に用いる光の波長λに対して０．２５λ／
ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１である。ｎ１は第一誘電
体層の屈折率の実部。
【００１４】第一誘電体層および第二誘電体層として
は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機薄膜がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの金属の酸化物
の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の混合物の
膜が、耐熱性が高いことから好ましい。また、これらに
炭素や、ＭｇＦ2 などのフッ化物を混合したものも、膜
の残留応力が小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳ
ｉＯ2 の混合膜あるいは、ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混
合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、
Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから好まし
く、特にＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜が好ましい。
ＺｎＳとＳｉＯ2 のモル比がＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／
１５〜６５／３５であり、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣの
モル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９９／１〜８０／
２０であることが好ましい。
は、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機薄膜がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの金属の酸化物
の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の混合物の
膜が、耐熱性が高いことから好ましい。また、これらに
炭素や、ＭｇＦ2 などのフッ化物を混合したものも、膜
の残留応力が小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳ
ｉＯ2 の混合膜あるいは、ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混
合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、
Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから好まし
く、特にＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素の混合膜が好ましい。
ＺｎＳとＳｉＯ2 のモル比がＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／
１５〜６５／３５であり、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣの
モル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９９／１〜８０／
２０であることが好ましい。
【００１５】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。
【００１６】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれ
らを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導
率を高くできることから好ましい。前述の合金の例とし
て、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％
以上加えたものなどがある。特に、材料の価格が安くで
きることから、Ａｌを主成分とする合金が好ましく、と
りわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５原子％
以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、
反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ
−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成す
ることが好ましい。
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれ
らを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導
率を高くできることから好ましい。前述の合金の例とし
て、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％
以上加えたものなどがある。特に、材料の価格が安くで
きることから、Ａｌを主成分とする合金が好ましく、と
りわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５原子％
以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、
反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ
−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成す
ることが好ましい。
【００１７】記録層としては、特に限定するものではな
いが、少なくともＴｅ、Ｓｅのいずれかを含むものが消
去時間が短くできるという点から好ましく、例えば、Ｇ
ｅ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金などがあ
る。多数回の記録の書き換えが可能であることから、Ｐ
ｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金がより好ましい。
いが、少なくともＴｅ、Ｓｅのいずれかを含むものが消
去時間が短くできるという点から好ましく、例えば、Ｇ
ｅ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金などがあ
る。多数回の記録の書き換えが可能であることから、Ｐ
ｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金がより好ましい。
【００１８】特にＰｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰
り返しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性に
優れるところから好ましい。また、これら合金に対し、
さらに１０原子％以下の窒素が含まれていてもよい。
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰
り返しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性に
優れるところから好ましい。また、これら合金に対し、
さらに１０原子％以下の窒素が含まれていてもよい。
【００１９】窒素以外の記録層の組成は次式で表される
範囲内にあることがさらに好ましい。 Ｍz （Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．５ ０．２ ≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ここで、Ｍはパラジウム、ニオブ、白金、銀、金、コバ
ルトから選ばれる少なくとも一種の金属を表す。また、
ｘ、ｙ、ｚ、及び数字は、各元素の原子の数（各元素の
モル数）を表す。
範囲内にあることがさらに好ましい。 Ｍz （Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （Ｇｅ0.5 Ｔｅ0.5 ）y ０．３５≦ｘ≦０．５ ０．２ ≦ｙ≦０．５ ０．０００５≦ｚ≦０．０１ ここで、Ｍはパラジウム、ニオブ、白金、銀、金、コバ
ルトから選ばれる少なくとも一種の金属を表す。また、
ｘ、ｙ、ｚ、及び数字は、各元素の原子の数（各元素の
モル数）を表す。
【００２０】また、本発明においては、記録、再生に用
いる光の波長をλ、第１誘電体層の厚さをｄ1 、屈折率
（実部）をｎ1 、記録層の厚さをｄr 、第二誘電体層の
厚さをｄ2 、屈折率（実部）をｎ2 、反射層の厚さをｄ
f とするとき、次式 ０．２５λ／ｎ１≦ｄ1 ≦０．７０λ／ｎ１ １０≦ｄr ≦４０（単位ｎｍ） １０≦ｄ2 ≦６０（単位ｎｍ） ４０≦ｄf ≦２００ ２≦ｎ1 ≦２．５ ２≦ｎ2 ≦２．５ を満足するように、層厚さが設定されることが好まし
い。
いる光の波長をλ、第１誘電体層の厚さをｄ1 、屈折率
（実部）をｎ1 、記録層の厚さをｄr 、第二誘電体層の
厚さをｄ2 、屈折率（実部）をｎ2 、反射層の厚さをｄ
f とするとき、次式 ０．２５λ／ｎ１≦ｄ1 ≦０．７０λ／ｎ１ １０≦ｄr ≦４０（単位ｎｍ） １０≦ｄ2 ≦６０（単位ｎｍ） ４０≦ｄf ≦２００ ２≦ｎ1 ≦２．５ ２≦ｎ2 ≦２．５ を満足するように、層厚さが設定されることが好まし
い。
【００２１】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行うことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行うことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
【００２２】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着貼合せ構造とし
てもよい。
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着貼合せ構造とし
てもよい。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 （分析、測定方法）反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
また、反射率は分光測色計（ミノルタ（株）製CM2002）
により測定した。記録層中の窒素量は核反応法により分
析した。記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚は、
水晶振動子膜厚計によりモニターした。
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
また、反射率は分光測色計（ミノルタ（株）製CM2002）
により測定した。記録層中の窒素量は核反応法により分
析した。記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚は、
水晶振動子膜厚計によりモニターした。
【００２４】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．２μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分４
０回転で回転させながら、マグネトロンスパッタ法によ
り、記録層、誘電体層、反射層を形成した。
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分４
０回転で回転させながら、マグネトロンスパッタ法によ
り、記録層、誘電体層、反射層を形成した。
【００２５】まず、真空容器内を６×１０-4Ｐａまで排
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｉ
Ｏ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板
上に膜厚１５０ｎｍの屈折率２．１の第１誘電体層を形
成した。さらに、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金のター
ゲットをスパッタして、Ｇｅ0.17Ｓｂ0.264 Ｔｅ0.56 6
の膜厚２３ｎｍの記録層を形成した。さらに再び、第１
誘電体層と同様の材質の第２誘電体層を３５ｎｍ形成
し、次にＰｄ0.001 Ｈｆ0.02Ａｌ0.979 合金の膜厚７０
ｎｍの反射層を形成した。
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｉ
Ｏ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板
上に膜厚１５０ｎｍの屈折率２．１の第１誘電体層を形
成した。さらに、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金のター
ゲットをスパッタして、Ｇｅ0.17Ｓｂ0.264 Ｔｅ0.56 6
の膜厚２３ｎｍの記録層を形成した。さらに再び、第１
誘電体層と同様の材質の第２誘電体層を３５ｎｍ形成
し、次にＰｄ0.001 Ｈｆ0.02Ａｌ0.979 合金の膜厚７０
ｎｍの反射層を形成した。
【００２６】このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫外線照射
により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成した。
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫外線照射
により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成した。
【００２７】次に、上記のようにして作製したディスク
を熱風オーブン中で１２３℃、２０分間のアニールを行
ったところ、図１に示すように反射率の向上が認められ
た。波長６８０ｎｍで１３％の反射率向上があった。
を熱風オーブン中で１２３℃、２０分間のアニールを行
ったところ、図１に示すように反射率の向上が認められ
た。波長６８０ｎｍで１３％の反射率向上があった。
【００２８】その後、線速度１２ｍ／秒の条件で、対物
レンズの開口数０．４７、半導体レーザーの波長７９０
ｎｍの光学ヘッドを使用して、周波数８．８７ＭＨｚ
で、ボトムパワーをピークパワーの半分にし、ピークパ
ワー８〜１７ｍＷの間で変化させて、１条件につき１回
のみの信号記録をそれぞれ別のトラックで行った。次に
この記録信号を、再生パワー１．０ｍＷ、バンド幅３０
ｋＨｚの条件でキャリアとノイズを測定しＣ／Ｎ値を求
めた。その結果を図２に示した。記録パワー１３ｍＷ以
上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。次
に、上記のようにして信号記録したトラックに、周波数
だけを３．３３ＭＨｚに変えて、同様の信号記録を行っ
た後に、前記と同様にして８．８７ＭＨｚのキャリアを
測定し、この値と前記キャリア値との差を消去率として
求めた。その結果を図３に示した。実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上の消去率が、５．４ｍＷから７．６ｍの広い範囲
で得られていることがわかる。
レンズの開口数０．４７、半導体レーザーの波長７９０
ｎｍの光学ヘッドを使用して、周波数８．８７ＭＨｚ
で、ボトムパワーをピークパワーの半分にし、ピークパ
ワー８〜１７ｍＷの間で変化させて、１条件につき１回
のみの信号記録をそれぞれ別のトラックで行った。次に
この記録信号を、再生パワー１．０ｍＷ、バンド幅３０
ｋＨｚの条件でキャリアとノイズを測定しＣ／Ｎ値を求
めた。その結果を図２に示した。記録パワー１３ｍＷ以
上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。次
に、上記のようにして信号記録したトラックに、周波数
だけを３．３３ＭＨｚに変えて、同様の信号記録を行っ
た後に、前記と同様にして８．８７ＭＨｚのキャリアを
測定し、この値と前記キャリア値との差を消去率として
求めた。その結果を図３に示した。実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上の消去率が、５．４ｍＷから７．６ｍの広い範囲
で得られていることがわかる。
【００２９】同様にして１００回オーバーライト記録し
た後の、Ｃ／Ｎおよび消去率の測定結果を図４、５に示
した。Ｃ／Ｎ、消去率のいずれも一回記録の場合同様、
実用上十分な特性が得られていることがわかる。
た後の、Ｃ／Ｎおよび消去率の測定結果を図４、５に示
した。Ｃ／Ｎ、消去率のいずれも一回記録の場合同様、
実用上十分な特性が得られていることがわかる。
【００３０】さらに線速１２ｍ／ｓでピーク・パワー１
３ｍＷ、ボトムパワー６．５ｍＷ、周波数８．８７ＭＨ
ｚの条件で、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを
１万回行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去
率の変化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認め
られなかった。
３ｍＷ、ボトムパワー６．５ｍＷ、周波数８．８７ＭＨ
ｚの条件で、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを
１万回行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去
率の変化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認め
られなかった。
【００３１】実施例２ ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素を含むターゲットを用いて作製
した結果、第一誘電体層に炭素を２．５原子％添加した
以外は実施例１と同様にして作製したディスクを用い
て、実施例１と同様にしてアニールしたところ、アニー
ル前後で波長６８０ｎｍで１３％の反射率向上があっ
た。
した結果、第一誘電体層に炭素を２．５原子％添加した
以外は実施例１と同様にして作製したディスクを用い
て、実施例１と同様にしてアニールしたところ、アニー
ル前後で波長６８０ｎｍで１３％の反射率向上があっ
た。
【００３２】実施例３ ＺｎＳとＳｉＯ2 と炭素を含むターゲットを用いて作製
した結果、第二誘電体層に炭素を５原子％添加した以外
は実施例１と同様にして作製したディスクを用いて、実
施例１と同様にしてアニールしたところ、アニール前後
で波長６８０ｎｍで１３％の反射率向上があった。
した結果、第二誘電体層に炭素を５原子％添加した以外
は実施例１と同様にして作製したディスクを用いて、実
施例１と同様にしてアニールしたところ、アニール前後
で波長６８０ｎｍで１３％の反射率向上があった。
【００３３】実施例４ 記録層に組成Ｇｅ0.222 Ｓｂ0.223 Ｔｅ0.555 のものを
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１２８℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１４％の反射率向上
があった。
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１２８℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１４％の反射率向上
があった。
【００３４】実施例５ 記録層に組成Ｐｄ0.0016Ｎｂ0.0064Ｇｅ0.168 Ｓｂ
0.263 Ｔｅ0.561 のものを用いた以外は実施例１と同様
にして作製したディスクを温度を１３０℃とした以外は
実施例１と同様にしてアニールしたとことろ波長６８０
ｎｍで１２％の反射率向上があった。
0.263 Ｔｅ0.561 のものを用いた以外は実施例１と同様
にして作製したディスクを温度を１３０℃とした以外は
実施例１と同様にしてアニールしたとことろ波長６８０
ｎｍで１２％の反射率向上があった。
【００３５】実施例６ 記録層に組成Ｐｄ0.0012Ｇｅ0.168 Ｓｂ0.265 Ｔｅ
0.565 のものを用いた以外は実施例１と同様にして作製
したディスクを温度を１２８℃とした以外は実施例１と
同様にしてアニールしたとことろ波長６８０ｎｍで１２
％の反射率向上があった。
0.565 のものを用いた以外は実施例１と同様にして作製
したディスクを温度を１２８℃とした以外は実施例１と
同様にしてアニールしたとことろ波長６８０ｎｍで１２
％の反射率向上があった。
【００３６】実施例７ 記録層に組成Ｇｅ0.176 Ｓｂ0.256 Ｔｅ0.568 のものを
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１２８℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１３％の反射率向上
があった。
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１２８℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１３％の反射率向上
があった。
【００３７】実施例８ 記録層に組成Ｇｅ0.201 Ｓｂ0.241 Ｔｅ0.558 のものを
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１２８℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１４％の反射率向上
があった。
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１２８℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１４％の反射率向上
があった。
【００３８】実施例９ 記録層に組成Ｇｅ0.183 Ｓｂ0.264 Ｔｅ0.553 のものを
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１３０℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１４％の反射率向上
があった。
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１３０℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１４％の反射率向上
があった。
【００３９】実施例１０ 記録層に組成Ｇｅ0.185 Ｓｂ0.271 Ｔｅ0.544 のものを
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１４０℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１２％の反射率向上
があった。
用いた以外は実施例１と同様にして作製したディスクを
温度を１４０℃とした以外は実施例１と同様にしてアニ
ールしたとことろ波長６８０ｎｍで１２％の反射率向上
があった。
【００４０】実施例１１ 基板に厚さ１．２ｍｍのガラス基板を用い、記録層の組
成をＡｇ4.6Ｉｎ6.4Ｓｂ62Ｔe27を用いた以外は実施例
１と同様にして作製したディスクを温度を２００℃とし
た以外は実施例１と同様にしてアニールしたところ、波
長４００〜８００ｎｍの全域で１０％以上の反射率上昇
があった。
成をＡｇ4.6Ｉｎ6.4Ｓｂ62Ｔe27を用いた以外は実施例
１と同様にして作製したディスクを温度を２００℃とし
た以外は実施例１と同様にしてアニールしたところ、波
長４００〜８００ｎｍの全域で１０％以上の反射率上昇
があった。
【００４１】実施例１２ 厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、０．７４μｍピッチの
スパイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分
３０回転で回転させながら、マグネトロンスパッタ法に
より、記録層、誘電体層、反射層を形成した。
スパイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分
３０回転で回転させながら、マグネトロンスパッタ法に
より、記録層、誘電体層、反射層を形成した。
【００４２】まず、真空容器内を６×１０-4Ｐａまで排
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｉ
Ｏ2 をスパッタし、基板上に膜厚３５ｎｍのＳｉＯ2 層
を形成し、次にＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳ
をスパッタし、基板上に膜厚１０２ｎｍの屈折率２．１
の層を形成した。さらに、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合
金のターゲットをスパッタして、Ｇｅ0.183Ｓｂ0.273
Ｔｅ0.544 の膜厚１９ｎｍの記録層を形成した。さらに
再び、第１誘電体層と同様の材質の第２誘電体層を１６
ｎｍ形成し、次にＰｄ0.001 Ｈｆ0.02Ａｌ0.979 合金の
膜厚１６０ｎｍの反射層を形成した。
気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｉ
Ｏ2 をスパッタし、基板上に膜厚３５ｎｍのＳｉＯ2 層
を形成し、次にＳｉＯ2 を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳ
をスパッタし、基板上に膜厚１０２ｎｍの屈折率２．１
の層を形成した。さらに、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合
金のターゲットをスパッタして、Ｇｅ0.183Ｓｂ0.273
Ｔｅ0.544 の膜厚１９ｎｍの記録層を形成した。さらに
再び、第１誘電体層と同様の材質の第２誘電体層を１６
ｎｍ形成し、次にＰｄ0.001 Ｈｆ0.02Ａｌ0.979 合金の
膜厚１６０ｎｍの反射層を形成した。
【００４３】このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫外線照射
により硬化させて膜厚５μｍの樹脂層を形成した。
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫外線照射
により硬化させて膜厚５μｍの樹脂層を形成した。
【００４４】次に、上記のようにして作製したディスク
を熱風オーブン中で１３５℃、７０分間のアニールを行
ったところ、図６に示すように反射率の向上が認められ
た。波長６８０ｎｍで１６％の反射率向上があった。
を熱風オーブン中で１３５℃、７０分間のアニールを行
ったところ、図６に示すように反射率の向上が認められ
た。波長６８０ｎｍで１６％の反射率向上があった。
【００４５】その後、線速度６ｍ／秒の条件で、対物レ
ンズの開口数０．６、半導体レーザーの波長６８０ｎｍ
の光学ヘッドを使用して、８−１６変調したランダムパ
ターンでウィンドウ幅３４．２ｎｓの条件で繰り返し記
録を行い、タイムインターバルアナライザーで、エッジ
・トゥ・エッジのジッタ測定を行った。その結果を図７
に示した。１０万回繰り返し記録時でも、ジッタが実用
レベル目標であるウインドウ幅の１５％以下に収まって
いることがわかる。
ンズの開口数０．６、半導体レーザーの波長６８０ｎｍ
の光学ヘッドを使用して、８−１６変調したランダムパ
ターンでウィンドウ幅３４．２ｎｓの条件で繰り返し記
録を行い、タイムインターバルアナライザーで、エッジ
・トゥ・エッジのジッタ測定を行った。その結果を図７
に示した。１０万回繰り返し記録時でも、ジッタが実用
レベル目標であるウインドウ幅の１５％以下に収まって
いることがわかる。
【００４６】
【発明の効果】本発明により、低コストで容易に光記録
媒体の初期化をすることができる。
媒体の初期化をすることができる。
【図１】本発明の加熱処理による光記録媒体の反射率の
変化を示した図である。
変化を示した図である。
【図２】本発明の光記録媒体のピークパワーに対するＣ
／Ｎ値を示した図である。
／Ｎ値を示した図である。
【図３】本発明の光記録媒体のボトムパワーに対する消
去率を示した図である。
去率を示した図である。
【図４】本発明の光記録媒体の１００回オーバーライト
後のピークパワーに対するＣ／Ｎ値を示した図である。
後のピークパワーに対するＣ／Ｎ値を示した図である。
【図５】本発明の光記録媒体の１００回オーバーライト
後のボトムパワーに対する消去率を示した図である。
後のボトムパワーに対する消去率を示した図である。
【図６】本発明の光記録媒体の波長に対する反射率を示
した図である。
した図である。
【図７】本発明の光記録媒体の繰り返し記録時のジッタ
を示した図である。
を示した図である。
１：アニール前の反射率 ２：アニール後の反射率
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去、再生が可能であ
り、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行われる光記録媒体を製造するに際し、基板上
に、少なくとも記録層を形成した後に、該光記録媒体以
上の温度を有する気体、液体または固体を該光記録媒体
に接触させることにより、記録層を加熱し、非晶質から
結晶質に相変化させることを特徴とする光記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２】 記録層が少なくともＴｅもしくはＳｅを
含むことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造
方法。 - 【請求項３】 記録層が少なくともＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂを
含むことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造
方法。 - 【請求項４】 光記録媒体が透明基板上に、少なくとも
第１誘電体層、記録層および第２誘電体層をこの順に積
層した構造を有することを特徴とする請求項１記載の光
記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 光記録媒体が透明基板上に、少なくとも
第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこ
の順に積層した構造を有することを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 光記録媒体に接触させる気体、液体また
は固体の温度が１００℃以上、２３０℃以下であること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 光記録媒体に接触させる気体、液体また
は固体の温度が１０５℃以上、１８０℃以下であること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1663198A JPH10275367A (ja) | 1997-02-03 | 1998-01-29 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-20248 | 1997-02-03 | ||
| JP2024897 | 1997-02-03 | ||
| JP1663198A JPH10275367A (ja) | 1997-02-03 | 1998-01-29 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275367A true JPH10275367A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=26353009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1663198A Pending JPH10275367A (ja) | 1997-02-03 | 1998-01-29 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275367A (ja) |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP1663198A patent/JPH10275367A/ja active Pending
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