JPH087343A - 光記録媒体の製造方法、フォーマット方法および光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 初期化処理を高速化しても記録、消去特性が
良好で、繰り返し特性が安定した光記録媒体が得られる
製造方法を提供する。また、記録、消去特性が良好で、
繰り返し特性が安定した光記録媒体が得られるフォーマ
ット方法を提供する。 【構成】 基板上に形成された記録層に光を照射するこ
とによって、情報の記録、消去および再生が可能であ
り、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相
変化により行われる光記録媒体を製造する際、光を照射
して前記光記録媒体の記録層を非晶質状態から結晶状態
に変える初期化処理を行った後、記録パワーレベルが最
適記録パワー以下の値であってかつ消去パワーレベルが
最適消去パワーより高い値であるパワーでオーバライト
することを特徴とする光記録媒体の製造方法ならびに、
フォーマット方法およびかかる製造方法およびフォーマ
ット方法によりオーバーライトされたことを特徴とする
光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、非晶相と結晶相の間の
相変化により情報を記録、再生または消去を行う光記録
媒体の製造方法、フォーマット方法および光記録媒体に
関する。

【０００２】

【従来技術】結晶と非晶の相変化を利用した書換え可能
な光記録媒体は、結晶状態の記録層にレーザパルス光を
照射し加熱、溶融した後、急冷することで非晶質状態に
して記録を行い、記録マークに結晶化温度以上、融点よ
り低いパワーのレーザ光を照射することで非晶状態を結
晶状態に戻し消去するものである。上記記録方法として
は、最近、図１に示すように記録時に照射するレーザ光
の出力を再生パワーより高い２つのレベルで変調し、１
回の照射において高いレベルで記録、中間レベルで消去
するオーバライト（重ね書き記録）が一般的になってき
ている。

【０００３】従来、上記光記録媒体は、基板の上に蒸着
やスパッタリングなどの真空成膜法により、保護層、記
録層、反射層などを形成し、さらに、表面保護のため紫
外線硬化樹脂層を塗布形成し、必要に応じてさらに接着
剤を塗布し、２枚の光記録媒体を張合わせて製造してい
た。

【０００４】このように形成させた光記録媒体の記録層
は、一般に非晶質状態で形成される。したがって、上記
光記録媒体を使用する前に、情報を記録する全領域の記
録層を消去状態である結晶状態にする初期化処理を行っ
ている。

【０００５】この初期化処理方法としては、従来、特公
平2-45247 号公報に示されるような大パワーで連続発光
のアルゴンレーザ光などを光記録媒体に一度に広い領域
にわたって照射する方法や、特開昭62-250533 号公報に
示されるようにキセノンフラッシュランプにより光記録
媒体全面にフラッシュ露光して行う方法があった。

【０００６】さらに、一般には上記初期化処理を施した
光記録媒体を使用する前に、既知のデータを記録、再生
し、記録したデータと再生したデータを比較してエラー
を検出する欠陥検査を行い、良否の選別を行っている。

【０００７】また、データの書いてある部分とない部分
との反射率差でサーボゲインがばらつきフォーカシン
グ、トラッキング動作が不安定になるなどの問題があ
り、その問題を解決するためにも、も製造時に事前にデ
ータを光記録媒体に記録するなどの処理が必要であっ
た。

【０００８】一方、上記初期化処理を施した光記録媒体
を使用するまえに、製造者または使用者がドライブによ
りユーザ領域をデータセクタと交替セクタ分割し、数個
の欠陥管理領域を設けるフォーマット処理を一般に行な
っている。さらにこのフォーマット処理では、データセ
クタにデータを記録、再生し、媒体を検証して欠陥箇所
のセクタをセクタスリップ方式で排除または線形置換方
式で交替セクタと変換する処理を行い、欠陥セクタを排
除している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の製造方法またはフォーマット方法では、初期化処理を
高速化するために、例えばアルゴンレーザ光などレーザ
光を使用する処理方法では光記録媒体の回転速度を上げ
たり、光記録媒体全体を照射するために照射スポットを
半径方向に送る際の送りピッチを大きくする必要があっ
た。この場合、照射スポットの強度分布が一様でない領
域が限定されるために照射むらとなり、部分的に結晶化
が完全に進まず、初期化後の反射率が低くくかつむらが
発生していた。このため、記録初期の消去率が低くく、
さらに記録箇所や記録回数により大きく変動し安定した
特性が得られなかった。

【００１０】また、キセノンランプを使用する処理方法
では、ディスク全体を一度にフラッシュ露光できる利点
があるものの、単位面積当たりの露光量が小さくなるた
め数回の露光を必要とし、回数を減らすためフラッシュ
露光時の照射パワーをさらに上げると基板などに熱負荷
よるダメージを与え、光記録媒体の反りが大きくなり機
械特性が劣化するなどの問題や、熱により真空形成膜の
各層に微小なクラックが発生して欠陥になる恐れがあ
り、さらに光記録媒体の寿命、信頼性を著しく低下させ
てしまうという問題があった。

【００１１】以上のように従来の製造方法またはフォー
マット方法では、初期化処理を高速化すると、信頼性が
高く、初回記録から良好で安定した記録再生特性が得ら
れにくく、さらに特性を回復するのも困難であった。

【００１２】本発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み
創案されたもので、その目的とするところは、初回記録
から記録消去特性が良好、繰り返し特性が安定かつ信頼
性が高い光記録媒体が得られる製造方法、フォーマット
方法および該製造方法、フォーマット方法により処理し
た光記録媒体を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上に形成された記録層に光を照射することによっ
て、情報の記録、消去および再生が可能であり、情報の
記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により
行われる光記録媒体を製造する際、光を照射して前記光
記録媒体の記録層を非晶質状態から結晶状態に変える初
期化処理を行った後、記録パワーレベルが最適記録パワ
ー以下の値であってかつ消去パワーレベルが最適消去パ
ワーより高い値であるパワーでオーバライトすることを
特徴とする光記録媒体の製造方法により達成される。

【００１４】また、かかる本発明の目的は、基板上に形
成された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去および再生が可能であり、情報の記録および消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記
録媒体に、光を照射して前記光記録媒体の記録層を非晶
質状態から結晶状態に変える初期化処理を行った後、前
記光記録媒体にフォーマット処理を行う際、記録パワー
レベルが最適記録パワー以下の値であってかつ消去パワ
ーレベルが最適消去パワーより高い値であるパワーでオ
ーバライトすることを特徴とする光記録媒体のフォーマ
ット方法により達成される。

【００１５】本発明のように初期化後に最適記録パワー
以下の記録パワーレベルでかつ最適消去パワーより高い
消去パワーレベルでデータをオーバライトすることで、
該消去パワーレベルのレーザ照射により初期化後の結晶
化不足な部分の結晶成長を促進させ、反射率を上昇させ
ることができる。これにより、ディスク上の結晶化むら
による反射率むらがなくなり、均一性が増し、さらにデ
ィスク全体の反射率を上げることにより、実際の記録に
おいて実現される記録マークをレーザ光でアニール消去
した部分での反射率との差が小さくなるため消去率が良
くなり、初期特性を安定化できる。

【００１６】本発明においては、記録パワーレベルが最
適記録パワー以下の値であってかつ消去パワーレベルが
最適消去パワーより高い値であるパワーでオーバライト
することが重要である。

【００１７】本発明において、オーバライトを行う時の
最適記録パワーＰcwとは、図２に示すＣ／Ｎの記録パワ
ー依存曲線の変曲点である最低記録パワーＰlwの１．２
５倍の値をいう。本発明によるオーバライト時の記録パ
ワーＰw としては最適記録パワーＰcw以下であることが
必要であり、より好ましくは０．８×Ｐcw≦Ｐw ≦Ｐcw
の範囲、さらに好ましくは０．８×Ｐcw≦Ｐw ≦０．９
×Ｐcwの範囲である。記録パワーが最適記録パワーＰcw
より高い場合、オーバライト時の消去幅より記録マーク
が大きくなり消し残りの原因となり好ましくない。ま
た、記録パワーは最低記録パワーＰlw以上であることが
好ましい。記録パワーが最低記録パワーＰlwより低い場
合は、記録された信号強度がディスクに要求されるＣ／
Ｎ値より低くなるために、オーバーライトが十分できな
い。

【００１８】本発明において、オーバライトを行う時の
最適消去パワーＰceとは、図３に示す消去率曲線の変曲
点Ｐ1 とＰ2 との中心パワーＰceをいう。また、消去パ
ワーＰe は、記録層が溶融しない最大パワーより低いこ
とが好ましい。ここで、記録層が溶融しない最大パワー
とは、図１の消去パワーレベルを再生パワーレベルと同
じにして記録した時の再生信号のＣ／Ｎ値が立上がり始
めるパワーＰm をいう。本発明によるオーバライトする
時の消去パワーＰe は、最適消去パワーＰceより高いこ
とが必要であり、より好ましくは消去パワーで記録層が
溶融しない最大パワーＰm に対して、１．０５×Ｐce<
Ｐe ≦Ｐm の範囲、さらに好ましくは、図３に示すＣ／
Ｎの消去パワー依存曲線の変曲点の消去パワーをＰheと
するとき、１．１×Ｐce< Ｐe ≦Ｐheの範囲である。消
去パワーが最適消去パワー以下の場合、初期化処理によ
る結晶化が不十分となっており、トラック全体にわたっ
て結晶成長が大きく促進させる温度領域まで記録層内部
の温度が上昇しないので好ましくない。消去パワーが記
録層の溶融するパワー以上であると、記録マーク以外に
非晶質状態な部分が発生したり、マーク自身が歪んだり
し、記録された信号強度がディスクに要求されるＣ／Ｎ
値より低くなるなどして好ましくない。

【００１９】本発明の方法において、データをオーバラ
イトする時の信号パターンは特に限定されないが、欠陥
検査をするために規定の決まったパターンの方が検査処
理が簡易となり好ましい。

【００２０】本発明において、欠陥検査は通常、本発明
の記録条件によりフォーマット処理をし記録した既知パ
ターンのデータと再生したデータをコンピュータなどの
計算機によりデータ比較し、バイトエラーレイト、ビッ
トエラーレイトなどを算出して行う。

【００２１】本発明の光記録媒体の代表的な構成として
は、透明基板／第一の誘電体層／記録層／第二の誘電体
層／反射層の積層体からなる（ここで光は基板側から入
射する）。ただしこれに限定するものではなく、上記構
成の反射層上に本発明の効果を損なわない範囲でＳｉＯ
2 やＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの保護層、紫外線硬
化樹脂などの樹脂層、および、他の基板と張り合わせる
ための接着剤層などを設けたものでもよい。また、上記
構成において反射層がないものでもよい。

【００２２】本発明の光記録媒体は、透明基板上に第一
の誘電体層、記録層、第二の誘電体層、反射層の順に形
成し、その後、表面保護のため紫外線硬化樹脂層などの
樹脂層を塗布形成し製造される。さらに、必要に応じて
２枚の光記録媒体を張合わせ製造される。また、紫外線
硬化樹脂の代りに、反射層の上にＳｉＯ2 やＺｎＳ、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ2 などの第三の誘電体層を形成したり、さ
らにその上に紫外線硬化樹脂層を塗布形成し製造しても
よい。

【００２３】ここで、非晶質状態の記録層の初期化処理
は、反射層を形成した後ならいつでもよく、ＳｉＯ2 や
ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などの第三の誘電体層およ
び、紫外線硬化樹脂層を塗布形成した後に行なったり、
２枚の光記録媒体を張合わせた後に行なってもさしつか
えない。

【００２４】誘電体層、記録層、反射層を形成する方法
としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば電子ビ
ーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法などがあげられる。特に組成、膜厚のコン
トロールが容易であることから、スパッタリング法が好
ましい。

【００２５】形成する記録層などの厚さの制御は、公知
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。

【００２６】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。

【００２７】２枚の光記録媒体の張合わせ構造は、公知
のエアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、
密着張合せ構造などあげられる。特に、ホットメルト接
着剤などの接着剤による密着張合せ構造が高温高湿下に
おける機械特性の劣化が少ないので好ましい。

【００２８】紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層およびホ
ットメルト接着剤などの接着剤を塗布する方法として
は、公知の塗布方法、例えばスプレー法、コーター法、
印刷法、スピンナー法などが挙げられるが、均一に生産
性よく塗布できるので、紫外線硬化樹脂はスピンナー、
ホットメルト接着剤はロールコーターにより塗布するの
が好ましい。また、２枚の光記録媒体の張合わせは、プ
レス装置にて加圧して行う。

【００２９】初期化方法は、アルゴンレーザ、ヘルウム
・カドミウムレーザなどのガスレーザおよび半導体レー
ザなどのレーザ光、キセノンフラッシュランプなどの光
を光記録媒体に照射して行う方法があげられる。特に、
レーザ光による初期化が基板や紫外線樹脂層の熱変形に
よる反りやクッラクが生じにくいので好ましく、より好
ましくは装置が小型化でき、かつ消費電力も小さくで
き、生産コストが低くできることから半導体レーザを用
いることができる。

【００３０】次に、本発明の光記録媒体について述べ
る。

【００３１】基板は、プラスチック、ガラス、アルミニ
ウムなど従来の記録媒体の基板と同様なものでよい。ほ
こり、基板の傷などの影響をさける目的で、集束した光
ビームを用いて、基板側から記録を行う場合には、基板
として透明材料を用いることが好ましい。この様な材料
としては、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル・メ
タクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂などがあげられる。特に、光学的複屈折が
小さく、吸湿性が小さく、成形が容易であることからポ
リカーボネート樹脂、エポキシ樹脂が好ましい。特に耐
熱性が要求される場合には、エポキシ樹脂が好ましい。

【００３２】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。

【００３３】誘電体層は、記録時に基板、記録層などが
熱によって変形し記録特性が劣化することを防止するな
ど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学的な干渉
効果により、再生時の信号コントラストを大きくする効
果がある。この誘電体層としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、
窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜があ
る。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａなどの金属の酸化物薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒
化物の薄膜、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄
膜およびこれらの化合物の混合膜が、耐湿熱が高いこと
から好ましい。また、これらにＭｇＦ2 などのフッ化物
の混合したものも、膜の残留応力が小さいことから好ま
しい。特にＺｎＳとＳｉＯ2 の混合膜は、記録、消去の
繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの
劣化が起きにくいことから好ましい。

【００３４】第１および第２誘電体層の厚さは、およそ
１０〜５００ｎｍである。第１誘電体層は、基板や記録
層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこと
から、１０〜４００ｎｍが好ましい。また、第２誘電体
層は、Ｃ／Ｎ、消去率など記録特性、安定に多数回の書
換えが可能なことから１０〜２００ｎｍが好ましい。

【００３５】記録層としては、特に限定するものではな
いが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ
合金などがある。Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回
の記録、消去の繰り返しが可能であることから好まし
い。

【００３６】記録層の厚さとしては、特に限定するもの
ではないが１０〜１５０ｎｍである。特に記録、消去感
度が高く、多数回の記録消去が可能であることから１０
ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好ましい。

【００３７】反射層は、光学的な干渉効果により、再生
時の信号コントラストを改善すると共に、冷却効果によ
り、非晶状態の記録マークの形成を容易にし、かつ消去
特性、繰り返し特性を改善する効果がある。この反射層
としては、Ａｌ、Ａｕなどの光反射性が高い金属やこれ
らを主成分とする合金、およびこれらの金属にＡｌ、Ｓ
ｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物
などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。Ａ
ｌ、Ａｕなどの金属、およびこれらを主成分とする合金
は、光反射性が高く、かつ熱伝導率が高くできることか
ら好ましい。とりわけ、耐腐食性が良好でヒロックなど
の発生が起りにくいことから、反射層を添加元素を合計
で０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ−Ｃｒ合金、、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−
Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合
金のいずれかのＡｌを主成分とする合金の構成すること
が好ましい。

【００３８】反射層の厚さとしては、特に限定するもの
ではないが、３０ｎｍから３００ｎｍである。特に記
録、消去感度が高く、かつ消去率などの消去特性に優れ
ることから６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の実施例に基づいて具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。

【００４０】なお実施例中の特性は以下の方法に基づい
て評価したものである。

【００４１】（１）組成 記録層、誘電体層の組成は、ＩＣＰ発光分析（セイコー
電子工業（株）製ＦＴＳ−１１００型）によって各元素
の含有量を求め、組成比を算出した。

【００４２】（２）記録、消去特性（１ビームオーバラ
イト特性） 初期化した光記録媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、デ
ィスク半径３０ｍｍ付近で基板側から周波数３．７ＭＨ
ｚ、パルス幅５０ｎｓで変調した波長８３０ｎｍの半導
体レーザ光を開口数０．５３の対物レンズで集光照射し
オーバライト記録を行なった。記録後、１．５ｍＷの半
導体レーザ光で記録部分を走査し記録の再生を行った。
さらに、記録部分を先の条件の周波数を１．４ＭＨｚに
変更しオーバライト記録を行ない３．７ＭＨｚの記録信
号を消去した後、先と同一の条件で再生を行なった。記
録後および消去後再生信号をそれぞれスペクトラム・ア
ナライザによりバンド幅３０ｋＨｚの条件でキャリヤレ
ベルとノイズレベルを測定し、キャリヤ対ノイズ比（Ｃ
／Ｎ）を求め、さらに３．７ＭＨｚの記録時のキャリヤ
レベルと１．４ＭＨｚの記録時（３．７ＭＨｚの消去
時）の３．７ＭＨｚのキャリヤレベルの差を消去率とし
て求めた。上記測定を１回から１００回まで繰り返し行
い、１回目については３０トラックを２トラック毎に測
定した。

【００４３】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍ、１．６μｍピッチの
ＩＳＯ準処フォーマットのポリカーボネート製基板を毎
分３０回転で回転させながら、ＲＦマグネトロンスパッ
タリング法により記録層、誘電体層、および反射層を形
成した。

【００４４】まず、７×１０^-5Ｐａまで排気した後、６
×１０^-1Ｐａのアルゴンガス雰囲気中で基板上にＺｎＳ
とＳｉＯ2 のモル比が８０：２０のＺｎＳ−ＳｉＯ2 の
ターゲットをスパッタし第１誘電体層を１７０ｎｍ形成
した。次に、ＮｂＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをスパッ
タしてＮｂ0.3 Ｇｅ18.2Ｓｂ26.6Ｔｅ54.9（原子％）の
元素組成の記録層を２５ｎｍ形成した。さらに、第２誘
電体層をＺｎＳ−ＳｉＯ2 のターゲットをスパッタし２
０ｎｍ形成し、その上に反射層としてＨｆ1.4Ｐｄ0.2
Ａｌ98.4合金をスパッタし１４０ｎｍ形成した。さら
に、このディスクを真空容器より取り出した後、反射層
上に紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、そ
の後紫外線を照射して硬化させ１０μｍの保護樹脂層を
形成した。

【００４５】次に、このディスクを線速度７．５ｍ／秒
で回転させ、基板側から半値全幅が４５×２５μｍの長
円に集光した波長８１０ｎｍの半導体レーザ光を送りピ
ッチが１回転で２５μｍ、膜面強度１．４Ｗの条件で照
射して全面を初期化した。このときの初期化処理時間は
５０秒であった。以上により本発明の処理を行う光記録
媒体を得た。

【００４６】前記評価方法により繰り返し１００回目の
特性を測定した結果の記録特性を、Ｃ／Ｎの記録パワー
依存曲線として、図４に示し、消去特性を、消去率曲線
およびＣ／Ｎの消去パワー依存曲線として、図５に示
す。

【００４７】図４および図５から、この光記録媒体の最
低記録パワーＰlwは１６ｍＷ、最適記録パワーＰcwは２
０ｍＷ、Ｐ1 は６ｍＷ、Ｐ2 は１０ｍＷ、Ｐheは１１ｍ
Ｗ、最適消去パワーＰceは８ｍＷであった。

【００４８】上記光記録媒体に、記録パワー１８ｍＷ、
消去パワー１０ｍＷの条件で２−７変調のランダム信号
のデータをデータ領域の全トラックにオーバーライト記
録した。その後、前記評価方法により最適記録パワーお
よび最適消去パワーで特性を測定した結果を表１に示
す。

【００４９】

【表１】

【００５０】表１から明らかなように本発明の光記録媒
体は、初回より良好で安定した特性が得られた。また、
記録トラックによる特性のばらつきはほとんどなかっ
た。さらに、オーバーライト処理後、オーバーライト時
に記録したデータとそれを再生したデータとを比較して
欠陥検査を行った。その結果、この光記録媒体のビット
エラーレイト（ＢＥＲ）は、１．６×１０^-6で良好な値
であった。

【００５１】実施例２ オーバーライトの記録パワー１７ｍＷ、消去パワー９ｍ
Ｗの条件で２−７変調のランダム信号のデータをデータ
領域の全トラックにオーバーライトを行う以外は実施例
１と同様にオーバーライト記録した。

【００５２】その後、前記評価方法により最適記録パワ
ーおよび最適消去パワーで特性を測定した結果を表２に
示す。

【００５３】

【表２】

【００５４】表２から明らかなように本発明の光記録媒
体は、初回より良好で安定した特性が得られた。また、
記録トラックによる特性のばらつきはほとんどなかっ
た。さらに、オーバーライト処理後、オーバーライト時
に記録したデータとそれを再生したデータとを比較して
欠陥検査を行った。その結果、この光記録媒体のＢＥＲ
は、１．６×１０^-6で良好な値であった。

【００５５】実施例３ 実施例１の記録層を、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 合金ターゲッ
トでスパッタして形成した他は、実施例１と同様に光記
録媒体を製造し、実施例１と同様にオーバーライトを行
った。

【００５６】前記評価方法により繰り返し１００回目の
特性を測定した結果の記録特性を、Ｃ／Ｎの記録パワー
依存曲線として、図６に示し、消去特性を、消去率曲線
およびＣ／Ｎの消去パワー依存曲線として、図７に示
す。

【００５７】図６および図７から、この光記録媒体の最
低記録パワーＰlwは１６．８ｍＷ、最適記録パワーＰcw
は２１ｍＷ、Ｐ1 は６．５ｍＷ、Ｐ2 は１０．５ｍＷ、
Ｐheは１１．５ｍＷ、最適消去パワーＰceは８．５ｍＷ
であった。

【００５８】上記光記録媒体に、記録パワー１９ｍＷ、
消去パワー１０．５ｍＷの条件で２−７変調のランダム
信号のデータをデータ領域の全トラックにオーバーライ
ト記録した。その後、前記評価方法により最適記録パワ
ーおよび最適消去パワーで特性を測定した結果を表３に
示す。

【００５９】

【表３】

【００６０】表３より明らかなように実施例の光記録媒
体は、初回より良好で安定した特性が得られた。また、
記録トラックによる特性のばらつきはほとんどなかっ
た。さらに、ここでの評価に用いた欠陥検査は記録した
ランダムデータとそれを再生したデータとで比較して行
った。この光記録媒体のＢＥＲは、１．８×１０^-6で良
好な値であった。

【００６１】比較例１ 初期化処理後、オーバーライトを記録パワー２１ｍＷ、
消去パワー１０ｍＷの条件で行う以外は、実施例１と同
様にオーバーライトを行った。

【００６２】その後、前記評価方法により最適記録パワ
ーおよび最適消去パワーで特性を測定した結果を表４に
示す。

【００６３】

【表４】

【００６４】表４から明らかなように比較例の光記録媒
体は、初期の消去率が低く、さらに５ｄＢ以上変動し、
良好で安定な特性が得られなかった。

【００６５】比較例２ 初期化処理後、オーバーライトを記録パワー１８ｍＷ、
消去パワー７ｍＷの条件で行う以外は、実施例１と同様
にオーバーライトを行った。

【００６６】その後、前記評価方法により最適記録パワ
ーおよび最適消去パワーで特性を測定した結果を表５に
示す。

【００６７】

【表５】

【００６８】表５から明らかなように比較例の光記録媒
体は、初期の消去率が低く、さらに５ｄＢ以上変動し、
良好で安定な特性が得られなかった。

【００６９】

【発明の効果】本発明は、相変化を利用した書換え可能
な光記録媒体を初期化処理後、特定の条件でオーバーラ
イトするので、実際のデータの初回記録から良好で安定
した特性の光記録媒体が得られる。また、初期化時の生
産性も向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 オーバライト時のレーザ変調を説明するため
のレーザパワー出力と時間の関係を示す図である。

【図２】 最適記録パワーを説明するためのＣ／Ｎの記
録パワー依存曲線を示す図である。

【図３】 最適消去パワーと最大消去パワーを説明する
ための消去率曲線およびＣ／Ｎの消去パワー依存曲線を
示す図である。

【図４】 実施例１の光記録媒体における、Ｃ／Ｎの記
録パワー依存曲線を示す図である。

【図５】 実施例１の光記録媒体における、消去率曲線
およびＣ／Ｎの消去パワー依存曲線を示す図である。

【図６】 実施例３の光記録媒体における、Ｃ／Ｎの記
録パワー依存曲線を示す図である。

【図７】 実施例３の光記録媒体における、消去率曲線
およびＣ／Ｎの消去パワー依存曲線を示す図である。

【符号の説明】

１：レーザ変調 ２：Ｃ／Ｎの記録パワー依存曲線 ３：Ｃ／Ｎの消去パワー依存曲線 ４：消去率曲線 ５：実施例１のＣ／Ｎの記録パワー依存曲線 ６：実施例１のＣ／Ｎの消去パワー依存曲線 ７：実施例１の消去率曲線 ８：実施例３のＣ／Ｎの記録パワー依存曲線 ９：実施例３のＣ／Ｎの消去パワー依存曲線 １０：実施例３消去率曲線

【手続補正書】

【提出日】平成６年９月９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００７】また、データの書いてある部分とない部分
との反射率差でサーボゲインがばらつきフォーカシン
グ、トラッキング動作が不安定になるなどの問題があ
り、その問題を解決するためにも、製造時に事前にデー
タを光記録媒体に記録するなどの処理が必要であった。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】一方、上記初期化処理を施した光記録媒体
を使用するまえに、製造者または使用者がドライブによ
りユーザ領域をデータセクタと交替セクタとに分割し、
数個の欠陥管理領域を設けるフォーマット処理を一般に
行なっている。さらにこのフォーマット処理では、デー
タセクタにデータを記録、再生し、媒体を検証して欠陥
箇所のセクタをセクタスリップ方式で排除または線形置
換方式で交替セクタと変換する処理を行い、欠陥セクタ
を排除している。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１２】本発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み
創案されたもので、その目的とするところは、初回記録
から記録消去特性が良好、繰り返し特性が安定かつ信頼
性が高い光記録媒体が得られる製造方法、フォーマット
方法および該製造方法、フォーマット方法により処理し
た光記録媒体を提供することにある。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】かかる本発明の目的は、基板上に形成され
た記録層に光を照射することによって、情報の記録、消
去および再生が可能であり、情報の記録および消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体
を製造する際、光を照射して前記光記録媒体の記録層を
非晶質状態から結晶状態に変える初期化処理を行った
後、記録パワーレベルが最適記録パワー以下の値であっ
てかつ消去パワーレベルが最適消去パワーより高い値で
あるパワーでオーバライトすることを特徴とする光記録
媒体の製造方法により達成される。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】本発明において、オーバライトを行う時の
最適消去パワーＰceとは、図３に示す消去率曲線の変曲
点Ｐ1 とＰ2 との中心パワーＰceをいう。また、消去パ
ワーＰe は、記録層が溶融しない最大パワーより低いこ
とが好ましい。ここで、記録層が溶融しない最大パワー
とは、図１の消去パワーレベルを再生パワーレベルと同
じにして記録した時の再生信号のＣ／Ｎ値が立上がり始
めるパワーＰm をいう。本発明によるオーバライトする
時の消去パワーＰe は、最適消去パワーＰceより高いこ
とが必要であり、より好ましくは消去パワーで記録層が
溶融しない最大パワーＰm に対して、１．０５×Ｐce<
Ｐe ≦Ｐm の範囲、さらに好ましくは、図３に示すＣ／
Ｎの消去パワー依存曲線の変曲点の消去パワーをＰheと
するとき、１．１×Ｐce< Ｐe ≦Ｐheの範囲である。消
去パワーが最適消去パワー以下の場合、トラック全体に
わたって結晶成長が大きく促進される温度領域まで記録
層内部の温度が上昇しないため、初期化後の結晶化不足
の恐れのある部分の結晶化が進まないので好ましくな
い。消去パワーが記録層の溶融するパワー以上である
と、記録マーク以外に非晶質状態な部分が発生したり、
マーク自身が歪んだりし、記録された信号強度がディス
クに要求されるＣ／Ｎ値より低くなるなどして好ましく
ない。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２０】本発明において、欠陥検査は通常、本発明
の記録条件によりオーバーライトした既知パターンのデ
ータと再生したデータをコンピュータなどの計算機によ
りデータ比較し、バイトエラーレイト、ビットエラーレ
イトなどを算出して行う。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４２】（２）記録、消去特性（１ビームオーバラ
イト特性） 初期化した光記録媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、デ
ィスク半径３０ｍｍ付近で基板側から周波数３．７ＭＨ
ｚ、パルス幅５０ｎｓで変調した波長８３０ｎｍの半導
体レーザ光を開口数０．５３の対物レンズで集光照射し
オーバライトを行なった。記録後、１．５ｍＷの半導体
レーザ光で記録部分を走査し記録の再生を行った。さら
に、記録部分を先の条件の周波数を１．４ＭＨｚに変更
しオーバライトを行ない３．７ＭＨｚの記録信号を消去
した後、先と同一の条件で再生を行なった。記録後およ
び消去後再生信号をそれぞれスペクトラム・アナライザ
によりバンド幅３０ｋＨｚの条件でキャリヤレベルとノ
イズレベルを測定し、キャリヤ対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）を
求め、さらに３．７ＭＨｚの記録時のキャリヤレベルと
１．４ＭＨｚの記録時（３．７ＭＨｚの消去時）の３．
７ＭＨｚのキャリヤレベルの差を消去率として求めた。
上記測定を１回から１００回まで繰り返し行い、１回目
については３０トラックを２トラック毎に測定した。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４４】まず、７×１０^-5Ｐａまで排気した後、６
×１０^-1Ｐａのアルゴンガス雰囲気中で基板上にＺｎＳ
とＳｉＯ2 のモル比が８０：２０のＺｎＳ−ＳｉＯ2 の
ターゲットをスパッタし第１誘電体層を１７０ｎｍ形成
した。次に、ＮｂＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをスパッ
タしてＮｂ0.3 Ｇｅ18.2Ｓｂ26.6Ｔｅ54.9（原子％）の
元素組成の記録層を２５ｎｍ形成した。さらに、第２誘
電体層をＺｎＳ−ＳｉＯ2 のターゲットをスパッタし２
０ｎｍ形成し、その上に反射層としてＨｆ1.4Ｐｄ0.2
Ａｌ98.4合金をスパッタし１４０ｎｍ形成した。さら
に、このディスクを真空容器より取り出した後、反射層
上に紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、そ
の後紫外線を照射して硬化させ１０μｍの保護樹脂層を
形成した。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４８】上記光記録媒体に、記録パワー１８ｍＷ、
消去パワー１０ｍＷの条件で２−７変調のランダム信号
のデータをデータ領域の全トラックにオーバーライトし
た。その後、前記評価方法により最適記録パワーおよび
最適消去パワーで特性を測定した結果を表１に示す。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５１】実施例２ オーバーライトの記録パワー１７ｍＷ、消去パワー９ｍ
Ｗの条件で２−７変調のランダム信号のデータをデータ
領域の全トラックにオーバーライトを行う以外は実施例
１と同様にオーバーライトした。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５５】実施例３ 実施例１の記録層を、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 合金ターゲッ
トでスパッタして形成した他は、実施例１と同様に光記
録媒体を製造した。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５８】上記光記録媒体に、記録パワー１９ｍＷ、
消去パワー１０．５ｍＷの条件で２−７変調のランダム
信号のデータをデータ領域の全トラックにオーバーライ
トした。その後、前記評価方法により最適記録パワーお
よび最適消去パワーで特性を測定した結果を表３に示
す。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
   ることによって、情報の記録、消去および再生が可能で
   あり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の
   相変化により行われる光記録媒体を製造する際、光を照
   射して前記光記録媒体の記録層を非晶質状態から結晶状
   態に変える初期化処理を行った後、記録パワーレベルが
   最適記録パワー以下の値であってかつ消去パワーレベル
   が最適消去パワーより高い値であるパワーでオーバライ
   トすることを特徴とする光記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 基板上に形成された記録層に光を照射す
   ることによって、情報の記録、消去および再生が可能で
   あり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の
   相変化により行われる光記録媒体に、光を照射して前記
   光記録媒体の記録層を非晶質状態から結晶状態に変える
   初期化処理を行った後、前記光記録媒体にフォーマット
   処理を行う際、記録パワーレベルが最適記録パワー以下
   の値であってかつ消去パワーレベルが最適消去パワーよ
   り高い値であるパワーでオーバライトすることを特徴と
   する光記録媒体のフォーマット方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の光記録媒体の製造方法に
   よりオーバーライトされたことを特徴とする光記録媒
   体。
4. 【請求項４】 請求項２記載のフォーマット方法により
   オーバーライトされたことを特徴とする光記録媒体。
5. 【請求項５】 オーバライトするときの記録パワーが最
   適記録パワーの０．８倍以上かつ最適記録パワー以下で
   あることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造
   方法。
6. 【請求項６】 オーバライトするときの記録パワーが最
   適記録パワーの０．８倍以上かつ最適記録パワー以下で
   あることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体のフォ
   ーマット方法。
7. 【請求項７】 オーバライトするときの消去パワーが最
   適消去パワーより高くかつ記録層が溶融しない最大パワ
   ーより低いことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体
   の製造方法。
8. 【請求項８】 オーバライトするときの消去パワーが最
   適消去パワーより高くかつ記録層が溶融しない最大パワ
   ーより低いことを特徴とする請求項２記載の光記録媒体
   のフォーマット方法。
9. 【請求項９】 オーバライトしたデータを再生して欠陥
   検査を行うことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体
   の製造方法。
10. 【請求項１０】 オーバライトしたデータを再生して欠
    陥検査を行うことを特徴とする請求項２記載の光記録媒
    体のフォーマット方法。