JP2933236B2 - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JP2933236B2 JP2933236B2 JP2229920A JP22992090A JP2933236B2 JP 2933236 B2 JP2933236 B2 JP 2933236B2 JP 2229920 A JP2229920 A JP 2229920A JP 22992090 A JP22992090 A JP 22992090A JP 2933236 B2 JP2933236 B2 JP 2933236B2
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- Japan
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- protective layer
- organic protective
- layer
- volume shrinkage
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光学的に情報の記録、再生あるいは消去を行
うのに好適な光ディスクに関する。
うのに好適な光ディスクに関する。
［従来の技術］ 光ディスクは情報記録層に入射された光の反射強度の
変化を情報として読み取る。このために、光ディスクの
歪み、すなわち、TILT角の値が大きくなると、読取り時
にフォーカスエラーおよびトラッキングエラーを生じて
しまう。
変化を情報として読み取る。このために、光ディスクの
歪み、すなわち、TILT角の値が大きくなると、読取り時
にフォーカスエラーおよびトラッキングエラーを生じて
しまう。
TILT角は、基板が吸湿するために生じる歪み、基板上
にスパッタにより情報記録層などを形成するときに生じ
る歪み等の和である。
にスパッタにより情報記録層などを形成するときに生じ
る歪み等の和である。
TILT角を小さくする方法としては、例えば、基板を構
成する材質の含水率を下げる、スパッタリングの条件を
マイルドにする等が挙げられる。さらにアニーリングを
行い、ディスク全体の歪みを緩和する方法も検討されて
いる。
成する材質の含水率を下げる、スパッタリングの条件を
マイルドにする等が挙げられる。さらにアニーリングを
行い、ディスク全体の歪みを緩和する方法も検討されて
いる。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術は必ずしも満足いくものではな
く、これら技術を組み合わせても、読取り時にフォーカ
スエラーおよびトラッキングエラーが発生してしまうこ
とがあった。また長期保存性能を調べるために、高温高
湿下にて強制劣化を行うと、TILT角が大きくなってしま
う。
く、これら技術を組み合わせても、読取り時にフォーカ
スエラーおよびトラッキングエラーが発生してしまうこ
とがあった。また長期保存性能を調べるために、高温高
湿下にて強制劣化を行うと、TILT角が大きくなってしま
う。
本発明の目的は、光ディスクのTILT角の値が小さくか
つ長期保存性能の優れた、安定した読取り性能を有する
光ディスクを提供することにある。
つ長期保存性能の優れた、安定した読取り性能を有する
光ディスクを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の要旨は、 透明プラスチック基板上に、情報記録層と有機保護層
と防湿層とが形成された光ディスクにおいて、前記有機
保護層は第１の有機保護層と第２の有機保護層とからな
り、第１の有機保護層は第２の有機保護層より情報記録
層に近接して設けられ、第１の有機保護層の体積収縮率
は第２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかまたは
等しく、かつ前記第１の有機保護層の膜厚Ａと第２の有
機保護膜の膜厚Ｂとは、以下の関係式を満たすことを特
徴する光ディスクである。
と防湿層とが形成された光ディスクにおいて、前記有機
保護層は第１の有機保護層と第２の有機保護層とからな
り、第１の有機保護層は第２の有機保護層より情報記録
層に近接して設けられ、第１の有機保護層の体積収縮率
は第２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかまたは
等しく、かつ前記第１の有機保護層の膜厚Ａと第２の有
機保護膜の膜厚Ｂとは、以下の関係式を満たすことを特
徴する光ディスクである。
前記第１の有機保護層の体積収縮率は７％以下であ
り、かつ、前記第２の有機保護層の体積収縮率は13％以
下であることが望ましい。
り、かつ、前記第２の有機保護層の体積収縮率は13％以
下であることが望ましい。
本発明でいう体積収縮率とは、以下のようにして求め
る。
る。
有機保護層に用いる樹脂の硬化前の比重をJIS K−683
5で測定し、硬化後の比重をJIS K−6911で測定する。硬
化前の比重をｌ、硬化後の比重をｍとした時に、体積収
縮率は、 である。
5で測定し、硬化後の比重をJIS K−6911で測定する。硬
化前の比重をｌ、硬化後の比重をｍとした時に、体積収
縮率は、 である。
本発明の光ディスクの第１の有機保護層および第２の
有機保護層の体積収縮率は、 第１の有機保護層の体積収縮率≦７％ 第２の有機保護層の体積収縮率≦13％ の条件を満たすことが望ましい。さらに、第１の有機保
護層の体積収縮率は６％以下がより好ましく、第２の有
機保護層の体積収縮率は10％以下がより好ましい。
有機保護層の体積収縮率は、 第１の有機保護層の体積収縮率≦７％ 第２の有機保護層の体積収縮率≦13％ の条件を満たすことが望ましい。さらに、第１の有機保
護層の体積収縮率は６％以下がより好ましく、第２の有
機保護層の体積収縮率は10％以下がより好ましい。
第１の有機保護層といて用いられる樹脂としては、XN
R−5461（長瀬チバ（株）製）、アロニックスUV−333
3、アロニックスUV−3607（東亜合成化学工業（株）
製）、Light−Weld183（東洋インキ製造（株）製）等が
あげられる。
R−5461（長瀬チバ（株）製）、アロニックスUV−333
3、アロニックスUV−3607（東亜合成化学工業（株）
製）、Light−Weld183（東洋インキ製造（株）製）等が
あげられる。
第２の保護層として用いられる樹脂としては、XNR−5
461（長瀬チバ（株）製）、ダイヤビームMH−7005、ダ
イヤビームUR−4552（三菱レイヨン（株）製））、ダイ
キュアクリアSD−17、同SD−101、同SD−301（大日本イ
ンキ化学工業（株）製）等があげられる。
461（長瀬チバ（株）製）、ダイヤビームMH−7005、ダ
イヤビームUR−4552（三菱レイヨン（株）製））、ダイ
キュアクリアSD−17、同SD−101、同SD−301（大日本イ
ンキ化学工業（株）製）等があげられる。
第１の有機保護層の膜厚Ａと第２の有機保護層の膜厚
Ｂとは、以下の関係にある。
Ｂとは、以下の関係にある。
上記値が0.3未満あるいは0.8を越えると、TILT角は強
制劣化を行うと大きくなってしまう。
制劣化を行うと大きくなってしまう。
本発明の光ディスクは、情報記録層が設けられた基板
面と反対面に防湿層を設けている。さらに、防湿層は、
基板上の情報記録層側に設けられた各層の端部にも設け
るとよい。防湿層としては、透明な無機物の酸化物、窒
化物、酸窒化物、弗化物、弗素樹脂等を使用することが
できる。防湿層は、スパッタ法や真空蒸着法等の真空成
膜法、スピンコート法、スプレーコート法、浸漬法等で
形成することができる。
面と反対面に防湿層を設けている。さらに、防湿層は、
基板上の情報記録層側に設けられた各層の端部にも設け
るとよい。防湿層としては、透明な無機物の酸化物、窒
化物、酸窒化物、弗化物、弗素樹脂等を使用することが
できる。防湿層は、スパッタ法や真空蒸着法等の真空成
膜法、スピンコート法、スプレーコート法、浸漬法等で
形成することができる。
また、本発明の光ディスクにアニーリングを行い、さ
らにTILT角を小さくすることもできる。アニーリングの
方法としては、温湿度一定、温湿度サイクル、温度サイ
クル湿度一定、温度一定湿度サイクル等がある。
らにTILT角を小さくすることもできる。アニーリングの
方法としては、温湿度一定、温湿度サイクル、温度サイ
クル湿度一定、温度一定湿度サイクル等がある。
［実施例］ 以下実施例について説明するが、本発明はこれに限定
されることはない。
されることはない。
第１図は本発明により製造される光ディスクの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
ポリカーボネートからなる基板１上に、SiOx,SiNyな
どからなる膜厚0.07μｍの誘電体層２、TbFeCoからなる
膜厚0.08μｍの情報記録層３、SiOz,SiWwなどからなる
無機保護層４が順次積層されている。なお、基板１には
図示していないが、スパイラル溝が形成されている。
どからなる膜厚0.07μｍの誘電体層２、TbFeCoからなる
膜厚0.08μｍの情報記録層３、SiOz,SiWwなどからなる
無機保護層４が順次積層されている。なお、基板１には
図示していないが、スパイラル溝が形成されている。
無機保護膜４上には、第１の有機保護層５と第２の有
機保護層６とが積層されている。第１の有機保護層５は
構成する樹脂として、体積収縮率が６％であるXNR−546
1（長瀬チバ（株）製）を使用し、膜厚は18μｍとし
た。第２の有機保護層６は構成する樹脂として、エポキ
シアクリレートを主成分とする体積収縮率9.7％の樹脂
（以下、この樹脂をRA−１と略称する。）を使用し、膜
厚は15μｍとした。第１の有機保護層５および第２の有
機保護層６の膜厚の和に対する、第１の有機保護層５の
膜厚比は0.55である。
機保護層６とが積層されている。第１の有機保護層５は
構成する樹脂として、体積収縮率が６％であるXNR−546
1（長瀬チバ（株）製）を使用し、膜厚は18μｍとし
た。第２の有機保護層６は構成する樹脂として、エポキ
シアクリレートを主成分とする体積収縮率9.7％の樹脂
（以下、この樹脂をRA−１と略称する。）を使用し、膜
厚は15μｍとした。第１の有機保護層５および第２の有
機保護層６の膜厚の和に対する、第１の有機保護層５の
膜厚比は0.55である。
なお、後述する実施例−７の第２の有機保護層で使用
したRA−２は、エポキシアクリレートを主成分とする体
積収縮率13.4％の樹脂である。
したRA−２は、エポキシアクリレートを主成分とする体
積収縮率13.4％の樹脂である。
さらに、上記各層が設けられた面と異なる基板１の面
および上記各層の端部は、SiO1.2からなる膜厚700Åの
防湿層７が設けられている。
および上記各層の端部は、SiO1.2からなる膜厚700Åの
防湿層７が設けられている。
上記各層の製造方法について説明する。
誘電体層２と情報記録層３と無機保護層４とは基板１
上に、順次、スパッタ法により積層した。
上に、順次、スパッタ法により積層した。
第１の有機保護層５および第２の有機保護層６はスピ
ンコート法により積層した。第１の有機保護層５の塗布
条件は3500rpm20secであり、第２の有機保護層６の塗布
条件は3000rpm20secとした。
ンコート法により積層した。第１の有機保護層５の塗布
条件は3500rpm20secであり、第２の有機保護層６の塗布
条件は3000rpm20secとした。
防湿層７は真空蒸着法により積層した。蒸着源として
純度99.999％以上のSiOを用い、蒸着装置の動作圧を約
１×10-5Torrとした。膜厚は蒸着時間を制御することに
より設定した。
純度99.999％以上のSiOを用い、蒸着装置の動作圧を約
１×10-5Torrとした。膜厚は蒸着時間を制御することに
より設定した。
また、防湿層７をスパッタ法により積層してもよい。
ターゲットとして純度99.999％以上の単結晶シリコンを
用い、導入ガスとして純度99.999％以上のアルゴンガス
および酸素ガスを用い、スパッタ室内の動作圧を5mTorr
とする。SiOのSi対Ｏの含有比は、アルゴンガスおよび
酸素ガスの分圧を制御することによって設定できる。
ターゲットとして純度99.999％以上の単結晶シリコンを
用い、導入ガスとして純度99.999％以上のアルゴンガス
および酸素ガスを用い、スパッタ室内の動作圧を5mTorr
とする。SiOのSi対Ｏの含有比は、アルゴンガスおよび
酸素ガスの分圧を制御することによって設定できる。
上述の製造方法により得られた試料を実施例−１とす
る。さらに、有機保護層の構成を変えて、実施例−2,3,
4,5,6,7および比較例−1,2,3を作成した。製造方法は上
述した方法に従った。作成した試料をまとめて第１表に
示す。
る。さらに、有機保護層の構成を変えて、実施例−2,3,
4,5,6,7および比較例−1,2,3を作成した。製造方法は上
述した方法に従った。作成した試料をまとめて第１表に
示す。
第１表には、第１の有機保護層および第２の有機保護
層に使用した樹脂の名称と体積収縮率が記載されてい
る。また、比較例−２および同−３は一層の有機保護層
からなり、膜厚は33μｍである。
層に使用した樹脂の名称と体積収縮率が記載されてい
る。また、比較例−２および同−３は一層の有機保護層
からなり、膜厚は33μｍである。
第１表に示した試料を用いて光ディスクのTILT角をIS
O規格DIS−10089準拠した評価装置を用いて測定した。
O規格DIS−10089準拠した評価装置を用いて測定した。
第１表には得られた試料のTILT角の値と、前記試料を
温度80℃、湿度85％RHの環境下に2000時間放置して強制
劣化した後の試料のTILT角の値とを示した。
温度80℃、湿度85％RHの環境下に2000時間放置して強制
劣化した後の試料のTILT角の値とを示した。
結果を第１表に示す。
第１表より明らかなように、第１の有機保護層の体積
収縮率が第２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいか
または等しい実施例の光ディスクは比較列の光ディスク
に対して、TILT角が小さく、強制劣化を行ってもTILT角
を変化幅は小さい。また、第１の有機保護層の体積収縮
率が７％以下でかつ第２の有機保護層の体積収縮率が13
％以下である、実施例−1,2,3はTILT角の値が小さく好
ましく、第１の有機保護層の体積収縮率が６％以下でか
つ第２有機保護層の体積収縮率が10％以下である、実施
例−1,3はTILT角の値がさらに小さくなっている。実施
例３、５のTILT角の値が比較例２、３より小さくなって
いるが、これは、実施例３、５においては、第１の有機
保護層と第２の有機保護層の材料が同一であって、それ
ぞれの体積収縮率が等しいか、実施例３、５では、第１
の有機保護層を塗布形成し、これに第２の有機保護層を
塗布形成して２層としてあるので、これにより収縮応力
が緩和されるため、単層とした比較例２、３よりもTILT
角の値が小さくなる。
収縮率が第２の有機保護層の体積収縮率よりも小さいか
または等しい実施例の光ディスクは比較列の光ディスク
に対して、TILT角が小さく、強制劣化を行ってもTILT角
を変化幅は小さい。また、第１の有機保護層の体積収縮
率が７％以下でかつ第２の有機保護層の体積収縮率が13
％以下である、実施例−1,2,3はTILT角の値が小さく好
ましく、第１の有機保護層の体積収縮率が６％以下でか
つ第２有機保護層の体積収縮率が10％以下である、実施
例−1,3はTILT角の値がさらに小さくなっている。実施
例３、５のTILT角の値が比較例２、３より小さくなって
いるが、これは、実施例３、５においては、第１の有機
保護層と第２の有機保護層の材料が同一であって、それ
ぞれの体積収縮率が等しいか、実施例３、５では、第１
の有機保護層を塗布形成し、これに第２の有機保護層を
塗布形成して２層としてあるので、これにより収縮応力
が緩和されるため、単層とした比較例２、３よりもTILT
角の値が小さくなる。
第２表にあるように実施例−１に対して、二層の有機
保護層の膜厚を変えた試料を作成した。これら試料の、
TILT角の値および強制劣化後のTILT角の値を第２表に示
す。
保護層の膜厚を変えた試料を作成した。これら試料の、
TILT角の値および強制劣化後のTILT角の値を第２表に示
す。
第２表の実施例８、９から明らかなように、第１およ
び第２の有機保護層の膜厚Ａ＋Ｂに対する第１の有機保
護層の膜厚Ａの比が0.3〜0.8の場合には、TILT角が大き
く減少し、また、強制劣化を行ってもTILT角の変動は小
さい。しかし、比較例４、５から明らかなように、上記
値が0.3未満あるいは0.8を越えると、TILT角は大きくな
り、強制劣化を行うとさらに大きくなってしまう。
び第２の有機保護層の膜厚Ａ＋Ｂに対する第１の有機保
護層の膜厚Ａの比が0.3〜0.8の場合には、TILT角が大き
く減少し、また、強制劣化を行ってもTILT角の変動は小
さい。しかし、比較例４、５から明らかなように、上記
値が0.3未満あるいは0.8を越えると、TILT角は大きくな
り、強制劣化を行うとさらに大きくなってしまう。
基板としてポリカーボネート以外の材質、たとえば、
アクリル，エポキシ，ポリメチルメタアクリレート，非
晶性ポリオレフィンを使用した光ディスクも同様に優れ
た効果があった。
アクリル，エポキシ，ポリメチルメタアクリレート，非
晶性ポリオレフィンを使用した光ディスクも同様に優れ
た効果があった。
また、本実施例は片面の光ディスクについて述べてい
るが、両面貼り合せ型の光ディスクにも適用できる。
るが、両面貼り合せ型の光ディスクにも適用できる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の製造方法により製造さ
れた光ディスクは、TILT角の値が小さくかつ高温高湿で
の変化も少ない、安定した読取り性能を有する光ディス
クを提供できる。
れた光ディスクは、TILT角の値が小さくかつ高温高湿で
の変化も少ない、安定した読取り性能を有する光ディス
クを提供できる。
第１図は、本発明の一実施例を示す概略断面図である。 １……基板、２……誘電体層、３……情報記録層、４…
…無機保護層、５……第１の有機保護層、６……第２の
有機保護層、７……防湿層。
…無機保護層、５……第１の有機保護層、６……第２の
有機保護層、７……防湿層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−252146（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−302447（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−19150（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 535
Claims (2)
- 【請求項１】透明プラスチック基板上に、情報記録層と
有機保護層と防湿層とが形成された光ディスクにおい
て、前記有機保護層は第１の有機保護層と第２の有機保
護層とからなり、第１の有機保護層は第２の有機保護層
より情報記録層に近接して設けられ、第１の有機保護層
の体積収縮率は第２の有機保護層の体積収縮率よりも小
さいかまたは等しく、かつ前記第１の有機保護層の膜厚
Ａと第２の有機保護膜の膜厚Ｂとは、以下の関係式を満
たすことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】前記第１の有機保護層の体積収縮率は７％
以下であり、かつ、前記第２の有機保護層の体積収縮率
は13％以下であることを特徴とする請求項１記載の光デ
ィスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2229920A JP2933236B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2229920A JP2933236B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111240A JPH04111240A (ja) | 1992-04-13 |
| JP2933236B2 true JP2933236B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=16899812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2229920A Expired - Fee Related JP2933236B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933236B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2229920A patent/JP2933236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04111240A (ja) | 1992-04-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |