JP2933236B2 - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JP2933236B2 JP2933236B2 JP2229920A JP22992090A JP2933236B2 JP 2933236 B2 JP2933236 B2 JP 2933236B2 JP 2229920 A JP2229920 A JP 2229920A JP 22992090 A JP22992090 A JP 22992090A JP 2933236 B2 JP2933236 B2 JP 2933236B2
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- Japan
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- protective layer
- organic protective
- layer
- volume shrinkage
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は光学的に情報の記録、再生あるいは消去を行
うのに好適な光ディスクに関する。
うのに好適な光ディスクに関する。
[従来の技術] 光ディスクは情報記録層に入射された光の反射強度の
変化を情報として読み取る。このために、光ディスクの
歪み、すなわち、TILT角の値が大きくなると、読取り時
にフォーカスエラーおよびトラッキングエラーを生じて
しまう。
変化を情報として読み取る。このために、光ディスクの
歪み、すなわち、TILT角の値が大きくなると、読取り時
にフォーカスエラーおよびトラッキングエラーを生じて
しまう。
TILT角は、基板が吸湿するために生じる歪み、基板上
にスパッタにより情報記録層などを形成するときに生じ
る歪み等の和である。
にスパッタにより情報記録層などを形成するときに生じ
る歪み等の和である。
TILT角を小さくする方法としては、例えば、基板を構
成する材質の含水率を下げる、スパッタリングの条件を
マイルドにする等が挙げられる。さらにアニーリングを
行い、ディスク全体の歪みを緩和する方法も検討されて
いる。
成する材質の含水率を下げる、スパッタリングの条件を
マイルドにする等が挙げられる。さらにアニーリングを
行い、ディスク全体の歪みを緩和する方法も検討されて
いる。
[発明が解決しようとする課題] しかし、上記従来技術は必ずしも満足いくものではな
く、これら技術を組み合わせても、読取り時にフォーカ
スエラーおよびトラッキングエラーが発生してしまうこ
とがあった。また長期保存性能を調べるために、高温高
湿下にて強制劣化を行うと、TILT角が大きくなってしま
う。
く、これら技術を組み合わせても、読取り時にフォーカ
スエラーおよびトラッキングエラーが発生してしまうこ
とがあった。また長期保存性能を調べるために、高温高
湿下にて強制劣化を行うと、TILT角が大きくなってしま
う。
本発明の目的は、光ディスクのTILT角の値が小さくか
つ長期保存性能の優れた、安定した読取り性能を有する
光ディスクを提供することにある。
つ長期保存性能の優れた、安定した読取り性能を有する
光ディスクを提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の要旨は、 透明プラスチック基板上に、情報記録層と有機保護層
と防湿層とが形成された光ディスクにおいて、前記有機
保護層は第1の有機保護層と第2の有機保護層とからな
り、第1の有機保護層は第2の有機保護層より情報記録
層に近接して設けられ、第1の有機保護層の体積収縮率
は第2の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかまたは
等しく、かつ前記第1の有機保護層の膜厚Aと第2の有
機保護膜の膜厚Bとは、以下の関係式を満たすことを特
徴する光ディスクである。
と防湿層とが形成された光ディスクにおいて、前記有機
保護層は第1の有機保護層と第2の有機保護層とからな
り、第1の有機保護層は第2の有機保護層より情報記録
層に近接して設けられ、第1の有機保護層の体積収縮率
は第2の有機保護層の体積収縮率よりも小さいかまたは
等しく、かつ前記第1の有機保護層の膜厚Aと第2の有
機保護膜の膜厚Bとは、以下の関係式を満たすことを特
徴する光ディスクである。
前記第1の有機保護層の体積収縮率は7%以下であ
り、かつ、前記第2の有機保護層の体積収縮率は13%以
下であることが望ましい。
り、かつ、前記第2の有機保護層の体積収縮率は13%以
下であることが望ましい。
本発明でいう体積収縮率とは、以下のようにして求め
る。
る。
有機保護層に用いる樹脂の硬化前の比重をJIS K−683
5で測定し、硬化後の比重をJIS K−6911で測定する。硬
化前の比重をl、硬化後の比重をmとした時に、体積収
縮率は、 である。
5で測定し、硬化後の比重をJIS K−6911で測定する。硬
化前の比重をl、硬化後の比重をmとした時に、体積収
縮率は、 である。
本発明の光ディスクの第1の有機保護層および第2の
有機保護層の体積収縮率は、 第1の有機保護層の体積収縮率≦7% 第2の有機保護層の体積収縮率≦13% の条件を満たすことが望ましい。さらに、第1の有機保
護層の体積収縮率は6%以下がより好ましく、第2の有
機保護層の体積収縮率は10%以下がより好ましい。
有機保護層の体積収縮率は、 第1の有機保護層の体積収縮率≦7% 第2の有機保護層の体積収縮率≦13% の条件を満たすことが望ましい。さらに、第1の有機保
護層の体積収縮率は6%以下がより好ましく、第2の有
機保護層の体積収縮率は10%以下がより好ましい。
第1の有機保護層といて用いられる樹脂としては、XN
R−5461(長瀬チバ(株)製)、アロニックスUV−333
3、アロニックスUV−3607(東亜合成化学工業(株)
製)、Light−Weld183(東洋インキ製造(株)製)等が
あげられる。
R−5461(長瀬チバ(株)製)、アロニックスUV−333
3、アロニックスUV−3607(東亜合成化学工業(株)
製)、Light−Weld183(東洋インキ製造(株)製)等が
あげられる。
第2の保護層として用いられる樹脂としては、XNR−5
461(長瀬チバ(株)製)、ダイヤビームMH−7005、ダ
イヤビームUR−4552(三菱レイヨン(株)製))、ダイ
キュアクリアSD−17、同SD−101、同SD−301(大日本イ
ンキ化学工業(株)製)等があげられる。
461(長瀬チバ(株)製)、ダイヤビームMH−7005、ダ
イヤビームUR−4552(三菱レイヨン(株)製))、ダイ
キュアクリアSD−17、同SD−101、同SD−301(大日本イ
ンキ化学工業(株)製)等があげられる。
第1の有機保護層の膜厚Aと第2の有機保護層の膜厚
Bとは、以下の関係にある。
Bとは、以下の関係にある。
上記値が0.3未満あるいは0.8を越えると、TILT角は強
制劣化を行うと大きくなってしまう。
制劣化を行うと大きくなってしまう。
本発明の光ディスクは、情報記録層が設けられた基板
面と反対面に防湿層を設けている。さらに、防湿層は、
基板上の情報記録層側に設けられた各層の端部にも設け
るとよい。防湿層としては、透明な無機物の酸化物、窒
化物、酸窒化物、弗化物、弗素樹脂等を使用することが
できる。防湿層は、スパッタ法や真空蒸着法等の真空成
膜法、スピンコート法、スプレーコート法、浸漬法等で
形成することができる。
面と反対面に防湿層を設けている。さらに、防湿層は、
基板上の情報記録層側に設けられた各層の端部にも設け
るとよい。防湿層としては、透明な無機物の酸化物、窒
化物、酸窒化物、弗化物、弗素樹脂等を使用することが
できる。防湿層は、スパッタ法や真空蒸着法等の真空成
膜法、スピンコート法、スプレーコート法、浸漬法等で
形成することができる。
また、本発明の光ディスクにアニーリングを行い、さ
らにTILT角を小さくすることもできる。アニーリングの
方法としては、温湿度一定、温湿度サイクル、温度サイ
クル湿度一定、温度一定湿度サイクル等がある。
らにTILT角を小さくすることもできる。アニーリングの
方法としては、温湿度一定、温湿度サイクル、温度サイ
クル湿度一定、温度一定湿度サイクル等がある。
[実施例] 以下実施例について説明するが、本発明はこれに限定
されることはない。
されることはない。
第1図は本発明により製造される光ディスクの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
ポリカーボネートからなる基板1上に、SiOx,SiNyな
どからなる膜厚0.07μmの誘電体層2、TbFeCoからなる
膜厚0.08μmの情報記録層3、SiOz,SiWwなどからなる
無機保護層4が順次積層されている。なお、基板1には
図示していないが、スパイラル溝が形成されている。
どからなる膜厚0.07μmの誘電体層2、TbFeCoからなる
膜厚0.08μmの情報記録層3、SiOz,SiWwなどからなる
無機保護層4が順次積層されている。なお、基板1には
図示していないが、スパイラル溝が形成されている。
無機保護膜4上には、第1の有機保護層5と第2の有
機保護層6とが積層されている。第1の有機保護層5は
構成する樹脂として、体積収縮率が6%であるXNR−546
1(長瀬チバ(株)製)を使用し、膜厚は18μmとし
た。第2の有機保護層6は構成する樹脂として、エポキ
シアクリレートを主成分とする体積収縮率9.7%の樹脂
(以下、この樹脂をRA−1と略称する。)を使用し、膜
厚は15μmとした。第1の有機保護層5および第2の有
機保護層6の膜厚の和に対する、第1の有機保護層5の
膜厚比は0.55である。
機保護層6とが積層されている。第1の有機保護層5は
構成する樹脂として、体積収縮率が6%であるXNR−546
1(長瀬チバ(株)製)を使用し、膜厚は18μmとし
た。第2の有機保護層6は構成する樹脂として、エポキ
シアクリレートを主成分とする体積収縮率9.7%の樹脂
(以下、この樹脂をRA−1と略称する。)を使用し、膜
厚は15μmとした。第1の有機保護層5および第2の有
機保護層6の膜厚の和に対する、第1の有機保護層5の
膜厚比は0.55である。
なお、後述する実施例−7の第2の有機保護層で使用
したRA−2は、エポキシアクリレートを主成分とする体
積収縮率13.4%の樹脂である。
したRA−2は、エポキシアクリレートを主成分とする体
積収縮率13.4%の樹脂である。
さらに、上記各層が設けられた面と異なる基板1の面
および上記各層の端部は、SiO1.2からなる膜厚700Åの
防湿層7が設けられている。
および上記各層の端部は、SiO1.2からなる膜厚700Åの
防湿層7が設けられている。
上記各層の製造方法について説明する。
誘電体層2と情報記録層3と無機保護層4とは基板1
上に、順次、スパッタ法により積層した。
上に、順次、スパッタ法により積層した。
第1の有機保護層5および第2の有機保護層6はスピ
ンコート法により積層した。第1の有機保護層5の塗布
条件は3500rpm20secであり、第2の有機保護層6の塗布
条件は3000rpm20secとした。
ンコート法により積層した。第1の有機保護層5の塗布
条件は3500rpm20secであり、第2の有機保護層6の塗布
条件は3000rpm20secとした。
防湿層7は真空蒸着法により積層した。蒸着源として
純度99.999%以上のSiOを用い、蒸着装置の動作圧を約
1×10-5Torrとした。膜厚は蒸着時間を制御することに
より設定した。
純度99.999%以上のSiOを用い、蒸着装置の動作圧を約
1×10-5Torrとした。膜厚は蒸着時間を制御することに
より設定した。
また、防湿層7をスパッタ法により積層してもよい。
ターゲットとして純度99.999%以上の単結晶シリコンを
用い、導入ガスとして純度99.999%以上のアルゴンガス
および酸素ガスを用い、スパッタ室内の動作圧を5mTorr
とする。SiOのSi対Oの含有比は、アルゴンガスおよび
酸素ガスの分圧を制御することによって設定できる。
ターゲットとして純度99.999%以上の単結晶シリコンを
用い、導入ガスとして純度99.999%以上のアルゴンガス
および酸素ガスを用い、スパッタ室内の動作圧を5mTorr
とする。SiOのSi対Oの含有比は、アルゴンガスおよび
酸素ガスの分圧を制御することによって設定できる。
上述の製造方法により得られた試料を実施例−1とす
る。さらに、有機保護層の構成を変えて、実施例−2,3,
4,5,6,7および比較例−1,2,3を作成した。製造方法は上
述した方法に従った。作成した試料をまとめて第1表に
示す。
る。さらに、有機保護層の構成を変えて、実施例−2,3,
4,5,6,7および比較例−1,2,3を作成した。製造方法は上
述した方法に従った。作成した試料をまとめて第1表に
示す。
第1表には、第1の有機保護層および第2の有機保護
層に使用した樹脂の名称と体積収縮率が記載されてい
る。また、比較例−2および同−3は一層の有機保護層
からなり、膜厚は33μmである。
層に使用した樹脂の名称と体積収縮率が記載されてい
る。また、比較例−2および同−3は一層の有機保護層
からなり、膜厚は33μmである。
第1表に示した試料を用いて光ディスクのTILT角をIS
O規格DIS−10089準拠した評価装置を用いて測定した。
O規格DIS−10089準拠した評価装置を用いて測定した。
第1表には得られた試料のTILT角の値と、前記試料を
温度80℃、湿度85%RHの環境下に2000時間放置して強制
劣化した後の試料のTILT角の値とを示した。
温度80℃、湿度85%RHの環境下に2000時間放置して強制
劣化した後の試料のTILT角の値とを示した。
結果を第1表に示す。
第1表より明らかなように、第1の有機保護層の体積
収縮率が第2の有機保護層の体積収縮率よりも小さいか
または等しい実施例の光ディスクは比較列の光ディスク
に対して、TILT角が小さく、強制劣化を行ってもTILT角
を変化幅は小さい。また、第1の有機保護層の体積収縮
率が7%以下でかつ第2の有機保護層の体積収縮率が13
%以下である、実施例−1,2,3はTILT角の値が小さく好
ましく、第1の有機保護層の体積収縮率が6%以下でか
つ第2有機保護層の体積収縮率が10%以下である、実施
例−1,3はTILT角の値がさらに小さくなっている。実施
例3、5のTILT角の値が比較例2、3より小さくなって
いるが、これは、実施例3、5においては、第1の有機
保護層と第2の有機保護層の材料が同一であって、それ
ぞれの体積収縮率が等しいか、実施例3、5では、第1
の有機保護層を塗布形成し、これに第2の有機保護層を
塗布形成して2層としてあるので、これにより収縮応力
が緩和されるため、単層とした比較例2、3よりもTILT
角の値が小さくなる。
収縮率が第2の有機保護層の体積収縮率よりも小さいか
または等しい実施例の光ディスクは比較列の光ディスク
に対して、TILT角が小さく、強制劣化を行ってもTILT角
を変化幅は小さい。また、第1の有機保護層の体積収縮
率が7%以下でかつ第2の有機保護層の体積収縮率が13
%以下である、実施例−1,2,3はTILT角の値が小さく好
ましく、第1の有機保護層の体積収縮率が6%以下でか
つ第2有機保護層の体積収縮率が10%以下である、実施
例−1,3はTILT角の値がさらに小さくなっている。実施
例3、5のTILT角の値が比較例2、3より小さくなって
いるが、これは、実施例3、5においては、第1の有機
保護層と第2の有機保護層の材料が同一であって、それ
ぞれの体積収縮率が等しいか、実施例3、5では、第1
の有機保護層を塗布形成し、これに第2の有機保護層を
塗布形成して2層としてあるので、これにより収縮応力
が緩和されるため、単層とした比較例2、3よりもTILT
角の値が小さくなる。
第2表にあるように実施例−1に対して、二層の有機
保護層の膜厚を変えた試料を作成した。これら試料の、
TILT角の値および強制劣化後のTILT角の値を第2表に示
す。
保護層の膜厚を変えた試料を作成した。これら試料の、
TILT角の値および強制劣化後のTILT角の値を第2表に示
す。
第2表の実施例8、9から明らかなように、第1およ
び第2の有機保護層の膜厚A+Bに対する第1の有機保
護層の膜厚Aの比が0.3〜0.8の場合には、TILT角が大き
く減少し、また、強制劣化を行ってもTILT角の変動は小
さい。しかし、比較例4、5から明らかなように、上記
値が0.3未満あるいは0.8を越えると、TILT角は大きくな
り、強制劣化を行うとさらに大きくなってしまう。
び第2の有機保護層の膜厚A+Bに対する第1の有機保
護層の膜厚Aの比が0.3〜0.8の場合には、TILT角が大き
く減少し、また、強制劣化を行ってもTILT角の変動は小
さい。しかし、比較例4、5から明らかなように、上記
値が0.3未満あるいは0.8を越えると、TILT角は大きくな
り、強制劣化を行うとさらに大きくなってしまう。
基板としてポリカーボネート以外の材質、たとえば、
アクリル,エポキシ,ポリメチルメタアクリレート,非
晶性ポリオレフィンを使用した光ディスクも同様に優れ
た効果があった。
アクリル,エポキシ,ポリメチルメタアクリレート,非
晶性ポリオレフィンを使用した光ディスクも同様に優れ
た効果があった。
また、本実施例は片面の光ディスクについて述べてい
るが、両面貼り合せ型の光ディスクにも適用できる。
るが、両面貼り合せ型の光ディスクにも適用できる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の製造方法により製造さ
れた光ディスクは、TILT角の値が小さくかつ高温高湿で
の変化も少ない、安定した読取り性能を有する光ディス
クを提供できる。
れた光ディスクは、TILT角の値が小さくかつ高温高湿で
の変化も少ない、安定した読取り性能を有する光ディス
クを提供できる。
第1図は、本発明の一実施例を示す概略断面図である。 1……基板、2……誘電体層、3……情報記録層、4…
…無機保護層、5……第1の有機保護層、6……第2の
有機保護層、7……防湿層。
…無機保護層、5……第1の有機保護層、6……第2の
有機保護層、7……防湿層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−252146(JP,A) 特開 昭63−302447(JP,A) 特開 平3−19150(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/24 535
Claims (2)
- 【請求項1】透明プラスチック基板上に、情報記録層と
有機保護層と防湿層とが形成された光ディスクにおい
て、前記有機保護層は第1の有機保護層と第2の有機保
護層とからなり、第1の有機保護層は第2の有機保護層
より情報記録層に近接して設けられ、第1の有機保護層
の体積収縮率は第2の有機保護層の体積収縮率よりも小
さいかまたは等しく、かつ前記第1の有機保護層の膜厚
Aと第2の有機保護膜の膜厚Bとは、以下の関係式を満
たすことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項2】前記第1の有機保護層の体積収縮率は7%
以下であり、かつ、前記第2の有機保護層の体積収縮率
は13%以下であることを特徴とする請求項1記載の光デ
ィスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2229920A JP2933236B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2229920A JP2933236B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光ディスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04111240A JPH04111240A (ja) | 1992-04-13 |
JP2933236B2 true JP2933236B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=16899812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2229920A Expired - Fee Related JP2933236B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2933236B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2229920A patent/JP2933236B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04111240A (ja) | 1992-04-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |