JPH01311431A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH01311431A JPH01311431A JP88140823A JP14082388A JPH01311431A JP H01311431 A JPH01311431 A JP H01311431A JP 88140823 A JP88140823 A JP 88140823A JP 14082388 A JP14082388 A JP 14082388A JP H01311431 A JPH01311431 A JP H01311431A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザービームを用いて凸部を形成することに
より情報を記録する光ディスク、光カード等の光情報記
録媒体に関するものである。
より情報を記録する光ディスク、光カード等の光情報記
録媒体に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来、
記録膜へレーザービームを照射することにより凸部を形
成して情報の記録を行う、いわゆるバブルモード記録媒
体が例えば特開昭５６−１２７９３７号公報等により提
案されている。しかし特開昭５６−１２７９３７号公報
に記載された媒体は感度が悪いという欠点があった。
記録膜へレーザービームを照射することにより凸部を形
成して情報の記録を行う、いわゆるバブルモード記録媒
体が例えば特開昭５６−１２７９３７号公報等により提
案されている。しかし特開昭５６−１２７９３７号公報
に記載された媒体は感度が悪いという欠点があった。
また、Ｔｅを記録膜として用いた感度の良い媒体が提案
されているが、Ｔｅは酸化されやすく結晶粒径も増大し
やすいため感度が劣化し、Ｃ／Ｎ比が低下するために寿
命が短いという欠点があった。そのためＴｅの酸化を防
止し寿命を長くするために有機保護層をコーティングす
るなどの手段がとられてはいるが十分な寿命は得られて
はいない。
されているが、Ｔｅは酸化されやすく結晶粒径も増大し
やすいため感度が劣化し、Ｃ／Ｎ比が低下するために寿
命が短いという欠点があった。そのためＴｅの酸化を防
止し寿命を長くするために有機保護層をコーティングす
るなどの手段がとられてはいるが十分な寿命は得られて
はいない。
本発明者らは記録用ビームを受けて凸部を形成する事に
より情報を記録する光情報記録媒体において、基板上に
直接形成された記録膜として、ＴｅとＳｅを主成分とし
Ａ Ｉ 、Ｓ ｉ 、Ｔ ｉ ＋ Ｃｒ ＋ Ｃｕ ＋
Ｚ ｎ ＋ Ｇ ａ ＋Ｇｅ、 Ｙ、 Ｚｒ、 Ａｇ
、 Ｃｄ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｓｂ＋ Ｔａ、 Ａｕ、
Ｐｂ及びＢｉからなる群より選ばれた元素のうち少な
くとも一種を含む記録膜を用い、更にこの記録膜の上に
記録膜を保護するための無機物からなる保護層を設ける
ことにより、高感度、高Ｃ／Ｎ比及び対酸化性に優れた
長寿命の光情報記録媒体が得られることを見出し、本発
明を完成するに到った。
より情報を記録する光情報記録媒体において、基板上に
直接形成された記録膜として、ＴｅとＳｅを主成分とし
Ａ Ｉ 、Ｓ ｉ 、Ｔ ｉ ＋ Ｃｒ ＋ Ｃｕ ＋
Ｚ ｎ ＋ Ｇ ａ ＋Ｇｅ、 Ｙ、 Ｚｒ、 Ａｇ
、 Ｃｄ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｓｂ＋ Ｔａ、 Ａｕ、
Ｐｂ及びＢｉからなる群より選ばれた元素のうち少な
くとも一種を含む記録膜を用い、更にこの記録膜の上に
記録膜を保護するための無機物からなる保護層を設ける
ことにより、高感度、高Ｃ／Ｎ比及び対酸化性に優れた
長寿命の光情報記録媒体が得られることを見出し、本発
明を完成するに到った。
即ち、本発明は、記録用ビームを受けて凸部を形成する
ことにより情報を記録する光情報記録媒体において、基
板と、基板に直接形成されたＴｅ及びＳｅを主成分とし
＾ｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ。
ことにより情報を記録する光情報記録媒体において、基
板と、基板に直接形成されたＴｅ及びＳｅを主成分とし
＾ｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ。
Ｇ ｅ 、Ｙ 、Ｚ ｒ ＋ Ａ ｇ ＋ Ｃｄ ＋
Ｉ ｎ ＋ Ｓ ｎ ＋ Ｓ ｂ ＋ Ｔ ａ ＋ Ａ
ｕ ＋ Ｐ ｂ及び旧からなる群より選ばれた元素の
うち少なくとも一種を含む記録膜と、この記録膜の保護
のための無機物からなる保護層を有することを特徴とす
る光情報記録媒体に係わるものである。
Ｉ ｎ ＋ Ｓ ｎ ＋ Ｓ ｂ ＋ Ｔ ａ ＋ Ａ
ｕ ＋ Ｐ ｂ及び旧からなる群より選ばれた元素の
うち少なくとも一種を含む記録膜と、この記録膜の保護
のための無機物からなる保護層を有することを特徴とす
る光情報記録媒体に係わるものである。
本発明においては、上記無機物からなる保護層の上層に
更に有機樹脂からなる保護層を設けることもできる。
更に有機樹脂からなる保護層を設けることもできる。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の光情報記録媒体の一実施例を示す断面
図、第２図は本発明の光情報記録媒体の別の実施例を示
す断面図であり、１は基板、２記録膜、３は無機保護層
、４は有機保護層である。
図、第２図は本発明の光情報記録媒体の別の実施例を示
す断面図であり、１は基板、２記録膜、３は無機保護層
、４は有機保護層である。
本発明で用いられる基板１は、一般にディスク形状であ
るが、カードやドラム状であってもよい。基板材料とし
てはポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート
樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィンのよ
うな透明プラスチック材、又はガラスなどが用いられる
。
るが、カードやドラム状であってもよい。基板材料とし
てはポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート
樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィンのよ
うな透明プラスチック材、又はガラスなどが用いられる
。
本発明で用いられる記録膜２は、Ｔｅ及びＳｅを主成分
としＡ Ｉ ＋ Ｓ ｉ＋ Ｔ ｉ ＋ Ｃｒ ＋ Ｃ
ｕ ＋ Ｚ ｎ ＋ Ｇ ａ ＋ Ｇ ｅ ＋ Ｙ ＋
Ｚ ｒ ＋へｇ＋Ｃｄ、 Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、
Ａｕ、Ｐｂ及びＢｉからなる群より選ばれた元素のうち
少なくとも一種を含むが、これら各元素の組成は、Ｔｅ
、ＳｅＶ？１．として、１０≦Ｘ≦９９．５≦Ｙ≦９９
．α≦２０が好ましい。但し、Ｘ、 Ｙ、 αは原子
％であり、ｈはＴｅ、 Ｓｅ以外の元素の群より選ばれ
る少なくども１種の元素を表わす。この記録膜の膜厚は
用途によって異なるが、−船釣に良好なＣ／Ｎ比を得る
膜厚は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、更に好
ましくは１０ｎｍ以上１１００ｎ以下である。
としＡ Ｉ ＋ Ｓ ｉ＋ Ｔ ｉ ＋ Ｃｒ ＋ Ｃ
ｕ ＋ Ｚ ｎ ＋ Ｇ ａ ＋ Ｇ ｅ ＋ Ｙ ＋
Ｚ ｒ ＋へｇ＋Ｃｄ、 Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、
Ａｕ、Ｐｂ及びＢｉからなる群より選ばれた元素のうち
少なくとも一種を含むが、これら各元素の組成は、Ｔｅ
、ＳｅＶ？１．として、１０≦Ｘ≦９９．５≦Ｙ≦９９
．α≦２０が好ましい。但し、Ｘ、 Ｙ、 αは原子
％であり、ｈはＴｅ、 Ｓｅ以外の元素の群より選ばれ
る少なくども１種の元素を表わす。この記録膜の膜厚は
用途によって異なるが、−船釣に良好なＣ／Ｎ比を得る
膜厚は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、更に好
ましくは１０ｎｍ以上１１００ｎ以下である。
本発明に用いられる無機物からなる保護層３としては、
ガラス、 ＳｉＯ□、 Ｓｉｎ、 ＴｉＯ□＋ Ｙ２Ｏ
：ｌ＋八へｚＯ：１． ＺｎＯ，ＢｚＯｔ＋ Ｚｒ
０ｚ＋ Ｇｅ０ｚ＋ ＺｎＳ、 ＢＮ、 Ｓｉ
＋Ｎａなどの薄膜、あるいはそれらの複合物が挙げられ
、それらの膜厚は記録感度の面から５ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下が好ましく、更に好ましくはＳｎｍ以上１１００
ｎ以下である。
ガラス、 ＳｉＯ□、 Ｓｉｎ、 ＴｉＯ□＋ Ｙ２Ｏ
：ｌ＋八へｚＯ：１． ＺｎＯ，ＢｚＯｔ＋ Ｚｒ
０ｚ＋ Ｇｅ０ｚ＋ ＺｎＳ、 ＢＮ、 Ｓｉ
＋Ｎａなどの薄膜、あるいはそれらの複合物が挙げられ
、それらの膜厚は記録感度の面から５ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下が好ましく、更に好ましくはＳｎｍ以上１１００
ｎ以下である。
本発明に用いられる記録膜２及び無機物からなる保護層
３は真空蒸着法、スパッタ法、イオンブレーティング法
等の物理的薄膜形成法により成膜する事ができる。
３は真空蒸着法、スパッタ法、イオンブレーティング法
等の物理的薄膜形成法により成膜する事ができる。
本発明に用いられる有機樹脂の保護層４には紫外線硬化
型樹脂等が用いられ、その膜厚は記録感度の面から１μ
ｍ以上５０μｍ以下である事が好ましい。また、有機樹
脂の保護層の成膜にはスピンコード法等が用いられる。
型樹脂等が用いられ、その膜厚は記録感度の面から１μ
ｍ以上５０μｍ以下である事が好ましい。また、有機樹
脂の保護層の成膜にはスピンコード法等が用いられる。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものでない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものでない。
実施例１
φ１３０ｍｍのポリカーボネート樹脂製スパイラル溝付
きディスク基板にＤＣスパッタ法によりＴｅ。
きディスク基板にＤＣスパッタ法によりＴｅ。
Ｓｅ、Ｔｉ、Ａｇよりなる４元合金（組成 Ｔｅ ：
Ｓｅ ： Ｔｔ ｓＡｇ−９０： ９ ： １ ： ０
．１（原子比））を４０ｎｍの厚さで成膜し、ついでＲ
Ｆスパッタ法により無アルカリガラスを５０ｎｍの厚さ
で成膜した。
Ｓｅ ： Ｔｔ ｓＡｇ−９０： ９ ： １ ： ０
．１（原子比））を４０ｎｍの厚さで成膜し、ついでＲ
Ｆスパッタ法により無アルカリガラスを５０ｎｍの厚さ
で成膜した。
このディスクのφ８４ｍｍの位置に、波長８３０ｎｍの
半導体レーザを用いて周波数Ｉ ＭＨｚ、ｄｕｔｙ５０
％の反復信号を、９００ｒｐｍの条件でレーザー出力を
変化させて書込み、記録感度とＣ／Ｎ比を測定した。ま
た６０℃、９０％ＲＨの条件下に２００時間、５００時
間放置した後の記録感度とＣ／Ｎ比を同様に測定し初期
状態との変化を調べた。その結果を表１に示す。
半導体レーザを用いて周波数Ｉ ＭＨｚ、ｄｕｔｙ５０
％の反復信号を、９００ｒｐｍの条件でレーザー出力を
変化させて書込み、記録感度とＣ／Ｎ比を測定した。ま
た６０℃、９０％ＲＨの条件下に２００時間、５００時
間放置した後の記録感度とＣ／Ｎ比を同様に測定し初期
状態との変化を調べた。その結果を表１に示す。
比較例１
φ１３０ｍｍのポリカーボネート樹脂製スパイラル溝付
きディスク基板にＤＣスパッタ法によりＴｅを４０ｎｍ
の厚さで成膜し、ついでＲＦスパッタ法により無アルカ
リガラスを５０ｎｍの厚さで成膜した。
きディスク基板にＤＣスパッタ法によりＴｅを４０ｎｍ
の厚さで成膜し、ついでＲＦスパッタ法により無アルカ
リガラスを５０ｎｍの厚さで成膜した。
このディスクのφ８４１ＩＩＩＩ＋の位置に、波長８３
０ｎｍの半導体レーザを用いて周波数Ｉ ＭＨｚ、ｄｕ
ｔｙ５０％の反復信号を、９００ｒｐｍの条件でレーザ
ー出力を変化させて書込み、記録感度とＣ／Ｎ比を測定
した。また６０’Ｃ，９０％１１１１１の条件下に２０
０時間、５００時間放置した後の記録感度とＣ／Ｎ比を
同様に測定し初期状態との変化を調べた。その結果を表
１に示す。
０ｎｍの半導体レーザを用いて周波数Ｉ ＭＨｚ、ｄｕ
ｔｙ５０％の反復信号を、９００ｒｐｍの条件でレーザ
ー出力を変化させて書込み、記録感度とＣ／Ｎ比を測定
した。また６０’Ｃ，９０％１１１１１の条件下に２０
０時間、５００時間放置した後の記録感度とＣ／Ｎ比を
同様に測定し初期状態との変化を調べた。その結果を表
１に示す。
実施例２
φ１３Ｑｍｍのポリカーボネート樹脂製スパイラル溝付
きディスク基板にＤＣスパッタ法によりＴｅ。
きディスク基板にＤＣスパッタ法によりＴｅ。
Ｓｅ、Ｔｉ、Ａｇよりなる４元合金（組成は実施例１と
同じ）を４０ｎｍの厚さで成膜し、ついでＲＦスパッタ
法により無アルカリガラスを５Ｑｎｍの厚さで成膜し、
最後に紫外線硬化型樹脂をスピンコード法で５μｍの厚
さで成膜し紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
同じ）を４０ｎｍの厚さで成膜し、ついでＲＦスパッタ
法により無アルカリガラスを５Ｑｎｍの厚さで成膜し、
最後に紫外線硬化型樹脂をスピンコード法で５μｍの厚
さで成膜し紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
このディスクのφ８４ＩＩＩＩＩ＋の位置に、波長８３
０ｎｔ。
０ｎｔ。
の半導体レーザを用いて周波数Ｉ ＭＨｚ、ｄｕｔｙ５
０％の反復信号を、９００ｒｐｍの条件でレーザー出力
を変化させて書込み、記録感度とＣ／Ｎ比を測定した。
０％の反復信号を、９００ｒｐｍの条件でレーザー出力
を変化させて書込み、記録感度とＣ／Ｎ比を測定した。
また６０°Ｃ１９０％ＲＨの条件下に２００時間、５０
０時間放置した後の記録感度とＣ／Ｎ比を同様に測定し
初期状態との変化を調べた。その結果を表１に示す。
０時間放置した後の記録感度とＣ／Ｎ比を同様に測定し
初期状態との変化を調べた。その結果を表１に示す。
比較例２
φ１３０ｍｍのポリカーボネート樹脂製スパイラル溝付
きディスク基板にＤＣスパッタ法によりＴｅを４０ｎｍ
の厚さで成膜し、ついでＲＦスパッタ法により無アルカ
リガラスを５Ｑｎｍの厚さで成膜し、最後に紫外線硬化
型樹脂をスピンコード法で５μｍの厚さで成膜し紫外線
を照射し樹脂を硬化させた。
きディスク基板にＤＣスパッタ法によりＴｅを４０ｎｍ
の厚さで成膜し、ついでＲＦスパッタ法により無アルカ
リガラスを５Ｑｎｍの厚さで成膜し、最後に紫外線硬化
型樹脂をスピンコード法で５μｍの厚さで成膜し紫外線
を照射し樹脂を硬化させた。
このディスクのφ８４ｍｍの位置に、波長８８−３０ｎ
の半導体レーザを用いて周波数Ｉ Ｍｌｌｚ、ｄｕｔｙ
５０％の反復信号を、９００ｒｐｍの条件でレーザー出
力を変化させて書込み、記録感度とＣ／Ｎ比を測定した
。また６０℃、９０％ＲＨの条件下に２００時間、５０
０時間放置した後の記録感度とＣ／Ｎ比を同様に測定し
初期状態との変化を調べた。その結果を表１に示す。
の半導体レーザを用いて周波数Ｉ Ｍｌｌｚ、ｄｕｔｙ
５０％の反復信号を、９００ｒｐｍの条件でレーザー出
力を変化させて書込み、記録感度とＣ／Ｎ比を測定した
。また６０℃、９０％ＲＨの条件下に２００時間、５０
０時間放置した後の記録感度とＣ／Ｎ比を同様に測定し
初期状態との変化を調べた。その結果を表１に示す。
表 １
注）
寧１：再生ＲＦ出力がその最大値の９０％に達する時の
記録レーザー出力 〔発明の効果〕 以上の結果から明らかなように、基板に直接形成された
Ｔｅ及びＳｅを主成分としＡ Ｉ ＋ Ｓ ｉ＋ Ｔ
ｉ ＋ Ｃｒ ＋Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ＋
Ａｇ、Ｃｄ、 Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｂ及
び旧からなる群より選ばれた元素のうち少なくとも一種
を含む記録膜と、この記録膜の保護のための無機物から
なる保護層を有し、記録用ビームを受けて凸部を形成す
ることにより情報を記録する本発明の光情報記録媒体は
対酸化性及び寿命が大幅に向上することが確認された。
記録レーザー出力 〔発明の効果〕 以上の結果から明らかなように、基板に直接形成された
Ｔｅ及びＳｅを主成分としＡ Ｉ ＋ Ｓ ｉ＋ Ｔ
ｉ ＋ Ｃｒ ＋Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ＋
Ａｇ、Ｃｄ、 Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｂ及
び旧からなる群より選ばれた元素のうち少なくとも一種
を含む記録膜と、この記録膜の保護のための無機物から
なる保護層を有し、記録用ビームを受けて凸部を形成す
ることにより情報を記録する本発明の光情報記録媒体は
対酸化性及び寿命が大幅に向上することが確認された。
第１図は本発明の光情報記録媒体の一実施例を示す断面
図、第２図は本発明の光情報記録媒体の別の実施例を示
す断面図である。 に基板 ２：記録膜 ３：無機保護層 ４：存機保護層
図、第２図は本発明の光情報記録媒体の別の実施例を示
す断面図である。 に基板 ２：記録膜 ３：無機保護層 ４：存機保護層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、記録用ビームを受けて凸部を形成することにより情
報を記録する光情報記録媒体において、基板と、基板に
直接形成されたＴｅ及びＳｅを主成分としＡｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ａｇ
、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｂ及びＢｉ
からなる群より選ばれた元素のうち少なくとも一種を含
む記録膜と、この記録膜の保護のための無機物からなる
保護層を有することを特徴とする光情報記録媒体。 ２、上記無機物からなる保護層の上層に更に有機樹脂か
らなる保護層を有する請求項１記載の光情報記録媒体。 ３、上記記録膜の厚さが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下で
ある請求項１又は２記載の光情報記録媒体。 ４、上記基板材料が、ポリカーボネート樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、エポキシ樹脂及びアモルファス
ポリオレフィンからなる群から選ばれた透明プラスチッ
ク材、又はガラスである請求項１〜３のいずれかに記載
の光情報記録媒体。 ５、上記無機物からなる保護層が、ガラス、ＳｉＯ＿２
、ＳｉＯ、ＴｉＯ＿２、Ｙ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３
、ＺｎＯ、Ｂ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、ＧｅＯ＿２、Ｚ
ｎＳ、ＢＮ、及びＳｉ＿３Ｎ＿４からなる群から選ばれ
た薄膜あるいはそれらの複合物である請求項１〜４のい
ずれかに記載の光情報記録媒体。 ６、上記無機物からなる保護層の厚さが５ｎｍ以上２０
０ｎｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載の光情
報記録媒体。 ７、上記有機樹脂の保護層の厚さが１μｍ以上５０μｍ
以下である請求項２〜６のいずれかに記載の光情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP88140823A JPH01311431A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP88140823A JPH01311431A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01311431A true JPH01311431A (ja) | 1989-12-15 |
Family
ID=15277550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP88140823A Pending JPH01311431A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01311431A (ja) |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP88140823A patent/JPH01311431A/ja active Pending
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