JPS63160030A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPS63160030A JPS63160030A JP61306906A JP30690686A JPS63160030A JP S63160030 A JPS63160030 A JP S63160030A JP 61306906 A JP61306906 A JP 61306906A JP 30690686 A JP30690686 A JP 30690686A JP S63160030 A JPS63160030 A JP S63160030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- layer
- dielectric layer
- thin film
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分訝
本発明は、音声信号、映像信号または符号化データの記
録再生が可能な光ディスクに関する。
録再生が可能な光ディスクに関する。
従来の技術
従来の光ディスクとしては、例えば画像電子学会誌第1
4巻第2号(1985)に示されている。
4巻第2号(1985)に示されている。
第2図はこの従来の光ディスクの断面図を示すものであ
る。第2図において、201は記録再生に用いられるレ
ーザー光、202は前記レーザー光を集光する凸レンズ
、203はガラスまたはポリカーボネートの基板及びト
ラッキング溝とアドレスとを表わすビットを転写した紫
外線硬化樹脂及び3102などの保護層から成る誘電体
、1j204ば5n−Te−3eまたはTeOxなどの
記録層、206はSiO2などの保護層及び有機物保護
層から成る誘電体層、206は上記誘電体層203.2
05及び記録層204から構成される物体を2枚貼り合
わせる接着剤層である。第2図に示されるように、記録
信号または記録データによって強度変調されたレーザー
光201が凸レンズ202によって記録層204上に集
光され、光ディスクの回転に伴なって記録層が急熱急冷
されることによって記録層が相変化し、反射率が変化す
ることによって信号列またはデータ列が光ディスクに記
録される。再生時には、記録時より強度の弱いレーザー
光を記録層に当てることにより、反射光強度の変化から
信号列またはデータ列を再生する。誘電体層203は記
録層を保護するためと、光デイスク表面と記録層204
との距離を離すために設けられている。これによってレ
ーザー光は記録層204の上では回折限界にまで集光さ
れているにもかかわらず、光デイスク表面ではビーム径
が比較的大きくなり、光ディスクに付着した指紋やほこ
りによるレーザー光の散乱が少なく、記録層に注入され
るレーザー光強度の指絞やほこシによる影響は少ない。
る。第2図において、201は記録再生に用いられるレ
ーザー光、202は前記レーザー光を集光する凸レンズ
、203はガラスまたはポリカーボネートの基板及びト
ラッキング溝とアドレスとを表わすビットを転写した紫
外線硬化樹脂及び3102などの保護層から成る誘電体
、1j204ば5n−Te−3eまたはTeOxなどの
記録層、206はSiO2などの保護層及び有機物保護
層から成る誘電体層、206は上記誘電体層203.2
05及び記録層204から構成される物体を2枚貼り合
わせる接着剤層である。第2図に示されるように、記録
信号または記録データによって強度変調されたレーザー
光201が凸レンズ202によって記録層204上に集
光され、光ディスクの回転に伴なって記録層が急熱急冷
されることによって記録層が相変化し、反射率が変化す
ることによって信号列またはデータ列が光ディスクに記
録される。再生時には、記録時より強度の弱いレーザー
光を記録層に当てることにより、反射光強度の変化から
信号列またはデータ列を再生する。誘電体層203は記
録層を保護するためと、光デイスク表面と記録層204
との距離を離すために設けられている。これによってレ
ーザー光は記録層204の上では回折限界にまで集光さ
れているにもかかわらず、光デイスク表面ではビーム径
が比較的大きくなり、光ディスクに付着した指紋やほこ
りによるレーザー光の散乱が少なく、記録層に注入され
るレーザー光強度の指絞やほこシによる影響は少ない。
このようにレーザー光の回折限界まで記録ピットを小さ
くでき高密度記録が可能であると同時に、はこりによる
記録信号や再生信号のエラーが少ないということは光デ
ィスクの1つの特長である。
くでき高密度記録が可能であると同時に、はこりによる
記録信号や再生信号のエラーが少ないということは光デ
ィスクの1つの特長である。
しかしながら、表面に付着したほこりがある程度以上に
大きい場合には、やはり記録信号や再生信号にエラーが
生ずる。特に記録時においては、記録層に注入されるレ
ーザー光強度の少しの変化によって、記録層が相変化の
ための所定の温度に達せず、記録信号にエラーが生じや
すい。
大きい場合には、やはり記録信号や再生信号にエラーが
生ずる。特に記録時においては、記録層に注入されるレ
ーザー光強度の少しの変化によって、記録層が相変化の
ための所定の温度に達せず、記録信号にエラーが生じや
すい。
第3図に従来の光ディスクをジャケットに入れた構成図
を示す。第3図において、301は光ディスク、302
は光ディスクをほこりから守るためのジャケット、30
3は光ディスクに記録会再生のレーザー光を当てるため
の窓、304は光ティスフの中心穴、305はジャケッ
トの中心穴である。第3図に示される構成によって、光
ディスクは光ディスク運動装置の回転軸に光ディスクの
中心穴304が支持され、窓303を通して記録・再生
レーザー光が照射されて信号の記録再生を行なうと同時
に、光ディスク301がジャケット302におおわれる
ことによって、光ディスクがほこシから守られ、光ディ
スクに指紋が付がないように気を配らなくても、指紋が
付きにくく、光ディスクの取扱いが容易になる。
を示す。第3図において、301は光ディスク、302
は光ディスクをほこりから守るためのジャケット、30
3は光ディスクに記録会再生のレーザー光を当てるため
の窓、304は光ティスフの中心穴、305はジャケッ
トの中心穴である。第3図に示される構成によって、光
ディスクは光ディスク運動装置の回転軸に光ディスクの
中心穴304が支持され、窓303を通して記録・再生
レーザー光が照射されて信号の記録再生を行なうと同時
に、光ディスク301がジャケット302におおわれる
ことによって、光ディスクがほこシから守られ、光ディ
スクに指紋が付がないように気を配らなくても、指紋が
付きにくく、光ディスクの取扱いが容易になる。
しかしながら、第2図に示される従来の光ディスクを第
3図に示されるようにジャケットでおおった場合、シャ
ケ7)の中で光ディスクが回転することによって、光デ
ィスクが帯電し、光ディスクの表面にほこりが吸着され
、記録信号や再生信号にエラーが生ずるという問題点が
あった。
3図に示されるようにジャケットでおおった場合、シャ
ケ7)の中で光ディスクが回転することによって、光デ
ィスクが帯電し、光ディスクの表面にほこりが吸着され
、記録信号や再生信号にエラーが生ずるという問題点が
あった。
本発明はかかる点に鑑み、光ディスクが帯電した場合に
も、はこりが信号が記録されている部分には吸着されず
、記録再生信号がほこシによってエラーを生ずることの
ない光ディスクを提供することを目的とする。
も、はこりが信号が記録されている部分には吸着されず
、記録再生信号がほこシによってエラーを生ずることの
ない光ディスクを提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、基板等から成る誘電体層の表面に透明導電体
薄膜を備えた光ディスクである。
薄膜を備えた光ディスクである。
作 用
本発明は前記した構成によシ、光ディスクの基板等が帯
電した場合にも、透明導電体薄膜に誘起される逆の極性
の電荷によって、基板等の誘電体層の中の電荷が中和さ
れると同時に、透明導電体薄膜上の中和に寄与しない電
荷は相互間の電気的斥力により光ディスクの辺縁部にの
み存在することかう、光ディスクに吸着されるほこりは
辺縁部にのみ吸着され、記録信号及び再生信号には影響
を与えず、記録再生信号はエラーを生じない。
電した場合にも、透明導電体薄膜に誘起される逆の極性
の電荷によって、基板等の誘電体層の中の電荷が中和さ
れると同時に、透明導電体薄膜上の中和に寄与しない電
荷は相互間の電気的斥力により光ディスクの辺縁部にの
み存在することかう、光ディスクに吸着されるほこりは
辺縁部にのみ吸着され、記録信号及び再生信号には影響
を与えず、記録再生信号はエラーを生じない。
実施例
第1図は本発明の実施例における光ディスクの断面図を
示すものである。第1図において101は記録・再生に
用いられるレーザー光、102は前記レーザー光を集光
する凸レンズ、103はITO(工r12o3にSnを
ドープした酸化物)などの透明導電体薄膜、104は基
板や紫外線硬化樹脂や保護膜から成る誘電体層、105
は記録層、106は保護層や有機物保護層から成る誘電
体層。
示すものである。第1図において101は記録・再生に
用いられるレーザー光、102は前記レーザー光を集光
する凸レンズ、103はITO(工r12o3にSnを
ドープした酸化物)などの透明導電体薄膜、104は基
板や紫外線硬化樹脂や保護膜から成る誘電体層、105
は記録層、106は保護層や有機物保護層から成る誘電
体層。
107は上記透明導電体薄膜103と誘電体層104
、106と記録層105とから構成される物体を2枚貼
シ合わせるための接着剤層である。
、106と記録層105とから構成される物体を2枚貼
シ合わせるための接着剤層である。
第1図と第2図を比較するとわかるように、本発明の実
施例の光ディスクは従来の光ディスクの表面に透明導電
体薄膜を配置して成る。
施例の光ディスクは従来の光ディスクの表面に透明導電
体薄膜を配置して成る。
第4図は、本実施例の光ディスクが正に帯電した時の電
荷配置図である。第4図において401は透明導電体薄
膜、402は誘電体層、403は正電荷、404は負電
荷、405は電気力線である。誘電体層402が正に帯
電すると、透明導電体薄膜401には負電荷か誘起され
る。誘電体の中の電荷が動けないのに対して導電体中の
電荷は自由に動くことができるので、誘起された負電荷
は、透明導電体薄膜401の中で誘電体層402の中の
正電荷に最も近い位置に配置される。従って誘電体40
2の中の正電荷から発せられ透明導電体薄膜401へ向
かう電気力線は、透明導電体薄膜401の中の前記負電
荷によって終端される。
荷配置図である。第4図において401は透明導電体薄
膜、402は誘電体層、403は正電荷、404は負電
荷、405は電気力線である。誘電体層402が正に帯
電すると、透明導電体薄膜401には負電荷か誘起され
る。誘電体の中の電荷が動けないのに対して導電体中の
電荷は自由に動くことができるので、誘起された負電荷
は、透明導電体薄膜401の中で誘電体層402の中の
正電荷に最も近い位置に配置される。従って誘電体40
2の中の正電荷から発せられ透明導電体薄膜401へ向
かう電気力線は、透明導電体薄膜401の中の前記負電
荷によって終端される。
一方、透明導電体薄膜401の中の電荷で、上記の電荷
の中和に寄与しない電荷は、相互間の斥力により透明導
電体薄膜の中でお互いに最も遠い場所即ち光ディスクの
辺縁部に配置される。以上のようにして、透明導電体薄
膜から発せられる電気力線は、全て光ディスクの辺縁部
から発せられ、光ディスクの帯電によって光デイスク表
面に付着するごみは全て光ディスクの辺縁部に付着し、
信号やデータの記録再生には一切影響を与えない。
の中和に寄与しない電荷は、相互間の斥力により透明導
電体薄膜の中でお互いに最も遠い場所即ち光ディスクの
辺縁部に配置される。以上のようにして、透明導電体薄
膜から発せられる電気力線は、全て光ディスクの辺縁部
から発せられ、光ディスクの帯電によって光デイスク表
面に付着するごみは全て光ディスクの辺縁部に付着し、
信号やデータの記録再生には一切影響を与えない。
なお、以上の実施例の説明において記録層としては従来
例で説明したよりな相変化のものなど反射率の変化する
ものや、光磁気ディスクのような磁化極性が変化するも
のであってもよい。
例で説明したよりな相変化のものなど反射率の変化する
ものや、光磁気ディスクのような磁化極性が変化するも
のであってもよい。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、光ディスクが帯電
した場合に光ディスクに電気的引力によって付着するほ
こりを、光ディスクの記鎌再生部から除くことができ、
光ディスクの帯電によって付着したほこりによる記録信
号や再生信号のエラーを防ぐことができ、その実用的効
果は大きい。
した場合に光ディスクに電気的引力によって付着するほ
こりを、光ディスクの記鎌再生部から除くことができ、
光ディスクの帯電によって付着したほこりによる記録信
号や再生信号のエラーを防ぐことができ、その実用的効
果は大きい。
第1図は本発明における実施例の光ディスクの断面図、
第2図は従来の光ディスクの断面図、第3図は光ディス
クを内蔵するジャケットの斜視図、第4図は本発明の実
施例の電荷配置図である。 10310.・・透明導電体薄膜、104.203・・
・・・・誘電体層、401・・・・・・透明導電体薄膜
、402・・・・・誘電体層、403・・・・・・正電
荷、404・・・・・負電荷、406・・・・・電気力
線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 / 擲4 光ティスフの中入穴 3θ5 シマグツトの中7℃欠 第4図 aot 迭l!st体薄B
第2図は従来の光ディスクの断面図、第3図は光ディス
クを内蔵するジャケットの斜視図、第4図は本発明の実
施例の電荷配置図である。 10310.・・透明導電体薄膜、104.203・・
・・・・誘電体層、401・・・・・・透明導電体薄膜
、402・・・・・誘電体層、403・・・・・・正電
荷、404・・・・・負電荷、406・・・・・電気力
線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 / 擲4 光ティスフの中入穴 3θ5 シマグツトの中7℃欠 第4図 aot 迭l!st体薄B
Claims (1)
- 注入されるレーザー光強度に応じて反射率または磁化極
性が変化する記録層と、この記録層と光学ヘッドとの間
に配置された誘電体層とを有し、記録再生のためのレー
ザー光が照射される側の表面に透明導電体薄膜を配置し
て成る光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61306906A JPS63160030A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61306906A JPS63160030A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63160030A true JPS63160030A (ja) | 1988-07-02 |
Family
ID=17962691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61306906A Pending JPS63160030A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63160030A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03178047A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 帯電防止形光ディスク |
JPH04364248A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-12-16 | Sharp Corp | 光ディスク |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61306906A patent/JPS63160030A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03178047A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 帯電防止形光ディスク |
JPH04364248A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-12-16 | Sharp Corp | 光ディスク |
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