JPH03238640A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03238640A JPH03238640A JP3368590A JP3368590A JPH03238640A JP H03238640 A JPH03238640 A JP H03238640A JP 3368590 A JP3368590 A JP 3368590A JP 3368590 A JP3368590 A JP 3368590A JP H03238640 A JPH03238640 A JP H03238640A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザビーム等により記録および／または再生
することができる光ディスク、光カード等に供する事の
出来る光磁気記録媒体に関し、とくに再生特性が良（、
記録膜の劣化を防止した光磁気記録媒体に関する。
することができる光ディスク、光カード等に供する事の
出来る光磁気記録媒体に関し、とくに再生特性が良（、
記録膜の劣化を防止した光磁気記録媒体に関する。
［従来の技術］
光磁気メモリーは大量の情報を高密度に蓄積でき、しか
も高速に情報を読み出すことができるメモリーとして注
目されている。このような光磁気メモリーの記録層に希
土類−遷移金属非晶質合金の垂直磁化膜が使用されてい
る。記録層の劣化の防止およびその再生特性の向上のた
め白金、アルミニウムあるいはチタンを合金記録層中に
添加することも行われている。
も高速に情報を読み出すことができるメモリーとして注
目されている。このような光磁気メモリーの記録層に希
土類−遷移金属非晶質合金の垂直磁化膜が使用されてい
る。記録層の劣化の防止およびその再生特性の向上のた
め白金、アルミニウムあるいはチタンを合金記録層中に
添加することも行われている。
［発明が解決しようとする課題Ｊ
しかしながら、従来は上述した添加金属は記録層中に均
質に添加されていたので、再生特性の向上および劣化防
止の双方ともに充分な効果が得られなかった。
質に添加されていたので、再生特性の向上および劣化防
止の双方ともに充分な効果が得られなかった。
本発明は、再生特性がすぐれ、しかも高い信頼性を有す
る光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
る光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明光磁気記録媒
体は透明基板上に形成された記録層を有する光電磁記録
媒体において、前記記録層が、（ＦｅｘＣＯ＋−Ｉｌ）
＋−ｙ Ｍ３’ （ただし、ＭはＰｔ、 ＰｄおよびＡ
ｕの少なくとも１種、０．Ｏ１≦ｙ≦０．ｌ）からなる
第１層と、Ｎｄ、 Ｄｙ、 ＧｄおよびＴｂの少な（と
も１種からなる第２層とが交互に積層された多層金属薄
膜であることを特徴とする。
体は透明基板上に形成された記録層を有する光電磁記録
媒体において、前記記録層が、（ＦｅｘＣＯ＋−Ｉｌ）
＋−ｙ Ｍ３’ （ただし、ＭはＰｔ、 ＰｄおよびＡ
ｕの少なくとも１種、０．Ｏ１≦ｙ≦０．ｌ）からなる
第１層と、Ｎｄ、 Ｄｙ、 ＧｄおよびＴｂの少な（と
も１種からなる第２層とが交互に積層された多層金属薄
膜であることを特徴とする。
［作 用］
本発明においては、Ｐｔ、 ＰｄまたはＡｕは遷移金属
の近傍に集中的に添加され、希土類金属近傍には、層の
界面を除いては存在しない。
の近傍に集中的に添加され、希土類金属近傍には、層の
界面を除いては存在しない。
希土類（Ｎｄ、 ＤＬ Ｇｄ、 Ｔｂ等）の代表として
Ｔｂを、遷移金属の代表としてＦｅ、 Ｇｏを例にとり
説明する。
Ｔｂを、遷移金属の代表としてＦｅ、 Ｇｏを例にとり
説明する。
本発明者らの種々実験の結果から、耐食向上のための添
加元素特にＰｔ、 Ｐｄ、 ＡｕはＴｂの近傍にあると
その耐食メカニズムから充分な機能を発揮しないことが
判明した。Ｔｉ、 Ａｌの場合は孔食の発生が開始され
ると酸化物が生成されて不動態を形成し、それ以上の孔
食の進行を止める効果をもつ。
加元素特にＰｔ、 Ｐｄ、 ＡｕはＴｂの近傍にあると
その耐食メカニズムから充分な機能を発揮しないことが
判明した。Ｔｉ、 Ａｌの場合は孔食の発生が開始され
ると酸化物が生成されて不動態を形成し、それ以上の孔
食の進行を止める効果をもつ。
一方、Ｐｔ、 Ｐｄ、 Ａｕはピンホール発生核の生成
抑制効果及び孔食発生時のｐｔ等金属の濃縮効果を有す
るが、これまでは−旦孔食が発生するとＴｉ等に比べ耐
久性向上効果は劣ると見られていた。しかし１本発明者
らは、ＴｂとＦｅＣｏを別にスパッタし多層構造化し、
さらにＦｅＣｏ層のみにｐｔ等を添加するとＴｂＦｅＣ
ｏ合金全体にｐｔ等を添加した場合及び更にＴｉやＡｌ
をＴｂＦｅＣｏ全体や、 ＦｅＣｏ近傍のみに添加した
場合よりも耐久性が向上する事を見い出し本発明に至っ
たものである。
抑制効果及び孔食発生時のｐｔ等金属の濃縮効果を有す
るが、これまでは−旦孔食が発生するとＴｉ等に比べ耐
久性向上効果は劣ると見られていた。しかし１本発明者
らは、ＴｂとＦｅＣｏを別にスパッタし多層構造化し、
さらにＦｅＣｏ層のみにｐｔ等を添加するとＴｂＦｅＣ
ｏ合金全体にｐｔ等を添加した場合及び更にＴｉやＡｌ
をＴｂＦｅＣｏ全体や、 ＦｅＣｏ近傍のみに添加した
場合よりも耐久性が向上する事を見い出し本発明に至っ
たものである。
［実施例］
以下に実施例によって本発明の詳細な説明する。
大玉ｌ性上
第１図に示すようなスパッタリング装置を用いて光磁気
媒体を作製した。
媒体を作製した。
スパッタ装置は複数のターゲットを装着できるもので、
本例ではターゲット１および２の２個のターゲットを示
しである。ターゲットと対向する回転可能な基板ホルダ
ー３に複数の基板４．５が自転可能に装着される。ター
ゲット１および２には負の直流電圧が印加され、一方、
チャンバ６は接地電位に保たれる。基板ホルダーを回転
させながら、チャンバ６内で放電を行わせると、ターゲ
ットｌおよび２の表面はスパッタされる。基板４および
５がターゲット１または２の上に位置した時に各基板に
は対応するターゲットを構成する物質が堆積される。従
って、ターゲット１と２とに異なる物質を用いると、基
板上には異なる物質が交互に積層して堆積する。
本例ではターゲット１および２の２個のターゲットを示
しである。ターゲットと対向する回転可能な基板ホルダ
ー３に複数の基板４．５が自転可能に装着される。ター
ゲット１および２には負の直流電圧が印加され、一方、
チャンバ６は接地電位に保たれる。基板ホルダーを回転
させながら、チャンバ６内で放電を行わせると、ターゲ
ットｌおよび２の表面はスパッタされる。基板４および
５がターゲット１または２の上に位置した時に各基板に
は対応するターゲットを構成する物質が堆積される。従
って、ターゲット１と２とに異なる物質を用いると、基
板上には異なる物質が交互に積層して堆積する。
幅０．６４ｃｍ、深さ７００人、ピッチ１．６μｍのス
パイラル溝が形成された直径１３０ｍｍのポリカーボネ
ート基板７を基板ホルダー３に装着し、チャンバー内を
１０−’Ｔｏｒｒまで排気した後アルゴンガスを導入し
、ＳｉＯをターゲットとしてスパッタし、基板上に厚さ
８００人のＳｉＯ膜８を成膜した。ターゲット１として
Ｔｂターゲットを、ターゲット２としてＦｅＣｏ合金タ
ーゲットにｐｔチップ２Ａを乗せたものを用い、基板を
３０ｒｐｎ＋で公転させながら両ターゲットを同時にス
パッタして、基板上にＴｂ層９とＦｅＣｏ−Ｐｔ層ｌＯ
を交互に堆積させて記録層を形成した。Ｔｂ単層の厚さ
は４．０人（１，１原子層）、ＦｅＣｏ−Ｐｔ単層の厚
さは１０００人（４，２原子層）であり、この２層の積
層単位を５５層かさね、記録層の膜厚を８００人とした
。Ｔｂ、 ＦｅおよびＣＯの組成がＴｂｚ４ＦｅｓｓＣ
Ｏ＋ｓとなるように各ターゲットを調整し、記録層中の
ｐｔ量が９．５ａｔ％となるようにｐｔチップの面積を
定めた。スパッタ時のアルゴンガス圧は５ａ＋Ｔｏｒｒ
、 ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ−Ｐｔターゲットの
投入電力はそれぞれ３００Ｗおよび７００Ｗである。次
いでＳｉＯの保護層１１を８００人形成したのち、紫外
線硬化樹脂１２をスピンコーターにて２０μｍ塗布、紫
外線にて硬化させ、光磁気記録媒体を作製した。第２図
に作製された媒体の模式的断面を示す。さらに２枚の媒
体の樹脂保護層上にホットメルト接着剤をロールコータ
にて５０μｍ塗布後、両液着剤面を対向させて貼合せて
１３０ｍｍ両面ディスクとし実施例試料１とした。
パイラル溝が形成された直径１３０ｍｍのポリカーボネ
ート基板７を基板ホルダー３に装着し、チャンバー内を
１０−’Ｔｏｒｒまで排気した後アルゴンガスを導入し
、ＳｉＯをターゲットとしてスパッタし、基板上に厚さ
８００人のＳｉＯ膜８を成膜した。ターゲット１として
Ｔｂターゲットを、ターゲット２としてＦｅＣｏ合金タ
ーゲットにｐｔチップ２Ａを乗せたものを用い、基板を
３０ｒｐｎ＋で公転させながら両ターゲットを同時にス
パッタして、基板上にＴｂ層９とＦｅＣｏ−Ｐｔ層ｌＯ
を交互に堆積させて記録層を形成した。Ｔｂ単層の厚さ
は４．０人（１，１原子層）、ＦｅＣｏ−Ｐｔ単層の厚
さは１０００人（４，２原子層）であり、この２層の積
層単位を５５層かさね、記録層の膜厚を８００人とした
。Ｔｂ、 ＦｅおよびＣＯの組成がＴｂｚ４ＦｅｓｓＣ
Ｏ＋ｓとなるように各ターゲットを調整し、記録層中の
ｐｔ量が９．５ａｔ％となるようにｐｔチップの面積を
定めた。スパッタ時のアルゴンガス圧は５ａ＋Ｔｏｒｒ
、 ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ−Ｐｔターゲットの
投入電力はそれぞれ３００Ｗおよび７００Ｗである。次
いでＳｉＯの保護層１１を８００人形成したのち、紫外
線硬化樹脂１２をスピンコーターにて２０μｍ塗布、紫
外線にて硬化させ、光磁気記録媒体を作製した。第２図
に作製された媒体の模式的断面を示す。さらに２枚の媒
体の樹脂保護層上にホットメルト接着剤をロールコータ
にて５０μｍ塗布後、両液着剤面を対向させて貼合せて
１３０ｍｍ両面ディスクとし実施例試料１とした。
添加元素をそれぞれＰｄおよびＡｕにかえた以外は、上
述したと全（同じ手順で両面ディスクを作製し、それぞ
れ実施例試料２および３とした。
述したと全（同じ手順で両面ディスクを作製し、それぞ
れ実施例試料２および３とした。
一方、記録層形成用のターゲットとしてＴｂＦｅＣ。
合金上にＴｉチップを乗せた１種類のターゲットを用い
、記録層にＴｉを均質に添加した以外、実施例試料ｌと
同様にして光ディスクを作製し、比較例試料１とした。
、記録層にＴｉを均質に添加した以外、実施例試料ｌと
同様にして光ディスクを作製し、比較例試料１とした。
同様にしてＡＩ、 Ｐｔ、 ＰｄおよびＡｕのそれぞれ
を記録層中に均質に添加した光ディスクをそれぞれ比較
例試料２．３．４および５とした。さらに、実施例試料
１のｐｔにかえてＴｉおよびＡＩのそれぞれをＦｅＣｏ
合金チップ上に乗せ、多層構造記録層を形成して光ディ
スクを作製し、それぞれ比較例試料６および７とした。
を記録層中に均質に添加した光ディスクをそれぞれ比較
例試料２．３．４および５とした。さらに、実施例試料
１のｐｔにかえてＴｉおよびＡＩのそれぞれをＦｅＣｏ
合金チップ上に乗せ、多層構造記録層を形成して光ディ
スクを作製し、それぞれ比較例試料６および７とした。
実施例試料２．３および比較例試料６．７における記録
層の積層状態は添加元素が異なるのみで、その他は同様
である。
層の積層状態は添加元素が異なるのみで、その他は同様
である。
このようにして作製した各試料について、次のように耐
久テストを行い、ピットエラーレート（Ｂ、 Ｅ、 Ｒ
，）の変化を調べた。
久テストを行い、ピットエラーレート（Ｂ、 Ｅ、 Ｒ
，）の変化を調べた。
〈耐久テスト）
７０℃×８５％ＲＨ恒温恒湿槽中に、ディスクに過大な
応力がかからないよう垂直に保持し、５００．１０００
および２０００時間後のＢ、 Ｅ、 Ｈの変化を評価し
た。
応力がかからないよう垂直に保持し、５００．１０００
および２０００時間後のＢ、 Ｅ、 Ｈの変化を評価し
た。
（Ｂ、 Ｅ、 Ｒ評価〉
ナカミチ■製０ＭＳ−１０００にて半径３０ｍｍの位置
から４０００ ）ラックに、１８００ｒｐｍにてＩＭＨ
ｚの信号を記録し、１．０ｍＷのレーザ光を照して再生
し、初期ピットエラーレート（ＢＥＲ）を測定、（ＢＥ
Ｒ）。とじた。
から４０００ ）ラックに、１８００ｒｐｍにてＩＭＨ
ｚの信号を記録し、１．０ｍＷのレーザ光を照して再生
し、初期ピットエラーレート（ＢＥＲ）を測定、（ＢＥ
Ｒ）。とじた。
を時間耐久テスト後、記録ずみの信号を再生し第１表
した。
７０℃、８５％ＲＨ２０００時間は耐久性１０年以上と
見積られる。組成の分析には蛍光Ｘ線分析法を用いた。
見積られる。組成の分析には蛍光Ｘ線分析法を用いた。
（以下余白）
傘初期値を１とした。
各試料についての測定結果を第１表に示す。実施例試料
１〜３と比較例試料１〜５を比較すると明らかなように
、本発明による光磁気記録媒体は従来法によるものと比
較して、エージング後のビットエラーの増加がはるかに
少ない。特に比較例試料３〜５との比較から同じ添加元
素を用いても、本発明のように、Ｐｔ、 ＰｄまたはＡ
ｕをＦｅＣｏ近傍にのみ、集中添加することによって、
著しい改善が得られる。同様な方法でＴｉまたはＡｌを
添加しても改善効果は得られない。
１〜３と比較例試料１〜５を比較すると明らかなように
、本発明による光磁気記録媒体は従来法によるものと比
較して、エージング後のビットエラーの増加がはるかに
少ない。特に比較例試料３〜５との比較から同じ添加元
素を用いても、本発明のように、Ｐｔ、 ＰｄまたはＡ
ｕをＦｅＣｏ近傍にのみ、集中添加することによって、
著しい改善が得られる。同様な方法でＴｉまたはＡｌを
添加しても改善効果は得られない。
次に添加元素の量の影響を調べた。添加量はＦｅＣｏ上
の金属チップの面積によって制御できる。
の金属チップの面積によって制御できる。
ｐｔについて、添加量を０．５ 、１．０ 、５．０お
よび１２、Ｏａｔ％とし、以外は実施例試料１と全く同
様にして作製した光ディスクを、それぞれ実施例試料４
．５．６および７とする。それらについての測定結果も
第１表に示しである。ｐｔの量が少ないと保護効果が不
充分であり、１０％をこえるとＣ／Ｎの初期特性が損わ
れる。従ってｐｔの添加範囲は１．０〜１０．Ｏａｔ％
であることが必要である。ＰｄおよびＡｕについても、
添加範囲はｐｔと同様であった。
よび１２、Ｏａｔ％とし、以外は実施例試料１と全く同
様にして作製した光ディスクを、それぞれ実施例試料４
．５．６および７とする。それらについての測定結果も
第１表に示しである。ｐｔの量が少ないと保護効果が不
充分であり、１０％をこえるとＣ／Ｎの初期特性が損わ
れる。従ってｐｔの添加範囲は１．０〜１０．Ｏａｔ％
であることが必要である。ＰｄおよびＡｕについても、
添加範囲はｐｔと同様であった。
叉」１凱ｌ
ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ−Ｐｔターゲットへの投
入電力および基板の公転速度を制御してＴｂ層およびＦ
ｅＣｏ−Ｐｔ眉の各１層の膜厚を変化させ、その他は実
施例試料１と同様の手順で光ディスクを作製し、実施例
試料８〜１２とした。ただし、ｐｔ添加量はすべて６ａ
ｔ％とした。これらの各試料について、半径３０１．の
位置に２ＭＨ，の信号を記録し、初期の再生Ｃ／Ｎおよ
び７０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に２．０００時間保
持した後のＣ／Ｎを測定し、その変化を調べた。測定結
果を第２表に示す。各層の厚さはＴｂの１原子層厚を３
．５人、ＦｅＣｏ−Ｐｔの１原子層厚を２．５大挙位で
示しである。
入電力および基板の公転速度を制御してＴｂ層およびＦ
ｅＣｏ−Ｐｔ眉の各１層の膜厚を変化させ、その他は実
施例試料１と同様の手順で光ディスクを作製し、実施例
試料８〜１２とした。ただし、ｐｔ添加量はすべて６ａ
ｔ％とした。これらの各試料について、半径３０１．の
位置に２ＭＨ，の信号を記録し、初期の再生Ｃ／Ｎおよ
び７０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に２．０００時間保
持した後のＣ／Ｎを測定し、その変化を調べた。測定結
果を第２表に示す。各層の厚さはＴｂの１原子層厚を３
．５人、ＦｅＣｏ−Ｐｔの１原子層厚を２．５大挙位で
示しである。
（し大王４１白 ）
第２表
なお、ＰｄおよびＡｕについても、以上の事情はｐｔと
同様である。
同様である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、添加元素である
Ｐｔ、 ＰｄあるいはＡｕがＦｅＣｏの近傍に局するの
で、それら添加元素が遷移金属を保護する効果が高く、
従って光ディスクに高い信頼性を付与することができる
。
Ｐｔ、 ＰｄあるいはＡｕがＦｅＣｏの近傍に局するの
で、それら添加元素が遷移金属を保護する効果が高く、
従って光ディスクに高い信頼性を付与することができる
。
第２表に見られるように、Ｔｂ層の厚さは０．５〜２原
子層がよい。０．５未満では充分な耐久性が得られず、
２．０を越えるとＦｅＣｏとの磁気的相互作用が不充分
となり初期Ｃ／Ｎが劣化する。
子層がよい。０．５未満では充分な耐久性が得られず、
２．０を越えるとＦｅＣｏとの磁気的相互作用が不充分
となり初期Ｃ／Ｎが劣化する。
従って、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ合金組成を考慮するとＦｅＣ
ｏＰｔ層も２〜８原子層が良く、このことも第２表に見
られるとおりである。
ｏＰｔ層も２〜８原子層が良く、このことも第２表に見
られるとおりである。
くりかえし層数は２０〜２００が必要である。２０以下
では充分なＣ／Ｎが得られず、２００以上では記録感度
が低下する。
では充分なＣ／Ｎが得られず、２００以上では記録感度
が低下する。
第１図は本発明光磁気記録媒体の製造に使用されるスパ
ッタ装置の一例の模式的断面図、第２図は本発明実施例
の模式的断面図である。 １．２・・・ターゲット、 ３・・・基板ホルダー ４．５・・・基板。
ッタ装置の一例の模式的断面図、第２図は本発明実施例
の模式的断面図である。 １．２・・・ターゲット、 ３・・・基板ホルダー ４．５・・・基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）透明基板上に形成された記録層を有する光磁気記録
媒体において、前記記録層が、（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿１＿−
＿ｘ）＿１＿−＿ｙＭ＿ｙ（ただし、ＭはＰｔ，Ｐｄお
よびＡｕの少なくとも１種、０．０１≦ｙ≦０．１）か
らなる第１層と、Ｎｄ，Ｄｙ，ＧｄおよびＴｂの少なく
とも１種からなる第２層とが交互に積層された多層金属
薄膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。 ２）前記第１層の厚さが２〜８原子層、前記第２層の厚
さが０．５〜２原子層であり、それぞれが２０〜２００
層交互に積層されていることを特徴とする請求項１に記
載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033685A JP2918600B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
| EP91102099A EP0443442B1 (en) | 1990-02-16 | 1991-02-14 | Magneto-optical recording medium |
| DE1991621737 DE69121737T2 (de) | 1990-02-16 | 1991-02-14 | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033685A JP2918600B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238640A true JPH03238640A (ja) | 1991-10-24 |
| JP2918600B2 JP2918600B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=12393289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2033685A Expired - Fee Related JP2918600B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0443442B1 (ja) |
| JP (1) | JP2918600B2 (ja) |
| DE (1) | DE69121737T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3347503A1 (en) | 2015-09-08 | 2018-07-18 | Evatec AG | Vacuum processing apparatus and method for vacuum processing substrates |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670353A (en) * | 1982-03-17 | 1987-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium |
| JPS5984358A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| US4740430A (en) * | 1987-02-18 | 1988-04-26 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Magneto-optic memory |
| EP0304873B1 (en) * | 1987-08-26 | 1991-11-21 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
| CA1309770C (en) * | 1987-12-10 | 1992-11-03 | Hirokazu Kajiura | Magnetooptical recording medium |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP2033685A patent/JP2918600B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-14 EP EP91102099A patent/EP0443442B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-14 DE DE1991621737 patent/DE69121737T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0443442A2 (en) | 1991-08-28 |
| EP0443442A3 (en) | 1992-05-20 |
| EP0443442B1 (en) | 1996-09-04 |
| JP2918600B2 (ja) | 1999-07-12 |
| DE69121737D1 (de) | 1996-10-10 |
| DE69121737T2 (de) | 1997-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |