JPH08227541A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH08227541A JPH08227541A JP5815095A JP5815095A JPH08227541A JP H08227541 A JPH08227541 A JP H08227541A JP 5815095 A JP5815095 A JP 5815095A JP 5815095 A JP5815095 A JP 5815095A JP H08227541 A JPH08227541 A JP H08227541A
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- Japan
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- magneto
- layer
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- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分な低磁界でＰｔ／Ｃｏ交互積層膜のＣ／
Ｎが飽和する光磁気記録媒体を提供することで、その磁
界変調方式での記録を可能にする。 【構成】 Ｐｔ層とＣｏ層が交互に積層された磁性層１
を記録層として基板３上に有する光磁気記録媒体。交互
積層膜１と基板３との間にＳｉＮの下地層２ａが成膜さ
れており、各Ｐｔ層の厚さは各々０．８６ｎｍ〜１．７
３ｎｍの範囲にあり、各Ｃｏ層の厚さは各々０．２７ｎ
ｍ〜０．５５ｎｍの範囲にある。
Ｎが飽和する光磁気記録媒体を提供することで、その磁
界変調方式での記録を可能にする。 【構成】 Ｐｔ層とＣｏ層が交互に積層された磁性層１
を記録層として基板３上に有する光磁気記録媒体。交互
積層膜１と基板３との間にＳｉＮの下地層２ａが成膜さ
れており、各Ｐｔ層の厚さは各々０．８６ｎｍ〜１．７
３ｎｍの範囲にあり、各Ｃｏ層の厚さは各々０．２７ｎ
ｍ〜０．５５ｎｍの範囲にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁性層としてＰｔ／Ｃ
ｏの交互積層膜を備えた光磁気記録媒体に関する。詳し
くは、磁界感度を向上させた光磁気記録媒体に関する。
ｏの交互積層膜を備えた光磁気記録媒体に関する。詳し
くは、磁界感度を向上させた光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録／再生方式は、レーザ光によ
る媒体の昇温と、媒体でのレーザ光の偏光面の回転（磁
気光学効果）を利用して、記録／再生する方式である。
この方式は、レーザスポットを用いることに起因する記
録密度の高さ、光学ヘッドと媒体が非接触であることに
起因する信頼性の高さ、リムーバブルである等の利点か
ら注目され、コンピュータデータや音楽データの記録用
に実用化されている。
る媒体の昇温と、媒体でのレーザ光の偏光面の回転（磁
気光学効果）を利用して、記録／再生する方式である。
この方式は、レーザスポットを用いることに起因する記
録密度の高さ、光学ヘッドと媒体が非接触であることに
起因する信頼性の高さ、リムーバブルである等の利点か
ら注目され、コンピュータデータや音楽データの記録用
に実用化されている。
【０００３】現行の光磁気記録用のレーザの波長は７８
０ｎｍである。また、光磁気記録媒体の磁性層として
は、ＴｂＦｅＣｏ等に代表される希土類・遷移金属アモ
ルファス合金のスパッタリング膜が用いられている。そ
の理由は、ＴｂＦｅＣｏ等のアモルファス合金のスパッ
タリング膜が、７８０ｎｍの波長領域で磁気光学効果
が大きく、アモルファスであるため結晶粒の粒界によ
る散乱ノイズレベルが低く、補償温度Ｔcompを室温付
近に設定することで大きな保磁力を得られる、という優
れた特性を示すためである。
０ｎｍである。また、光磁気記録媒体の磁性層として
は、ＴｂＦｅＣｏ等に代表される希土類・遷移金属アモ
ルファス合金のスパッタリング膜が用いられている。そ
の理由は、ＴｂＦｅＣｏ等のアモルファス合金のスパッ
タリング膜が、７８０ｎｍの波長領域で磁気光学効果
が大きく、アモルファスであるため結晶粒の粒界によ
る散乱ノイズレベルが低く、補償温度Ｔcompを室温付
近に設定することで大きな保磁力を得られる、という優
れた特性を示すためである。
【０００４】近年、記録すべき情報量の増大に伴い、光
磁気記録媒体の記録密度を高めることが望まれている。
記録密度を高めるためには、レーザビームのスポット径
を小さくすることが必須となる。このため、レーザの波
長を６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ程度に短波長化（青色レー
ザ）することが試みられている。
磁気記録媒体の記録密度を高めることが望まれている。
記録密度を高めるためには、レーザビームのスポット径
を小さくすることが必須となる。このため、レーザの波
長を６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ程度に短波長化（青色レー
ザ）することが試みられている。
【０００５】しかるに、先述のＴｂＦｅＣｏ等に代表さ
れる希土類・遷移金属アモルファス合金のスパッタリン
グ膜は、６３０ｎｍ〜６８０ｎｍの短波長領域では磁気
光学効果が著しく低下して、記録媒体として適さなくな
るという問題がある。このため、６３０ｎｍ〜６８０ｎ
ｍの短波長領域での磁気光学効果が大きいＰｔ／Ｃｏの
交互積層膜（Ｐｔ（白金）とＣｏ（コバルト）を各々数
Åづつ交互に積層して総膜厚を数百Å程度とした薄膜）
が研究されている。なお、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜に
は、耐食性に優れる、耐酸化性に優れる等の利点もあ
る。
れる希土類・遷移金属アモルファス合金のスパッタリン
グ膜は、６３０ｎｍ〜６８０ｎｍの短波長領域では磁気
光学効果が著しく低下して、記録媒体として適さなくな
るという問題がある。このため、６３０ｎｍ〜６８０ｎ
ｍの短波長領域での磁気光学効果が大きいＰｔ／Ｃｏの
交互積層膜（Ｐｔ（白金）とＣｏ（コバルト）を各々数
Åづつ交互に積層して総膜厚を数百Å程度とした薄膜）
が研究されている。なお、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜に
は、耐食性に優れる、耐酸化性に優れる等の利点もあ
る。
【０００６】光磁気記録媒体に重ね書き（オーバーライ
ト）を行う場合の１方式として、磁界変調方式がある。
この方式は、光磁気記録媒体の被記録位置に連続光を照
射してキュリー温度付近まで加熱しつつ、書き込むべき
情報に応じて外部磁界の極性を反転させることにより、
情報を記録するものである。このため、外部磁界を高速
で反転させることが必要となり、この理由から、十分に
大きな外部磁界を印加することが困難な方式である。
ト）を行う場合の１方式として、磁界変調方式がある。
この方式は、光磁気記録媒体の被記録位置に連続光を照
射してキュリー温度付近まで加熱しつつ、書き込むべき
情報に応じて外部磁界の極性を反転させることにより、
情報を記録するものである。このため、外部磁界を高速
で反転させることが必要となり、この理由から、十分に
大きな外部磁界を印加することが困難な方式である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜
はフェロ磁性を示し、飽和磁化Ｍs が大きい。また、垂
直磁化膜であるため、膜面垂直方向に生ずる反磁界Ｈd
(Ｈd ＝４πＭs:ＣＧＳ単位系）が大きい。このため、
記録時には大きな外部磁界Ｈext の印加が必要となる。
この理由から、磁界変調方式での記録が困難となる。
はフェロ磁性を示し、飽和磁化Ｍs が大きい。また、垂
直磁化膜であるため、膜面垂直方向に生ずる反磁界Ｈd
(Ｈd ＝４πＭs:ＣＧＳ単位系）が大きい。このため、
記録時には大きな外部磁界Ｈext の印加が必要となる。
この理由から、磁界変調方式での記録が困難となる。
【０００８】Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜に光変調方式で記録
再生を行った例（F.J.A.M.Greidanus,W.B.Zeper,B.A.J.
Jacobs,J.H.M.Spruit,and,P.F.Carcia;Jpn.jJ.Appl.Phy
s.,28,37.(1989))では、初期化した磁界とは同方向に３
０ｋＡ／ｍ（略３７５Ｏｅ程度）の外部磁界を印加して
も、Ｃ／Ｎが０ｄＢにはならず、磁気モーメントが同一
方向に揃っていなかったことが報告されている。なお、
この例では、下地層としてＡｌＮを８０ｎｍ、ＰｔとＣ
ｏを各々１．８ｎｍ，０．４ｎｍづつ交互に９回積層し
た媒体を用いている。この報告は、光変調方式の例であ
るが、この報告の媒体では、磁界変調方式で外部磁界Ｈ
ext を３７５Ｏｅにしても、Ｃ／Ｎが飽和しないことは
明らかである。
再生を行った例（F.J.A.M.Greidanus,W.B.Zeper,B.A.J.
Jacobs,J.H.M.Spruit,and,P.F.Carcia;Jpn.jJ.Appl.Phy
s.,28,37.(1989))では、初期化した磁界とは同方向に３
０ｋＡ／ｍ（略３７５Ｏｅ程度）の外部磁界を印加して
も、Ｃ／Ｎが０ｄＢにはならず、磁気モーメントが同一
方向に揃っていなかったことが報告されている。なお、
この例では、下地層としてＡｌＮを８０ｎｍ、ＰｔとＣ
ｏを各々１．８ｎｍ，０．４ｎｍづつ交互に９回積層し
た媒体を用いている。この報告は、光変調方式の例であ
るが、この報告の媒体では、磁界変調方式で外部磁界Ｈ
ext を３７５Ｏｅにしても、Ｃ／Ｎが飽和しないことは
明らかである。
【０００９】本発明は、磁界変調方式での高速反転が可
能な程度の低磁界で、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜のＣ／Ｎ
を飽和させることを目的とする。
能な程度の低磁界で、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜のＣ／Ｎ
を飽和させることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｐｔ層とＣｏ
層が交互に積層されて成る磁性層を記録層として基板上
に有する光磁気記録媒体に於いて、前記交互積層膜と基
板との間にＳｉＮの下地層が成膜されており、前記各Ｐ
ｔ層の厚さが各々０．８６ｎｍ〜１．７３ｎｍの範囲に
あり、前記各Ｃｏ層の厚さが各々０．２７ｎｍ〜０．５
５ｎｍの範囲にある光磁気記録媒体である。好ましくは
前記各Ｐｔ層の厚さが各々１．４０ｎｍ〜１．７３ｎｍ
の範囲にあり、前記各Ｃｏ層の厚さが各々０．４４ｎｍ
〜０．５５ｎｍの範囲にある光磁気記録媒体である。さ
らに好ましくは、ＳｉＮの下地層の成膜後にスパッタリ
ング処理を施し、その後に、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜を
成膜して成る光磁気記録媒体である。
層が交互に積層されて成る磁性層を記録層として基板上
に有する光磁気記録媒体に於いて、前記交互積層膜と基
板との間にＳｉＮの下地層が成膜されており、前記各Ｐ
ｔ層の厚さが各々０．８６ｎｍ〜１．７３ｎｍの範囲に
あり、前記各Ｃｏ層の厚さが各々０．２７ｎｍ〜０．５
５ｎｍの範囲にある光磁気記録媒体である。好ましくは
前記各Ｐｔ層の厚さが各々１．４０ｎｍ〜１．７３ｎｍ
の範囲にあり、前記各Ｃｏ層の厚さが各々０．４４ｎｍ
〜０．５５ｎｍの範囲にある光磁気記録媒体である。さ
らに好ましくは、ＳｉＮの下地層の成膜後にスパッタリ
ング処理を施し、その後に、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜を
成膜して成る光磁気記録媒体である。
【００１１】
【作用】Ｐｔ／Ｃｏの垂直磁気異方性はバッファ（下地
層）により変化する。垂直磁気異方性が低下し、さら
に、保磁力Ｈc も低下すると、層厚ｄで飽和磁化Ｍs の
Ｐｔ／Ｃｏ層が磁化反転に要する保磁力エネルギーＭs
・ｄ・Ｈc が低下する。このため磁化反転が容易とな
り、記録磁界感度の高感度化が実現される。
層）により変化する。垂直磁気異方性が低下し、さら
に、保磁力Ｈc も低下すると、層厚ｄで飽和磁化Ｍs の
Ｐｔ／Ｃｏ層が磁化反転に要する保磁力エネルギーＭs
・ｄ・Ｈc が低下する。このため磁化反転が容易とな
り、記録磁界感度の高感度化が実現される。
【００１２】
【実施例】図１と図２は、各々Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜を
記録層として成膜した実施例と従来例の光磁気記録媒体
の断面構造を示す模式図である。図中、１はＰｔ／Ｃｏ
交互積層膜、２ａはＳｉＮ下地層、２ｂはＡｌＮ下地
層、３はポリカーボネート基板である。この基板３は、
直径６４ｍｍφで、１．６μｍピッチのプリグルーブを
有するミニディスク（ＭＤ）用の基板である。
記録層として成膜した実施例と従来例の光磁気記録媒体
の断面構造を示す模式図である。図中、１はＰｔ／Ｃｏ
交互積層膜、２ａはＳｉＮ下地層、２ｂはＡｌＮ下地
層、３はポリカーボネート基板である。この基板３は、
直径６４ｍｍφで、１．６μｍピッチのプリグルーブを
有するミニディスク（ＭＤ）用の基板である。
【００１３】Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜の成膜は、ＲＦ２極
マグネトロンスパッタリング法で行い、直径５インチの
ＳｉＮ、Ｃｏ、Ｐｔの各ターゲットを使用し、チャンバ
ーの到達真空度は９×１０-7Ｔｏｒｒ以下、成膜中のＡ
ｒ流量は５６ＳＣＣＭ、Ａｒ圧は７．５ｍＴｏｒｒとし
た。
マグネトロンスパッタリング法で行い、直径５インチの
ＳｉＮ、Ｃｏ、Ｐｔの各ターゲットを使用し、チャンバ
ーの到達真空度は９×１０-7Ｔｏｒｒ以下、成膜中のＡ
ｒ流量は５６ＳＣＣＭ、Ａｒ圧は７．５ｍＴｏｒｒとし
た。
【００１４】膜構造は、ＳｉＮバッファ層を８０ｎｍ、
その上に、Ｐｔ／Ｃｏを周期・組成等を変化させて１７
ｎｍ程度積層した。各Ｐｔ層の厚さは０．８６〜１．７
３ｎｍの範囲、各Ｃｏ層の厚さは０．２７〜０．５５ｎ
ｍの範囲である。また、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜の上に
は、保護膜として紫外線樹脂をコートした。
その上に、Ｐｔ／Ｃｏを周期・組成等を変化させて１７
ｎｍ程度積層した。各Ｐｔ層の厚さは０．８６〜１．７
３ｎｍの範囲、各Ｃｏ層の厚さは０．２７〜０．５５ｎ
ｍの範囲である。また、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜の上に
は、保護膜として紫外線樹脂をコートした。
【００１５】成膜手順は、次の通りである。ターンテー
ブルに２枚の基板を取り付け、ＳｉＮターゲットの上方
でターンテーブルを連続回転させつつ下地層を成膜す
る。投入電力とレートは、各々６００Ｗ、０．１４ｎｍ
／ｓとする。ＳｉＮ下地層の成膜後、ターンテーブルを
連続回転させつつ、投入電力２００Ｗでエッチング処理
を１５分間行う。Ｐｔ／Ｃｏ層は、１．ターンテーブル
静止／２．シャッター開く／３．シャッター閉じる／
４．ターンテーブルの回転で基板位置を移動する／のサ
イクルを繰り返すことで交互に積層する。
ブルに２枚の基板を取り付け、ＳｉＮターゲットの上方
でターンテーブルを連続回転させつつ下地層を成膜す
る。投入電力とレートは、各々６００Ｗ、０．１４ｎｍ
／ｓとする。ＳｉＮ下地層の成膜後、ターンテーブルを
連続回転させつつ、投入電力２００Ｗでエッチング処理
を１５分間行う。Ｐｔ／Ｃｏ層は、１．ターンテーブル
静止／２．シャッター開く／３．シャッター閉じる／
４．ターンテーブルの回転で基板位置を移動する／のサ
イクルを繰り返すことで交互に積層する。
【００１６】下地層を含む全膜厚は薄膜段差計を、Ｐｔ
／Ｃｏ組成と層厚は蛍光Ｘ線分析装置を、Ｃ／Ｎ−外部
印加磁界Ｈext(磁界感度特性）はＭＤ評価装置を、各々
用いて測定した。測定条件は、光ピックアップの波長が
７８０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．４５、記録
レーザパワーが３．５〜４．５ｍＷ、再生レーザパワー
が０．６ｍＷ、ディスク線速度が１．４ｍ／ｓであり、
記録信号は７２０ｋＨｚの矩形波である。なお、記録レ
ーザパワーは、Ｃ／Ｎが最大となる点で固定した後に、
Ｃ／Ｎ−外部印加磁界Ｈext の関係を測定した。
／Ｃｏ組成と層厚は蛍光Ｘ線分析装置を、Ｃ／Ｎ−外部
印加磁界Ｈext(磁界感度特性）はＭＤ評価装置を、各々
用いて測定した。測定条件は、光ピックアップの波長が
７８０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．４５、記録
レーザパワーが３．５〜４．５ｍＷ、再生レーザパワー
が０．６ｍＷ、ディスク線速度が１．４ｍ／ｓであり、
記録信号は７２０ｋＨｚの矩形波である。なお、記録レ
ーザパワーは、Ｃ／Ｎが最大となる点で固定した後に、
Ｃ／Ｎ−外部印加磁界Ｈext の関係を測定した。
【００１７】図３は、下地層がＳｉＮで、Ｐｔ／Ｃｏの
組成を、Ｐｔ：Ｃｏ＝７６：２４Vol.％で固定し、積層
周期を１．１３〜２．２８ｎｍの範囲で変化させた場合
のＣ／Ｎ−外部印加磁界Ｈext 特性を示す。図４は、外
部印加磁界Ｈext が２８０ＯｅでのＣ／Ｎ（Ｃ／Ｎ[280
Oe])と、外部印加磁界Ｈext が２８０ＯｅでのＣ／Ｎと
外部印加磁界Ｈext が８０ＯｅでのＣ／Ｎとの差（Ｃ／
Ｎ[280-80Oe]) を、積層周期を横軸として示す。
組成を、Ｐｔ：Ｃｏ＝７６：２４Vol.％で固定し、積層
周期を１．１３〜２．２８ｎｍの範囲で変化させた場合
のＣ／Ｎ−外部印加磁界Ｈext 特性を示す。図４は、外
部印加磁界Ｈext が２８０ＯｅでのＣ／Ｎ（Ｃ／Ｎ[280
Oe])と、外部印加磁界Ｈext が２８０ＯｅでのＣ／Ｎと
外部印加磁界Ｈext が８０ＯｅでのＣ／Ｎとの差（Ｃ／
Ｎ[280-80Oe]) を、積層周期を横軸として示す。
【００１８】図３より、上記範囲内の何れの周期でも、
外部印加磁界Ｈext が略２８０Ｏｅで、Ｃ／Ｎが飽和し
ていることが判る。また、磁界感度は、ＡｌＮ下地層
（先述の３７５Ｏｅで飽和しなかった例を参照）を用い
た光磁気記録媒体よりも高いことが判る。図４より、Ｐ
ｔ／Ｃｏの周期が長くなると、Ｃ／Ｎ[280-80Oe]が略３
ｄＢ減少しており、このことから、周期の長い範囲
（１．８〜２．３ｎｍ／Ｐｔ層の厚さ１．４０〜１．７
３ｎｍ，Ｃｏ層の厚さ０．４４〜０．５５ｎｍ）では磁
界感度特性が更に改善されることが判る。
外部印加磁界Ｈext が略２８０Ｏｅで、Ｃ／Ｎが飽和し
ていることが判る。また、磁界感度は、ＡｌＮ下地層
（先述の３７５Ｏｅで飽和しなかった例を参照）を用い
た光磁気記録媒体よりも高いことが判る。図４より、Ｐ
ｔ／Ｃｏの周期が長くなると、Ｃ／Ｎ[280-80Oe]が略３
ｄＢ減少しており、このことから、周期の長い範囲
（１．８〜２．３ｎｍ／Ｐｔ層の厚さ１．４０〜１．７
３ｎｍ，Ｃｏ層の厚さ０．４４〜０．５５ｎｍ）では磁
界感度特性が更に改善されることが判る。
【００１９】
【発明の効果】本発明では、ＳｉＮの下地層の上に、Ｐ
ｔ／Ｃｏの交互積層膜を、各Ｐｔ層の厚さが各々０．８
６ｎｍ〜１．７３ｎｍ、好ましくは１．４０ｎｍ〜１．
７３ｎｍとなるように、且つ、各Ｃｏ層の厚さが各々
０．２７ｎｍ〜０．５５ｎｍ、好ましくは０．４４ｎｍ
〜０．５５ｎｍの範囲となるように成膜しているので、
十分な低磁界（２８０Ｏｅ程度）でＣ／Ｎを飽和させる
ことが可能になった。
ｔ／Ｃｏの交互積層膜を、各Ｐｔ層の厚さが各々０．８
６ｎｍ〜１．７３ｎｍ、好ましくは１．４０ｎｍ〜１．
７３ｎｍとなるように、且つ、各Ｃｏ層の厚さが各々
０．２７ｎｍ〜０．５５ｎｍ、好ましくは０．４４ｎｍ
〜０．５５ｎｍの範囲となるように成膜しているので、
十分な低磁界（２８０Ｏｅ程度）でＣ／Ｎを飽和させる
ことが可能になった。
【図１】実施例の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図。
図。
【図２】従来の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図。
図。
【図３】実施例の光磁気記録媒体のＨext −Ｃ／Ｎを、
Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜の周期をパラメータとして示す特
性図。
Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜の周期をパラメータとして示す特
性図。
【図４】実施例の光磁気記録媒体の、交互積層膜周期−
Ｃ／Ｎ、を示す特性図。
Ｃ／Ｎ、を示す特性図。
１ Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜 ２ａ ＳｉＮ層 ２ｂ ＡｌＮ層 ３ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｐｔ層とＣｏ層が交互に成膜されて成る
磁性層を記録層として基板上に有する光磁気記録媒体に
於いて、 前記記録層と基板との間にＳｉＮの下地層が成膜されて
おり、 前記各Ｐｔ層の厚さが各々０．８６ｎｍ〜１．７３ｎｍ
の範囲、前記各Ｃｏ層の厚さが各々０．２７ｎｍ〜０．
５５ｎｍの範囲にある光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に於いて、 前記各Ｐｔ層の厚さが各々１．４０ｎｍ〜１．７３ｎｍ
の範囲、前記各Ｃｏ層の厚さが各々０．４４ｎｍ〜０．
５５ｎｍの範囲にある光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項２に於いて、 ＳｉＮの下地層の成膜後にスパッタリング処理を施した
後に、Ｐｔ層とＣｏ層の交互積層膜を成膜して成る光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5815095A JPH08227541A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5815095A JPH08227541A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227541A true JPH08227541A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=13075970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5815095A Pending JPH08227541A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08227541A (ja) |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP5815095A patent/JPH08227541A/ja active Pending
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