JPH03147544A - 光磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク、特に磁気光学効果を利用し
てレーザ光により情報の記録・再生を行なう光磁気ディ
スクに関する。

〔従来の技術〕

従来の光磁気ディスクは、記録特性、再生特性の向上を
目的として、光磁気ディスクの記録層として複数の磁性
層を用いたものが提案されている。

代表的な例は低いキュリー温度を有する記録特性のよい
高保磁力を示す書込層と、高いキュリー温度を有する再
生特性のよい低保磁力を示す読出層とを積層し、少ない
エネルギーで書込層に書込んだ記録マークを磁気光学効
果の大きい読出層に交換結合により転写し、読出層側か
ら読出すものである（例えば、特開昭５７−７８６５２
号）。

次に、従来例について、図面を用いて詳細に説明する。

第２図は従来の一例を示す概略断面図である。

第２図に示す光磁気ディスクは、基板１の上に透明な誘
電体層２が形成され、その上に、垂直磁化可能で高いキ
ュリー点を有し低い保磁力を示す読出層３と、垂直磁化
可能で低いキュリー点を有し高い保磁力を示す書込層２
１とが順次積層され、その上に保護層５が形成されてい
る。

なお、基板ｌにはディスク回転用の中心孔１１が設けら
れている。

第２図に示す光磁気ディスクは書込層２１に小さな記録
エネルギーで書込むことができ、これを交換結合により
磁気光学効果の大きな読出層３に転写する方式のため高
感度で高Ｃ／Ｎな光磁気ディスクが得られるが、通常、
角速度一定で回転させて記録再生を行なうため、ディス
クの内周側と外周側とでは線速度が異なり、外周はど線
速度が速くなるので、外周になるほど記録感度が低下す
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、このような上述した従来の光磁気ディス
クは、書込層の膜厚が一定であるから線速度一定での記
録感度も一定であるため、角速度一定で使用すると、外
周側で感度が低下し記録領域全域にわたって高感度でか
つ高Ｃ／Ｎとならないという欠点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の光磁気ディスクは、ディスク基板上に垂直磁化
可能で高キュリー点を有する低保磁力を示す読出層と垂
直磁化可能で低キュリー点を有する高保磁力を示す書込
層とを順次積層し、読出層と書込層とを交換結合させる
光磁気ディスクにおいて、前記書込層の膜厚を内周部側
から外周側に向って順次薄くなるように構成される。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図である。

第１図に示す光磁気ディスクはディスク回転用の中心孔
１１を有する基板１と、透明な誘電体層２と、垂直磁化
可能で高いキュリー点を有し低い保磁力を示す読出層３
と、内周側から外周側へ膜厚を薄くした垂直磁化可能で
低いキュリー点を有し高い保磁力を示す書込層４と、保
護層５と、付着強化層６とを含んで構成される。

なお、付着強化層６は必らずしも設ける必要はない。

基板１としては、エポキシ樹脂、ポリカーボネイト樹脂
、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂等の合成樹脂やガ
ラスなどを用いることができる。

また、透明な誘電体層２としては、窒化シリコン、窒化
アルミニウム、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウ
ム、窒化酸化シリコンアルミニウム１酸化シリコン、酸
化タンタル、硫化亜鉛２セレン化亜鉛、酸化スズなどを
用いることができる。

読出層３としては、ガドリニウム・鉄・コバルト・チタ
ンの非晶質合金が最も望ましいが、ガドリニウム・鉄・
チタン合金、ガドリニウム・鉄・コバルト合金、ガドリ
ニウム・鉄・コバルト・クロム合金、ガドリニウム・鉄
・コバルト・アルミニウム合金などを用いることもでき
る。

書込層４は、内周側から外周側へ膜厚を徐々に傅＜シで
ある。膜厚が薄くなるほど光ビームを照射したとき膜中
での温度上昇が大きくなるので、線速度一定で記録する
場合には、内周側から外周側に向って記録感度が向上す
ることとなるが、角速度一定で記録する場合には内周側
から外周側に向うにしたがって線速度が速くなるため半
径位置にほとんど依存せず、はとんど一定の記録感度で
記録できることとなる。

書込層４としては、テルビウム・鉄・チタンの非晶質合
金が最も望ましいが、テルビウム・ジスプロシウム−鉄
・チタン合金、ジスプロシウム・鉄・チタン合金、テル
ビウム・鉄合金、テルビウム・ジスプロシウム・鉄合金
、ジスプロシウム・鉄合金、テルビウム、鉄・クロム合
金、テルビウム・鉄・アルミニウム合金、テルビウム・
ジスプロシウム・鉄・クロム合金、テルビウム・ジスプ
ロシウム・鉄・アルミニウム合金、ジスプロシウム・鉄
・クロム合金、ジスプロシウム・鉄・アルミニウム合金
などを用いることもできる。

保護層５としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム、
窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニラＡ、　窒化酸化
シリコンアルミニウム、酸化シリコン、酸化タンタル、
酸化スズ、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化アルミニウム
などを用いることができる。

第１図に示す光磁気ディスクは書込層４のみ内周側から
外周側に向かって膜厚を徐々に薄くするため、線速度一
定で記録するときの記録感度のみ内周側から外周側に向
かって向上するので、角速度一定の通常の使用状態では
半径位１直にほとんど依存せずほとんど一定の記録感度
で記録できる。

一方、読出層３の膜厚は内周から外周にわたって一定に
し、再生特性は半径位置に依存せず一様にする。

したがって、ディスク上の記録領域全域にわたって高感
度でかつ高Ｃ／Ｎな光磁気ディスクが得られる。

以下に、第１図に示す実施例の一具体例について説明す
る。

アクリル系樹脂によるトラック案内６’ｌｊが形成され
ている直径２００ｍｍ、厚さ１．２　ｍｍのエポキシ樹
脂製のディスク状の基板１を逆スパツタした後、酸化タ
ンタル膜を反応性スパッタリングによりディスク全面一
様に３００人厚０付着強化層６として形成した。

次に、窒化シリコン膜を反応性スパッタリングによりデ
ィスク全面一様に５００人厚０誘電体層２として形成し
た。

次に、原子％で２３０対５８．４対１４．６対４．０の
ガドリニウム・鉄・コバルト・チタン膜をディスク全面
一様に２００人厚０続出層３として形成し、ひきつづき
原子％で２０．２対７５．８対４．０のテルビウム・鉄
・チタン膜を最内周の１０００人厚か８最外周の５００
人厚０誘その間が徐々に変化している書込層４として形
成し、最後に窒化シリコン膜を反応性スパッタリングに
よりディスク全面一様に８００人厚０保護層５として形
成し、第１図のようにした。

内周側から外周側にわたって徐々に膜厚を変化させる方
法は、基板ｌを自公転させながらスパッタ成膜するとき
の膜厚分布修正板（スパッタターゲット基板１との間に
設置するもの）の形状を調整することにより得られる。

以上のようにして製作したディスク２枚を膜が内側にな
るようにしてホットメルトで貼合せて光磁気ディスクを
製造した。

この光磁気ディスクを３６０Ｏｒｐｍで回転し、波長８
２０ｎｍの半導体レーザを基板１を通して照射し、記録
パワー７ｍＷ、再生パワー２ｍＷ一定でディスク全域に
記録再生したところ、全域でＣ／Ｎ被は５５ｄＢ以上が
得られ、ディスク全域にわたって高感度記録が可能であ
ることが確認された。

比較例として、書込層４の膜厚が１０００人−定であり
、他は上述の実施例と全く同じ構成の光磁気ディスクを
作製し、同様の試験を行なったところ、ディスク外周部
では記録パワー不足で良好な記録は行なえなかった。

〔発明の効果〕

本発明の光磁気ディスクは内周側から外周側へ膜厚を薄
くすることにより、ディスク外周部でも適正な記録パワ
ーを供給できるので、ディスク上の記録領域全域にわた
って高感度でかつ高Ｃ／Ｎを達成できるという効果があ
る。

第２図は従来の一例を示す概略断面図である。

■・・・・・・基板、２・・・・・・誘電体層、３・・
・・・・読出層、４．２１・・・・・・書込層、５・・
印・保護層、６・・川・付着強化７３．１１・・・・・
・中心孔。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ディスク状の基板と、前記基板の上に形成された垂直磁
   化可能で高キュリー点を有しかつ低保磁力を有する読出
   層と、前記読出層の上に積層した垂直磁化可能で低キュ
   リー点を有しかつ高保磁力を有し前記読出層と交換結合
   されかつ内周側から外周側に向って膜厚を薄くした埋込
   層とを含むことを特徴とする光磁気ディスク。