JPH087363A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH087363A JPH087363A JP13704094A JP13704094A JPH087363A JP H087363 A JPH087363 A JP H087363A JP 13704094 A JP13704094 A JP 13704094A JP 13704094 A JP13704094 A JP 13704094A JP H087363 A JPH087363 A JP H087363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magneto
- recording medium
- optical recording
- hard coat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板の一方の面に少なくとも誘電体層，
磁性体からなる記録層、反射層および有機保護層を形成
し、基板の他方の面にハ−ドコ−ト層を形成した光磁気
記録媒体において、ハ−ドコ−ト層の表面粗さ（Ｒａ）
が１ｎｍ〜５ｎｍである。 【効果】 ダストが付着することなく、長期間にわ
たって良好なエラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気
記録媒体を得ることができる。
磁性体からなる記録層、反射層および有機保護層を形成
し、基板の他方の面にハ−ドコ−ト層を形成した光磁気
記録媒体において、ハ−ドコ−ト層の表面粗さ（Ｒａ）
が１ｎｍ〜５ｎｍである。 【効果】 ダストが付着することなく、長期間にわ
たって良好なエラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気
記録媒体を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光を用いて情報
の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するもの
である。
の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大にともないコンピュ
ータの外部メモリーとしての書換え可能型記録媒体の大
容量化が進んでいる。そのひとつの手段として情報の記
録および消去をレーザー光による加熱と外部磁場の印加
により磁性体層の磁化方向を変えることで行い、記録さ
れた情報を磁気カー効果による光の偏光面の回転を利用
して読み出す方式を用いた光磁気記録媒体が実用化され
ている。
ータの外部メモリーとしての書換え可能型記録媒体の大
容量化が進んでいる。そのひとつの手段として情報の記
録および消去をレーザー光による加熱と外部磁場の印加
により磁性体層の磁化方向を変えることで行い、記録さ
れた情報を磁気カー効果による光の偏光面の回転を利用
して読み出す方式を用いた光磁気記録媒体が実用化され
ている。
【０００３】この光磁気記録媒体には、記録層として用
いられる希土類金属−３ｄ遷移金属合金の磁気光学効果
を光の干渉効果により大きくするため誘電体層および反
射層を組み合わせたディスク構造が一般に用いられてい
る。上記の目的に用いられる誘電体層は、屈折率が大き
く光の透過率が大きいことと共に、記録層を保護する効
果に優れていることが求められ、そのような材質として
ＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴａＯ等
が知られている。
いられる希土類金属−３ｄ遷移金属合金の磁気光学効果
を光の干渉効果により大きくするため誘電体層および反
射層を組み合わせたディスク構造が一般に用いられてい
る。上記の目的に用いられる誘電体層は、屈折率が大き
く光の透過率が大きいことと共に、記録層を保護する効
果に優れていることが求められ、そのような材質として
ＳｉＮ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴａＯ等
が知られている。
【０００４】基板上の記録層側における有機保護層は、
記録層、反射層等を保護するために紫外線硬化型樹脂が
用いられており、そのような樹脂としてはアクリル系、
ウレタン系、エポキシ系等が挙げられ、特にアクリル系
紫外線硬化型樹脂が一般的に使用される。またこれらに
重合性オリゴマ−、モノマ−、光重合性開始剤および増
感剤を含有してもよい。
記録層、反射層等を保護するために紫外線硬化型樹脂が
用いられており、そのような樹脂としてはアクリル系、
ウレタン系、エポキシ系等が挙げられ、特にアクリル系
紫外線硬化型樹脂が一般的に使用される。またこれらに
重合性オリゴマ−、モノマ−、光重合性開始剤および増
感剤を含有してもよい。
【０００５】一方、他方の面におけるハ−ドコ−ト層
は、基板表面の柔らかさをカバ−し、傷つきにくくする
ために表面硬度の高いものが求められる。このような有
機膜としては紫外線硬化型樹脂が一般的に用いられ、充
分に硬度を得るために紫外線硬化による架橋度を上げる
ことが必要となる。樹脂成分としては３官能以上のアク
リレ−ト等多官能化合物が使用されている。またこれら
においても、重合性オリゴマ−、モノマ−、光重合性開
始剤および増感剤を含有してもよい。
は、基板表面の柔らかさをカバ−し、傷つきにくくする
ために表面硬度の高いものが求められる。このような有
機膜としては紫外線硬化型樹脂が一般的に用いられ、充
分に硬度を得るために紫外線硬化による架橋度を上げる
ことが必要となる。樹脂成分としては３官能以上のアク
リレ−ト等多官能化合物が使用されている。またこれら
においても、重合性オリゴマ−、モノマ−、光重合性開
始剤および増感剤を含有してもよい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】現在、光磁気記録媒体
においては、記録した情報が常に安定に読み出せること
が必要である。そのためにはレ−ザ−光によって記録再
生されるハ−ドコ−ト層表面は、トラッキングサ−ボや
フォ−カスサ−ボが正常に行い記録再生できるような表
面状態が常に保たれなければならない。しかしながら、
光磁気記録媒体は、ハ−ドディスクと異なり、通常の環
境下において使用されるために、常にダストにさらされ
ている。そのためハ−ドコ−ト層表面にダスト等が付着
し、長期間使用している間にそれらのダストが蓄積さ
れ、ついには正常な記録再生ができなくなることが問題
であった。
においては、記録した情報が常に安定に読み出せること
が必要である。そのためにはレ−ザ−光によって記録再
生されるハ−ドコ−ト層表面は、トラッキングサ−ボや
フォ−カスサ−ボが正常に行い記録再生できるような表
面状態が常に保たれなければならない。しかしながら、
光磁気記録媒体は、ハ−ドディスクと異なり、通常の環
境下において使用されるために、常にダストにさらされ
ている。そのためハ−ドコ−ト層表面にダスト等が付着
し、長期間使用している間にそれらのダストが蓄積さ
れ、ついには正常な記録再生ができなくなることが問題
であった。
【０００７】従来、ハ−ドコ−ト層に帯電防止剤（反応
型等を含む）を添加して、ハ−ドコ−ト層の表面抵抗値
を下げることなどが試みられていたが、表面抵抗値とダ
ストの付着しやすさには、明確な関係はなく、単にハ−
ドコ−ト層の表面抵抗をコントロ−ルするだけでは十分
ではなかった。このため、ハ−ドコ−ト表面にダストが
付着しにくいハ−ドコ−ト層の開発が求められている。
型等を含む）を添加して、ハ−ドコ−ト層の表面抵抗値
を下げることなどが試みられていたが、表面抵抗値とダ
ストの付着しやすさには、明確な関係はなく、単にハ−
ドコ−ト層の表面抵抗をコントロ−ルするだけでは十分
ではなかった。このため、ハ−ドコ−ト表面にダストが
付着しにくいハ−ドコ−ト層の開発が求められている。
【０００８】そこで本発明はかかる従来の実状に鑑みて
提案されたものであり、ダスト付着がしにくく、長期間
に渡って記録した情報が常に安定に読み出せる高い信頼
性を有する光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
提案されたものであり、ダスト付着がしにくく、長期間
に渡って記録した情報が常に安定に読み出せる高い信頼
性を有する光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を行った結果、ハ−ドコ−
ト層表面の表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ〜５ｎｍとするこ
とによってダスト付着がしにくく、長期間に渡って記録
した情報が常に安定に読み出せる高い信頼性を示す光磁
気記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成する
に至った。
題を解決するために鋭意検討を行った結果、ハ−ドコ−
ト層表面の表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ〜５ｎｍとするこ
とによってダスト付着がしにくく、長期間に渡って記録
した情報が常に安定に読み出せる高い信頼性を示す光磁
気記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成する
に至った。
【００１０】即ち、本発明は、基板の一方の面に少なく
とも誘電体層，磁性体からなる記録層、反射層および有
機保護層を形成し、基板の他方の面にハ−ドコ−ト層を
形成した光磁気記録媒体において、ハ−ドコ−ト層の表
面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とす
る光磁気記録媒体に関する。
とも誘電体層，磁性体からなる記録層、反射層および有
機保護層を形成し、基板の他方の面にハ−ドコ−ト層を
形成した光磁気記録媒体において、ハ−ドコ−ト層の表
面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とす
る光磁気記録媒体に関する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の光磁気記録媒体の断面を示
す図である。この光磁気記録媒体は記録・再生が基板側
から行われることを前提としており、透明基板１上に第
１誘電体層２、記録層３、第２誘電体層４、反射層５、
有機保護層６および透明基板上に直接コ−トされたハ−
ドコ−ト層７が形成されたものである。
す図である。この光磁気記録媒体は記録・再生が基板側
から行われることを前提としており、透明基板１上に第
１誘電体層２、記録層３、第２誘電体層４、反射層５、
有機保護層６および透明基板上に直接コ−トされたハ−
ドコ−ト層７が形成されたものである。
【００１３】本発明において透明基板１は、ポリカ−ボ
ネイト樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメ
チルメタクリレ−ト樹脂等の樹脂が用いられ、例えば、
スタンパを用いたインジェクション法によって製造する
ことができる。
ネイト樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメ
チルメタクリレ−ト樹脂等の樹脂が用いられ、例えば、
スタンパを用いたインジェクション法によって製造する
ことができる。
【００１４】次にランドおよびグル−ブが形成されてい
ない面にハ−ドコ−ト層７が形成される。この層は紫外
線硬化型樹脂によって構成され、スピンコ−ト法などに
よって基板表面に塗布した後、紫外線によって硬化させ
て形成すればよい。樹脂成分としては３官能以上のアク
リレ−ト等多官能化合物や、重合性オリゴマ−、モノマ
−、光重合性開始剤および増感剤を混合したものを使用
すればよい。
ない面にハ−ドコ−ト層７が形成される。この層は紫外
線硬化型樹脂によって構成され、スピンコ−ト法などに
よって基板表面に塗布した後、紫外線によって硬化させ
て形成すればよい。樹脂成分としては３官能以上のアク
リレ−ト等多官能化合物や、重合性オリゴマ−、モノマ
−、光重合性開始剤および増感剤を混合したものを使用
すればよい。
【００１５】このハ−ドコ−ト層７の表面粗さ（Ｒａ）
を１〜５ｎｍにコントロールする方法としては、例えば
金属酸化物および／またはオリゴマ−などを有機溶媒と
共に前記樹脂成分に混合する方法をあげることができ
る。金属酸化物としては、平均粒径が０．３μｍ以下、
好ましくは０．１５μｍ以下、の酸化ケイ素、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム
および酸化亜鉛等を例示することができる。オリゴマ−
としては、分子量が１０万以下、好ましくは分子量が１
０００から５００００、の脂肪族オレフィン、芳香族オ
レフィン等を例示することができる。
を１〜５ｎｍにコントロールする方法としては、例えば
金属酸化物および／またはオリゴマ−などを有機溶媒と
共に前記樹脂成分に混合する方法をあげることができ
る。金属酸化物としては、平均粒径が０．３μｍ以下、
好ましくは０．１５μｍ以下、の酸化ケイ素、酸化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム
および酸化亜鉛等を例示することができる。オリゴマ−
としては、分子量が１０万以下、好ましくは分子量が１
０００から５００００、の脂肪族オレフィン、芳香族オ
レフィン等を例示することができる。
【００１６】有機溶媒は、上記金属酸化物および／また
はオリゴマ−と紫外線硬化型樹脂との合計重量部１００
に対して４０〜４００重量部混合すればよい。有機溶媒
としてはイソプロピルアルコ−ル、ｎ−ブタノ−ルなど
のアルコ−ル類、酢酸エチルなどのカルボン酸エステル
類、キシレン、トルエンなどの芳香族炭化水素、また
は、脂肪族炭化水素、およびケトン類などを用いること
ができる。なおハ−ドコ−ト層の膜厚は特に限定されな
いが、０．１〜３５μｍ、好ましくは５〜１５μｍであ
る。
はオリゴマ−と紫外線硬化型樹脂との合計重量部１００
に対して４０〜４００重量部混合すればよい。有機溶媒
としてはイソプロピルアルコ−ル、ｎ−ブタノ−ルなど
のアルコ−ル類、酢酸エチルなどのカルボン酸エステル
類、キシレン、トルエンなどの芳香族炭化水素、また
は、脂肪族炭化水素、およびケトン類などを用いること
ができる。なおハ−ドコ−ト層の膜厚は特に限定されな
いが、０．１〜３５μｍ、好ましくは５〜１５μｍであ
る。
【００１７】また、ハ−ドコ−ト表面を逆スパッタする
ことによっても、同様にＲａをコントロ−ルすることが
できる。具体的には、通常のスパッタ装置を用いてＡｒ
ガス圧力が０．９Ｐａ以下、投入電力を１００Ｗ以上の
条件にして逆スパッタを行えばよい。基板にダメ−ジを
与えずに逆スパッタできるという点で、Ａｒガス圧力は
０．６〜０．９Ｐａ，投入電力１５０Ｗ〜６００Ｗが好
ましい。
ことによっても、同様にＲａをコントロ−ルすることが
できる。具体的には、通常のスパッタ装置を用いてＡｒ
ガス圧力が０．９Ｐａ以下、投入電力を１００Ｗ以上の
条件にして逆スパッタを行えばよい。基板にダメ−ジを
与えずに逆スパッタできるという点で、Ａｒガス圧力は
０．６〜０．９Ｐａ，投入電力１５０Ｗ〜６００Ｗが好
ましい。
【００１８】さらに、基板を射出成型する際に、スタン
パ裏面の表面粗さをコントロ−ルして、射出成型の際に
ハ−ドコ−ト層側の基板表面上に粗さを転写することで
基板表面上の粗さを調整し、ハ−ドコ−ト剤を塗布、硬
化させたときに硬化収縮の影響でハ−ドコ−ト表面の表
面粗さをコントロ−ルすることもできる。
パ裏面の表面粗さをコントロ−ルして、射出成型の際に
ハ−ドコ−ト層側の基板表面上に粗さを転写することで
基板表面上の粗さを調整し、ハ−ドコ−ト剤を塗布、硬
化させたときに硬化収縮の影響でハ−ドコ−ト表面の表
面粗さをコントロ−ルすることもできる。
【００１９】次に、透明基板上に第１誘電体層を成膜す
るが、この層は、通常ＳｉＮ層で構成される。成膜は、
例えばＳｉターゲットを用いＡｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲ
Ｆ反応スパッタ法などの通常の方法で行えばよい。ガス
圧の設定はＡｒガス流量を固定し、排気系のバルブ開度
の調整で行い、成膜する誘電体層膜の屈折率はＮ2ガス
流量を調整して行えばよく、２．０〜２．４とするのが
好ましい。第２誘電体層も同様な方法によって形成する
ことができる。
るが、この層は、通常ＳｉＮ層で構成される。成膜は、
例えばＳｉターゲットを用いＡｒ＋Ｎ2ガスを用いたＲ
Ｆ反応スパッタ法などの通常の方法で行えばよい。ガス
圧の設定はＡｒガス流量を固定し、排気系のバルブ開度
の調整で行い、成膜する誘電体層膜の屈折率はＮ2ガス
流量を調整して行えばよく、２．０〜２．４とするのが
好ましい。第２誘電体層も同様な方法によって形成する
ことができる。
【００２０】本発明で用いる誘電体層の材質は上記した
ものに限定されるものではなく、第１誘電体層としてＳ
ｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＣ等
あるいはＳｉ以外の酸化物を用いてもよい。第１誘電体
層の膜厚は１０〜１５０ｎｍ、又、第２誘電体層の膜厚
は５〜５０ｎｍでよいが、好ましくは第１誘電体層の膜
厚を７０〜１００ｎｍ、又、第２誘電体層の膜厚を１５
〜３０ｎｍとすることによって、光学特性の良好な光磁
気記録媒体が得られる。
ものに限定されるものではなく、第１誘電体層としてＳ
ｉＮＨ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＣ等
あるいはＳｉ以外の酸化物を用いてもよい。第１誘電体
層の膜厚は１０〜１５０ｎｍ、又、第２誘電体層の膜厚
は５〜５０ｎｍでよいが、好ましくは第１誘電体層の膜
厚を７０〜１００ｎｍ、又、第２誘電体層の膜厚を１５
〜３０ｎｍとすることによって、光学特性の良好な光磁
気記録媒体が得られる。
【００２１】記録層の成膜は、記録層を構成する成分、
例えば、ＴｂとＦｅＣｏの各ターゲットをＡｒガスを用
いて同時にＤＣスパッタを行い、基板が各ターゲット上
を交互に通過するように回転することでＴｂＦｅＣｏ合
金膜を形成することができる。
例えば、ＴｂとＦｅＣｏの各ターゲットをＡｒガスを用
いて同時にＤＣスパッタを行い、基板が各ターゲット上
を交互に通過するように回転することでＴｂＦｅＣｏ合
金膜を形成することができる。
【００２２】記録層としては、上に例示したＴｂＦｅＣ
ｏの他にＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ等の組成の希土類金属−３ｄ遷移金属合金を用いるこ
とができ、更に耐蝕性向上のためにＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等
に代表される不動態元素を微量添加した系においても同
様に有効である。またそれ以外にもＭｎＢｉ等の金属間
化合物や、Ｃｏ／Ｐｔ系の人工格子薄膜などの垂直磁化
膜を用いたときにも同様な効果が得られる。記録層の膜
厚は１０〜５０ｎｍでよいが、好ましくは２５ｎｍ程度
が光学特性上よい。
ｏの他にＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ等の組成の希土類金属−３ｄ遷移金属合金を用いるこ
とができ、更に耐蝕性向上のためにＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等
に代表される不動態元素を微量添加した系においても同
様に有効である。またそれ以外にもＭｎＢｉ等の金属間
化合物や、Ｃｏ／Ｐｔ系の人工格子薄膜などの垂直磁化
膜を用いたときにも同様な効果が得られる。記録層の膜
厚は１０〜５０ｎｍでよいが、好ましくは２５ｎｍ程度
が光学特性上よい。
【００２３】反射層は、通常ＡｌターゲットをＡｒガス
を用いＤＣスパッタすることで形成することができる。
反射層としてはＡｌタ−ゲットの他にＡｌＣｒ，ＡｌＴ
ｉ，ＡｌＴａ，ＡｌＮｉなどを用いてもよい。膜厚は３
０ｎｍ以上であればよいが好ましくは６０ｎｍ程度が記
録特性上よい。
を用いＤＣスパッタすることで形成することができる。
反射層としてはＡｌタ−ゲットの他にＡｌＣｒ，ＡｌＴ
ｉ，ＡｌＴａ，ＡｌＮｉなどを用いてもよい。膜厚は３
０ｎｍ以上であればよいが好ましくは６０ｎｍ程度が記
録特性上よい。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、成膜装置に
はＵＬＶＡＣ製、商品名「ＳＭＯ−０５ＣＲ」を使用し
た。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、成膜装置に
はＵＬＶＡＣ製、商品名「ＳＭＯ−０５ＣＲ」を使用し
た。
【００２５】また、ダスト付着量、帯電量および電気特
性の評価方法については以下の通りである。ダスト付着
試験にはスピンドルを有する密閉容器にディスクをセッ
トし、ダスト源としてＪＩＳ１１種を１０ｇを容器底部
に均一に分散させ、２３℃、２４％ＲＨの環境下におい
て、３６００ｒｐｍにて１２０時間回転させた前後での
ダスト付着量を比較した。
性の評価方法については以下の通りである。ダスト付着
試験にはスピンドルを有する密閉容器にディスクをセッ
トし、ダスト源としてＪＩＳ１１種を１０ｇを容器底部
に均一に分散させ、２３℃、２４％ＲＨの環境下におい
て、３６００ｒｐｍにて１２０時間回転させた前後での
ダスト付着量を比較した。
【００２６】帯電量については２３℃、２０％ＲＨの環
境下において、ディスクに対して１０ｋＶの電圧を印加
した後、３６時間放置後のハ−ドコ−ト面における記録
エリア内での帯電量を測定した。
境下において、ディスクに対して１０ｋＶの電圧を印加
した後、３６時間放置後のハ−ドコ−ト面における記録
エリア内での帯電量を測定した。
【００２７】さらに、電気特性はナカミチ製、商品名
「ＯＭＳ２０００Ｓ」を用いて、ダスト付着試験前後に
おける反射率およびエラ−レ−トを評価した。反射率に
ついては、ダスト試験前の反射率と試験後の反射率の差
を、試験前の反射率に対する百分率で示した。
「ＯＭＳ２０００Ｓ」を用いて、ダスト付着試験前後に
おける反射率およびエラ−レ−トを評価した。反射率に
ついては、ダスト試験前の反射率と試験後の反射率の差
を、試験前の反射率に対する百分率で示した。
【００２８】実施例１ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト（ＰＥ−３Ａ）：ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート（ＮＰ−Ａ）：１，６−ヘキサンジオールジアクリ
レート（１．６ＨＸ−Ａ）＝４：４：２を主成分とす
る）５０ｇ、脂肪族オレフィン系オリゴマ−（分子量５
千）１５ｇをイソプロピルアルコ−ル２５０ｇに混合し
たものを、スピンコ−トにより塗布した後、紫外線照射
を積算光量６５０ｍＪ／ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化
させた。
外線硬化型樹脂（ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト（ＰＥ−３Ａ）：ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート（ＮＰ−Ａ）：１，６−ヘキサンジオールジアクリ
レート（１．６ＨＸ−Ａ）＝４：４：２を主成分とす
る）５０ｇ、脂肪族オレフィン系オリゴマ−（分子量５
千）１５ｇをイソプロピルアルコ−ル２５０ｇに混合し
たものを、スピンコ−トにより塗布した後、紫外線照射
を積算光量６５０ｍＪ／ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化
させた。
【００２９】この基板に対して、ＳｉＮからなる第１誘
電体層をＳｉターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用い
たＲＦ反応スパッタで成膜した。スパッタ室内のガス圧
は０．２〜０．４Ｐａに設定し、膜厚は１００ｎｍにな
るまで成膜した。形成するＳｉＮ膜の屈折率は、スパッ
タ時のＮ2ガス流量を調整することで約２．０５に合わ
せた。
電体層をＳｉターゲットを用い、Ａｒ＋Ｎ2ガスを用い
たＲＦ反応スパッタで成膜した。スパッタ室内のガス圧
は０．２〜０．４Ｐａに設定し、膜厚は１００ｎｍにな
るまで成膜した。形成するＳｉＮ膜の屈折率は、スパッ
タ時のＮ2ガス流量を調整することで約２．０５に合わ
せた。
【００３０】次に記録層を、ＴｂのターゲットとＦｅＣ
ｏ合金ターゲットを用い、基板が各ターゲット上を交互
に通過するように回転させながらＡｒガスを用いて同時
にＤＣスパッタを行い、厚さ約２５ｎｍのＴｂ18（Ｆｅ
90Ｃｏ10）82合金膜を形成した。第２誘電体層は第１誘
電体層と同様に成膜した。膜厚は３０ｎｍ、屈折率は、
約２．０５に合わせた。
ｏ合金ターゲットを用い、基板が各ターゲット上を交互
に通過するように回転させながらＡｒガスを用いて同時
にＤＣスパッタを行い、厚さ約２５ｎｍのＴｂ18（Ｆｅ
90Ｃｏ10）82合金膜を形成した。第２誘電体層は第１誘
電体層と同様に成膜した。膜厚は３０ｎｍ、屈折率は、
約２．０５に合わせた。
【００３１】反射層は、Ａｌターゲットを用いＡｒガス
を用いてＤＣスパッタし、膜厚約６０ｎｍに形成した。
有機保護層は、紫外線硬化型樹脂（大日本インキ（株）
製、商品名「ＳＤ−１７」）のみをハ−ドコ−ト層と同
様な方法で膜厚１０μｍ形成し、光磁気記録媒体を製造
した。
を用いてＤＣスパッタし、膜厚約６０ｎｍに形成した。
有機保護層は、紫外線硬化型樹脂（大日本インキ（株）
製、商品名「ＳＤ−１７」）のみをハ−ドコ−ト層と同
様な方法で膜厚１０μｍ形成し、光磁気記録媒体を製造
した。
【００３２】実施例２ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を８千に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。
ゴマ−の分子量を８千に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。
【００３３】実施例３ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を１万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。
ゴマ−の分子量を１万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。
【００３４】実施例４ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を２万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。
ゴマ−の分子量を２万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。
【００３５】実施例５ ハ−ドコ−ト層を形成する際の脂肪族オレフィン系オリ
ゴマ−の分子量を４万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。
ゴマ−の分子量を４万に変更した他は、実施例１と同様
な方法で光磁気記録媒体を製造した。
【００３６】実施例６ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：ポリエチレングリコール
＃４００ジアクリレート（９ＥＧ−Ａ）：１．６ＨＸ−
Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピル
アルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−トに
より塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／ｃ
ｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ドコ
−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２００
Ｗにて１分間スパッタエッチング処理を施した。他は、
実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：ポリエチレングリコール
＃４００ジアクリレート（９ＥＧ−Ａ）：１．６ＨＸ−
Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピル
アルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−トに
より塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／ｃ
ｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ドコ
−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２００
Ｗにて１分間スパッタエッチング処理を施した。他は、
実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。
【００３７】実施例７ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ド
コ−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２０
０Ｗにて２分間スパッタエッチング処理を施した。他
は、実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造し
た。
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ド
コ−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２０
０Ｗにて２分間スパッタエッチング処理を施した。他
は、実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造し
た。
【００３８】実施例８ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ド
コ−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２０
０Ｗにて３分間スパッタエッチング処理を施した。他
は、実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造し
た。
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。その後、ハ−ド
コ−ト表面を、Ａｒガス圧が０．９Ｐａ、投入電力２０
０Ｗにて３分間スパッタエッチング処理を施した。他
は、実施例１と同様な方法で光磁気記録媒体を製造し
た。
【００３９】比較例１ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：ＮＰ−Ａ：１．６ＨＸ−
Ａ＝４：４：２を主成分とする）５０ｇをイソプロピル
アルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−トに
より塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／ｃ
ｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。以後は実施例１と
同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：ＮＰ−Ａ：１．６ＨＸ−
Ａ＝４：４：２を主成分とする）５０ｇをイソプロピル
アルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−トに
より塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／ｃ
ｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。以後は実施例１と
同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。
【００４０】比較例２ ３．５インチ径のポリカーボネート製基板に対して，紫
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。以後は実施例１
と同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。
外線硬化型樹脂（ＰＥ−３Ａ：９ＥＧ−Ａ：１．６ＨＸ
−Ａ＝６：３：１を主成分とする）５０ｇをイソプロピ
ルアルコ−ル２５０ｇに混合したものを、スピンコ−ト
により塗布した後、紫外線照射を積算光量６５０ｍＪ／
ｃｍ2、１．５ｓｅｃ行い硬化させた。以後は実施例１
と同様な方法で光磁気記録媒体を製造した。
【００４１】以上のディスクについて表面粗さ、ダスト
付着試験特性、電気特性を評価した。表面粗さはＡＦＭ
測定機（セイコ−電子）を用いて評価を行った。反射率
はリ−ドパワ−１．３ｍＷ、回転数１８００ｒｐｍ，半
径２４．０２ｍｍにて評価した。エラ−レ−トはダスト
試験前に最適記録パワ−にて３Ｔ〜８Ｔランダム信号を
回転数２４００ｒｐｍ記録した後、リ−ドパワ−１．３
ｍＷにて測定した。ダスト試験後は、試験前に記録した
信号を再生し評価した。表１に、実施例および比較例の
測定結果を示す。
付着試験特性、電気特性を評価した。表面粗さはＡＦＭ
測定機（セイコ−電子）を用いて評価を行った。反射率
はリ−ドパワ−１．３ｍＷ、回転数１８００ｒｐｍ，半
径２４．０２ｍｍにて評価した。エラ−レ−トはダスト
試験前に最適記録パワ−にて３Ｔ〜８Ｔランダム信号を
回転数２４００ｒｐｍ記録した後、リ−ドパワ−１．３
ｍＷにて測定した。ダスト試験後は、試験前に記録した
信号を再生し評価した。表１に、実施例および比較例の
測定結果を示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１より、ハ−ドコ−ト表面のＲａを１．
０〜５．０ｎｍの範囲に調整することによってエラ−レ
−ト特性が劣化しないことがわかる。これらは、以下の
ように考えることができる。すなわち、表面粗さ（Ｒ
ａ）は反射率低下率、ダスト試験後のエラ−レ−ト、帯
電量、ダスト付着量と、密接な関係にあり、エラ−レ−
ト変化の原因はハ−ドコ−ト表面にダストが付着するこ
とによる反射率低下起因のＳＮＲ低下によって生じてい
ると考えられる。ダストの付着しやすさは、ディスク自
身の帯電量によるものと考えられる。しかしながら、上
述の推測はなんら本発明に影響を与えるものではない。
０〜５．０ｎｍの範囲に調整することによってエラ−レ
−ト特性が劣化しないことがわかる。これらは、以下の
ように考えることができる。すなわち、表面粗さ（Ｒ
ａ）は反射率低下率、ダスト試験後のエラ−レ−ト、帯
電量、ダスト付着量と、密接な関係にあり、エラ−レ−
ト変化の原因はハ−ドコ−ト表面にダストが付着するこ
とによる反射率低下起因のＳＮＲ低下によって生じてい
ると考えられる。ダストの付着しやすさは、ディスク自
身の帯電量によるものと考えられる。しかしながら、上
述の推測はなんら本発明に影響を与えるものではない。
【００４４】
【発明の効果】本発明により、長期間にわたって良好な
エラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気記録媒体を得
ることができる。
エラ−レ−ト特性を有する高信頼性光磁気記録媒体を得
ることができる。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の一実施態様の断面
を示す図である。
を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の一方の面に少なくとも誘電体層，
磁性体からなる記録層、反射層および有機保護層を形成
し、基板の他方の面にハ−ドコ−ト層を形成した光磁気
記録媒体において、ハ−ドコ−ト層の表面粗さ（Ｒａ）
が１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13704094A JP3491340B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13704094A JP3491340B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087363A true JPH087363A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3491340B2 JP3491340B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=15189462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13704094A Expired - Fee Related JP3491340B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3491340B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10809419B2 (en) | 2015-12-03 | 2020-10-20 | Lg Chem., Ltd. | Antireflection film for a display device |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP13704094A patent/JP3491340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10809419B2 (en) | 2015-12-03 | 2020-10-20 | Lg Chem., Ltd. | Antireflection film for a display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3491340B2 (ja) | 2004-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3491340B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3496282B2 (ja) | 光磁気ディスク媒体 | |
| JPH05303769A (ja) | 光ディスク | |
| JPS61133067A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0264931A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0474688A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0264929A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH01269258A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3263274B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03238640A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62139150A (ja) | 光デイスク基板 | |
| JPH0464932A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS62281143A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2003203406A (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPS6163944A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPS6168748A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0495238A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0628714A (ja) | 光情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH06349121A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05159366A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0495239A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH079716B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2003242698A (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPH01217745A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03241540A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |