JPS62217439A - 光磁気記録担体 - Google Patents
光磁気記録担体Info
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- JPS62217439A JPS62217439A JP61058206A JP5820686A JPS62217439A JP S62217439 A JPS62217439 A JP S62217439A JP 61058206 A JP61058206 A JP 61058206A JP 5820686 A JP5820686 A JP 5820686A JP S62217439 A JPS62217439 A JP S62217439A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光記録担体のフッ化物保護膜中の不安定なフッ素が記録
媒体を劣化するのを防止するためにフッ化物と共に希土
類金属を同時成膜して、不安定なフッ素を希土類金属で
完全にトラップする。
媒体を劣化するのを防止するためにフッ化物と共に希土
類金属を同時成膜して、不安定なフッ素を希土類金属で
完全にトラップする。
本発明は光記録担体に係り、特に、記録媒体が外部環境
および基板から悪影響を受けるのを防止する保Ｎ膜に関
する。
および基板から悪影響を受けるのを防止する保Ｎ膜に関
する。
第３図に典型的な光記録担体の例として光磁気記録担体
を示す。ガラス、プラスチックなどの基Ｆｉ１は表面に
記録、再生用のレーザービームを担体上の所定の位置に
トラッキングできるように案内溝の（図示せず）が付け
られている。通常、基板１は案内溝を形成し易（するた
めにプラスチックの成形品を用いるか、またはガラス等
を基材とし、その上に紫外線硬化型樹脂を塗布した後、
案内溝を形成したものが用いられる。しかし、これら基
板材料には、未硬化のモノマーなどの活性な成分が含ま
れており、この上に直接に光磁気記録材料である希土類
−遷移金属系記録層３を直接形成すると、酸化反応によ
る記録層３の劣化が生じる。この原因は、記録層３を形
成する成分の一つである希土類金属がこれら基板１中に
含まれる活性な成分と反応するためである。この結果、
合金相中の希土類の含有量が見Ｈト上減少し、磁気的特
性、記録・再生特性の劣化を招いている。このため、従
来から基板ｌと記録Ｎ３の中間に透明な保護膜２を設け
て記録層３の劣化防止を図っている。
を示す。ガラス、プラスチックなどの基Ｆｉ１は表面に
記録、再生用のレーザービームを担体上の所定の位置に
トラッキングできるように案内溝の（図示せず）が付け
られている。通常、基板１は案内溝を形成し易（するた
めにプラスチックの成形品を用いるか、またはガラス等
を基材とし、その上に紫外線硬化型樹脂を塗布した後、
案内溝を形成したものが用いられる。しかし、これら基
板材料には、未硬化のモノマーなどの活性な成分が含ま
れており、この上に直接に光磁気記録材料である希土類
−遷移金属系記録層３を直接形成すると、酸化反応によ
る記録層３の劣化が生じる。この原因は、記録層３を形
成する成分の一つである希土類金属がこれら基板１中に
含まれる活性な成分と反応するためである。この結果、
合金相中の希土類の含有量が見Ｈト上減少し、磁気的特
性、記録・再生特性の劣化を招いている。このため、従
来から基板ｌと記録Ｎ３の中間に透明な保護膜２を設け
て記録層３の劣化防止を図っている。
光磁気記録担体では、記録・再生を基板側からレーザー
ビームを入射し、反射光を用いて再生するため、保護膜
２は透明なものでなければならない。
ビームを入射し、反射光を用いて再生するため、保護膜
２は透明なものでなければならない。
また、見掛の反射率を向上させて信号強度を保持するた
めには保護膜２の屈折率は基板１のそれに近いものが好
ましい。このような保護膜２としては通常酸化物やフッ
化物、硫化物などが用いられている。そして記録層３上
にはさらにもう１つの保護膜４を形成して記録層３を上
下から保護膜２゜４で挾んで密閉している。保護膜４は
空気中の酸素や水分から記録層を保護するものである。
めには保護膜２の屈折率は基板１のそれに近いものが好
ましい。このような保護膜２としては通常酸化物やフッ
化物、硫化物などが用いられている。そして記録層３上
にはさらにもう１つの保護膜４を形成して記録層３を上
下から保護膜２゜４で挾んで密閉している。保護膜４は
空気中の酸素や水分から記録層を保護するものである。
記録層３が希土類金属と遷移金属との非晶質合金からな
る光磁気記録媒体である場合には、レーザービーム基板
１側から入射して、反射光を用いて再生するので、保護
膜４は透明である必要はない。しかし、保護膜４ば保護
膜としての特性、例えは、無欠陥化、無ピンボール化、
希土類との反応性が低い、水分を遮蔽する等の性質を要
する点は保護膜２と共通である。
る光磁気記録媒体である場合には、レーザービーム基板
１側から入射して、反射光を用いて再生するので、保護
膜４は透明である必要はない。しかし、保護膜４ば保護
膜としての特性、例えは、無欠陥化、無ピンボール化、
希土類との反応性が低い、水分を遮蔽する等の性質を要
する点は保護膜２と共通である。
（３ン
ところで、上記保護膜２の１つとしてフッ化物が使用さ
れる。フッ化物は光学的に透明かつ低屈折率を有し、か
つ成膜し易い性質を有しているからである。酸化物や硫
化物は一般に屈折率が大きい。
れる。フッ化物は光学的に透明かつ低屈折率を有し、か
つ成膜し易い性質を有しているからである。酸化物や硫
化物は一般に屈折率が大きい。
上記のようにフッ化物は光記録層の保護膜として適する
特性を有しているが、フッ化物を構成するフッ素が記録
層を構成する希土類金属と反応し易いため、記録層の長
期安定性を確保する上で困難がある。フッ素による記録
層の劣化は上記のような光磁気記録材料において著しい
が、その他の光磁気記録材料、追記型光記録材料、相変
態型光記録材料、等においても大なり小なり問題である
。
特性を有しているが、フッ化物を構成するフッ素が記録
層を構成する希土類金属と反応し易いため、記録層の長
期安定性を確保する上で困難がある。フッ素による記録
層の劣化は上記のような光磁気記録材料において著しい
が、その他の光磁気記録材料、追記型光記録材料、相変
態型光記録材料、等においても大なり小なり問題である
。
ｃ問題点を解決するための手段および作用〕本発明は、
上記問題点を解決するために、光記録担体の保護膜をフ
ッ化物と共に希土類金属を同時成膜して作成する。
上記問題点を解決するために、光記録担体の保護膜をフ
ッ化物と共に希土類金属を同時成膜して作成する。
従来、フッ化物が記録層を劣化させるメカニズムとして
は、フッ化物を蒸着、スパッタリング等で成膜する際に
、住する活性なフッ化物の膜中に取り込まれ、これが記
録層中の特に希土類金属と反応して記録層を劣化させる
ものと考えられる。
は、フッ化物を蒸着、スパッタリング等で成膜する際に
、住する活性なフッ化物の膜中に取り込まれ、これが記
録層中の特に希土類金属と反応して記録層を劣化させる
ものと考えられる。
そこで、フッ化物と同時に希土類金属を同時成膜すると
、活性なフッ素はフッ素との結合性の高い希土類金属と
反応して安定なフッ化物をし生成して保護膜中に取り込
まれ、保護膜の安定化が図られるものと考えられる。
、活性なフッ素はフッ素との結合性の高い希土類金属と
反応して安定なフッ化物をし生成して保護膜中に取り込
まれ、保護膜の安定化が図られるものと考えられる。
保護膜を被着する基材はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、
ポリカーボネート樹脂などのプラスチック、あるいはガ
ラス等であることができ、基板が透明である必要がなけ
れば金属等でもよい。一般的には、基材表面にトラッキ
ング用案内溝が形成されている。この案内溝はプラスチ
ックでは成形法により形成し、あるいはガラス基材を直
接エツチングして形成してもよいが、通常、紫外線硬化
樹脂を基材表面で型を用いて硬化させて形成される。
ポリカーボネート樹脂などのプラスチック、あるいはガ
ラス等であることができ、基板が透明である必要がなけ
れば金属等でもよい。一般的には、基材表面にトラッキ
ング用案内溝が形成されている。この案内溝はプラスチ
ックでは成形法により形成し、あるいはガラス基材を直
接エツチングして形成してもよいが、通常、紫外線硬化
樹脂を基材表面で型を用いて硬化させて形成される。
同時成膜するフッ化物としては、例えば、Ａｊ！Ｆ３．
ＣａＦｚ、 ＣｅＦ、ＬａＦ、、、ＭｇＦｚ、 Ｎ
ａＡｌ！Ｆｂ。
ＣａＦｚ、 ＣｅＦ、ＬａＦ、、、ＭｇＦｚ、 Ｎ
ａＡｌ！Ｆｂ。
ＮａＦ 、 ＮｄＦ３ 、 ＰｂＦｚ 、などを挙げる
ことができる。
ことができる。
希土類金属としてばＬａ 、 Ｃｅ 、 Ｐｒ 、 Ｎ
ｄ 、 Ｐｍ 、 Ｓｍ 、 Ｅｕ 。
ｄ 、 Ｐｍ 、 Ｓｍ 、 Ｅｕ 。
Ｇｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄｙ 、 Ｉｌｏ 、 Ｅｒ 、
Ｔｍ 、 Ｙｂ 、 Ｌｕがある。フッ化物あるいは
希土類金属の２種以上を同時成膜してもよい。
Ｔｍ 、 Ｙｂ 、 Ｌｕがある。フッ化物あるいは
希土類金属の２種以上を同時成膜してもよい。
同時成膜の手法は、慣用手法により、同時蒸着、同時ス
パッタリングなど、フッ化物と希土類金属を二元ソース
とし、あるいは混合物をソースとして同時成膜すればよ
い。
パッタリングなど、フッ化物と希土類金属を二元ソース
とし、あるいは混合物をソースとして同時成膜すればよ
い。
フッ化物に対して希土類金属の量が多くなると、活性な
フッ素がより多く安定化され、記録膜の保護効果が大き
くなる。しかし、希土類金属の量がある程度以上になる
と保護効果は飽和する。これはフッ化物の成膜時に生ず
る活性なフッ素が完全に安定化されるためと考えられる
。そして、希土類金属の量をさらに多くすると、過剰の
金属のために保護膜の透明度が低下する。基板側を光入
射あるいは出射側として使用する場合には保護膜の吸光
率が１０％以下であることが望ましく、従って、希土類
金属の量をあまり過剰にしないことが必要である。実施
例では、酸化物に対する希土類金属の成膜速度（膜厚す
なわち体積成長速度）が０．４程度で保護効果が飽和し
た。
フッ素がより多く安定化され、記録膜の保護効果が大き
くなる。しかし、希土類金属の量がある程度以上になる
と保護効果は飽和する。これはフッ化物の成膜時に生ず
る活性なフッ素が完全に安定化されるためと考えられる
。そして、希土類金属の量をさらに多くすると、過剰の
金属のために保護膜の透明度が低下する。基板側を光入
射あるいは出射側として使用する場合には保護膜の吸光
率が１０％以下であることが望ましく、従って、希土類
金属の量をあまり過剰にしないことが必要である。実施
例では、酸化物に対する希土類金属の成膜速度（膜厚す
なわち体積成長速度）が０．４程度で保護効果が飽和し
た。
保護膜の厚さは数１００μｍが好ましい。
本発明により金属を同時成膜する保護膜は、第１に光の
入射側（出射側）に存在すること、また記録膜の前に形
成される下地保護膜であることが、それぞれ効果が大き
いので好ましいが、記録媒体層のいずれか一方の側にあ
ってもそれぞれ一定の効果は奏せられるものである。
入射側（出射側）に存在すること、また記録膜の前に形
成される下地保護膜であることが、それぞれ効果が大き
いので好ましいが、記録媒体層のいずれか一方の側にあ
ってもそれぞれ一定の効果は奏せられるものである。
本発明が適用される光記録担体としては、光磁気記録タ
イプ、穴ありタイプ、結晶−アモルファス間あるいは結
晶−結晶相変態タイプなどが例示される。
イプ、穴ありタイプ、結晶−アモルファス間あるいは結
晶−結晶相変態タイプなどが例示される。
７．５ＫＯｅ、カー回転角θ、ｃ−０，３５ｄｅｇ）を
厚さ１１００ｎに成膜した。次に、このディスクを真空
蒸着装置にセントし、蒸着源としてフッ化物のＭｇＦ２
と希土類金属のＴｂを用い、３ Ｘｌ０−５Ｐａの真空
下、基板を回転しながら、電子ビームで蒸着源を加熱し
て基板上にＭｇｈとＴｂを同時蒸着した。そしてＴｂ／
ＭｇＦ２の蒸着速度比（膜厚成長比）を変えて、厚さ２
００ｎｍの保護膜（ＭｇＦｚ−Ｔｂ）を作成した。比較
のためにＭｇＦ２だけの保護膜の試料も作成した。
厚さ１１００ｎに成膜した。次に、このディスクを真空
蒸着装置にセントし、蒸着源としてフッ化物のＭｇＦ２
と希土類金属のＴｂを用い、３ Ｘｌ０−５Ｐａの真空
下、基板を回転しながら、電子ビームで蒸着源を加熱し
て基板上にＭｇｈとＴｂを同時蒸着した。そしてＴｂ／
ＭｇＦ２の蒸着速度比（膜厚成長比）を変えて、厚さ２
００ｎｍの保護膜（ＭｇＦｚ−Ｔｂ）を作成した。比較
のためにＭｇＦ２だけの保護膜の試料も作成した。
得られたディスクを空気中１５０℃に保持して保持力の
変化を測定した。その結果を第２図に示す。
変化を測定した。その結果を第２図に示す。
第２図中、縦軸は初期保磁力に対する測定時の保磁力の
比、γはＴｂ／ＭｇＦｚの蒸着速度比である。同図に見
られるように、Ｔｂ／ＭｇＦｚの蒸着速度比γによって
Ｈｃの変化に差が生じ、γが０→０．５１５→１１５と
大きくなるにつれてＨｃの変化が小さくなった。
比、γはＴｂ／ＭｇＦｚの蒸着速度比である。同図に見
られるように、Ｔｂ／ＭｇＦｚの蒸着速度比γによって
Ｈｃの変化に差が生じ、γが０→０．５１５→１１５と
大きくなるにつれてＨｃの変化が小さくなった。
なお、保磁力の変化はＴｂＦｅＣｏ膜中のＴｂ７５＜選
択的にフッ素によって酸化されるためで、保磁力の発散
する組成は補償組成と呼ばれている。
択的にフッ素によって酸化されるためで、保磁力の発散
する組成は補償組成と呼ばれている。
実施例 ２
ガラスディスク基板上に紫外線硬化樹脂でトラッキング
用案内溝を形成した後、Ｔｂ−ＭｇＦ２の下地保護膜、
ＴｂＦｅＣｏの記録層、そしてＴｂ−ＭｇＦ、の上地保
護膜を順に形成して光ディスクを作成した。
用案内溝を形成した後、Ｔｂ−ＭｇＦ２の下地保護膜、
ＴｂＦｅＣｏの記録層、そしてＴｂ−ＭｇＦ、の上地保
護膜を順に形成して光ディスクを作成した。
Ｔｂ−ＭｇＦｚの下地および上地保護膜ならびにＴｂＦ
ｅＣ。
ｅＣ。
記録層はそれぞれ実施例１のＴｂ−ＭｇＦｚ保護膜およ
びＴｂＦｅＣｏ記録層と同じに作成した。
びＴｂＦｅＣｏ記録層と同じに作成した。
得られた光ディスクの記録、再生特性の経時変化を追跡
した。その結果を第３図に示す。第３図によると、蒸着
速度比ｒ＞２１５ではＣ／Ｎ比の低下が著しく抑えられ
ていることが認められる。
した。その結果を第３図に示す。第３図によると、蒸着
速度比ｒ＞２１５ではＣ／Ｎ比の低下が著しく抑えられ
ていることが認められる。
一方、γが０１５〜３１５の間においてＴｂ−ＭｇＦｅ
２同時蒸着膜の屈折率を測定したところ、１．３８〜１
．６８とＴｂの増加と共に単調に増加したが、可視域か
ら赤外領域において吸収は殆んど見られなかった。
２同時蒸着膜の屈折率を測定したところ、１．３８〜１
．６８とＴｂの増加と共に単調に増加したが、可視域か
ら赤外領域において吸収は殆んど見られなかった。
犬１１（−走
保護膜としてＸ−ＭｇＦｚ（に：Ｌａ＋ Ｃｅ、 Ｎｄ
＋ Ｓｍ＋ Ｄｙ＋ Ｈｏ＋ Ｌｕ）を用い、記録層と
してＴｂＦｅＣｏ（ｌＩｃ＝ ７〜８ Ｗｏｅ、θ３一
〇、３５ｄｅｇ）を用いて実験したところ、実施例１と
同様の結果を得た。
＋ Ｓｍ＋ Ｄｙ＋ Ｈｏ＋ Ｌｕ）を用い、記録層と
してＴｂＦｅＣｏ（ｌＩｃ＝ ７〜８ Ｗｏｅ、θ３一
〇、３５ｄｅｇ）を用いて実験したところ、実施例１と
同様の結果を得た。
災施拠−土
保護膜としてＴｂ−Ｙ（Ｙ：Ａ Ｉ！ Ｆ３ 、 Ｃａ
Ｆｚ 、 Ｃｅ 、 ＰｂＦｚ）を用い実施例１と同様
の実験を行い、実施例１と同様の結果を得た。この場合
、各フッ化物によって屈折率は多少のちがいはあるもの
の蒸着速度比γがＯ１５〜３１５の範囲内ではＴｂの増
加に伴って０．４程度増加する。
Ｆｚ 、 Ｃｅ 、 ＰｂＦｚ）を用い実施例１と同様
の実験を行い、実施例１と同様の結果を得た。この場合
、各フッ化物によって屈折率は多少のちがいはあるもの
の蒸着速度比γがＯ１５〜３１５の範囲内ではＴｂの増
加に伴って０．４程度増加する。
なお、フッ化物の屈折率は全般的に小さく１．３３〜１
．６８で、ガラス、プラスチック、等の基板とほぼ等し
く、Ｔｂの含有量を制御することでこれに合せ込むこと
が可能である。
．６８で、ガラス、プラスチック、等の基板とほぼ等し
く、Ｔｂの含有量を制御することでこれに合せ込むこと
が可能である。
本発明によれば、希土類金属−遷移金属の非晶質合金光
磁気記録層など光記録層に対して、長期安定化の効果の
ある有効な保護膜が提供される。
磁気記録層など光記録層に対して、長期安定化の効果の
ある有効な保護膜が提供される。
また、フッ化物は透明かつ低屈折率という利点を有して
いるが、本発明においてもその特性は失なわれない。
いるが、本発明においてもその特性は失なわれない。
第１図は光記録担体の断面図、第２図は実施例１の光デ
ィスクの保磁力の経時変化を示すグラフ図、第３図は実
施例２の光ディスクのＣ／Ｎ比の経時変化を示すグラフ
図である。 １・・・基板、 ２・・・下地保護膜、３・・
・記録層、 ５・・・上地保護膜。
ィスクの保磁力の経時変化を示すグラフ図、第３図は実
施例２の光ディスクのＣ／Ｎ比の経時変化を示すグラフ
図である。 １・・・基板、 ２・・・下地保護膜、３・・
・記録層、 ５・・・上地保護膜。
Claims (1)
- １、基板上に光記録媒体層と該光記録媒体層に接する保
護膜を有する光記録担体において、該保護膜が、金属フ
ッ化物と希土類金属が同時成膜された膜であることを特
徴とする光記録担体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058206A JP2520875B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 光磁気記録担体 |
| EP86402530A EP0231672B1 (en) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Optical memory device and process for fabricating same |
| DE8686402530T DE3685649T2 (de) | 1986-01-29 | 1986-11-14 | Apparatur mit optischem gedaechtnis und verfahren zu deren herstellung. |
| KR1019860009659A KR900003688B1 (ko) | 1986-01-29 | 1986-11-15 | 광기억장치 및 그의 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058206A JP2520875B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 光磁気記録担体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62217439A true JPS62217439A (ja) | 1987-09-24 |
| JP2520875B2 JP2520875B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=13077563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61058206A Expired - Lifetime JP2520875B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-03-18 | 光磁気記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2520875B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906056B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2009-07-03 | 파나소닉 주식회사 | 정보 기록매체와 그 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736445A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording material |
| JPS5992456A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気デイスク |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61058206A patent/JP2520875B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736445A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording material |
| JPS5992456A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気デイスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2520875B2 (ja) | 1996-07-31 |
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