JPH02254651A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH02254651A JPH02254651A JP7718789A JP7718789A JPH02254651A JP H02254651 A JPH02254651 A JP H02254651A JP 7718789 A JP7718789 A JP 7718789A JP 7718789 A JP7718789 A JP 7718789A JP H02254651 A JPH02254651 A JP H02254651A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光磁気記録媒体に関し特に透光性樹脂基板を用
いた光磁気記録媒体の製造方法に関する。
いた光磁気記録媒体の製造方法に関する。
（従来の技術）
大量の情報を高密度に記録に記録できることから光ディ
スクが盛んに研究されている。この光ディスクの記録媒
体としては作成法の容易さ、高い記録感度の点から希土
類−遷移金属からなる非晶質垂直磁化膜がおもに用いら
れている。しかし、この非晶質磁性膜は酸化されやすく
特に高湿度環境下におかれると磁気特性が変化し、使用
できなくなるという欠点がある。ここで、透明基板とし
て価格、割れにくいなどから樹脂基板を用いた場合、基
板をとおしてのごとくわずかな水が磁性膜の腐食の要因
になったりする。そこで第２図に示すように、通常は透
明基板１上で記録層３を保護膜２，２′で挾み込んだ構
成として磁性膜の酸化、腐食を防ぐことが行われている
。
スクが盛んに研究されている。この光ディスクの記録媒
体としては作成法の容易さ、高い記録感度の点から希土
類−遷移金属からなる非晶質垂直磁化膜がおもに用いら
れている。しかし、この非晶質磁性膜は酸化されやすく
特に高湿度環境下におかれると磁気特性が変化し、使用
できなくなるという欠点がある。ここで、透明基板とし
て価格、割れにくいなどから樹脂基板を用いた場合、基
板をとおしてのごとくわずかな水が磁性膜の腐食の要因
になったりする。そこで第２図に示すように、通常は透
明基板１上で記録層３を保護膜２，２′で挾み込んだ構
成として磁性膜の酸化、腐食を防ぐことが行われている
。
（発明が解決しようとする課題）
ここで保護膜２としては保護効果とともにカー回転角を
高め記録再生特性の性能を向上させる為に、基板よりも
屈折率の高い膜が選択される。さらに、カー回転角は保
護膜の膜厚とも関連があり、カー回転角が最大となるよ
うな膜厚が選ばれる（５００人〜１０００人）。保護膜
の耐湿性を考慮すると膜厚は厚ければ厚い程記縁膜への
保護作用は増加するが、前記したカー回転角の増加効果
、作成上の困難さからあまり厚くすることはできない。
高め記録再生特性の性能を向上させる為に、基板よりも
屈折率の高い膜が選択される。さらに、カー回転角は保
護膜の膜厚とも関連があり、カー回転角が最大となるよ
うな膜厚が選ばれる（５００人〜１０００人）。保護膜
の耐湿性を考慮すると膜厚は厚ければ厚い程記縁膜への
保護作用は増加するが、前記したカー回転角の増加効果
、作成上の困難さからあまり厚くすることはできない。
そこで、本発明の目的はカー回転角が最大になるような
膜厚の保護膜において、安定的に防湿性の優れた効果を
有する保護膜の製造方法を提供することにある。
膜厚の保護膜において、安定的に防湿性の優れた効果を
有する保護膜の製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の光磁気記録媒体の製造方法は透光性樹脂基板上
に保護膜、記録層、保護膜を積層した光磁気記録媒体に
おいて前記樹脂基板上に保護膜を成膜した後に高温・高
湿処理を行い、防湿性に優れた保護膜を実現することを
特徴とする。
に保護膜、記録層、保護膜を積層した光磁気記録媒体に
おいて前記樹脂基板上に保護膜を成膜した後に高温・高
湿処理を行い、防湿性に優れた保護膜を実現することを
特徴とする。
（作用）
樹脂基板上に保護膜を成膜した後に高温高湿処理を施す
と透湿性を示していた膜が防湿性に変化することを観測
した。第３図に実験に用いた試料の断面構造図を示す。
と透湿性を示していた膜が防湿性に変化することを観測
した。第３図に実験に用いた試料の断面構造図を示す。
図において１は例えばポリカーボネート（以下ＰＣと記
す）基板のような透明の樹脂基板、２は８００人程度の
ＳｉＮなどの保護膜である。この基板を環境条件を変え
た雰囲気中に放置した時の基板の重量変化を第４図に示
す。第４図の上図に環境条件を示す温度、相対湿度の値
を示す。下図にはそのときの基板の重量変化を示す。こ
の重量変化は吸湿、脱湿時の基板の水分量変化を現して
いる。６０°Ｃ９０％Ｒ，Ｈ，約６０時間において５０
ｍｇの重量増加が観測された。重量増加率は約０．２７
％であり、ＰＣ基板の平衡吸湿率（０，３％）に近い値
である。この結果は保護膜２が透湿性であることを意味
している。即ち、保護膜２で覆われていない部分からも
ＰＣ基板内には水は入り込むが、概算するとその値は高
々０．０５％であり、０．２７％の重量増加は保護膜２
を通した水分量の寄与が大きい。次にこの基板を６００
ＯＮ２送風下３時間、２０°ＣＮ２送風下（＜ １０％
Ｒ，Ｈ，）約６０時間の乾燥をおこなっても重量は元の
Ａで示す初期重量値までもどらなかった。その後６０’
Ｃ９０％Ｒ，Ｈ，中に約５０時間放置したが初期のよう
な重量変化は観測されなかった。以上の重量変化の仮定
を６０’Ｃ９０％Ｒ６Ｈ０の環境条件に注目した重量変
化率の関係を第１図に示す。
す）基板のような透明の樹脂基板、２は８００人程度の
ＳｉＮなどの保護膜である。この基板を環境条件を変え
た雰囲気中に放置した時の基板の重量変化を第４図に示
す。第４図の上図に環境条件を示す温度、相対湿度の値
を示す。下図にはそのときの基板の重量変化を示す。こ
の重量変化は吸湿、脱湿時の基板の水分量変化を現して
いる。６０°Ｃ９０％Ｒ，Ｈ，約６０時間において５０
ｍｇの重量増加が観測された。重量増加率は約０．２７
％であり、ＰＣ基板の平衡吸湿率（０，３％）に近い値
である。この結果は保護膜２が透湿性であることを意味
している。即ち、保護膜２で覆われていない部分からも
ＰＣ基板内には水は入り込むが、概算するとその値は高
々０．０５％であり、０．２７％の重量増加は保護膜２
を通した水分量の寄与が大きい。次にこの基板を６００
ＯＮ２送風下３時間、２０°ＣＮ２送風下（＜ １０％
Ｒ，Ｈ，）約６０時間の乾燥をおこなっても重量は元の
Ａで示す初期重量値までもどらなかった。その後６０’
Ｃ９０％Ｒ，Ｈ，中に約５０時間放置したが初期のよう
な重量変化は観測されなかった。以上の重量変化の仮定
を６０’Ｃ９０％Ｒ６Ｈ０の環境条件に注目した重量変
化率の関係を第１図に示す。
Ｏ印で示したＰＣ基板のみの場合は数時間で平衡状態の
０．３％となる。目印はＰＣの両面にＴｉを２０００人
形成した試料であり、・印はＰＣ基板の両面にＳｉＮを
８００人成膜した試料である。目印で示した試料の重量
変化率はＴｉの成膜されていない部分がらＰＣ基板に水
が入っていくことで説明できる。・印で示した試料は第
３図で示したように当初■で示すように透湿性を示して
いた保護膜が■に示すように目印と同程度の水分変化率
を示しており、防湿性に変化したことを示している。こ
こで、■の重量変化率を算出する場合の試料の初期重量
は第４図のＢ点で示す値を採用した。このことは記録再
生特性を向上させるための児がけ上のカー回転角を大き
くする際に最適設計された薄い保護膜をもちいても信頼
性のある膜を形成できることを意味している。
０．３％となる。目印はＰＣの両面にＴｉを２０００人
形成した試料であり、・印はＰＣ基板の両面にＳｉＮを
８００人成膜した試料である。目印で示した試料の重量
変化率はＴｉの成膜されていない部分がらＰＣ基板に水
が入っていくことで説明できる。・印で示した試料は第
３図で示したように当初■で示すように透湿性を示して
いた保護膜が■に示すように目印と同程度の水分変化率
を示しており、防湿性に変化したことを示している。こ
こで、■の重量変化率を算出する場合の試料の初期重量
は第４図のＢ点で示す値を採用した。このことは記録再
生特性を向上させるための児がけ上のカー回転角を大き
くする際に最適設計された薄い保護膜をもちいても信頼
性のある膜を形成できることを意味している。
比較のために、ＰＣ基板およびＰＣ基板の両面に透湿膜
を被覆したものを６０°Ｃ９０％Ｒ，Ｈ，中に約１００
時問直いた後、６０°ＣＮ２送風下（＜１０％Ｒ，Ｈ，
）で乾燥を行なったところ、約３時間でもとの重量にも
どっている。この結果を第８図に示す。このことと第４
図の結果より第４図Ｂ点でのＰＣ基板は十分乾燥してい
ると考えられ、その後の高温・高湿化の重量変化から本
発明の保護膜が確かに防湿性に変化したことがわかる。
を被覆したものを６０°Ｃ９０％Ｒ，Ｈ，中に約１００
時問直いた後、６０°ＣＮ２送風下（＜１０％Ｒ，Ｈ，
）で乾燥を行なったところ、約３時間でもとの重量にも
どっている。この結果を第８図に示す。このことと第４
図の結果より第４図Ｂ点でのＰＣ基板は十分乾燥してい
ると考えられ、その後の高温・高湿化の重量変化から本
発明の保護膜が確かに防湿性に変化したことがわかる。
（第１の実施例）
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第５図（ａ）〜（ｄ）に本発明をもちいた光磁気記録媒
体の製造工程を示す。厚さ１．２ｍｍのＰＣ基板１に高
周波スパッタリング装置を用いて（ｂ）に示、すように
ＳｉＮ系保護膜２を約８００人形成する。その後６０°
Ｃ９０％Ｒ，Ｈ，の雰囲気中に約５０時間放置した後乾
燥し、高周波スパッタリング装置を用いて（ｄ）に示す
ようにＴｂＦｅＣｏ層３、ＳｉＮ系保護膜２′をそれぞ
れ約８００人形成し光磁気記録媒体とした。この製造方
法を用いて作成した光磁気記録媒体は従来の光磁気記録
媒体に比べ信頼性試験においても腐食することはなく信
頼性を向上させることができた。
体の製造工程を示す。厚さ１．２ｍｍのＰＣ基板１に高
周波スパッタリング装置を用いて（ｂ）に示、すように
ＳｉＮ系保護膜２を約８００人形成する。その後６０°
Ｃ９０％Ｒ，Ｈ，の雰囲気中に約５０時間放置した後乾
燥し、高周波スパッタリング装置を用いて（ｄ）に示す
ようにＴｂＦｅＣｏ層３、ＳｉＮ系保護膜２′をそれぞ
れ約８００人形成し光磁気記録媒体とした。この製造方
法を用いて作成した光磁気記録媒体は従来の光磁気記録
媒体に比べ信頼性試験においても腐食することはなく信
頼性を向上させることができた。
（第２の実施例）
第６図（ａ）〜（ｄ）に第２の実施例を説明する為の製
造方法を示す。第２の実施例は単層の保護膜ではなく複
合の保護膜に本発明を適用した場合である。厚さ１．２
ｍｍのＰＣ基板に内部応力の小さい５ｉ０２系保護膜４
とＳｉＮ系保護膜５を高周波スパッタリング装置を用い
て全体で約８００人形成した。その後６０°Ｃ９０％Ｒ
０Ｈ０の雰囲気中に約５０時間放置した後乾燥し、（ｄ
）に示すように高周波スパッタリング装置を用いてＴｂ
ＦｅＣｏ層３、ＳｉＮ系保護膜２′をそれぞれ約８００
人形成し光磁気記録媒体とした。この製造方法を用いて
作成した光磁気記録媒体は従来の光磁気記録媒体に比べ
信頼性試験においても腐食することはなく信頼性を向上
させることができた。
造方法を示す。第２の実施例は単層の保護膜ではなく複
合の保護膜に本発明を適用した場合である。厚さ１．２
ｍｍのＰＣ基板に内部応力の小さい５ｉ０２系保護膜４
とＳｉＮ系保護膜５を高周波スパッタリング装置を用い
て全体で約８００人形成した。その後６０°Ｃ９０％Ｒ
０Ｈ０の雰囲気中に約５０時間放置した後乾燥し、（ｄ
）に示すように高周波スパッタリング装置を用いてＴｂ
ＦｅＣｏ層３、ＳｉＮ系保護膜２′をそれぞれ約８００
人形成し光磁気記録媒体とした。この製造方法を用いて
作成した光磁気記録媒体は従来の光磁気記録媒体に比べ
信頼性試験においても腐食することはなく信頼性を向上
させることができた。
（第３の実施例）
第７図（ａ）〜（Ｃ）に第３の実施例を説明する為の製
造方法を示す。厚さ１．２ｍｍのＰＣ基板１に（ｂ）に
示すように高周波スパッタリング装置を用いてＳｉＮ系
保護膜２，２′を約８００人とＴｂＦｅＣｏ層３を約８
００人連続して形成する。その後６０°Ｃ９０％Ｒ，Ｈ
，の雰囲気中に約５０時間放置した後乾燥し、光磁気記
録媒体とした。この製造方法を用いて作成した光磁気記
録媒体は従来の光磁気記録媒体に比べ信頼性試験におい
ても腐食することはなく信頼性を向上させることができ
た。
造方法を示す。厚さ１．２ｍｍのＰＣ基板１に（ｂ）に
示すように高周波スパッタリング装置を用いてＳｉＮ系
保護膜２，２′を約８００人とＴｂＦｅＣｏ層３を約８
００人連続して形成する。その後６０°Ｃ９０％Ｒ，Ｈ
，の雰囲気中に約５０時間放置した後乾燥し、光磁気記
録媒体とした。この製造方法を用いて作成した光磁気記
録媒体は従来の光磁気記録媒体に比べ信頼性試験におい
ても腐食することはなく信頼性を向上させることができ
た。
（発明の効果）
以上説明したように本発明の製造方法をもちいれば薄い
保護膜においても防湿性に優れた保護膜が得られ、光磁
気ディスクの寿命を高めることができる。
保護膜においても防湿性に優れた保護膜が得られ、光磁
気ディスクの寿命を高めることができる。
第１図は本発明を説明する為の吸湿実験結果を示す図、
第２図は光磁気記録媒体の断面構造図、第３図は吸湿実
験に用いた試料の断面構造図、第４図・第８図は吸湿実
験結果を示した図、第５図は本発明の第１の実施例を説
明するための製造方法を示す断面構造図、第６図は本発
明の第２の実施例を説明するための製造方法を示す断面
構造図、第７図は本発明の第３の実施例を説明するため
の製造方法を示す断面構造図である。 図において１は透明基板、２，２”は保護膜、３はＴｂ
ＦｅＣｏなどの記録層、４，５は保護膜である。
第２図は光磁気記録媒体の断面構造図、第３図は吸湿実
験に用いた試料の断面構造図、第４図・第８図は吸湿実
験結果を示した図、第５図は本発明の第１の実施例を説
明するための製造方法を示す断面構造図、第６図は本発
明の第２の実施例を説明するための製造方法を示す断面
構造図、第７図は本発明の第３の実施例を説明するため
の製造方法を示す断面構造図である。 図において１は透明基板、２，２”は保護膜、３はＴｂ
ＦｅＣｏなどの記録層、４，５は保護膜である。
Claims (1)
- 透光性樹脂基板上に保護膜、記録層を積層した光磁気記
録媒体において前記樹脂基板上に成膜した保護膜を高温
・高湿処理をすることを特徴とする光磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077187A JP2797384B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077187A JP2797384B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254651A true JPH02254651A (ja) | 1990-10-15 |
| JP2797384B2 JP2797384B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=13626814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1077187A Expired - Lifetime JP2797384B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2797384B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217440A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | Fujitsu Ltd | 光ディスク用基板 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1077187A patent/JP2797384B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217440A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | Fujitsu Ltd | 光ディスク用基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2797384B2 (ja) | 1998-09-17 |
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