JPH0383239A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH0383239A JPH0383239A JP21928289A JP21928289A JPH0383239A JP H0383239 A JPH0383239 A JP H0383239A JP 21928289 A JP21928289 A JP 21928289A JP 21928289 A JP21928289 A JP 21928289A JP H0383239 A JPH0383239 A JP H0383239A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱磁気効果により磁性層に信号を記録し、光
磁気効果によりこの信号を再生するもので、コンピュー
タの外部記憶装置などに使用される光磁気ディスクに関
する。
磁気効果によりこの信号を再生するもので、コンピュー
タの外部記憶装置などに使用される光磁気ディスクに関
する。
光磁気ディスクは、磁性層上にレーザビームを照射し、
この部分を消磁させ、伺時に印加される外部磁界の向き
に従って磁化させデータを記録する。この記録は、記録
部分に偏光を照射し、カー回転、すなわち反射光の偏向
面の回転により磁化の向き１強さを検出することにより
再生される。
この部分を消磁させ、伺時に印加される外部磁界の向き
に従って磁化させデータを記録する。この記録は、記録
部分に偏光を照射し、カー回転、すなわち反射光の偏向
面の回転により磁化の向き１強さを検出することにより
再生される。
磁性層の材料としては、記録密度を上げるために、垂直
磁気異方性を有していること、及びカー回転角が大きい
ことなどから希土類金属と遷移金属との非晶質合金が有
望であるといわれている。さらに、見かけ上カー回転角
を増大させ再生信号の質を向上させることを目的として
、基板と磁性層の間にエンハンス層と呼ばれる誘電体層
を挿入する構成が一般的に採用されている０例えば、特
開昭５９−３８９５０号公報には、磁性層としてＧｄＴ
ｂＰｅなと、誘電体層としてＳｉｎ、 ５ｉＪ４などが
開示されている。
磁気異方性を有していること、及びカー回転角が大きい
ことなどから希土類金属と遷移金属との非晶質合金が有
望であるといわれている。さらに、見かけ上カー回転角
を増大させ再生信号の質を向上させることを目的として
、基板と磁性層の間にエンハンス層と呼ばれる誘電体層
を挿入する構成が一般的に採用されている０例えば、特
開昭５９−３８９５０号公報には、磁性層としてＧｄＴ
ｂＰｅなと、誘電体層としてＳｉｎ、 ５ｉＪ４などが
開示されている。
また基板材料としてはガラスあるいはプラスチックが一
般的であるが、ガラスは重量が大きいこととレーザビー
ムのトランキングのための案内溝の加工にコストがかか
ることなどから、プラスチック基板が多用されている。
般的であるが、ガラスは重量が大きいこととレーザビー
ムのトランキングのための案内溝の加工にコストがかか
ることなどから、プラスチック基板が多用されている。
プラスチンクは吸水性、ｉ３湿性を有することから、信
頼性を確保するためには、それなりの工夫が必要である
。その手段として、５ｌＯ３ｔ１１和けいふっ化水素酸
＋はう酸溶液に基板を浸漬し、０．１μ程度の深さの５
１０を膜を表面に形成し、吸水、透湿を防ぐ方法が、例
えば雑誌「機能材料Ｊ １９８９年４月１１５ページ〜
２７ページにより公知である。しかし、このようにして
Ｓｔｏｗ膜により被覆したプラスチック基板を用いて、
実際に光磁気ディスクを作製し評価したところ、耐湿試
験の結果は充分な効果を示したものの、再生信号を乱す
ほどに雑音が発生しており、解析の結果、この原因は案
内溝がある面、すなわち磁性層が形威される画側のｓｌ
ｏｚｍ膜が雑音発生の主要因であることをつきとめた。
頼性を確保するためには、それなりの工夫が必要である
。その手段として、５ｌＯ３ｔ１１和けいふっ化水素酸
＋はう酸溶液に基板を浸漬し、０．１μ程度の深さの５
１０を膜を表面に形成し、吸水、透湿を防ぐ方法が、例
えば雑誌「機能材料Ｊ １９８９年４月１１５ページ〜
２７ページにより公知である。しかし、このようにして
Ｓｔｏｗ膜により被覆したプラスチック基板を用いて、
実際に光磁気ディスクを作製し評価したところ、耐湿試
験の結果は充分な効果を示したものの、再生信号を乱す
ほどに雑音が発生しており、解析の結果、この原因は案
内溝がある面、すなわち磁性層が形威される画側のｓｌ
ｏｚｍ膜が雑音発生の主要因であることをつきとめた。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、プラスチック基
板を用い、プラスチックの吸水、吸湿を防ぐとともに雑
音の発生も防止した光磁気ディスクを提供することにあ
る。
板を用い、プラスチックの吸水、吸湿を防ぐとともに雑
音の発生も防止した光磁気ディスクを提供することにあ
る。
本発明は、それぞれ一面上に透明被覆層を、他面上に誘
電体層を介して磁性層を備え、屈折率が透明被覆層の材
料より大きく誘電体層の材料より小さいプラスチック材
料よりなる２枚の透光性基板が被覆層を外側にして重ね
合わされてなるものとする。
電体層を介して磁性層を備え、屈折率が透明被覆層の材
料より大きく誘電体層の材料より小さいプラスチック材
料よりなる２枚の透光性基板が被覆層を外側にして重ね
合わされてなるものとする。
磁性層を誘電体層を介して備えたプラスチック基板は、
磁性層を内側にして重ね合わされるため、外気に接する
のは反磁性層側の面である。従って磁性層側の被覆層は
不要であり、反磁性層側の面のみに被覆層を備えること
によりプラスチック基板の吸水、吸湿を防ぐことができ
る。また、基板材料の屈折率が被覆層の材料の屈折率と
誘電体層の材料の屈折率の中間にあることにより、外界
から磁性層へ入射する光の被覆層と透光性基板との界面
および基板と誘電体層の界面での反射が少なくなって入
射効率が向上する。
磁性層を内側にして重ね合わされるため、外気に接する
のは反磁性層側の面である。従って磁性層側の被覆層は
不要であり、反磁性層側の面のみに被覆層を備えること
によりプラスチック基板の吸水、吸湿を防ぐことができ
る。また、基板材料の屈折率が被覆層の材料の屈折率と
誘電体層の材料の屈折率の中間にあることにより、外界
から磁性層へ入射する光の被覆層と透光性基板との界面
および基板と誘電体層の界面での反射が少なくなって入
射効率が向上する。
以下、重ねて用いられる２枚の片側のみを概念的に示し
た図を引用して本発明の実施例について説明する。第１
図は本発明の第一の実施例の光磁気ディスクの片側の断
面を示したものである。ポリカーボネート基板１は中心
に穴１０の明いた５、２５インチ径の円板であり、これ
にレーザビームの焦点を導くための案内溝２が形威され
ている。案内溝２は１．６ ｉｎｎビ７チで溝幅は約０
，６μである。第１図には数本の溝が措かれているが、
実際には５．２５インチディスクで１８，０００本あま
りが形威される。この基板の溝が形威されている面上に
、誘電体層 （エンハンス層〉 ４．磁性層５．誘電体
層６がこの順に形威されている。磁性層５は、例えばＴ
ｂｚｔＰａｈｈＣｏＩｚの組成の合金ターゲットを用い
たスパンタリング法により形威される。実際の形威され
た膜の！１１戒は、分析の結果ターゲットの組成とほぼ
同じであることが判っている。記録、再生のためのレー
ザビームは基板１の側から入射されるが、ビームの多重
反射を利用して見かけ上昇生信号の強度を場す機能を有
しているのが、エンハンスＭ４である。そのためにこの
エンハンス層４は屈折率が大きくかつ透明である必要が
あり、本例ではＳｌＯを採用した。実際には＆ＩＩ威比
１：０．７のＳＩＯのターゲットを用いて形威し、膜の
＆Ｉｌ戒はおおむね１：ｌとなっており、レーザビーム
の波長８３０■に対する屈折率は２．４であった。ポリ
カーボネートの屈折率は１．５９であり、これより大き
いため基板からエンハンス層に光が入射する際の反射が
少なくなる。誘電体層６はこの実施例では単に保ＷＬＩ
Ｉ！としての機能を有するのみであり、磁性層の酸化を
防ぐ６本実施例では、この誘電体層６にエンハンス層４
と同じ材料を用いたが、これに限定されるものではない
、各層の膜厚は、エンハンスＭ４が９０ｎ１ 磁性層５
が７０ｎｍ、誘電体層６が１００ｎ１１である。
た図を引用して本発明の実施例について説明する。第１
図は本発明の第一の実施例の光磁気ディスクの片側の断
面を示したものである。ポリカーボネート基板１は中心
に穴１０の明いた５、２５インチ径の円板であり、これ
にレーザビームの焦点を導くための案内溝２が形威され
ている。案内溝２は１．６ ｉｎｎビ７チで溝幅は約０
，６μである。第１図には数本の溝が措かれているが、
実際には５．２５インチディスクで１８，０００本あま
りが形威される。この基板の溝が形威されている面上に
、誘電体層 （エンハンス層〉 ４．磁性層５．誘電体
層６がこの順に形威されている。磁性層５は、例えばＴ
ｂｚｔＰａｈｈＣｏＩｚの組成の合金ターゲットを用い
たスパンタリング法により形威される。実際の形威され
た膜の！１１戒は、分析の結果ターゲットの組成とほぼ
同じであることが判っている。記録、再生のためのレー
ザビームは基板１の側から入射されるが、ビームの多重
反射を利用して見かけ上昇生信号の強度を場す機能を有
しているのが、エンハンスＭ４である。そのためにこの
エンハンス層４は屈折率が大きくかつ透明である必要が
あり、本例ではＳｌＯを採用した。実際には＆ＩＩ威比
１：０．７のＳＩＯのターゲットを用いて形威し、膜の
＆Ｉｌ戒はおおむね１：ｌとなっており、レーザビーム
の波長８３０■に対する屈折率は２．４であった。ポリ
カーボネートの屈折率は１．５９であり、これより大き
いため基板からエンハンス層に光が入射する際の反射が
少なくなる。誘電体層６はこの実施例では単に保ＷＬＩ
Ｉ！としての機能を有するのみであり、磁性層の酸化を
防ぐ６本実施例では、この誘電体層６にエンハンス層４
と同じ材料を用いたが、これに限定されるものではない
、各層の膜厚は、エンハンスＭ４が９０ｎ１ 磁性層５
が７０ｎｍ、誘電体層６が１００ｎ１１である。
基板ｌの他側を被覆する透明コート層３はユンハンス層
４．誘電体層６と同様に酸化けい素からなるが、Ｓｌと
Ｏの組成比はおおむね１：２であり、膜厚は１００ｎ−
、Ｉｉｆ！折率は１．５０である。屈折率が基板ｌより
小さいことにより、外界から光が入射する際の基板との
界面での反射が少なくなる。第１図に示した構造をもつ
基板を磁性層５の側を内側にして接着剤ではり合わせて
使用する。なお、透明コート層の材料としては上記の他
にＳＩＮ等も用いることができる。
４．誘電体層６と同様に酸化けい素からなるが、Ｓｌと
Ｏの組成比はおおむね１：２であり、膜厚は１００ｎ−
、Ｉｉｆ！折率は１．５０である。屈折率が基板ｌより
小さいことにより、外界から光が入射する際の基板との
界面での反射が少なくなる。第１図に示した構造をもつ
基板を磁性層５の側を内側にして接着剤ではり合わせて
使用する。なお、透明コート層の材料としては上記の他
にＳＩＮ等も用いることができる。
第２図は本発明の第二の実施例の光磁気ディスクの片側
の断面図である。ポリカーボネート基板ｌ、エンハンス
層４．磁性層５．誘電体層６および透明コート層３は第
一の実施例と同じ層構成である。しかし、本実施例では
誘電体層６上にＭよりなる反射層７がさらに形成されて
おり、磁性層表面での反射の際のカー回転角よりもファ
ラデイー回転角、すなわち磁化された磁性層中を透過す
る時に受ける偏光面の回転が一般的に大きいことを利用
している。磁性層は光吸収が大きいのでその膜厚を十分
薄くする必要がある０本実施例の光磁気ディスクの各層
の膜厚はエンハンス層４が１１００ｎ、 ｆｉｌ性層５
が３０ｎｍ、誘電体層６が４０ｆｉ−１さらに反射層７
は３０ｎ閣である。これらの膜厚の決定は、多層薄膜の
光学解析により正確に行われた。
の断面図である。ポリカーボネート基板ｌ、エンハンス
層４．磁性層５．誘電体層６および透明コート層３は第
一の実施例と同じ層構成である。しかし、本実施例では
誘電体層６上にＭよりなる反射層７がさらに形成されて
おり、磁性層表面での反射の際のカー回転角よりもファ
ラデイー回転角、すなわち磁化された磁性層中を透過す
る時に受ける偏光面の回転が一般的に大きいことを利用
している。磁性層は光吸収が大きいのでその膜厚を十分
薄くする必要がある０本実施例の光磁気ディスクの各層
の膜厚はエンハンス層４が１１００ｎ、 ｆｉｌ性層５
が３０ｎｍ、誘電体層６が４０ｆｉ−１さらに反射層７
は３０ｎ閣である。これらの膜厚の決定は、多層薄膜の
光学解析により正確に行われた。
第３図は上述の実施例の光磁気ディスクの作成に用いた
スパッタ装置を概念的に示したものである。基本的には
ロードロックスパッタ装置といわれるものであり、各層
を別々の真空室でスパッタリング法により形成する。
１１および１６は各々仕込み室、取り出し室と呼ばれ、
ディスク基板を複数枚搭載したトレイを出し入れする。
スパッタ装置を概念的に示したものである。基本的には
ロードロックスパッタ装置といわれるものであり、各層
を別々の真空室でスパッタリング法により形成する。
１１および１６は各々仕込み室、取り出し室と呼ばれ、
ディスク基板を複数枚搭載したトレイを出し入れする。
スパッタ室は４室から成り、それぞれ同時スパッタ室１
２．磁性層スパッタ室１３．誘電体層スパフタ室１４１
反射層スパンタ室１５であり、トレイは矢印１７の方向
に搬送する。同時スパッタ室１２は案内溝２のある面に
はエンハンス層４を、反対側の面には透明コート層３を
夫々形成することが出来る。具体的にはディスク基板の
径（５，２５インチ〉よりやや小さい穴をトレイに開け
ておき、その部分にディスク基板をセットする。このト
レイの両側に一対のスパッタ用高周波電極を対峙させ、
一方にＳｉＯ＋、ｓのターゲット、他方にＳｌＯ□のタ
ーゲットを取り付ける。
２．磁性層スパッタ室１３．誘電体層スパフタ室１４１
反射層スパンタ室１５であり、トレイは矢印１７の方向
に搬送する。同時スパッタ室１２は案内溝２のある面に
はエンハンス層４を、反対側の面には透明コート層３を
夫々形成することが出来る。具体的にはディスク基板の
径（５，２５インチ〉よりやや小さい穴をトレイに開け
ておき、その部分にディスク基板をセットする。このト
レイの両側に一対のスパッタ用高周波電極を対峙させ、
一方にＳｉＯ＋、ｓのターゲット、他方にＳｌＯ□のタ
ーゲットを取り付ける。
また、第３図に示した例とは別に、誘電体層６とコート
層３を同時に形成するシステムを用いることもできる。
層３を同時に形成するシステムを用いることもできる。
さらに、上述のように誘電体層６とエンハンス層４が同
じ材料を用いる場合には、誘電体層スパッタ室１４を省
略し、磁性層５を形成した後にトレイの搬送を逆転させ
、同時スパッタ室１２で誘電体層６を形成することも可
能である。
じ材料を用いる場合には、誘電体層スパッタ室１４を省
略し、磁性層５を形成した後にトレイの搬送を逆転させ
、同時スパッタ室１２で誘電体層６を形成することも可
能である。
上記実施例の光磁気ディスクおよび比較例の光磁気ディ
スクの特性を次の条件で評価した。
スクの特性を次の条件で評価した。
記録周波数：３．７間２
ディスク回転数： １８００ｒｐ−
評価位置二 半径３０ｍ （５，２５インチディ
スクの最内周） 消去時および記録時の 外部磁界の強さ：３０００ｅ レーザ波長： ８３０ｎｗ 周波数分解能： ３０［１ｚ 第１表はその結果を示し、ＣＮＲはキャリア／ノイズ比
であり、キャリアとは３．７ＭＨｚの搬送波という意味
である。
スクの最内周） 消去時および記録時の 外部磁界の強さ：３０００ｅ レーザ波長： ８３０ｎｗ 周波数分解能： ３０［１ｚ 第１表はその結果を示し、ＣＮＲはキャリア／ノイズ比
であり、キャリアとは３．７ＭＨｚの搬送波という意味
である。
第１表
比較例１は表面の５ＩＣｈのコート層３がなく、従来広
く用いられていた構造のものである。このＣＮＲは４８
．２ｄＢであり、最適記録パワーは６．３＋ｗＨ（ディ
スク上）であった、実施例１はこの比較例１に比べてＣ
ＮＲで約３ｄＢ向上した。さらに、表面コート層３の無
反射効果により記録パワーも５．５１に低減し感度が向
上した。比較例２は、前述の浸漬法により基板の溝にも
ＳｉＯ□コート層が形成したのちエンハンス層、磁性層
などを積層したものである。この場合には非常にばらつ
きが大きく、平均値が表１の４９．１ｄＢであった。多
数枚の評価の中では５１ｄＢのものもあるが、一方で４
５ｄＢ足らずのものもあった。実施例２では反射層７の
反射効果によりさらに１ｄＢ余りＣＮＲが向上した。
く用いられていた構造のものである。このＣＮＲは４８
．２ｄＢであり、最適記録パワーは６．３＋ｗＨ（ディ
スク上）であった、実施例１はこの比較例１に比べてＣ
ＮＲで約３ｄＢ向上した。さらに、表面コート層３の無
反射効果により記録パワーも５．５１に低減し感度が向
上した。比較例２は、前述の浸漬法により基板の溝にも
ＳｉＯ□コート層が形成したのちエンハンス層、磁性層
などを積層したものである。この場合には非常にばらつ
きが大きく、平均値が表１の４９．１ｄＢであった。多
数枚の評価の中では５１ｄＢのものもあるが、一方で４
５ｄＢ足らずのものもあった。実施例２では反射層７の
反射効果によりさらに１ｄＢ余りＣＮＲが向上した。
耐湿加速試験（８０℃、８５％ＲＨ，２０００ｈｒ放置
）の結果は比較例１を除いておおむね特性の変化はなか
った。比較例１はノイズの増加により約２ｄＢのＣＮＲ
低下があった。
）の結果は比較例１を除いておおむね特性の変化はなか
った。比較例１はノイズの増加により約２ｄＢのＣＮＲ
低下があった。
本発明によれば、磁性層側を内儒として２枚の基板を重
ね合わせて使用する光磁気ディスクの外側になる面にの
み透明被覆層を設けることにより、基板の磁性層側にも
被覆層を設けたような雑音の発生が防止され、品質の良
い信号を再生でき、かつ耐湿性のすぐれた光磁気ディス
クを得ることができた。さらに透明被覆層、透光性基板
、エンハンス層 （誘電体層）の材料の屈折率を順に高
くしていくことにより、磁性層に達するまでの光の反射
を少なくし、特性を一層向上させることができた。
ね合わせて使用する光磁気ディスクの外側になる面にの
み透明被覆層を設けることにより、基板の磁性層側にも
被覆層を設けたような雑音の発生が防止され、品質の良
い信号を再生でき、かつ耐湿性のすぐれた光磁気ディス
クを得ることができた。さらに透明被覆層、透光性基板
、エンハンス層 （誘電体層）の材料の屈折率を順に高
くしていくことにより、磁性層に達するまでの光の反射
を少なくし、特性を一層向上させることができた。
第１図は本発明の一実施例の光磁気ディスクの片側の断
面図、第２図は本発明の他の実施例の光磁気ディスクの
片側の断面図、第３図は本発明の実施例の光磁気ディス
クの作成に用いたスバフタ装置の配置図である。 １：ポリカーボネート基板、３：透明コート層、第１図 第２図 １′） 、さて１７ 第３図
面図、第２図は本発明の他の実施例の光磁気ディスクの
片側の断面図、第３図は本発明の実施例の光磁気ディス
クの作成に用いたスバフタ装置の配置図である。 １：ポリカーボネート基板、３：透明コート層、第１図 第２図 １′） 、さて１７ 第３図
Claims (1)
- １）それぞれ一面上に透明被覆層を、他面上に誘電体層
を介して磁性層を備え、屈折率が透明被覆層の材料より
大きく誘電体層の材料より小さいプラスチック材料より
なる２枚の透光性基板が被覆層を外側にして重ね合わさ
れてなることを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21928289A JPH0383239A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21928289A JPH0383239A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383239A true JPH0383239A (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=16733070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21928289A Pending JPH0383239A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0383239A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008063723A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Fujita Corp | 防雪柵および防雪柵の吹き払い効果の向上方法 |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP21928289A patent/JPH0383239A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008063723A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Fujita Corp | 防雪柵および防雪柵の吹き払い効果の向上方法 |
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