JPH08221827A

JPH08221827A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH08221827A
Application number: JP2372595A
Authority: JP
Inventors: Junko Ushiyama; 純子牛山; Hiroyuki Awano; 博之粟野; Keikichi Ando; 圭吉安藤; Jiichi Miyamoto; 治一宮本; 正彦 ▲高▼橋; Masahiko Takahashi
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1995-02-13
Filing date: 1995-02-13
Publication date: 1996-08-30

Abstract

(57)【要約】【目的】高いＳ／Ｎを有する光磁気記録媒体を提供す
る。【構成】最適な表面粗さを有する第１誘電体膜上に組
成を限定した希土類遷移金属非晶質合金を積層する。あ
るいは平滑化された誘電体膜上に２ｎｍ以下のＣｏ等の
粒子を設け、その上に記録膜を作製する。あるいは記録
膜上に磁性微粒子を２ｎｍ以下に形成する。【効果】キャリアレベルが増大し記録時ノイズの増大
を抑制できるため、Ｓ／Ｎの高い高性能な光磁気記録媒
体を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を用いて記録
・再生あるいは消去を行う光記録に係り、特に、高いＳ
／Ｎを有する高性能な光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体の分野においては、高密
度化が最も重要な技術的課題の一つになっている。光磁
気記録媒体の高密度化手段としては、用いる光の波長を
短くする方法が提案されている。現在製品化されている
光磁気ディスクの記録膜として用いられているＴｂＦｅ
Ｃｏ合金を代表とする希土類遷移金属合金は、短波長に
なると信号出力に対応するカー回転角が低下してしま
う。そのため、磁区を微小化することと短波長光により
再生することで高密度化を達成しようとすると、信号出
力（Ｓ／Ｎ）が低下してしまうという問題があった。我
々は、記録膜の下地膜となる誘電体層の表面を平坦化す
る（特開平０２−１５２０４１）ことにより、磁区を記
録しないときのノイズレベル（以後ディスクノイズレベ
ルという）が低減され、さらにカー回転角及び反射率が
向上し、結果として信号出力に対応する性能指数が増加
することを見出した。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、誘電体
膜の表面を平坦化した光磁気ディスクでは、記録をした
ときのノイズレベル（以後記録時ノイズという）が上昇
し、結果としてＳ／Ｎが高くならない場合があることが
明らかになった。

【０００４】本発明の目的は、記録時ノイズの上昇を抑
え、高Ｓ／Ｎで高密度化を実現できる光磁気記録媒体を
提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するため提案されたものであり、レーザ光及び／ま
たは外部印加磁界を用いて情報の記録・再生・消去を行
なう光磁気記録媒体において、該記録媒体は少なくとも
基板、単層あるいは２層以上から成り総厚が光を透過し
うる膜厚の記録膜、および記録膜と基板間にある第１誘
電体膜とからなり、該誘電体膜の記録膜側の表面粗さが
０．２６ｎｍ以上０．４８ｎｍ以下であり、さらに優位
には表面粗さが０．２８ｎｍ以上０．４ｎｍ以下である
ことを特徴とするものである。ここで用いる表面粗さ
（Ｒａ）とは、ＪＩＳＢ０６０１で定義された値であ
り、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した値であ
る。この範囲は、表１および図２から得られるものであ
り、第１誘電体膜の記録膜側の表面のＲａを０．４８ｎ
ｍ以下とすることにより、誘電体膜と記録膜界面での光
の散乱及び／または磁性膜の磁気特性の分散を抑制する
ことが可能となり、ディスクノイズレベルを低減するこ
とができる。さらに、第１誘電体膜の記録膜側の表面の
Ｒａを０．２６ｎｍ以上にすることにより、記録時ノイ
ズの上昇をある程度抑えることができ、その結果、高い
Ｓ／Ｎを得ることができる。この第１誘電体膜の表面形
状は、平滑な基板表面上に形成することによって達成さ
れる。また、基板表面がある程度荒れている場合は、第
１誘電体膜の表面をスパッタエッチングをしてこの表面
粗さを実現しても良いし、イオンミリングをしても良
く、その手段はここに記載された手法に限定されるもの
ではない。第１誘電体膜表面のＲａを０．２８ｎｍ以上
０．４ｎｍ以下に限定することにより、さらに高いＳ／
Ｎを得ることができる。

【０００６】記録膜は、ＴｂＦｅＣｏを代表とする希土
類遷移金属系合金の単層膜から成り、補償温度が５０℃
以下であり、室温での合金の副格子磁化が遷移金属ドミ
ナント、いわゆるＴＭリッチである場合は室温での保磁
力が８ｋＯｅ以上であることを特徴とするものである。
補償温度が５０℃より高い組成の記録膜を前述した表面
粗さの下地膜上に積層すると、ディスクノイズは低減で
きるが、情報（磁区）を記録したときのノイズが増大
し、結果としてＳ／Ｎが低くなってしまう。室温でＴＭ
リッチであり、室温での保磁力が８ｋＯｅより小さい磁
気特性を有する記録膜の場合も、同様の理由により高い
Ｓ／Ｎは得られない。また、記録膜の膜厚は２０ｎｍ以
上４０ｎｍ以下が良い。２０ｎｍより薄いと、記録膜が
薄いことにより十分なカー回転角を得ることができず、
さらに、製造プロセスにおいて、磁性膜の組成制御が難
しくなるため好ましくない。また、記録膜が４０ｎｍよ
り厚いと、光の多重干渉によるカー回転角の増大の効果
が得られにくくなってくるため、信号出力が低下すると
いう問題が生じる。

【０００７】さらに、本発明者らは、平坦な下地膜上に
記録膜を積層したときの記録時ノイズの増大をさけるた
めに、上記表面形状を有する第１誘電体膜と記録膜との
間に、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ａｕ，Ｐｔのう
ち１種類以上の元素を有する粒子を設けるという手段を
見出した。この粒子を積層することにより、磁壁のピン
ニングが起こり保磁力が増大する。その結果、形状の良
好な磁区を記録することができ記録時ノイズの増大を抑
制できる。この粒子は記録膜の上部に積層しても同じ効
果が得られる。この粒子の厚さは２ｎｍ以下が良い。２
ｎｍ以下では保磁力が顕著に増大するが、２ｎｍより厚
くなると、保磁力の増大はあまり見られない。さらに、
磁性膜の場合はその粒子が持つ磁気特性が無視できなく
なり、記録特性に悪影響を及ぼす。また、非磁性の粒子
の場合は、２ｎｍより厚くなると、光の吸収が無視でき
なくなり信号出力が低下してしまう。したがって、粒子
の厚さは２ｎｍ以下が良い。また、粒子間の距離は、図
２に示すように１０ｎｍ以下が好ましい。１０ｎｍ以下
の間隔で粒子を設けることにより、磁区形成の際の磁壁
移動がスムースになり、形状の良い磁区が得られる。こ
の粒子の屈折率ｎと記録膜の屈折率との差は用いる光の
波長において±０．５以内であることが望ましい。例え
ば、波長７８０ｎｍの装置を用いるときには、ＣｏやＦ
ｅが好ましい。屈折率の差が±０．５より大きくなって
しまうと、そこで光が散乱されてノイズの原因になる場
合があるからである。

【０００８】また、記録膜を積層後、Ｃｏ，Ｆｅ等磁性
を有する元素を含んだ粒子を外部磁界を印加しながら形
成することによっても、記録時ノイズを低減することが
できる。この場合、粒径の揃った粒子が形成できるよう
に形成条件を制御することが好ましい。具体的には、例
えば差動排気系を用いて粒子をノズルなど細い管を通
し、均一な粒子のみが記録膜に到達できるようにする。
このとき、粒子の直径は２０ｎｍ以下が良い。２０ｎｍ
より大きくなると、記録時ノイズが大きくなってしまう
ためである。外部磁界を印加しながら粒子を形成するこ
とで、製膜時に存在する記録膜の上向きあるいは下向き
の自然磁区のどちらか一方に粒子が引き付けられ、微細
な粒子が付着するところとしないところに分かれる。そ
れによって、磁気特性の分散を生じ、記録時の磁化反転
の核となり、形状の良好な磁区を記録することができ
る。

【０００９】以上の光磁気記録媒体は、記録膜の上部に
さらに第２の誘電体膜および反射膜を設けることによ
り、光の干渉効果により見かけ上のカー回転角を大きく
することができ、キャリアレベルを向上させることがで
きる。

【００１０】

【作用】本発明によれば、平坦な基板あるいは下地膜を
用いることにより、光の散乱が減少し、信号出力が増大
する。さらに平坦な表面に最適な組成の記録膜を積層し
たり、または記録膜に接して（あるいは上部に）粒子を
形成した結果、記録時ノイズの増大を抑制できた。さら
に、記録膜積層後、磁界を印加しながら粒子を形成する
ことによって、磁区形成時に磁化反転の核が数多く生じ
るために形状の良い磁区を形成することができ、結果と
してＳ／Ｎが増大した。

【００１１】

【実施例】以下に、本発明における実施例を示す。ここ
で、第１誘電体膜の表面粗さ（Ｒａ）は、光磁気記録媒
体を作製後、次のようにして測定した。

【００１２】１．保護膜を除去する。

【００１３】２．反射膜を液滴法を用いてアルカリ水溶
液（例：ＮａＯＨ水溶液）で除去する。

【００１４】３．さらにフッ酸を用いて第２誘電体膜を
除去する。

【００１５】４．酸（例：硝酸）により記録膜を除去す
る。

【００１６】このようにして露出した第１誘電体膜表面
のＲａをＡＦＭを用いて測定した。〔実施例１〕本実施例において作製した光磁気記録媒体
の断面構造を示す模式図を図１に示す。

【００１７】上記光磁気記録媒体は、マグネトロンスパ
ッタリング装置を用いて、以下のようにして作製した。
マグネトロンスパッタ装置内に、表面に光ヘッド案内溝
およびアドレスなどを表すピットやセクタマークあるい
は記録情報などの凹凸パターンを有する透明なディスク
状基板１をターゲットから１０ｃｍの距離にセットし回
転させた。

【００１８】まず、第１、第２誘電体膜２，４として窒
化シリコン膜を形成した。第１誘電体膜の膜厚は８５ｎ
ｍであり、第２誘電体膜の膜厚は２０ｎｍである。

【００１９】つぎに記録膜を形成した。記録膜３は、ス
パッタガスにアルゴン３ｍＴｏｒｒを用いてＴｂＦｅＣ
ｏ合金ターゲットをスパッタし、Ｔｂ₂₃Ｆｅ₆₅Ｃｏ
₁₂（ａｔ％）を２５ｎｍ積層した。反射膜５はＡｌ膜を
４０ｎｍの膜厚に形成した。その時のスパッタ条件はタ
ーゲットにＡｌを、放電ガスにＡｒをそれぞれ用い、放
電ガス圧力は１０mTorrにて形成した。さらに、保護膜
６として紫外線硬化樹脂を形成した。この光磁気記録媒
体をディスクＡとする。さらにディスクＢ，Ｃ，Ｄ，
Ｅ，Ｆは、第１誘電体膜の表面にスパッタエッチングを
行ない、その後記録膜を製膜した。スパッタエッチング
時間はディスクＢ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの順に０分，１０
秒，３０秒，１分，２分である。第１誘電体膜のスパッ
タエッチング後の膜厚はディスクＡと同じく８５ｎｍで
ある。さらに、ディスクＡからディスクＦで用いた上述
した基板より平坦性の良好なディスク状基板を用意し、
同様に光磁気記録媒体を作製した。この時、第１誘電体
膜の表面をスパッタエッチングしていない光磁気記録媒
体をディスクＧ，スパッタエッチングした光磁気記録媒
体をディスクＨとした。

【００２０】本発明により作製したそれぞれのディスク
に、波長７８０ｎｍのレーザ光を用い、回転数；９００
ｒｐｍ，記録レーザパワー；５〜６ｍＷ，記録周波数；
２．５ＭＨｚ，記録位置；ｒ＝４５ｍｍなる条件で記録
し、再生レーザ出力；１ｍＷで再生した。各ディスクの
第１誘電体膜の表面粗さ（Ｒａ）を測定した結果および
波長７８０ｎｍでの性能指数（反射率とカー回転角を掛
け合わせた値、再生信号出力に比例する）の関係を表１
に示す。

【００２１】

【表１】

【００２２】図３には各ディスクにおけるＲａとディス
クノイズおよびＳ／Ｎの関係を示した。ディスクノイズ
はＲａが小さくなるに従って低減するが、Ｓ／Ｎは，デ
ィスクＥが最も高く極大値を示した。Ｒａが０．３３よ
り小さいディスクではＲａが減少すると共にＳ／Ｎも低
くなる。以上から、０．２６ｎｍから０．４８ｎｍのＲ
ａの第１誘電体膜表面を有する基板を用いることにより
２４ｄＢ以上の高いＳ／Ｎを得ることができる。さら
に、２４ｄＢ以上の高いＳ／Ｎを得るには、０．２８ｎ
ｍから０．４ｎｍのＲａを持つ基板を用いると、さらに
高いＳ／Ｎを有する光磁気記録媒体を作製することがで
きる。

【００２３】本実施例では、記録膜にＴｂＦｅＣｏ合金
を用いたが、ＧｄＦｅＣｏ膜等の再生層をＴｂＦｅＣｏ
膜等の非晶質合金と交換結合させた２層膜を記録膜とし
た場合でも本発明の効果は変わらない。

【００２４】〔実施例２〕実施例１と同様にマグネトロ
ンスパッタ装置内に、表面に光ヘッド案内溝およびアド
レスなどを表すピットやセクタマークあるいは記録情報
などの凹凸パターンを有する透明なディスク状基板１を
ターゲットから１０ｃｍの距離にセットし回転させた。

【００２５】まず、第１、第２誘電体膜２，４として窒
化シリコン膜を形成した。第１誘電体膜は表面にスパッ
タエッチングを施した。スパッタエッチングは１分間行
なった。第１誘電体膜の表面のＲａは、ＡＦＭの測定結
果から０．３５ｎｍであった。第１誘電体膜のスパッタ
エッチング後の膜厚は８５ｎｍであり、第２誘電体膜の
膜厚は２０ｎｍである。

【００２６】つぎに記録膜を形成した。記録膜３は、ス
パッタガスにアルゴン３ｍＴｏｒｒを用いてＴｂＦｅＣ
ｏターゲットをスパッタし、Ｔｂ₁₆Ｆｅ₇₂Ｃｏ₁₂（ａｔ
％）を２５ｎｍ積層した。反射膜５はＡｌ膜を４０ｎｍ
の膜厚に形成した。その時のスパッタ条件はターゲット
にＡｌを、放電ガスにＡｒをそれぞれ用い、放電ガス圧
力は１０mTorrにて形成した。さらに、保護膜６として
紫外線硬化樹脂を形成した。この光磁気記録媒体をディ
スクＩとする。同様にディスクＪ，Ｋ，Ｌ，Ｍを記録膜
の組成のみを変えて作製した。記録膜組成はディスクＢ
から順にＴｂ₁₈Ｆｅ₇₀Ｃｏ₁₂，Ｔｂ₂₄Ｆｅ₆₄Ｃｏ₁₂，Ｔ
ｂ₂₆Ｆｅ₆₂Ｃｏ₁₂，Ｔｂ₂₉Ｆｅ₅₉Ｃｏ₁₂（いずれもａｔ
％）である。また、比較のために、第１誘電体膜２の表
面をスパッタエッチングしていない光記録膜を組成を変
えて作製した。これらのディスクをそれぞれディスク
Ｉ’，Ｊ’，Ｋ’，Ｌ’，Ｍ’とする。スパッタエッチ
ングしていない第１誘電体膜の表面のＲａはＡＦＭ測定
結果から０．５４ｎｍであった。

【００２７】本発明により作製したそれぞれのディスク
に、波長８３０ｎｍのレーザ光を用い、回転数；９００
ｒｐｍ，記録レーザパワー；５〜６ｍＷ，記録周波数；
２．５ＭＨｚ，記録位置；ｒ＝４５ｍｍなる条件で記録
し、再生レーザ出力；１ｍＷで再生した。表２に、各デ
ィスクにおけるＳ／Ｎと、それぞれの光磁気記録媒体の
室温での保磁力および補償温度をカー効果測定装置およ
び試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定した結果を
示す。

【００２８】

【表２】

【００２９】カー効果測定装置では最大１７ｋＯｅ，Ｖ
ＳＭでは最大１３ｋＯｅの外部磁界を印加した。ディス
クＩ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，Ｍのディスクノイズは実施例１のデ
ィスクＣと同様低いノイズレベルにあった。また、ディ
スクＩ’Ｊ’，Ｋ’，Ｌ’，Ｍ’のディスクノイズは実
施例１のディスクＡ，Ｂと同様のノイズレベルであっ
た。第１誘電体膜を平滑化していないディスクＩ’
Ｊ’，Ｋ’，Ｌ’，Ｍ’では、記録膜の組成の違いによ
るＳ／Ｎの差はあまり現われず、Ｓ／Ｎは２２．９ｄＢ
から２３．２ｄＢであった。これに対し、第１誘電体膜
を平滑化したディスクでは、記録膜組成によりＳ／Ｎが
大きく異なった。室温での保磁力が８．０ｋＯｅである
ディスクＪでは、Ｓ／Ｎ２３．３ｄＢであった。また、
室温での保磁力が６．３ｋＯｅであるディスクＩでは、
Ｓ／Ｎ２２．５ｄＢであり、記録時ノイズが高くなって
しまったために、平滑化していないディスクよりもＳ／
Ｎとして低くなってしまった。Ｓ／ＮはディスクＫが最
も高く２４．８ｄＢであり、それよりＴｂ組成が多くな
ったディスクＬでは比較ディスクと同等のＳ／Ｎにな
り、さらにＴｂ組成を増やしたディスクＭではＳ／Ｎは
１５ｄＢと低くなってしまった。ここで、ディスクＬの
補償温度は５０℃である。これより、本発明における記
録膜の組成は、補償温度が５０℃以下で、室温でＴＭリ
ッチの記録膜である場合、記録膜の保磁力は８ｋＯｅ以
上が良い。以上より、第１誘電体膜の記録膜側の表面粗
さが本発明の範囲内にある場合、補償温度は５０℃以下
で、室温でＴＭリッチの記録膜のときには、室温で８ｋ
Ｏｅ以上の保磁力を持つ磁性膜を記録膜に用いることに
より、Ｓ／Ｎの高い高性能な光磁気記録媒体を得ること
ができた。

【００３０】本実施例では、第１誘電体膜の表面状態を
スパッタエッチングを用いて平滑化したが、基板自身が
平滑であり、その上に形成された第１誘電体膜が基板の
表面形状を受け継いで平滑な表面を持っている場合も、
本発明の範囲内にある。また、ここではＴｂＦｅＣｏ非
晶質合金を記録膜としたが、ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏなどの希土類遷移金属系合金を記録膜とした
場合、本発明の効果は変わらない。

【００３１】〔実施例３〕本実施例では、実施例２で述
べたディスクＫの記録膜の厚さを変えて、そのＳ／Ｎを
調べた。このとき、各ディスクにおいて最もＳ／Ｎが高
くなるように誘電体膜の膜厚を変化させた。記録膜の膜
厚を１０ｎｍ，２０ｎｍ，３０ｎｍ，４０ｎｍ，５０ｎ
ｍとしたときのＳ／Ｎは、順に２２ｄＢ，２３．５ｄ
Ｂ，２４．５ｄＢ，２３．２ｄＢ，２１ｄＢであった。
これより、記録膜の膜厚を２０ｎｍから４０ｎｍにする
ことにより、２３ｄＢ以上の高いＳ／Ｎを得ることがで
きた。

【００３２】〔実施例４〕本実施例において作製した光
磁気記録媒体の断面構造を示す模式図を図４に示す。

【００３３】上記光磁気記録媒体は、マグネトロンスパ
ッタリング装置を用いて、上述した実施例と同様に作製
した。

【００３４】まず、第１、第２誘電体膜２，４として窒
化シリコン膜を形成した。第１誘電体膜表面のＲａをＡ
ＦＭにより測定したところ０．２６ｎｍであった。この
第１誘電体膜上に粒子７を形成した。Ｃｏの粒子を１ｎ
ｍの厚さに形成し、その上に記録膜を製膜した。記録膜
３は、スパッタガスにアルゴン３ｍＴｏｒｒを用いてＴ
ｂＦｅＣｏターゲットをスパッタし、Ｔｂ₂₄Ｆｅ₆₄Ｃｏ
₁₂（ａｔ％）を２５ｎｍ積層した。反射膜５はＡｌ合金
膜を５０ｎｍの膜厚に形成し、さらに保護膜６として紫
外線硬化樹脂を形成した。ここで作製したディスクをデ
ィスクＰとする。Ｃｏの屈折率ｎは波長８００ｎｍで
２．４９であり、ＴｂＦｅＣｏの同波長でのｎ（２．９
７）と比べて±０．５の範囲内にある。

【００３５】ディスクＰと同様に、Ｃｏ粒子を２ｎｍお
よび３ｎｍ形成したディスクをそれぞれディスクＱ，デ
ィスクＲとする。さらに、比較ディスクとしてＣｏ粒子
を形成していないディスクＳも用意した。これらのディ
スクにおける記録膜の保磁力の温度依存性をカー効果測
定装置により測定した。その結果を図５に示す。ディス
クＰ，ディスクＱの記録膜は全体に保磁力が増大してお
り、特に、記録磁区が形成される１６０℃以上の高温領
域では、Ｃｏ粒子を設けていないディスクＳの記録膜と
比べて１．５倍以上の保磁力があることがわかった。

【００３６】本発明により作製したそれぞれのディスク
に、波長８３０ｎｍのレーザ光を用い、記録レーザパワ
ー：４．５〜５ｍＷ，記録位置：ｒ＝４８ｍｍにて直径
０．７２μｍの磁区を記録し、再生レーザ出力：１ｍＷ
で再生した。その結果、Ｃｏ粒子を形成していないディ
スクＳのＳ／Ｎ２１ｄＢに対して、Ｃｏ粒子を１ｎｍ形
成したディスクＰのＳ／Ｎは２２ｄＢであった。また、
ディスクＱのＳ／Ｎは２１．５ｄＢ，Ｃｏ粒子３ｎｍの
ディスクではＳ／Ｎ２０．８ｄＢとなった。これより、
第１誘電体膜上に２ｎｍ以下の粒子を設けることにより
Ｓ／Ｎが向上することがわかった。

【００３７】本実施例では、粒子にＣｏを用いたが、Ｆ
ｅを用いても本発明の効果は変わらない。Ｆｅの屈折率
は波長８００ｎｍで２．９であるので、粒子として用い
るのに好都合である。Ｃｏ，Ｆｅを含む合金を用いても
その効果に何ら変わりはない。Ａｕを粒子として用いた
ところ、２ｎｍの厚さまではＳ／Ｎ向上の効果が見られ
たが、２ｎｍより厚くなると、Ｓ／Ｎ向上の効果は見ら
れなかった。また、Ｃｒ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐ
ｔのうち１種類以上の元素を有する粒子を２ｎｍ以下の
厚さに設けても本発明の効果は変わらない。本実施例で
は粒子を第１誘電体膜と記録膜の間に設けたが、記録膜
の上部に粒子を形成しても本発明の範囲内にある。ま
た、記録膜を２層以上設けても本発明の効果は変わらな
い。

【００３８】〔実施例５〕本実施例において作製した光
磁気記録媒体の断面構造を示す模式図を図６に示す。

【００３９】上記光磁気記録媒体は、マグネトロンスパ
ッタリング装置を用いて、次のように作製した。

【００４０】まず、第１、第２誘電体膜２，４として窒
化シリコン膜を形成した。第１誘電体膜表面のＲａをＡ
ＦＭにより測定したところ０．２９ｎｍであった。この
第１誘電体膜上に記録膜を製膜した。記録膜３は、スパ
ッタガスにアルゴン３ｍＴｏｒｒを用いてＴｂＦｅＣｏ
Ｃｒを３０ｎｍ積層した。この記録膜上に粒子７を形成
した。Ｃｏの粒子は外部から２００Ｏｅの磁界を印加し
ながら１ｎｍの厚さに形成した。反射膜５はＡｌ合金膜
を５０ｎｍの膜厚に形成し、さらに保護膜６として紫外
線硬化樹脂を形成した。比較のためにＣｏ粒子を形成し
ていないディスクを用意した。

【００４１】本発明により作製したそれぞれのディスク
に、波長６８０ｎｍのレーザ光を用い、記録レーザパワ
ー：４〜４．５ｍＷ，記録位置：ｒ＝４３ｍｍにて直径
０．５３μｍの磁区を記録し、再生レーザ出力：１ｍＷ
で再生した。その結果、Ｃｏ粒子を形成していないディ
スクのＳ／Ｎは２１．６ｄＢに対して、Ｃｏ粒子を記録
膜上に１ｎｍ形成したディスクのＳ／Ｎは２２．８ｄＢ
であった。これより、Ｃｏ粒子を記録膜上に形成するこ
とによりＳ／Ｎが向上することがわかった。このときの
Ｃｏ粒子の直径は４０ｎｍであった。Ｃｏ粒子を２ｎｍ
より厚くしたところ、磁気的に記録膜に悪影響を及ぼ
し、記録時ノイズは上昇してしまった。このことから磁
性を有する粒子は２ｎｍ以下が良い。

【００４２】本実施例では、粒子にＣｏを用いたが、Ｆ
ｅを用いても本発明の効果は変わらない。Ｃｏ，Ｆｅを
含む合金を用いてもその効果に何ら変わりはない。ま
た、Ｃｒ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔのうち１種類
以上の元素を有する粒子を２ｎｍ以下の厚さに設けても
本発明の効果は変わらない。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
平坦な基板あるいは下地膜を用い、さらに、記録時ノイ
ズの上昇が少ない最適な組成の記録膜を積層し、または
記録膜に接して（あるいは上部に）粒子を形成した。そ
の結果、キャリアレベルが増大し記録時ノイズの増大を
抑制できるため、Ｓ／Ｎの高い高性能な光磁気記録媒体
を実現できる。

【００４４】

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明における光磁気記録媒体の断面構
造を示す模式図。

【図２】図２は本発明における光磁気記録媒体の断面構
造の一部分を示す模式図。

【図３】図３は本発明に係る光磁気記録媒体における第
１誘電体膜表面のＲａとディスクノイズおよびＳ／Ｎと
の関係の一例を示す図。

【図４】図４は本発明に係る光磁気記録媒体の断面構造
を示す模式図。

【図５】図５は本発明に係る光磁気記録媒体における記
録膜の保磁力の温度依存性を示す図。

【図６】図６は本発明に係る光磁気記録媒体の断面構造
を示す模式図。

【符号の説明】

１…ディスク状基板、２…第１誘電体膜、３…記録膜、
４…第２誘電体膜、５…反射膜、６…保護膜、７…粒
子。

フロントページの続き (72)発明者安藤圭吉東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者宮本治一東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 ▲高▼橋正彦東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光及び／または外部印加磁界を用い
て情報の記録・再生・消去を行なう光磁気記録媒体にお
いて、該記録媒体は少なくとも基板、単層あるいは２層
以上から成り総厚が光を透過しうる膜厚の記録膜、およ
び記録膜と基板間にある第１誘電体膜とからなり、該誘
電体膜の記録膜側の表面粗さが０．２６ｎｍ以上０．４
８ｎｍ以下であることを特徴とした光磁気記録媒体。
【請求項２】上記記録膜は希土類遷移金属系合金の単層
膜から成り、補償温度が５０℃以下であり、室温での合
金の副格子磁化が遷移金属ドミナントである場合は室温
での保磁力が８ｋＯｅ以上であることを特徴とする請求
項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】上記記録膜の総厚が２０ｎｍ以上４０ｎｍ
以下であることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録
媒体。
【請求項４】上記記録膜の上部にさらに第２の誘電体膜
および反射膜を有することを特徴とする請求項１記載の
光磁気記録媒体。
【請求項５】レーザ光及び／または外部印加磁界を用い
て情報の記録・再生・消去を行なう光磁気記録媒体にお
いて、該記録媒体は少なくとも基板、単層あるいは２層
以上から成り総厚が光を透過しうる膜厚の記録膜、およ
び記録膜と基板間にある誘電体膜とからなり、該誘電体
膜の記録膜側の表面の表面粗さが０．４８ｎｍ以下であ
り、第１誘電体膜と記録膜との間、及び／または記録膜
の上部に、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｐｔのうち１種類以上の元素を有する粒子を２ｎｍ
以下の厚さに設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項６】上記粒子の屈折率ｎと記録膜の屈折率との
差が、用いる光の波長において±０．５以内であること
を特徴とする請求項５記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】上記元素のうちＣｏ，Ｆｅのいずれかの単
体あるいはこれらの元素を有する合金の粒子を、外部か
ら磁界を印加しながら形成することを特徴とする請求項
５記載の光磁気記録媒体。
【請求項８】上記粒子の直径が２０ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項５記載の光磁気記録媒体。
【請求項９】上記記録膜の上部にさらに第２の誘電体膜
および反射膜を有することを特徴とする請求項５記載の
光磁気記録媒体。