JP3064583B2 - 光記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、再生が可能である光情報記録媒体に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来の光記録媒体は、光学的な変化を利
用して情報を記録、再生または消去を行なうための記録
層が、空気中の水分や酸素、あるいは熱によって酸化腐
食を受け、保存、運搬中に記録層の特性が劣化するばか
りでなく、繰り返し記録消去可能な光記録媒体の場合は
記録消去の繰り返しによって記録消去特性が劣化するた
めに使用できなくなるという欠点を有していた。そこで
特開昭 59-110052 号公報、特開昭60-131659 号公報の
ように、アルミニウムの窒化物、珪素の窒化物、ＭｇＦ
₂ 、ＺｎＳ、ＡｌＦ₃ 、などの非酸化物、特開昭58-215
744 号公報のようにＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｚ
ｒＯ₂ 、ＴｉＯ₂ などの酸化物や、さらに特開昭63-103
453 号公報のようにＺｎＳなどのカルコゲン化物とＳｉ
Ｏ₂ などの酸化物を混合した誘電体層、あるいは特開平
2-182485号公報のようにＺｎＳなどのカルコゲン化物と
ＭｇＦ₂ などの弗化物を複合した誘電体層を公知の薄膜
形成法によって成膜して記録層の保護層としていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】光記録媒体に設けられ
る誘電体層は、記録時あるいは消去時の熱的、機械的負
荷にさらされるため、機械特性や耐熱性に優れているこ
とが必要であり、さらに光記録媒体の保存時に記録層を
保護する機能を合せ持つ必要がある。

【０００４】一方、記録、消去、再生に際しては、基
板、記録層、誘電体層等の必須要素を組合わせた総体と
しての光記録媒体において、照射した光を効率良く吸収
し、あるいは適性に反射することが必要であり、これら
構成体の光学設計が要請される。光学設計の面からは誘
電体層の屈折率、消衰係数などの光学定数および膜厚
は、極めて重要な支配因子となる。

【０００５】誘電体層として重要な物性は、上記の熱
的、機械的物性上の要請と、記録層保護特性、さらに光
学的な要請を同時に満たすことが必要であり、従来技術
の誘電体層は、これらの点で必ずしも有利な選択とはな
っていなかった。

【０００６】すなわち、酸化物や窒化物の誘電体層の場
合、高温高湿の環境下における保存において誘電体層自
体が剥離したりクラックが生じる場合があり、さらに誘
電体層の光学定数が適切でないために、記録あるいは消
去特性が低下してしまう場合がある。

【０００７】ＺｎＳなどのカルコゲン化合物単独、ある
いはＺｎＳなどのカルコゲン化物とＳｉＯ₂ などの酸化
物を混合した誘電体層については、蒸着やスパッタリン
グなどの薄膜形成法による成膜では、膜内に発生する内
部応力が大きな圧縮応力となるため、剥離が発生し易
く、さらに光記録媒体のそりなどの機械的変形が大き
い。ＺｎＳなどのカルコゲン化物とＭｇＦ₂ などの弗化
物を複合した誘電体層は、膜内に発生する内部応力が緩
和されてはいるものの、まだ十分ではない。

【０００８】本発明はかかる従来技術の諸欠点に鑑み創
案されたもので、膜内に発生する内部応力を十分に低減
した誘電体層を有しているため、そりなどの機械的変形
が少ない光記録媒体を提供することである。機械特性が
良好であるため、記録、再生を行うシステムに対する負
担を著しく減少することができる。

【０００９】本発明の別の目的は、誘電体層と記録層と
の接着力に優れ、膜の剥離、クラックの発生などがない
光記録媒体を提供することである。したがって、酸素、
水分などの遮断性が優れており記録層の膜質変化や性能
劣化が抑制され、長期の信頼性が確保される。

【００１０】本発明のさらに別の目的は、繰り返し記録
消去を行うことが可能な光記録媒体の場合、誘電体層自
体の膜内に発生する内部応力を低減しているため、記録
消去の繰り返しにより発生する場合がある微小な誘電体
層の剥離、クラック、記録層の劣化などが発生せず、記
録消去の繰り返し性が良好な光記録媒体を提供すること
である。

【００１１】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上に記録層と誘電体層を備えた光記録媒体におい
て、該誘電体層が、少なくともカルコゲン化合物と弗化
物と炭素（Ｃ）を含む複合物からなる光記録媒体により
達成される。

【００１２】本発明におけるカルコゲン化合物として
は、硫化物、セレン化物およびテルル化物などが挙げら
れる。たとえばＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、
ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅなどの硫化物、セレン化物、テルル
化物を挙げられることができるが、これらに限定されな
い。

【００１３】また、本発明において使用される弗化物と
しては、元素周期率表の第Ｉ属、第ＩＩ属、第ＩＩＩ属
の金属の弗化物、例えば、ＭｇＦ₂ 、ＣｅＦ₃ 、Ｌｉ
Ｆ、ＺｒＦ₄ 、ＴｈＦ₄ 、ＬａＦ₃ 、ＮｄＦ₃ 、Ｎａ₃
ＡｌＦ₆ およびＣａＦ₂ などが挙げられる。

【００１４】なお、ここで言う複合物としては、二種類
以上の物質が数ナノメータ以下さらには原子レベルのオ
ーダーで分散混合している物質、あるいは、数ナノメー
タ以下のグレインの集合体であり、かつそのグレインの
一部または全部が、数ナノメータ以下の単位で規則正し
く層状構造となっている物質または該物質から主として
なるものであることが好ましいが、これに限定されな
い。

【００１５】光記録媒体に用いる誘電体層のために、本
発明者らが行った検討によると、公知の薄膜形成法、例
えば蒸着やスパッタリングにより成膜したＺｎＳなどの
カルコゲン化合物は一般に膜内に大きな圧縮応力が発生
する。また、カルコゲン化合物を含む複合物として、た
とえばＺｎＳとＳｉＯ₂ の複合物の場合も大きな圧縮応
力が発生する。

【００１６】本発明における誘電体層は、少なくともカ
ルコゲン化合物と弗化物と炭素を含む複合物であるた
め、該誘電体層は内部応力が低減される。このため、光
記録媒体のそりなどの機械的変形が少ない。さらに、記
録層との接着力が優れ、膜が剥離したりクラックが生じ
ることを抑制することができる。したがって、酸素、水
分などの遮断性が優れており、記録層の膜質変化や性能
劣化を抑制することができる。

【００１７】また、本発明のカルコゲン化合物と弗化物
と炭素とを含む複合物からなる誘電体層は、記録消去の
繰り返しによって誘電体中の酸素が記録層に拡散して記
録層の特性を劣化させることがない。さらに、誘電体層
は内部応力が低減されているので、記録消去の繰り返し
時の加熱、冷却の熱サイクルによる誘電体層の機械的破
壊や、記録層と誘電体層の剥離などが生じることがな
く、記録消去の繰り返し特性が優れている。

【００１８】さらに、該誘電体層は屈折率が例えば、Ｚ
ｎＳの２．３あるいはＺｎＴｅの２．７のように大きな
屈折率を有するカルコゲン化合物と、例えばＭｇＦ₂ の
１．３７あるいはＣｅＦ₃ の１．６のように小さな屈折
率を有する弗化物、さらには屈折率が２〜３の炭素を含
む複合物であるので、カルコゲン化合物、弗化物、炭素
の組成比によってこれらの屈折率の中間の任意の屈折率
とすることができる。このことは、光記録媒体の光学的
な設計を行う際に、設計の自由度が飛躍的に向上するこ
とを意味する。したがって、該誘電体層を用いることに
より記録層保護特性を満たしつつ、記録および／または
消去に最も適した層構成の設計をとることが可能となる
ため、信頼性に優れ、かつ良好な記録およびまたは消去
率が得られる。特に耐熱性が高く、記録消去動作時に繰
り返し加熱されても十分な機械特性有し破壊することが
ないことから記録繰り返し性が優れており、さらに吸湿
性が少なく、酸素、水分などの遮断性が優れているため
に記録層の保護特性が優れており、光記録媒体の長期信
頼性が得られることから、カルコゲン化合物としてはＺ
ｎＳ、ＺｎＳｅおよびＺｎＴｅが好ましく、弗化物とし
てはＭｇＦ₂ 、ＣｅＦ₃ 、ＬｉＦ、ＺｒＦ₄ などが好ま
しい。

【００１９】カルコゲン化合物と弗化物と炭素の組成比
は特に限定されないが、下記の組成であることが好まし
い。

【００２０】組成式 （Ａ1-X ＢX ）1-Y ＣY ここでＡはカルコゲン化合物、Ｂは弗化物、Ｃは炭素を
表し、X 、Y および数字は各元素または分子のモル比を
表す。

【００２１】かつ、 ０．０２≦X ≦０．６０ ０．０５≦Y ≦０．８０ さらに、好ましくは上記組成式において、下記の組成で
ある。

【００２２】０．０５≦X ≦０．４０ ０．１０≦Y ≦０．５０ 上記組成比の範囲は、誘電体層の内部応力が十分に低減
でき、かつまた、誘電体層の屈折率も適当な範囲であ
り、光学的に最適な層構成の設計を行うことができるの
で好ましい。

【００２３】誘電体層の膜厚は３ｎｍ〜５００ｎｍの範
囲が好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍで
ある。３ｎｍ未満では、酸素、水分などを十分に遮断す
ることができずに、記録層保護特性を得ることが難し
い。５００ｎｍより大きいと内部応力が大きくなり、剥
離あるいはクラックが発生し易くなり、さらに光記録媒
体のそりなどの機械的変形が大きくなる。

【００２４】また、該誘電体層に内部応力を緩和したり
屈折率を調整するために、記録特性等を著しく劣化させ
ない範囲で金属、半金属、およびこれらの酸化物、窒化
物、炭化物などが含まれていてもかまわない。

【００２５】本発明の光記録媒体は少なくとも基板と該
基板上に形成された記録層と誘電体層とを備えて成るも
のであり、該誘電体層は記録層の片面または両面に隣接
して設けることができる。

【００２６】本発明における記録層としては公知の光学
的記録層が使用可能であり、例えば記録層に集光したレ
ーザ光を照射することにより記録層の結晶構造を変化さ
せる（例えば結晶から非晶質またはその逆、あるいは六
方晶から立方晶またはその逆等）つまり相変化により情
報を記録できる材料を用いることができる。例えば、Ｔ
ｅＧｅ系、ＳｎＴｅＳｅ系、ＳｂＴｅＧｅ系あるいはＩ
ｎＳｅ系、あるいはこれらの系を少量の金属等の添加物
でモディファイした系などを挙げることができる。また
磁気記録層に集光したレーザ光を照射することにより磁
化反転を起こさせ情報を記録する材料としてＴｂＦｅＣ
ｏなどが挙げられる。

【００２７】本発明に用いられる基板としては、プラス
チック、ガラス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同
様なものでよい。収束光により基板側から記録、再生あ
るいは消去することによって記録媒体に付着したごみな
どの影響を避ける場合には、基板として透明材料を用い
ることが好ましい。上記のような材料としては、ポリエ
ステル樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂、ガ
ラスなどが挙げられる。好ましくは、複屈折が小さいこ
と、形成が容易であることから、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂がよい。基板の
厚さは、特に限定するものではないが、１０μｍ〜５ｍ
ｍの範囲が実用的である。１０μｍ未満では収束光によ
り基板側から記録、再生あるいは消去する場合でもごみ
の影響を受け易くなり、５ｍｍを越える場合には、収束
光により記録、再生あるいは消去する場合対物レンズの
開口数を大きくすることができなくなり、ピットサイズ
が大きくなるため記録密度を上げることが困難になる。

【００２８】基板はフレキシブルなものであっても良い
し、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、あるいはカード型または円形などのシ
ート状で用いることができる。リジッドな基板は、カー
ド状、あるいは円形ディスク状で用いることができる。

【００２９】本発明の光記録媒体の記録、再生あるいは
消去に用いる光としては、レーザ光やストロボ光のごと
き光であり、とりわけ、半導体レーザを用いることは、
光源が小型でかつ消費電力が小さく、変調が容易である
ことから好ましい。

【００３０】本発明における光記録媒体は基板上に記録
層を形成し、該記録層上に本発明における誘電体層を形
成した構造、あるいは基板上に誘電体層、記録層および
誘電体層をこの順に積層した構造として用いられるもの
である。

【００３１】さらに記録層の反射率の変化で信号を読み
取る場合には、記録層の光の入射面と反対側の片面に金
属などの反射層（例えば、Ａｌ、Ａｕ、ＮｉＣｒなど）
を設けてもよく、さらに記録層と反射層の間に中間層を
設けることもでき、この中間層に本発明の誘電体層を用
いることもできる。

【００３２】基板に記録層、誘電体層および必要に応じ
て設けた反射層などを形成した光記録媒体は、さらに該
層の形成面の上に、樹脂層、たとえば紫外線硬化樹脂な
どの層を設けて単板として使用することができるし、ま
た、エアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構
造、密着はりあわせ構造などとして、他の部材もしくは
同種の基板と２枚はりあわせて使用することもできる。

【００３３】本発明において、記録層、誘電体層および
必要に応じて設ける反射層などの形成には、蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤなどの公知
の薄膜形成技術を用いることができる。

【００３４】少なくともカルコゲン化合物と弗化物と炭
素を含む複合物からなる該誘電体層の形成には、たとえ
ば蒸着の場合、カルコゲン化合物と弗化物と炭素を別々
の蒸発源から同時に蒸発させたり、あるいはカルコゲン
化合物と弗化物と炭素を含む材料をあらかじめ所定の割
合で混合して１つの蒸発源から蒸発させたりすることに
より得られる。また、スパッタリングの場合、カルコゲ
ン化合物よりなるターゲットと弗化物よりなるターゲッ
トと炭素よりなるターゲットを同時にスパッタリングを
行なったり、あるいはカルコゲン化合物と弗化物を炭素
を含む材料をあらかじめ所定の割合で混合して作製した
ターゲットをスパッタリングすることにより得られる。

【００３５】以下一例として基板、誘電体層、記録層お
よび誘電体層の構成から成る本発明の光記録媒体を形成
する方法について説明する。

【００３６】基板としてポリカーボネート製ディスクを
用いて、まず、例えばＺｎＳターゲットとＭｇＦ₂ ター
ゲットと炭素ターゲットを用いて同時スパッタリングを
行なうことにより誘電体層を形成する。次いで該誘電体
層上に記録層形成材料のターゲットを用いてスパッタリ
ングを行なうことにより記録層を形成し、さらにこの記
録層上に前記と同様な方法により誘電体層を形成するこ
とにより得ることができる。

【００３７】スパッタリング方法としては特に限定され
ず、例えばＡｒ雰囲気中でのＲＦマグネトロンスパッタ
リング等の慣用手段を用いることができ、また基板上の
組成および膜厚を均一化するために基板を回転させるこ
とは有効である。

【００３８】上述の製法において誘電体層の組成比は、
各ターゲットからの蒸発量により制御される。具体的に
は、あらかじめ各ターゲットへの供給電力と蒸発量との
関係を検討しておき、所望の蒸発量に見合った電力を供
給してもよいし、または蒸発量を例えば水晶式膜厚モニ
タでモニタしながら供給電力を制御するようにしてもよ
い。

【００３９】スパッタリング中の真空度は特に限定され
るものではないが、たとえば５×１０^-2Ｐａから３Ｐａ
程度である。

【００４０】

【実施例】以下、本発明を実施例にもとづいて具体的に
説明するが、本発明はこれらに限定されない。

【００４１】実施例１ ３個のターゲットをセットでき、同時スパッタリングが
可能なスパッタリング装置に、ＺｎＳターゲットとＭｇ
Ｆ₂ ターゲット、およびＣ（グラファイト）ターゲット
をセットし、さらにディスク基板（１３０ｍｍ書換形Ｉ
ＳＯ規格フォーマット、ポリカーボネート製、厚さ１．
２ｍｍ）をセットした。スパッタリングチャンバー内部
を２×１０^-4Ｐａまで真空排気したのち、Ａｒガスを３
×１０^-1Ｐａとなるように導入した。次に、膜厚、組成
を均一にするために基板を自公転させながら、ＺｎＳが
５６モル％、ＭｇＦ₂ が１４モル％、Ｃが３０モル％、
の蒸発量となるようにそれぞれターゲットへの供給電力
を制御して３つのターゲットを同時にＲＦマグネトロン
スパッタ法によりスパッタして、それぞれの膜厚モニタ
値の和が２２０ｎｍとなるまでスパッタリングを行ない
誘電体層を形成した。次に、相変化タイプ書換形光記録
材料であるＰｄ１Ｇｅ１７Ｓｂ２６Ｔｅ５６（原子％）
ターゲットをセットし、Ａｒガス圧力３×１０^-1Ｐａ
で、上述と同様にして膜厚モニタ値が２５ｎｍとなるま
でスパッタを行ない誘電体層上に記録層を形成した。さ
らに該記録層の上に、上述と同様にしてＺｎＳ ５６モ
ル％、ＭｇＦ₂ １４モル％、Ｃ ３０モル％よりなる
誘電体層を２５ｎｍ形成した。その後、さらにＡｌター
ゲットをセットして、Ａｒガス圧力３×１０^-1Ｐａで上
述と同様にして反射層を８０ｎｍ形成した。このように
して、基板／誘電体層（（（ＺｎＳ）0.80（ＭｇＦ₂ ）
0.20）0.70Ｃ0.30）／記録層／誘電体層（（（ＺｎＳ）
0.80（ＭｇＦ₂ ）0.20）0.70Ｃ0.30）／反射層の４層構
成体を形成した。この４層構成体の反射層上に紫外線硬
化樹脂層を１０μｍ設けて、本発明の光記録媒体を形成
した。

【００４２】この光記録媒体の機械特性を測定した結
果、最大チルト量は１．９ｍｒａｄであった。１３０ｍ
ｍ書換形光ディスクのＩＳＯ規格値は５ｍｒａｄ以下で
ある。本発明の光記録媒体は、単板構成においてもこの
規格を十分にクリアーしているため、はりあわせ後はさ
らに良好な機械特性が期待できる。

【００４３】この光記録媒体の記録領域を全面（半径２
８〜６２ｍｍ）を初期化（結晶化）したのち、対物レン
ズの開口数０．５３、半導体レーザの波長８３０ｎｍの
光学ヘッドを使用して記録をおこなった。回転数１８０
０ｒｐｍ、ピークパワー１９ｍＷ、記録パルス幅６０ｎ
ｓ、ボトムパワー８．５ｍＷの条件で、トラックＮｏ．
９００〜１０００のなかで初期測定でＢＥＲ（ビットエ
ラーレート）がゼロのトラックを１本用いて、１．５Ｔ
信号（３．７ＭＨｚ）と４Ｔ信号（１．４ＭＨｚ）を交
互にオーバライトを繰り返したのち、１．５Ｔ信号のＢ
ＥＲを測定した。ＢＥＲが１×１０^-4を越えた記録繰り
返し回数は４２万回であった。

【００４４】さらに、上記と同一記録条件で、１．５Ｔ
信号（３．７ＭＨｚ）をトラックＮｏ．１００１〜３０
００の２０００本のトラックに記録し、ＢＥＲを測定し
た結果１．１×１０^-6であった。この光記録媒体を８０
℃，８０％ＲＨの環境下において３０００時間保管後、
トラックＮｏ．１００１〜３０００を再生し、ＢＥＲを
測定したところ１．１×１０^-6で劣化は全く見られなか
った。本発明の光記録媒体は優れた長期信頼性性を有し
ていることがわかる。

【００４５】実施例２ 実施例１と同一のスパッタリング装置に、（（（ＺｎＳ
ｅ）0.90（ＣｅＦ₂ ）0.10）0.80Ｃ0.20）ターゲット、
相変化タイプ書換形光記録材料であるＰｄ３Ｇｅ１７Ｓ
ｂ３０Ｔｅ５０（原子％）ターゲット、Ａｌターゲット
をセットし、さらに実施例１と同一のディスク基板をセ
ットした。スパッタリングチャンバー内部を２×１０^-4
Ｐａまで真空排気したのち、Ａｒガスを２×１０^-1Ｐａ
となるように導入した。次に、膜厚、組成を均一にする
ために基板を自公転させながら、（（（ＺｎＳｅ）0.90
（ＣｅＦ₂ ）0.10）0.80Ｃ0.20）ターゲットをＲＦマグ
ネトロンスパッタ法によりスパッタして、膜厚モニタ値
が２００ｎｍとなるまでスパッタリングを行ない誘電体
層を形成した。次に、Ｐｄ３Ｇｅ１７Ｓｂ３０Ｔｅ５０
（原子％）ターゲットを膜厚モニタ値が３０ｎｍとなる
までスパッタを行ない誘電体層上に記録層を形成した。
さらに該記録層の上に、上述と同様にして（（（ＺｎＳ
ｅ）0.90（ＣｅＦ₂ ）0.10）0.80Ｃ0.20）よりなるを誘
電体層を３０ｎｍ形成した。その後、さらにＡｌターゲ
ットをスパッタして反射層を１２０ｎｍ形成した。この
ようにして、基板／誘電体層（（（ＺｎＳｅ）0.90（Ｃ
ｅＦ₂ ）0.10）0.80Ｃ0.20）／記録層／誘電体層
（（（ＺｎＳｅ）0.90（ＣｅＦ₂ ）0.10）0.80Ｃ0.20）
／反射層の４層構成体を形成した。この４層構成体の反
射層上に紫外線硬化樹脂層を１０μｍ設けて、本発明の
光記録媒体を形成した。

【００４６】この光記録媒体の機械特性を測定した結
果、最大チルト量は２．６ｍｒａｄであった。本発明の
光記録媒体は、単板構成においてもＩＳＯ規格を十分に
クリアーしているため、はりあわせ後はさらに良好な機
械特性が期待できる。

【００４７】この光記録媒体を、実施例１と同様にし
て、回転数１８００ｒｐｍ、ピークパワー１７ｍＷ、記
録パルス幅６０ｎｓ、ボトムパワー８ｍＷの条件で、繰
り返し特性を測定したところ、ＢＥＲが１×１０^-4を越
えた記録繰り返し回数は２８万回であった。

【００４８】さらに、実施例１と同様にして、８０℃，
８０％ＲＨの環境下において３０００時間保管後のＢＥ
Ｒを測定したところ、初期ＢＥＲ２．２×１０^-6が２．
５×１０^-6とわずかに増加したのみであった。本発明の
光記録媒体は優れた長期信頼性性を有していることがわ
かる。

【００４９】比較例１ 実施例１においてＭｇＦ₂ ターゲット、およびＣ（グラ
ファイト）ターゲットをセットせずに、ＺｎＳターゲッ
トのみセットした。基板、スパッタ圧力条件は実施例１
と同様にして、まずＺｎＳを膜厚２２０ｎｍとなるまで
スパッタして誘電体層を形成した。次いで、記録層は実
施例１と同様に２５ｎｍ形成し、さらに、上述と同様に
ＺｎＳよりなる誘電体層を２５ｎｍ形成した。その後、
さらに実施例１と同様にＡｌよりなる反射層を８０ｎｍ
形成した。このようにして、基板／誘電体層（ＺｎＳ）
／記録層／誘電体層（ＺｎＳ）／反射層の４層構成体を
形成した。この４層構成体の反射層上に紫外線硬化樹脂
層を１０μｍ設けて、光記録媒体を形成した。

【００５０】この光記録媒体の機械特性を測定した結
果、最大チルト量は８．２ｍｒａｄであった。

【００５１】実施例１と同様にして、記録繰り返し回数
を測定したところ、２万回であった。

【００５２】さらに、実施例１と同様にして、８０℃，
８０％ＲＨの環境下において３０００時間保管後のＢＥ
Ｒを測定したところ、初期ＢＥＲ３．８×１０^-6が２．
８×１０^-4まで大きくなり、実用上使用できなくなっ
た。

【００５３】比較例２ 実施例１においてＣ（グラファイト）ターゲットをセッ
トせずに、ＺｎＳターゲットとＭｇＦ₂ ターゲットのみ
セットした。基板、スパッタ圧力条件は実施例１と同様
にして、まずＺｎＳが８０モル％、ＭｇＦ₂ が２０モル
％の蒸発量となるようにそれぞれのターゲットへの供給
電力を制御して２つのターゲットを同時にスパッタし
て、それぞれの膜厚モニタ値の和が２２０ｎｍとなるま
でスパッタリングを行い誘電体層を形成した。次いで、
記録層は実施例１と同様に２５ｎｍ形成し、さらに、上
述と同様にＺｎＳ ８０モル％、ＭｇＦ₂ ２０モル％
からなる誘電体層を２５ｎｍ形成した。その後、さらに
実施例１と同様にＡｌよりなる反射層を８０ｎｍ形成し
た。このようにして、基板／誘電体層（（ＺｎＳ）0.80
（ＭｇＦ₂ ）0.20）／記録層／誘電体層（（ＺｎＳ）0.
80（ＭｇＦ₂ ）0.20）／反射層の４層構成体を形成し
た。この４層構成体の反射層上に紫外線硬化樹脂層を１
０μｍ設けて、光記録媒体を形成した。

【００５４】この光記録媒体の機械特性を測定した結
果、最大チルト量は５．８ｍｒａｄであった。

【００５５】実施例１と同様にして、記録繰り返し回数
を測定したところ、９万回であった。

【００５６】さらに、実施例１と同様にして、８０℃，
８０％ＲＨの環境下において３０００時間保管後のＢＥ
Ｒを測定したところ、初期ＢＥＲ３．８×１０^-6が７．
２×１０^-6と約２倍になった。

【００５７】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、上述のごとく誘
電体層を少なくともカルコゲン化合物と弗化物と炭素
（Ｃ）を含む複合物としたために、次のごとき優れた効
果が得られた。

【００５８】（１）機械特性が良好である。光記録媒体
のそりなどの機械的変形が少く、記録、再生を行うシス
テムに対する負担が著しく減少する。

【００５９】（２）高温高湿の環境下における保存にお
いて、記録特性が劣化せず、長期信頼性が確保される。

【００６０】（３）繰り返し記録消去を行うことが可能
な光記録媒体の場合、多数回の記録消去が行える。

【００６１】（４）誘電体層の屈折率をカルコゲン化合
物と弗化物と炭素の組成比によってコントロールするこ
とができ、光記録媒体の光学的な設計を行う際の自由度
が飛躍的に向上する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−189748（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−108255（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−91834（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54441（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−158637（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−103453（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−180538（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−182485（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/24 B41M 5/26

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に記録層と誘電体層を備えた光記
   録媒体において、該誘電体層が少なくともカルコゲン化
   合物と弗化物と炭素（Ｃ）を含む複合物からなる光記録
   媒体。
2. 【請求項２】 カルコゲン化合物がＺｎＳ、ＺｎＳｅお
   よびＺｎＴｅの群から選ばれた少なくとも一種であり、
   弗化物がＭｇＦ₂ 、ＣｅＦ₃ 、ＬｉＦおよびＺｒＦ₄ の
   群から選ばれた少なくとも一種である請求項１記載の光
   記録媒体。