JP2797359B2 - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光等の光を用いて情報を記録、再生
または消去を行なう光記録媒体に関する。
［従来の技術］ 従来の光記録媒体は、光学的な変化を利用して情報を
記録、再生または消去を行なうための記録層が、空気中
の水分や酸素、あるいは熱によって酸化腐食を受け、保
存、運搬中に記録層の光学特性が劣化するばかりでな
く、繰り返し記録消去可能な光記録媒体の場合は記録消
去の繰り返しによって記録消去特性が劣化するために使
用できなくなるという欠点を有していた。そこで特開昭
59−110052号公報、特開昭60−131659号公報のように保
護膜として、アルミニウムの窒化物、珪素の窒化物、Mg
F2、ZnS、AlF3、などの非酸化物、特開昭58−215744号
公報のようにSiO2、SiO、Al2O3、ZrO2、TiO2などの酸化
物や、さらに特開昭63−103453号公報のようにZnSなど
のカルコゲン化物とSiO2などの酸化物を混合した保護層
を蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、CVD
などの真空成膜法によって成膜して使用していた。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来技術の場合、次のような問題
があった。
すなわち、酸化物や窒化物の場合、記録消去の繰り返
しによって酸化物中の酸素や窒化物中の窒素が記録層に
拡散して記録消去特性を劣化させるという欠点を有して
おり、さらに記録層保護特性も十分ではない。MgF2、Zn
SおよびAlF3などの非酸化物の場合もやはり記録層保護
特性が十分ではない。またZnSなどのカルコゲン化物とS
iO2などの酸化物を混合した保護層については、蒸着に
よる成膜ではZnS、SiO2いずれも膜内に発生する内部応
力が圧縮応力となるため、この組み合わせではこの応力
が緩和されずに膜が剥離したり、クラックが発生したり
することがあり、さらに記録消去の繰り返しによって酸
化物中の酸素が記録層に拡散して記録消去特性を劣化さ
せるという欠点を有している。
本発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み創案された
もので、その目的は良好な記録層保護特性と記録消去特
性および記録消去の繰り返し性、すなわち記録層の膜質
変化や性能劣化を抑制し、しかも記録層との接着力の優
れた、膜の剥離、クラックの発生などがない誘電体層を
備えた光記録媒体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に記録層と誘電体を備
えた光記録媒体において、上記誘電体層がカルコゲン化
合物と弗化物を含む混合物であることを特徴とする光記
録媒体により達成される。
本発明の光記録媒体は少なくとも基板と該基板上に形
成された記録層と誘電体層とを備えて成るものである。
誘電体層は記録層の片面または両面に隣接して設けるこ
とができる。
誘電体層はカルコゲン化合物と弗化物を含む混合物か
らなる。カルコゲン化合物としては公知のカルコゲン化
合物がいずれも使用できるが、Ｓ、Se、Teを含む化合物
が好ましく、たとえばZnS、ZnSe、ZnTe、PbS、PbSeおよ
びPbTeなどが挙げられる。弗化物としては、たとえばMg
F2、CeF3、ThF4、LiF、LaF3、NdF3、5Na・3AlF3およびN
a3AlF6などが挙げられる。
カルコゲン化合物と弗化物の組成比は特に限定されな
いが、モル比で100:1〜1:20が好ましく、より好ましく
は70:1〜1:5、最も好ましくは50:1〜1:2である。カルコ
ゲン化合物と弗化物の組成比において弗化物の比が100:
1未満の場合は剥離が発生し易くなる場合があり、1:20
より大きい場合にはクラックが発生し易くなる。
カルコゲン化合物と弗化物を含む混合物よりなる誘電
体層の形成方法としては、蒸着、スパッタリング、イオ
ンプレーティング、CVDなどの公知の薄膜形成法が使用
できる。
蒸着等により成膜したZnSなどのカルコゲン化合物は
一般に膜内に圧縮応力が発生し、一方、MgF2、CeF3など
の弗化物は膜内に引っ張り応力が発生する。このためカ
ルコゲン化合物と弗化物を含む混合物である該誘電体層
はお互いの内部応力が緩和されるため、膜が剥離したり
クラックが生じることを抑制することができる。
さらに、該誘電体層は屈折率が例えばZnSの2.3あるい
はZnTeの2.7のように大きな屈折率を有するカルコゲン
化合物と、例えばMgF2の1.37あるいはCeF3の1.6のよう
に小さな屈折率を有する弗化物を含む複合物となすこと
ができるために、カルコゲン化合物と弗化物の組成比に
よってカルコゲン化合物と弗化物の中間の任意の屈折率
とすることができる。これは、誘電体層の屈折率が光記
録媒体の記録消去の感度に大きな影響を及ぼすために、
光記録媒体の光学的な設計を行なう際に設計の自由度が
飛躍的に向上することを意味する。
また、該誘電体層に内部応力を緩和したり屈折率を調
整するために、記録消去の繰り返し性を劣化させない範
囲で酸化物、窒化物、炭化物等が含まれていてもかまわ
ない。
誘電体の膜厚は3nm〜500nmの範囲が好ましく、より好
ましくは10nm〜300nmである。3nm未満では十分な記録層
保護特性を得ることが難しく、500nmより大きいとクラ
ックが発生し易くなる。
本発明における記録層としては公知の光学的記録層が
使用可能である。例えば記録層に集光したレーザ光を照
射することにより記録層の結晶構造を変化させる（例え
ば結晶から非晶質またはその逆、あるいは六方晶から立
方晶またはその逆等）つまり相変態により情報を記録で
きる材料としてSbTeGeあるいはInSeなどを挙げることが
でき、また磁気記録層に集光したレーザ光を照射するこ
とにより磁化反転を起こさせ情報を記録する材料として
TbFeCoなどが挙げられる。
本発明に用いられる基板としては、プラスチック、ガ
ラス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なもので
よい。収束光により基板側から記録、再生あるいは消去
することによって記録媒体に付着したごみなどの影響を
避ける場合には、基板として透明材料を用いることが好
ましい。上記のような材料としては、ポリエステル樹
脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、ポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂、ガラスなど
が挙げられる。好ましくは、複屈折が小さいこと、形成
が容易であることから、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、エポキシ樹脂がよい。基板の厚さは、
特に限定するものではないが、10μｍ〜5mmの範囲が実
用的である。10μｍ未満では収束光により基板側から記
録、再生あるいは消去する場合でもごみの影響を受け易
くなり、5mmを越える場合には、収束光により記録、再
生あるいは消去する場合対物レンズの開口数を大きくす
ることができなくなり、ピットサイズが大きくなるため
記録密度を上げることが困難になる。
基板はフレキシブルなものであっても良いし、リジッ
ドなものであっても良い。フレキシブルな基板は、テー
プ状、あるいはカード型または円形などのシート状で用
いることができる。リジッドな基板は、カード状、ある
いは円形ディスク状で用いることができる。
本発明の光記録媒体の記録、再生あるいは消去に用い
る光としては、レーザ光やストロボ光のごとき光であ
り、とりわけ、半導体レーザを用いることは、光源が小
型でかつ消費電力が小さく、変調が容易であることから
好ましい。
本発明における光記録媒体は基板上に記録層を形成
し、該記録層上に本発明における誘電体層を形成した構
造、あるいは基板上に誘電体層、記録層および誘電体層
をこの順に積層した構造として用いられるものである。
さらに記録層の反射率の変化で信号を読み取る場合に
は、記録層の光の入射面と反対側の片面に金属、例え
ば、Al、Au、NiCrなどからなる反射層を設けてもよく、
さらに記録層と反射層の間に中間層を設けることもで
き、この中間層としては本発明の誘電体層を用いること
もできる。
基板に記録層、誘電体層および必要に応じて設けた反
射層などを形成した光記録媒体は、さらに該層の形成面
の上に、樹脂層、たとえば放射線硬化樹脂などの層を設
けて単板として使用することができるし、また、エアー
サンドイッチ構造、エアーインシデント構造、密着はり
あわせ構造などとして、他の部材もしくは同種の基板と
２枚はりあわせて使用することもできる。
本発明において、記録層、誘電体層および必要に応じ
て設ける反射層などの形成には、蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレーティング、CVDなどの公知の薄膜形成
技術を用いることができる。
カルコゲン化合物と弗化物を含む混合物よりなる誘電
体層の形成には、たとえば蒸着の場合、カルコゲン化合
物材料と弗化物を含む材料を別々の蒸発源から同時に蒸
発させたり、あるいはカルコゲン化合物材料と弗化物を
含む材料をあらかじめ所定の割合で混合して１つの蒸発
源から蒸発させたりすることによる得ることができる。
また、スパッタリングの場合、カルコゲン化合物材料よ
りなるターゲットと弗化物を含む材料よりなるターゲッ
トを同時にスパッタリングを行なったり、あるいはカル
コゲン化合物材料と弗化物を含む材料をあらかじめ所定
の割合で混合して作製したターゲットをスパッタリング
することにより得られる。
以下一例として基板、誘電体層、記録層および誘電体
層の構成から成る本発明の光記録媒体を形成する方法に
ついて説明する。
基板としてポリカーボネート製ディスクを用いて、ま
ず、例えばZnSターゲットとMgF2、CeF3などの弗化物の
少なくとも一種が含有されたターゲットを用いて同時ス
パッタリングを行なうことにより基板上に誘電体層を形
成する。次いで該誘電体層上に記録層形成材料のターゲ
ットを用いてスパッタリングを行なうことにより記録層
を形成し、さらにこの記録層上に前記と同様にして誘電
体層を形成すればよい。
スパッタリング方法としては特に限定されず、例えば
Ar雰囲気中でのRFマグネトロンスパッタリング等の慣用
手段を用いることができ、また基板上の組成および膜厚
を均一化するために基板を回転させることは有効であ
る。
上述の製法において誘電体層の組成比は、各ターゲッ
トからの蒸発量により制御される。具体的には、あらか
じめ各ターゲットへの供給電力と蒸発量との関係を検討
しておき、所望の蒸発量に見合った電力を供給してもよ
いし、または蒸発量を例えば水晶式膜厚モニタでモニタ
しながら供給電力を制御するようにしてもよい。
誘電体層の膜厚は、各ターゲットからの単位時間あた
りの蒸発量と時間の積の和、または各ターゲットからの
蒸発量を水晶式膜厚モニタでモニタし、このモニタ値の
和で知ることができる。また記録層の膜厚は、記録層材
料のターゲットからの単位時間あたりの蒸発量と時間の
積、または蒸発量を水晶式膜厚モニタすることにより知
ることができる。スパッタリング中の真空度は特に限定
されるものではないが、たとえば５×10-2Paから1Pa程
度である。
［実施例］ 以下、本発明を実施例にもとづいて説明する。
なお実施例中の特性は以下の方法で評価したものであ
る。
（１）記録層保護特性 光記録媒体を60℃,90％RHの環境下において保管した
後、光記録媒体を目視および光学顕微鏡により膜の剥
離、クラックの発生、ピンホールの発生等を観察評価を
行なう。
（２）記録消去特性（動特性） ディスク基板使いの光記録媒体を回転させ、基板側か
ら開口数0.5の対物レンズで集光した波長830nmの半導体
レーザ光を連続照射しながら記録層を結晶化（初期化）
した。その後、線速度6m/秒の条件で先と同一の光学系
を使用して、周波数2.5MHz、デューティー比50％に変調
した10〜15mWの半導体レーザ光により記録（非晶化）を
行なった。
記録後、半導体レーザ光の強度を0.7mWとして記録部
分を走査し記録の再生を行なった。さらに、記録部分を
線速度2m/秒の条件で３〜6mWの半導体レーザ光を一回照
射して記録信号の消去（結晶化）を行なった後、先と同
一の条件で再生を行なった。記録後および消去後の再生
信号をそれぞれスペクトラム・アナライザによりキャリ
ア強度およびノイズレベルを測定し、バンド幅30kHzの
条件でキャリア対ノイズ比（C/N比）を求め、さらに記
録時のキャリア強度と消去時のキャリア強度の差として
消去率を求めた。
（３）記録消去繰り返し性（静特性） 光記録媒体を予め通風オープン中で250℃に加熱して
記録層を結晶化させた後、基板側から、開口数0.5の光
学系で集光した波長830nmの半導体レーザ光をパルス変
調して照射し記録（非晶化）、消去（結晶化）を行な
い、記録（非晶化）時と消去（結晶化）時の反射率の差
をレーザ光によって読み取った。記録時の光パルスは、
レーザパワー15mw、パルス幅110〜400ns、消去時の光パ
ルスは、レーザパワー2.8〜3.5mw、パルス幅１μｓとし
た。再生時のレーザパワーは0.5mwである。
実施例１ スパッタ装置のチャンバー内に、下面中央に３個の基
板取り付け用装着部を有する回転可能な円盤を備え、該
円盤を回転することにより上記基板も回転するようにし
た装置と、該円盤の下方で回転中心から等配の放射線上
で、かつ同一円周上にターゲット中心が位置するように
配した３つのターゲット取り付け部を有し、各々のター
ゲットの蒸発量をモニタするための水晶式膜厚モニタ
（INFICOM社製 XTC）を設置したスパッタ装置を使用し
た。
上記３箇所の基板装着部にそれぞれディスク基板（ポ
リカーボネイト製、厚さ1.2mm、直径13cm、1.6μｍピッ
チのスパイラル状グルーブ付き）、パイレックスガラス
基板（コーニング7059、厚さ1.2mm、32mm×32mm）、ポ
リカーボネイト基板（厚さ1.2mm、32mm×32mm）を取り
付け、また３つのターゲット取り付け部に各々ZnS、MgF
2、および相変化型光記録材であるSb55Te40Ge5ターゲッ
トを取り付けた。
チャンバー内部を２×10-4Paまで真空排気したのち、
Arガスを５×10-1Paとなるように導入した。次に、上記
円盤を30rpmで回転させ、ZnSが90モル％、MgF2が10モル
％の蒸発量となるようにZnSターゲットとMgF2ターゲッ
トへの供給電力をそれぞれ制御しながら２つのターゲッ
トを同時にRFマグネトロンスパッタ法によりスパッタし
て、それぞれの膜厚モニタ値の和が150nmとなるまでス
パッタを行ない各基板上にそれそれ誘電体層を形成し
た。
次いでSb55Te40Ge5ターゲットをRFマグネトロンスパ
ッタ法によりスパッタして、膜厚モニタ値が90nmとなる
までスパッタを行ない前記誘電体層上に記録層を形成し
た。
さらに該記録層の上に前述と同様にして誘電体層を15
0nm積層して基板の異なる３個の光記録媒体を得た。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録
層保護特性を前記した評価方法により評価した結果、10
00時間経過後も膜の剥離、クラックの発生、ピンホール
の発生等は全く観察されず良好な記録層保護特性が得ら
れた。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消
去特性を前記した評価方法により評価した。初期化条件
は線速度2.0m/秒、レーザ光強度3.5mW、記録条件は線速
度6.0m/秒、レーザ光強度12.0mW、消去条件は線速度2.0
m/秒およびレーザ光強度5.0mWで行なった。記録時のC/N
比は51.2dB、消去率は45.6dBと極めて良好な記録消去特
性が得られた。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を
用いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評
価した結果、記録時の光パルス15mw,150ns、消去時の光
パルス3.0mw,1μｓの条件で50万回以上の記録消去が安
定して行なえた。
実施例２、３ 実施例１のMgF2に代わり、CeF3またはLiFターゲット
をそれぞれ用いた以外は基板、スパッタ圧力条件、層構
成、誘電体層および記録層の膜厚等は実施例１と同様に
して光記録媒体を作製した。このときの誘電体層形成時
の蒸発量はCeF3を用いた場合はZnS 95、CeF35（数字は
モル％を示す。以下同様）、LiFを用いた場合はZnS 8
0、LiF 20とした。それぞれを実施例２と実施例３とす
る。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録
層保護特性を前記した評価方法により評価した結果、10
00時間経過後もいずれも膜の剥離、クラックの発生、ピ
ンホールの発生等は全く観察されず良好な記録層保護特
性が得られた。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消
去特性を前記した評価方法により評価した。実施例２の
初期化条件は線速度2.0m/秒、レーザ光強度2.5mW、記録
条件は線速度6.0m/秒、レーザ光強度11.0mW、消去条件
は線速度2.0m/秒、レーザ光強度4.0mWであり、記録時の
C/N比は50.4dB、消去率は40.6dBであった。実施例３の
初期化条件は線速度2.0m/秒、レーザ光強度3.5mW、記録
条件は線速度6.0m/秒、レーザ光強度13.0mW、消去条件
は線速度2.0m/秒、レーザ光強度5.5mWであり、記録時の
C/N比は50.8dB、消去率は42.2dBである。実施例２およ
び実施例３ともに極めて良好な記録消去特性が得られ
た。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を
用いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評
価した結果、実施例２は記録時の光パルス15mw,140ns、
消去時の光パルス3.5mw,1μｓの条件、実施例３は記録
時の光パルス15mw,160ns、消去時の光パルス3.7mw,1μ
ｓの条件でいずれも50万回以上の記録消去が安定して行
なえた。
実施例４ 実施例１のZnSに代わりZnSeターゲットを用いた以外
は基板、スパッタ圧力条件、層構成、誘電体層および記
録層の膜厚等は実施例１と同様にして光記録媒体を作製
した。このときの誘電体層形成時の蒸発量はZnSe 80、
MgF2 20とした。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録
層保護特性を前記した評価方法により評価した結果、10
00時間経過後も膜の剥離、クラックの発生、ピンホール
の発生等は全く観察されず良好な記録層保護特性が得ら
れた。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消
去特性を同様の方法により評価した。初期化条件は線速
度2.0m/秒、レーザ光強度2.8mW、記録条件は線速度6.0m
/秒、レーザ光強度10.5mW、消去条件は線速度2.0m/秒、
レーザ光強度4.0mWで行なった。記録時のC/N比は51.8d
B、消去率は41.9dBと極めて良好な記録消去特性が得ら
れた。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を
用いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評
価した結果、記録時の光パルス15mw,150ns、消去時の光
パルス2.8mw,1μｓの条件で50万回以上の記録消去が安
定して行なえた。
比較例１ 実施例１で使用したスパッタ装置の３つのターゲット
取り付け部のうち２つに各々ZnSおよびSb55Te40Ge5ター
ゲットを取り付けた。基板、スパッタ圧力条件等は実施
例１と同様にしてZnSターゲットをRFマグネトロンスパ
ッタ法によりスパッタして膜厚モニタ値が150nmとなる
までスパッタを行ない誘電体層を形成した。次いでSb55
Te40Ge5ターゲットをRFマグネトロンスパッタ法により
スパッタして、膜厚モニタ値が90nmとなるまでスパッタ
を行ない誘電体層上に記録層を形成した。さらに該記録
層の上に前述と同様にして誘電体層を150nm積層して基
板の異なる２個の光記録媒体を得た。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録
層保護特性を前記した評価方法により評価した結果、10
0時間経過後に最表面の誘電体層と記録層の界面に剥離
が発生しており、この剥離部において記録層の腐蝕が観
察された。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消
去特性を前記した評価方法により評価した。初期化条件
は線速度0.5m/秒、レーザ光強度1.3mW、記録条件は線速
度6.0m/秒、レーザ光強度10.0mW、消去条件は線速度2.0
m/秒、レーザ光強度3.8mWで行なった。記録時のC/N比は
50.0dB、消去率は30.2dBであり、十分な消去率が得られ
ない。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を
用いて記録消去繰り返し性を同様の方法により評価した
結果、記録時の光パルス15mw,130ns、消去時の光パルス
3.0mw,1μｓの条件で20万回の記録消去繰り返しにおい
て、記録層が破壊し記録消去が行なえなくなった。
比較例２ 比較例１のZnSの代わり、MgF2ターゲットを用いた以
外は、基板、スパッタ圧力条件、層構成、誘電体層およ
び記録層の膜厚等は比較例１と同様にして光記録媒体を
作製した。
ポリカーボネイト基板光記録媒体を用いて記録層保護
特性を前記した評価方法により評価した結果、72時間経
過後に誘電体層および記録層にクラックが発生している
のが観察された。
次に、ディスク基板光記録媒体を用いて記録消去特性
を前記した評価方法により評価した。初期化は線速度1.
0m/秒、レーザ光強度3.5mWの条件で行なえたが、記録は
MgF2の屈折率が1.37と小さいために記録感度が低く、線
速度6.0m/秒ではレーザ光強度を15.0mWまで大きくした
が記録が全く行なえなかった。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を
用いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評
価した結果、やはり記録感度が低く15mwのレーザパワー
ではパルス幅を400nsとしても記録が行なえなかった。
比較例３ 実施例１のMgF2に代わり、SiO2ターゲットを用いた以
外は基板、スパッタ圧力条件、層構成、誘電体層および
記録層の膜厚等は実施例１と同様にして光記録媒体を作
製した。このときの誘電体層形成時の蒸発量はZnS 8
0、SiO2 20とした。
ポリカーボネイト基板使いの光記録媒体を用いて記録
層保護特性を同様の方法により評価した結果、500時間
経過後に最表面の誘電体層と記録層の界面に剥離が発生
しているのが観察された。
次に、ディスク基板使いの光記録媒体を用いて記録消
去特性を前記した評価方法により評価した。初期化条件
は線速度0.5m/秒、レーザ光強度1.3mW、記録条件は線速
度6.0m/秒、レーザ光強度10.5mW、消去条件は線速度2.0
m/秒、レーザ光強度4.5mWで行なった。記録時のC/N比は
51.5dB、消去率は35.4dBである。
さらに、パイレックスガラス基板使いの光記録媒体を
用いて記録消去繰り返し性を前記した評価方法により評
価した結果、記録時の光パルス15mw,110ns、消去時の光
パルス3.5mw,1μｓの条件で30万回の記録消去繰り返し
において、消去（結晶化）時の反射率が低下したために
記録（非晶化）時の反射率との差が初期値に比べて低下
し良好な記録消去が行なえなくなった。
以上の結果を表１にまとめて示す。
これらの結果から明らかなように、誘電体層としてカ
ルコゲン化合物と弗化物を含む混合物を用いたものは、
極めて優れた記録層保護特性と記録消去特性および記録
消去の繰り返し性を有していることがわかる。
［発明の効果］ 本発明の光記録媒体は、上述のごとく誘電体層をカル
コゲン化合物と弗化物を含む複合物で形成しために、次
のごとき優れた効果を奏するものである。
（１）膜内に圧縮応力が発生するカルコゲン化合物と膜
内に引っ張り応力が発生する弗化物を含む混合物である
誘電体層は、お互いの内部応力が緩和されるため記録層
との接着力が優れており膜が剥離したりクラックが生じ
ることがなく、記録層保護特性に優れている。
（２）記録消去特性において、50dB以上の良好なC/N比
と40dB以上の極めて大きな消去率が得られる。
（３）記録層との接着力が優れており、さらに誘電体層
内に酸化物を含んでいる場合に発生する記録層への酸素
の拡散がないため、優れた記録消去の繰り返し性が得ら
れる。
（４）カルコゲン化合物と弗化物の組成比によって誘電
体層の屈折率をカルコゲン化合物と弗化物の中間の任意
の値とすることができ、光記録媒体の光学的な設計を行
なう際の設計の自由度が飛躍的に向上する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に記録層と誘電体層を備えた光記録
    媒体において、上記誘電体層がカルコゲン化合物と弗化
    物を含む混合物であることを特徴とする光記録媒体。
  2. 【請求項２】カルコゲン化合物がZnS、ZnSeおよびZnTe
    から選ばれた少なくとも一種であり、弗化物がMgF2、Ce
    F3、ThF4、LiFおよびNa3AlF6から選ばれた少なくとも一
    種である請求項１記載の光記録媒体。
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