JP2778621B2 - 光学的情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
光学的情報記録媒体の製造方法Info
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- JP2778621B2 JP2778621B2 JP7113403A JP11340395A JP2778621B2 JP 2778621 B2 JP2778621 B2 JP 2778621B2 JP 7113403 A JP7113403 A JP 7113403A JP 11340395 A JP11340395 A JP 11340395A JP 2778621 B2 JP2778621 B2 JP 2778621B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，光学的情報記録媒体に
関し，詳しくは，レーザ光の照射による昇温，冷却等の
熱履歴の違いにより誘起される可逆相変化に伴う光学的
性質の変化を利用して情報の記録を行う光学的情報記録
媒体，すなわち相変化光ディスクに関するものである。
関し，詳しくは，レーザ光の照射による昇温，冷却等の
熱履歴の違いにより誘起される可逆相変化に伴う光学的
性質の変化を利用して情報の記録を行う光学的情報記録
媒体，すなわち相変化光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を利用して情報の記録・再生を
行う光ディスクは，大容量，可搬型のファイルメモリと
して注目されており，すでに，再生専用型，追記型，書
換型光磁気ディスクが実用化されている。オーバライト
が可能な光ディスクとしては，相変化光ディスク，交換
結合光磁気ディスク，磁界変調光磁気ディスクなどが公
知であり，その中でも相変化光ディスクは，記録・消去
に際して磁場を用いる必要がなく，光ヘッドの構造が簡
単，両面ディスクが可能，動作温度依存が小さいなど，
多くの長所を有している。
行う光ディスクは，大容量，可搬型のファイルメモリと
して注目されており，すでに，再生専用型，追記型，書
換型光磁気ディスクが実用化されている。オーバライト
が可能な光ディスクとしては，相変化光ディスク，交換
結合光磁気ディスク，磁界変調光磁気ディスクなどが公
知であり，その中でも相変化光ディスクは，記録・消去
に際して磁場を用いる必要がなく，光ヘッドの構造が簡
単，両面ディスクが可能，動作温度依存が小さいなど，
多くの長所を有している。
【０００３】この相変化光ディスクは，アモルファス−
結晶間の可逆相変化を情報の記録に用いており，高パワ
ーの光を照射して記録膜を溶融，急冷しアモルファス化
する動作を記録動作に，低パワーの光を照射して記録膜
を結晶化温度以上に保持して結晶化する動作を消去動作
としている。そのため消去可能な最高線速は記録膜の結
晶化時間によって制限されている。
結晶間の可逆相変化を情報の記録に用いており，高パワ
ーの光を照射して記録膜を溶融，急冷しアモルファス化
する動作を記録動作に，低パワーの光を照射して記録膜
を結晶化温度以上に保持して結晶化する動作を消去動作
としている。そのため消去可能な最高線速は記録膜の結
晶化時間によって制限されている。
【０００４】こうした相変化光ディスクの記録膜を形成
する方法として，真空蒸着法，イオンプレーティング
法，スパッタ法などが公知であり，特にスパッタ法は組
成，膜厚の制御性がよく，量産化に適するという長所を
有している。
する方法として，真空蒸着法，イオンプレーティング
法，スパッタ法などが公知であり，特にスパッタ法は組
成，膜厚の制御性がよく，量産化に適するという長所を
有している。
【０００５】例えば，特開平１−３０７０３８号公報
（以下，従来例１と呼ぶ）に記載の発明においては，相
変化光ディスクの記録膜を形成する方法として，直流ス
パッタ法を用い，かつ放電を安定化するためにアルゴン
ガス圧を０．６７〜１．３Ｐａに，印加電力を０．１〜
０．２ｋＷの条件下で行うことが望ましいとされててい
る。
（以下，従来例１と呼ぶ）に記載の発明においては，相
変化光ディスクの記録膜を形成する方法として，直流ス
パッタ法を用い，かつ放電を安定化するためにアルゴン
ガス圧を０．６７〜１．３Ｐａに，印加電力を０．１〜
０．２ｋＷの条件下で行うことが望ましいとされててい
る。
【０００６】また，特開平４−２３８１２５号公報（以
下，従来例２と呼ぶ）には，高周波スパッタ法を用い，
アルゴンガス圧を０．２Ｐａと低く設定する方法が開示
されている。
下，従来例２と呼ぶ）には，高周波スパッタ法を用い，
アルゴンガス圧を０．２Ｐａと低く設定する方法が開示
されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクの転送速度
を向上させる方法として，線速度をあげる方法が有効で
ある。しかしながら相変化光ディスクにおいて線速度を
あげようとすると，先に述べたように消去動作が結晶化
に対応しているために，結晶化速度が不足して消去が不
十分になるという問題があった。
を向上させる方法として，線速度をあげる方法が有効で
ある。しかしながら相変化光ディスクにおいて線速度を
あげようとすると，先に述べたように消去動作が結晶化
に対応しているために，結晶化速度が不足して消去が不
十分になるという問題があった。
【０００８】また，相変化光ディスクの記録膜のような
半導体的性質を持つ材料を形成する方法として，上記従
来例１に示されているようなＤＣスパッタ法を用いた場
合，帯電して異常放電を生じやすく安定な成膜が困難で
あるため，成膜条件が限定されるという問題があった。
半導体的性質を持つ材料を形成する方法として，上記従
来例１に示されているようなＤＣスパッタ法を用いた場
合，帯電して異常放電を生じやすく安定な成膜が困難で
あるため，成膜条件が限定されるという問題があった。
【０００９】一方，上記従来例２に示されたような高周
波スパッタ法を用いた場合には，導電体から絶縁体まで
幅広い材料に対して安定な成膜が行えるが，その成膜条
件に関しては詳細には検討されていなかった。特に，成
膜条件と記録膜の結晶化速度との関係という観点からの
検討は行われていなかった。
波スパッタ法を用いた場合には，導電体から絶縁体まで
幅広い材料に対して安定な成膜が行えるが，その成膜条
件に関しては詳細には検討されていなかった。特に，成
膜条件と記録膜の結晶化速度との関係という観点からの
検討は行われていなかった。
【００１０】そこで，本発明の一つの技術的課題は，レ
ーザ光の照射による昇温，冷却等の熱履歴の違いにより
誘起される光学的性質の変化を利用して情報の記録を行
う光学的情報記録媒体，すなわち相変化光ディスクにお
いて，結晶化速度を速くして高線速でも使用できる光学
的情報記録媒体の製造方法を提供することにある。
ーザ光の照射による昇温，冷却等の熱履歴の違いにより
誘起される光学的性質の変化を利用して情報の記録を行
う光学的情報記録媒体，すなわち相変化光ディスクにお
いて，結晶化速度を速くして高線速でも使用できる光学
的情報記録媒体の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【００１２】また，本発明のもう一つの技術的課題は，
安定な成膜を行える光学的情報記録媒体の製造方法を提
供することにある。
安定な成膜を行える光学的情報記録媒体の製造方法を提
供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は，記録膜の成
膜条件と結晶化速度の関係という観点から鋭意研究を重
ねた結果，記録膜を高周波スパッタ法を用いて形成し，
かつその際にアルゴンガス圧を制御することにより特定
のアルゴンガス圧において記録膜の結晶化速度が速くな
ることを見いだし，この知見に基づいて本発明を完成す
るに至ったものである。
膜条件と結晶化速度の関係という観点から鋭意研究を重
ねた結果，記録膜を高周波スパッタ法を用いて形成し，
かつその際にアルゴンガス圧を制御することにより特定
のアルゴンガス圧において記録膜の結晶化速度が速くな
ることを見いだし，この知見に基づいて本発明を完成す
るに至ったものである。
【００１４】即ち，本発明は，基板上に，レーザ光の照
射による昇温及び冷却の内の少なくとも一方の熱履歴の
違いによって光学的性質が変化する記録膜を備えた光学
的情報記録媒体において，前記記録膜を高周波スパッタ
法によりアルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａの条件下で
形成することを特徴としている。
射による昇温及び冷却の内の少なくとも一方の熱履歴の
違いによって光学的性質が変化する記録膜を備えた光学
的情報記録媒体において，前記記録膜を高周波スパッタ
法によりアルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａの条件下で
形成することを特徴としている。
【００１５】
【００１６】ここで，本発明において，基板上に形成さ
れる記録膜には，レーザ光の照射による昇温，冷却の熱
履歴の違いにより光学的性質が変化する物質，例えば，
Ｓｅ，Ｔｅなどのカルコゲン系材料が用いられる。この
ようなカルコゲン系材料として，例えば，Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系合金，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系合金等を用いることができる。
れる記録膜には，レーザ光の照射による昇温，冷却の熱
履歴の違いにより光学的性質が変化する物質，例えば，
Ｓｅ，Ｔｅなどのカルコゲン系材料が用いられる。この
ようなカルコゲン系材料として，例えば，Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系合金，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系合金等を用いることができる。
【００１７】
【作用】本発明における記録膜を高周波スパッタ法を用
いて形成する際の，アルゴンガス圧の制御により記録膜
の結晶化速度を速くすることについての詳細なメカニズ
ムについては解明されていない。しかし，この結晶化速
度が変化することは，成膜時のアルゴンガス圧に依存し
て，膜の緻密性，組織，膜中に含まれるアルゴン量，内
部応力などが変化するためであると推定される。
いて形成する際の，アルゴンガス圧の制御により記録膜
の結晶化速度を速くすることについての詳細なメカニズ
ムについては解明されていない。しかし，この結晶化速
度が変化することは，成膜時のアルゴンガス圧に依存し
て，膜の緻密性，組織，膜中に含まれるアルゴン量，内
部応力などが変化するためであると推定される。
【００１８】本発明においては，このアルゴンガス圧に
より結晶化速度が速くなる現象を用いることにより，相
変化光ディスクにおいて従来よりも高線速条件下でも十
分な消去率を得ることができ，高転送速度化を達成する
ことができる。
より結晶化速度が速くなる現象を用いることにより，相
変化光ディスクにおいて従来よりも高線速条件下でも十
分な消去率を得ることができ，高転送速度化を達成する
ことができる。
【００１９】
【実施例】以下，本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２０】図１は本発明の光学情報媒体を作製するた
めの装置の１例を示す図である。図１を参照して，装置
は，真空チャンバ１を備えている。この真空チャンバ１
内の基板ホルダ２に基板３が取り付けられている。真空
チャンバ１内の基板３に対向してターゲット４が設けら
れ，このターゲット４には，電力を印加する高周波電源
６とともにマッチング回路５が接続されている。また，
真空チャンバ１の両側には，スパッタガス導入口７及び
排気口８が設けられ，真空チャンバ１内は，排気口８よ
り油拡散ポンプ，クライオポンプなどにより十分高真空
となるまで排気された後，スパッタガス導入口７より不
活性ガス，例えば，アルゴンガスが導入される。
めの装置の１例を示す図である。図１を参照して，装置
は，真空チャンバ１を備えている。この真空チャンバ１
内の基板ホルダ２に基板３が取り付けられている。真空
チャンバ１内の基板３に対向してターゲット４が設けら
れ，このターゲット４には，電力を印加する高周波電源
６とともにマッチング回路５が接続されている。また，
真空チャンバ１の両側には，スパッタガス導入口７及び
排気口８が設けられ，真空チャンバ１内は，排気口８よ
り油拡散ポンプ，クライオポンプなどにより十分高真空
となるまで排気された後，スパッタガス導入口７より不
活性ガス，例えば，アルゴンガスが導入される。
【００２１】本発明においては，導入するアルゴンガス
圧を０．４〜１．８Ｐａに，さらに好ましくは０．６〜
１．２Ｐａに制御することが重要である。
圧を０．４〜１．８Ｐａに，さらに好ましくは０．６〜
１．２Ｐａに制御することが重要である。
【００２２】次に，本発明の光学的情報記録媒体の製造
の具体例について説明する。
の具体例について説明する。
【００２３】（実施例１）直径１３０ｍｍφ，厚さ１．
２ｍｍ厚のポリカーボネイト基板３上にＺｎＳ−２０ａ
ｔ％ＳｉＯ2 を１８０ｎｍ，記録膜のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 を２０ｎｍ，保護膜のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を
２０ｎｍ，反射層のＡｌを６０ｎｍ順次，高周波スパッ
タ法で形成し，光ディスク試料とした。一方，同一構成
で，記録膜以外の成膜条件を一定とし，記録膜の成膜時
のアルゴンガス圧だけを０．１Ｐａから２．０Ｐａと変
えた試料を作製した。アルゴンガス流量は１００ｓｃｃ
ｍ，スパッタパワーは１．８×１０-2Ｗ／ｍ2 とした。
記録膜の成膜用ターゲットの組成はＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5
である。
２ｍｍ厚のポリカーボネイト基板３上にＺｎＳ−２０ａ
ｔ％ＳｉＯ2 を１８０ｎｍ，記録膜のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 を２０ｎｍ，保護膜のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ2 を
２０ｎｍ，反射層のＡｌを６０ｎｍ順次，高周波スパッ
タ法で形成し，光ディスク試料とした。一方，同一構成
で，記録膜以外の成膜条件を一定とし，記録膜の成膜時
のアルゴンガス圧だけを０．１Ｐａから２．０Ｐａと変
えた試料を作製した。アルゴンガス流量は１００ｓｃｃ
ｍ，スパッタパワーは１．８×１０-2Ｗ／ｍ2 とした。
記録膜の成膜用ターゲットの組成はＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5
である。
【００２４】以上の工程によって形成された光ディスク
試料において，記録膜の組成をＩＣＰ発光分光分析法で
測定したところ，ガス圧によらずほぼターゲット組成と
同一組成の膜が形成されていることが確認された。
試料において，記録膜の組成をＩＣＰ発光分光分析法で
測定したところ，ガス圧によらずほぼターゲット組成と
同一組成の膜が形成されていることが確認された。
【００２５】次に，作製した光ディスク試料を，線速が
１５．０ｍ／ｓおよび１８．８ｍ／ｓとなるように回転
させ，記録消去特性を評価した。この記録消去再生に用
いた光学ヘッドは，半導体レーザの波長が８２０ｎｍ，
対物レンズのＮＡは０．５５である。再生パワーは１．
０ｍＷとした。各試料とも記録前にあらかじめＤＣレー
ザ光を照射して記録層を成膜直後の非晶質状態から結晶
状態に変化させてある。
１５．０ｍ／ｓおよび１８．８ｍ／ｓとなるように回転
させ，記録消去特性を評価した。この記録消去再生に用
いた光学ヘッドは，半導体レーザの波長が８２０ｎｍ，
対物レンズのＮＡは０．５５である。再生パワーは１．
０ｍＷとした。各試料とも記録前にあらかじめＤＣレー
ザ光を照射して記録層を成膜直後の非晶質状態から結晶
状態に変化させてある。
【００２６】各光ディスク試料に，あらかじめ，２次高
調波歪みが最小となる記録パワーで３．７ＭＨｚの信号
を記録した後，ＤＣ消去を行い，最も高いＤＣ消去率が
得られた消去パワーでＤＣ消去を繰り返した。このとき
の初回と２回目のＤＣ消去率の差を，ＤＣ消去の消し残
りと定義し，結晶化速度を評価した。ＤＣ消去の消し残
りが小さいほど，初回から飽和消去率が得られているこ
とになるので，結晶化速度が速いということになる。
調波歪みが最小となる記録パワーで３．７ＭＨｚの信号
を記録した後，ＤＣ消去を行い，最も高いＤＣ消去率が
得られた消去パワーでＤＣ消去を繰り返した。このとき
の初回と２回目のＤＣ消去率の差を，ＤＣ消去の消し残
りと定義し，結晶化速度を評価した。ＤＣ消去の消し残
りが小さいほど，初回から飽和消去率が得られているこ
とになるので，結晶化速度が速いということになる。
【００２７】図２はこの光ディスク試料の結晶化速度測
定結果を示す図である。図２に示すように，線速１５．
０ｍ／ｓにおけるＤＣ消去の消し残りが３ｄＢ以下であ
ることを基準にすると，記録膜の成膜時のアルゴンガス
圧が０．４Ｐａから１．８Ｐａにおいて結晶化速度が速
くなっていることがわかる。また，さらに好ましい範囲
を限定するならば，線速１８．８ｍ／ｓにおけるＤＣ消
去の消し残りを参考にすると，０．６Ｐａから１．２Ｐ
ａにおいて特に結晶化速度が速くなっていることがわか
る。
定結果を示す図である。図２に示すように，線速１５．
０ｍ／ｓにおけるＤＣ消去の消し残りが３ｄＢ以下であ
ることを基準にすると，記録膜の成膜時のアルゴンガス
圧が０．４Ｐａから１．８Ｐａにおいて結晶化速度が速
くなっていることがわかる。また，さらに好ましい範囲
を限定するならば，線速１８．８ｍ／ｓにおけるＤＣ消
去の消し残りを参考にすると，０．６Ｐａから１．２Ｐ
ａにおいて特に結晶化速度が速くなっていることがわか
る。
【００２８】（実施例２）実施例１と同様に，ただし，
アルゴンガス圧は１．０Ｐａに，アルゴンガス流量は１
００ｓｃｃｍとして，スパッタパワーを１．２×１０-2
〜４．６×１０-2Ｗ／ｍ2 と変えられた光ディスク試料
を作製した。さらに低パワーになると成膜速度が速くな
って実用的な成膜速度が得られなくなる可能性がある
が，設定したスパッタパワーの下限である１．２×１０
-2Ｗ／ｍ2 においても成膜速度が毎分２．５ｎｍと充分
実用的な値が得られた。また，あまり高パワーになる
と，異常放電が発生して安定な成膜が行えなくなる可能
性があるが，設定したスパッタパワーの上限である４．
６×１０-2Ｗ／ｍ2 においても放電は安定していた。
アルゴンガス圧は１．０Ｐａに，アルゴンガス流量は１
００ｓｃｃｍとして，スパッタパワーを１．２×１０-2
〜４．６×１０-2Ｗ／ｍ2 と変えられた光ディスク試料
を作製した。さらに低パワーになると成膜速度が速くな
って実用的な成膜速度が得られなくなる可能性がある
が，設定したスパッタパワーの下限である１．２×１０
-2Ｗ／ｍ2 においても成膜速度が毎分２．５ｎｍと充分
実用的な値が得られた。また，あまり高パワーになる
と，異常放電が発生して安定な成膜が行えなくなる可能
性があるが，設定したスパッタパワーの上限である４．
６×１０-2Ｗ／ｍ2 においても放電は安定していた。
【００２９】（比較例１）実施例１と同様に，ただし，
アルゴンガス圧は１．０Ｐａに，スパッタパワーは１．
８×１０-2Ｗ／ｍ2 として，アルゴンガス流量を１０〜
１５０ｓｃｃｍと変えた試料を作製した。実施例１と同
様に，ＤＣ消去の消し残りを測定した。図３は，この測
定結果を示している。図３に示すように，ＤＣ消去の消
し残りはアルゴンガス流量にはほとんど依存せず，アル
ゴンガス流量に関して幅広い成膜マージンがあることが
確認された。
アルゴンガス圧は１．０Ｐａに，スパッタパワーは１．
８×１０-2Ｗ／ｍ2 として，アルゴンガス流量を１０〜
１５０ｓｃｃｍと変えた試料を作製した。実施例１と同
様に，ＤＣ消去の消し残りを測定した。図３は，この測
定結果を示している。図３に示すように，ＤＣ消去の消
し残りはアルゴンガス流量にはほとんど依存せず，アル
ゴンガス流量に関して幅広い成膜マージンがあることが
確認された。
【００３０】（実施例３）実施例１と同様に，ただし，
記録膜の成膜用ターゲットをＧｅ1 Ｓｂ4 Ｔｅ7とし
て，記録膜の成膜時のアルゴンガス圧だけを０．１Ｐａ
から２．０Ｐａと変えた光ディスク試料を作製した。ア
ルゴンガス流量は１００ｓｃｃｍ，スパッタパワーは
１．８×１０-2Ｗ／ｍ2 である。実施例１と同様に，た
だし，線速は２０．０ｍ／ｓとしてＤＣ消去の消し残り
を測定した。図４はその測定結果を示している。図４に
示すように，記録膜がＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の場合とほぼ
同様に，アルゴンガス圧が０．４〜１．４Ｐａにおいて
ＤＣ消去の消し残りが少なく，結晶化速度が速くなって
いることがわかる。
記録膜の成膜用ターゲットをＧｅ1 Ｓｂ4 Ｔｅ7とし
て，記録膜の成膜時のアルゴンガス圧だけを０．１Ｐａ
から２．０Ｐａと変えた光ディスク試料を作製した。ア
ルゴンガス流量は１００ｓｃｃｍ，スパッタパワーは
１．８×１０-2Ｗ／ｍ2 である。実施例１と同様に，た
だし，線速は２０．０ｍ／ｓとしてＤＣ消去の消し残り
を測定した。図４はその測定結果を示している。図４に
示すように，記録膜がＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の場合とほぼ
同様に，アルゴンガス圧が０．４〜１．４Ｐａにおいて
ＤＣ消去の消し残りが少なく，結晶化速度が速くなって
いることがわかる。
【００３１】（参考例１） シリコン基板上に記録膜のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 だけを１
００ｎｍ形成した試料を作製し，記録膜中に含まれるア
ルゴンの組成をラザフォード後方散乱分析法により分析
した。ここで記録膜の成膜には，実施例１と同様にＧｅ
2 Ｓｂ2 Ｔｅ5ターゲットを用いた。分析条件は，入射
ビームＨｅ2+，加速ネルギーは２．７ＭｅＶ，ビーム径
は１ｍｍφ，入射角３０°，検出角１６５°である。図
５はその分析結果を示している。図５の結果を図２とあ
わせて検討すると，記録膜のアルゴン含有量が０．０９
〜０．２０ａｔ％の時に結晶化速度が速くなっているこ
とがわかった。
００ｎｍ形成した試料を作製し，記録膜中に含まれるア
ルゴンの組成をラザフォード後方散乱分析法により分析
した。ここで記録膜の成膜には，実施例１と同様にＧｅ
2 Ｓｂ2 Ｔｅ5ターゲットを用いた。分析条件は，入射
ビームＨｅ2+，加速ネルギーは２．７ＭｅＶ，ビーム径
は１ｍｍφ，入射角３０°，検出角１６５°である。図
５はその分析結果を示している。図５の結果を図２とあ
わせて検討すると，記録膜のアルゴン含有量が０．０９
〜０．２０ａｔ％の時に結晶化速度が速くなっているこ
とがわかった。
【００３２】（参考例２）参考例１と 同様に，シリコン基板上にＧｅ1 Ｓｂ4 Ｔｅ
7 だけを１００ｎｍ形成した試料を作製し，記録膜中に
含まれるアルゴンの組成をラザフォード後方散乱分析法
により分析したところ，実施例４とほぼ同様に，記録膜
のアルゴン含有量が０．０９〜０．２０ａｔ％の時に結
晶化速度が速くなっていることがわかった。
7 だけを１００ｎｍ形成した試料を作製し，記録膜中に
含まれるアルゴンの組成をラザフォード後方散乱分析法
により分析したところ，実施例４とほぼ同様に，記録膜
のアルゴン含有量が０．０９〜０．２０ａｔ％の時に結
晶化速度が速くなっていることがわかった。
【００３３】
【発明の効果】以上，説明したように，本発明では，基
板上に，レーザ光の照射による昇温，冷却等の熱履歴の
違いによって光学的性質が変化する記録膜を備えた光学
的情報記録媒体において，前記記録膜がアルゴンを含有
すること，及び前記記録膜を高周波スパッタ法によりア
ルゴンガス圧０．４〜１．８Ｐａの条件下で形成するこ
とによって，記録膜の結晶化速度が速く高線速において
もオーバライトが可能な光学的情報記録媒体を得ること
ができるため，相変化光ディスクの転送速度を大幅に向
上することが可能となる。
板上に，レーザ光の照射による昇温，冷却等の熱履歴の
違いによって光学的性質が変化する記録膜を備えた光学
的情報記録媒体において，前記記録膜がアルゴンを含有
すること，及び前記記録膜を高周波スパッタ法によりア
ルゴンガス圧０．４〜１．８Ｐａの条件下で形成するこ
とによって，記録膜の結晶化速度が速く高線速において
もオーバライトが可能な光学的情報記録媒体を得ること
ができるため，相変化光ディスクの転送速度を大幅に向
上することが可能となる。
【図１】本発明の装置の１例を示す図である。
【図２】本発明の実施例１に係る光学的情報記録媒体の
記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，結晶化速度に対応し
ているＤＣ消去の消し残りとの関係を示す図である。
記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，結晶化速度に対応し
ているＤＣ消去の消し残りとの関係を示す図である。
【図３】比較例として，記録膜成膜時のアルゴンガス流
量と，結晶化速度に対応しているＤＣ消去の消し残りと
の関係を示す図である。
量と，結晶化速度に対応しているＤＣ消去の消し残りと
の関係を示す図である。
【図４】本発明の実施例３に係る光学的情報記録媒体の
記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，結晶化速度に対応し
ているＤＣ消去の消し残りとの関係を示す図である。
記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，結晶化速度に対応し
ているＤＣ消去の消し残りとの関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例４に係る光学的情報記録媒体の
記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，記録膜のアルゴン含
有量の関係を示す図である。
記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，記録膜のアルゴン含
有量の関係を示す図である。
１ 真空チャンバ ２ 基板ホルダ ３ 基板 ４ ターゲット ５ マッチング回路 ６ 高周波電源 ７ スパッタガス導入口 ８ 排気口
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に，レーザ光の照射による昇温及
び冷却の内の少なくとも一方の熱履歴の違いによって光
学的性質が変化する記録膜を備えた光学的情報記録媒体
において，前記記録膜を高周波スパッタ法によりアルゴ
ンガス圧０．８〜１．０Ｐａの条件下で形成することを
特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7113403A JP2778621B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7113403A JP2778621B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08300821A JPH08300821A (ja) | 1996-11-19 |
| JP2778621B2 true JP2778621B2 (ja) | 1998-07-23 |
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ID=14611417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7113403A Expired - Fee Related JP2778621B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2778621B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-05-11 JP JP7113403A patent/JP2778621B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08300821A (ja) | 1996-11-19 |
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