JPH0678032B2 - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
- Publication number
- JPH0678032B2 JPH0678032B2 JP60172647A JP17264785A JPH0678032B2 JP H0678032 B2 JPH0678032 B2 JP H0678032B2 JP 60172647 A JP60172647 A JP 60172647A JP 17264785 A JP17264785 A JP 17264785A JP H0678032 B2 JPH0678032 B2 JP H0678032B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- film
- substrate
- chalcogen
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザビームを照射して局部的に加熱し、その
加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによっ
て記録する光学記録用媒体に関するものである。
加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによっ
て記録する光学記録用媒体に関するものである。
（従来の技術） 基板上に形成された薄膜にレーザビームを照射して、ピ
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来よりTeを使用することが知られている。Teは低融点、
低熱伝導度を有する為に、上記方法による記録において
高い感度を示す。しかし、Teは酸化され易く、酸化され
ると透明になり記録が出来なくなるという問題がある。
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来よりTeを使用することが知られている。Teは低融点、
低熱伝導度を有する為に、上記方法による記録において
高い感度を示す。しかし、Teは酸化され易く、酸化され
ると透明になり記録が出来なくなるという問題がある。
上記問題点を改良したものとして、Teを合金化したも
の、Teの低酸化物、Teを有機膜中に分散させたもの等が
ある（たとえば、特開昭53−31104号公報、特開昭58−5
4338号公報、特開昭57−98394号公報）。
の、Teの低酸化物、Teを有機膜中に分散させたもの等が
ある（たとえば、特開昭53−31104号公報、特開昭58−5
4338号公報、特開昭57−98394号公報）。
Teを合金化したものではTeSe合金が耐酸化性に優れた膜
として知られている。これはTe、Seの蒸着あるいはTeSe
合金ターゲットのスパッタリングにより得ることができ
る。
として知られている。これはTe、Seの蒸着あるいはTeSe
合金ターゲットのスパッタリングにより得ることができ
る。
しかし、上記方法により得られたTeSe合金薄膜はサブミ
クロンオーダーの結晶粒径をもち、再生信号のノイズが
大きいという難点をもつ、この結晶粒径を小さくする為
に、In、Sn、Pb、Bi、Sb等の第三元素の添加が効果があ
ることが知られている。（特公昭59−35356） 本発明者らは、このようなTeを中心とする系についてさ
らに種々検討した結果、経時安定性が優れかつ蒸着法、
スパッタリング法で問題となる結晶粒径を抑えた記録媒
体を得、本発明に到達した。
クロンオーダーの結晶粒径をもち、再生信号のノイズが
大きいという難点をもつ、この結晶粒径を小さくする為
に、In、Sn、Pb、Bi、Sb等の第三元素の添加が効果があ
ることが知られている。（特公昭59−35356） 本発明者らは、このようなTeを中心とする系についてさ
らに種々検討した結果、経時安定性が優れかつ蒸着法、
スパッタリング法で問題となる結晶粒径を抑えた記録媒
体を得、本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、TeあるいはTeを主体とする
合金をSeF6ガスにより反応性スパッタリングし、基板上
に、Teが50〜95容量％の割合のTe−SeF6薄膜を形成させ
てなる光学的記録媒体にある。
合金をSeF6ガスにより反応性スパッタリングし、基板上
に、Teが50〜95容量％の割合のTe−SeF6薄膜を形成させ
てなる光学的記録媒体にある。
（発明の構成） まず、本発明に係る記録媒体の基板としては、ガラス、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは
一般に１〜1.5mm程度から選ばれる。
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは
一般に１〜1.5mm程度から選ばれる。
本発明においては、この基板上に金属の弗化カルコゲン
ガスによる反応性スパッタリング膜を形成させる。
ガスによる反応性スパッタリング膜を形成させる。
金属としてはTeあるいはTeを主体とする金属ターゲット
が用いられる。
が用いられる。
弗化カルコゲンガスとしてはSeF6が用いられる。
本発明に係る記録用媒体は、例えば金属ターゲットとし
てTe、弗化カルコゲンとしてSeF6を用いる場合、真空容
器中にSeF6及びArを導入し、Teターゲットをスパッタリ
ングして、基板上にTe−SeF6反応性スパッタリング膜を
形成させることにより得られる。
てTe、弗化カルコゲンとしてSeF6を用いる場合、真空容
器中にSeF6及びArを導入し、Teターゲットをスパッタリ
ングして、基板上にTe−SeF6反応性スパッタリング膜を
形成させることにより得られる。
スパッタリングに際しては、高周波法、直流法又はそれ
らのマグネトロン方式の常法によることができる。
らのマグネトロン方式の常法によることができる。
基板温度は、室温ないし基板の軟化点未満に保持され
る。薄膜の厚みは、通常50Å〜１μ程度、好ましくは20
0〜1,000Å程度である。
る。薄膜の厚みは、通常50Å〜１μ程度、好ましくは20
0〜1,000Å程度である。
本発明に係る記録媒体においては、反応性スパッタリン
グ膜として、さらに物性向上のため、金属−弗化カルコ
ゲン−有機化合物膜とすることができる。
グ膜として、さらに物性向上のため、金属−弗化カルコ
ゲン−有機化合物膜とすることができる。
すなわち、上記、弗化カルコゲンに加え、さらに有機化
合物をガス（有機ガスという）として真空容器内に導入
しTeターゲットをスパッタリングし、基板上に金属−弗
化カルコゲン・有機ガス反応性スパッタリング膜を形成
させることにより本発明に係る記録媒体を得ることがで
きる。
合物をガス（有機ガスという）として真空容器内に導入
しTeターゲットをスパッタリングし、基板上に金属−弗
化カルコゲン・有機ガス反応性スパッタリング膜を形成
させることにより本発明に係る記録媒体を得ることがで
きる。
上記第３の原料としての有機化合物としては、従来、有
機放電重合膜を形成させるのに用いられているものが好
適に使用される。
機放電重合膜を形成させるのに用いられているものが好
適に使用される。
たとえば、好適にはベンゼン、スチレン、クロロベンゼ
ン等のベンゼンないしベンゼン誘導体、ヘキサメチルジ
シロキサン等の含ケイ素化合物、エチレン等のオレフイ
ン化合物、メタン等のパラフイン類、ピリジン等のピリ
ジン類、ジメチルホルムアミド等のアミド類のＮ含有化
合物があげられる。また、ジメチルテルル、ジエチルテ
ルル等のアルキル化金属等も使用しうる。
ン等のベンゼンないしベンゼン誘導体、ヘキサメチルジ
シロキサン等の含ケイ素化合物、エチレン等のオレフイ
ン化合物、メタン等のパラフイン類、ピリジン等のピリ
ジン類、ジメチルホルムアミド等のアミド類のＮ含有化
合物があげられる。また、ジメチルテルル、ジエチルテ
ルル等のアルキル化金属等も使用しうる。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光学記録媒体の製造のための装置
の一例（（ａ）：高周波（RF）法、（ｂ）：直流（DC）
法）であり、図中（１）は反応容器、（２）は弗化カル
コゲン、（及び有機ガス）及びArガス導入口、（３）は
基板、（４）は金属ターゲット、（５）は電極、（６）
はシャッター、（７）は排気口である。
の一例（（ａ）：高周波（RF）法、（ｂ）：直流（DC）
法）であり、図中（１）は反応容器、（２）は弗化カル
コゲン、（及び有機ガス）及びArガス導入口、（３）は
基板、（４）は金属ターゲット、（５）は電極、（６）
はシャッター、（７）は排気口である。
金属−弗化カルコゲン反応性スパッタリング膜の作製は
反応容器（１）を10-6Torr台まで排気した後、弗化カル
コゲンガス（及び有機ガス）及びArガスを導入口（２）
より導入し反応容器の内圧を５×10-3〜５×10-2Torrと
なるようにする。次にシャッター（６）を閉じた状態で
電極（５）に高周波または直流の電圧を印加し、放電を
起こし、金属ターゲット表面をプリスパッタリングす
る。安定化したならシャッターを開け、基板上に金属−
弗化カルコゲン（−有機化合物）反応性スパッタリング
膜を形成する。
反応容器（１）を10-6Torr台まで排気した後、弗化カル
コゲンガス（及び有機ガス）及びArガスを導入口（２）
より導入し反応容器の内圧を５×10-3〜５×10-2Torrと
なるようにする。次にシャッター（６）を閉じた状態で
電極（５）に高周波または直流の電圧を印加し、放電を
起こし、金属ターゲット表面をプリスパッタリングす
る。安定化したならシャッターを開け、基板上に金属−
弗化カルコゲン（−有機化合物）反応性スパッタリング
膜を形成する。
本発明に係る記録用媒体は上記のように基板上に、上記
反応性スパッタリング膜を形成させてなるか、さらに基
板と堆積膜の間に記録感度の向上、基板表面の改質、孔
形状の向上等のために下引層を設けることもでき、さら
には、記録媒体の保護のために堆積膜上に保護膜を設け
ることもできる。
反応性スパッタリング膜を形成させてなるか、さらに基
板と堆積膜の間に記録感度の向上、基板表面の改質、孔
形状の向上等のために下引層を設けることもでき、さら
には、記録媒体の保護のために堆積膜上に保護膜を設け
ることもできる。
得られた膜が半導体レーザの波長で十分な吸収を示すよ
うに、Teの含有量は50〜95容量％とされる。
うに、Teの含有量は50〜95容量％とされる。
金属（Te）と弗化カルコゲン（SeF6）との二成分系の場
合には残部すなわち５〜50容量％が弗化カルコゲンとな
り、金属、弗化カルコゲン及び有機化合物の三成分系の
場合には残部すなわち５〜50容量％が弗化カルコゲンと
有機化合物からなるのが良い。この三成分系の場合には
有機化合物が弗化カルコゲンより多く含まれているのが
好ましい。
合には残部すなわち５〜50容量％が弗化カルコゲンとな
り、金属、弗化カルコゲン及び有機化合物の三成分系の
場合には残部すなわち５〜50容量％が弗化カルコゲンと
有機化合物からなるのが良い。この三成分系の場合には
有機化合物が弗化カルコゲンより多く含まれているのが
好ましい。
本発明に係る光学的記録用媒体は、光デイスク記録媒体
として有用であり、レーザービームを照射して加熱する
ことにより、穴をあけ、もしくは凹又は凸部を形成させ
て、記録を行なうことができる。
として有用であり、レーザービームを照射して加熱する
ことにより、穴をあけ、もしくは凹又は凸部を形成させ
て、記録を行なうことができる。
（実施例） 以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本
発明が実施例のみに限定されるものでないことは勿論の
ことである。
発明が実施例のみに限定されるものでないことは勿論の
ことである。
実施例１ 第１図（ａ）に示すパッタリング装置を用いて、予め洗
浄したポリメタクリル酸メチル樹脂（PMMA）又はポリカ
ーボネート樹脂（PC）基板を真空室にセットして室内を
≒１×10-6Torrまで排気した後、アルゴンを20ccｍ、Se
F6を５ccｍ流して案内圧力を≒５×10-3Torrにして極間
距離を80mm高周波（RF）パワーを50Wで15秒間反応性ス
パッタしたところいずれも膜厚≒250ÅのSeF6−Teスパ
ッタ膜（Te含有量:90容量％）が得られた。
浄したポリメタクリル酸メチル樹脂（PMMA）又はポリカ
ーボネート樹脂（PC）基板を真空室にセットして室内を
≒１×10-6Torrまで排気した後、アルゴンを20ccｍ、Se
F6を５ccｍ流して案内圧力を≒５×10-3Torrにして極間
距離を80mm高周波（RF）パワーを50Wで15秒間反応性ス
パッタしたところいずれも膜厚≒250ÅのSeF6−Teスパ
ッタ膜（Te含有量:90容量％）が得られた。
この膜を830nm、4mW出力の半導体レーザーを用いて記録
したところ、PMMA基板上に堆積した膜は、パルス巾200n
secで、PC基板上に堆積した膜はパルス巾250nsecでピッ
ト（開孔）が形成された。
したところ、PMMA基板上に堆積した膜は、パルス巾200n
secで、PC基板上に堆積した膜はパルス巾250nsecでピッ
ト（開孔）が形成された。
更に、これらのサンプルを60℃、80％RHの雰囲気で１ケ
月間保存したところ、830nmでの光反射率（30％程度）
は保存前後で変化がなかった。
月間保存したところ、830nmでの光反射率（30％程度）
は保存前後で変化がなかった。
（発明の効果） 本発明に係る記録用媒体は、C/N比、ピット形状、コン
トラスト、経時安定性にすぐれる。
トラスト、経時安定性にすぐれる。
また、金属ターゲットと反応性ガスによるスパッタで容
易に、効率よく膜が形成されるという、プロセス上の利
点も有する。
易に、効率よく膜が形成されるという、プロセス上の利
点も有する。
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る記録媒体の製造
のための一例を示す（（ａ）RF法、（ｂ）DC法）。 図中（１）は、反応容器、（２）はガス導入口、（３）
は基板、（４）は金属ターゲット、（５）は電極をそれ
ぞれ示す。
のための一例を示す（（ａ）RF法、（ｂ）DC法）。 図中（１）は、反応容器、（２）はガス導入口、（３）
は基板、（４）は金属ターゲット、（５）は電極をそれ
ぞれ示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀江 通和 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 田村 孝憲 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 大垣 光輝 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−124290（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−146461（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−64894（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−162092（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−148156（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−9232（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−57790（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】TeあるいはTeを主体とする合金をSeF6ガス
により反応性スパッタリングし、基板上に、Teが50〜95
容量％の割合のTe−SeF6薄膜を形成させてなる光学的記
録媒体。 - 【請求項２】SeF6ガスに有機ガスを併用することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172647A JPH0678032B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172647A JPH0678032B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 光学的記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233348A JPS6233348A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH0678032B2 true JPH0678032B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=15945760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172647A Expired - Lifetime JPH0678032B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678032B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589232A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5957790A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | エネルギ−情報記録用膜体の形成方法 |
| NL8300422A (nl) * | 1983-02-04 | 1984-09-03 | Philips Nv | Methode voor de vervaardiging van een optisch uitleesbare informatieschijf. |
| JPS59146461A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6064894A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | レ−ザ−記録材料 |
| JPS60124290A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学記録媒体の製造方法 |
| JPS59162092A (ja) * | 1984-01-20 | 1984-09-12 | Canon Inc | 記録媒体 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60172647A patent/JPH0678032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6233348A (ja) | 1987-02-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |