JPS62167619A - 磁気デイスク製膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分５′ｆ］ 本発明はプラスティック製の磁気ディスクにスパフタリ
ングで製膜するための磁気ディスク製膜装置に関するも
のである。

［従来の技術］ 真空１咬作成法の一つとして利用されるスパッタリング
により、磁気ディスクを製膜することが考えられている
。しかし、磁気ディスクの製膜は、アクリライト、ポリ
カーボネート等の耐熱温度の低いプラスティック製基板
の上に成膜して行くものであるため、通常のスパッタリ
ング法では基板温度が上昇して実施に耐えないものとな
ってしまう。これは、次のような理由に基づく。すなわ
ち、スパッタリングによる製膜は、アルゴンガス等を封
入した真空チャンバ内でターゲット（陰極）と基板（陽
極）とに直流又は高周波電圧を印加しグロー放電中で行
なわれるが、このさいノ１（板にはプラズマ中のＡｒイ
オン等が衝突してターゲットからスパッタされたスパッ
タ粒子が付着させるだけでなく、同時にプラズマ中のイ
オンや電子なども放電領場に臨む基板に衝突して、基板
にある程度以上の温度上昇を来たすことは不可避とされ
るからである。

［発明が解決しようとする問題点］ そこで、かかる磁気ディスクの製１１ｔ１を行なう場合
には、基板の温度上昇を極力防止する対策手段を講する
必要がある。従来、この目的で基板に水冷構造を採用し
たり、マグネトロン方式のスパッタリングを採用するこ
とが知られている。つまリ、前者は基板をその背面側か
ら強制冷却して基板の温度上昇防止を図るものであり、
一方後者はターゲット側にプラズマ中の電子をターゲッ
ト近傍にホールドする磁石を配置し放電積場からの基板
に対する電子の衝突を減少しようとするものである。

しかし、これらの手段を併用しても基板温度は１００〜
１５０℃にまで昇温しでしまうのが実際であって、前記
アクリライト等の耐熱温度が８０℃以下にすぎない条件
とはなお隔たりがある。

本発明は、このような問題点を克服し、スパッタリング
技術を利用して耐熱温度の低いプラスティック製磁気デ
ィスクの製膜が基板の過熱を引き起さず行なえ、しかも
その生産性も十分確保で、きる製膜装置を新たに提供す
ることを目的としている。

Ｅ問題点を解決するための手段］ 本発明は、この目的を達成するために、プラスティック
製磁−気ディスクを製膜するためのスパッタリング装置
であって、真空チャンバ内の同心軸まわりに各々複数個
のターゲットと基板を対向配置するとともに、前記基板
を前記同心軸のまわりに回転可能に設けたことを特徴と
する。

［作用］ このように構成したものであれば、回転する各ノ、（板
が周方向に複数個配置されたターゲットと間欠的に対面
し、基板をグロー放電積場に出入りさせながら成膜して
行くことができるものとなる。

したがって、各基板は断続的に放電積場に曝されてスパ
ッタ粒子が間欠的に付着されることになると同時に、放
電積場から基板に衝突する電子等もその分掛なくなり、
基板の温度上昇が有効に抑市できる。そして、基板に対
するスパッタ粒子の付着量の減少による成膜速度の低下
は、ターゲットが複数で各基板のターゲット側浄 自由に増大できること、並びに基板が複数で１チヤージ
に複数個の製膜作業が同時に完遂できることによりカバ
ーでき、操業ベースでの生産性も十分に確保できるもの
となる。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第１図、第２図は本発明に係る磁気ディスク製膜装置（
スパッタリング装置）の概要を図示し、図において１は
真空チャンバを示す。真空チャンバ１は、排気口１ａか
らその内部を真空排気した後、ガス供給口ｉｂからＡｒ
ガス等の封入ガスを導入し　１Ｏ−Ｉｔｏｒｒ程度の雰
囲気に調整される。そして、この真空チャンバｌ内に製
膜材料で形成された複数個のターゲット（陰極）２と、
ターゲット材料をその表面に成膜して行く複数個のプラ
スティック製基板（陽極）３とをシャッタ４を挟んで対
向配置している。この場合、ターゲット２は平面方形を
なす４個の分割ターゲラ）２ａ、２ｂ、２Ｃ１２ｄを軸
心Ｏまわりに等角間隔で配置したものであり、一方基板
３も同数の４枚で、各基板３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを共
通の基板ホルダ３Ａに対し前記軸心０と同心軸まわりで
等角間隔に配置して取り付けたものである。また、前記
シャフタ４はターゲット２近傍に配置され、各ターゲッ
ト２ａ〜２ｄに対応する位置にスリット状の開口部５を
有してなるものである。なお、夕一ゲ７ト２ａ〜２ｄは
独立した各ターゲットホルダ２Ａにセットされていると
ともに、その背面側のホルダ２Ａ中に磁石６を埋設して
、前記マグネトロン方式のスパッタリングを実施するも
のとしている。また、各ターゲットホルダ２Ａと基板ホ
ルダ３Ａとには、図示省略しているが、いずれも水冷シ
ャケ・リドを設けており、各ターゲット２ａ〜２ｄと各
基板３ａ〜３ｄとが絶えず背面側から強制冷却できるよ
うに構成しである。

しかして、各基板３ａ〜３ｄと各ターゲット２ａ〜２ｄ
とには、図示のようにホルダ３Ａ、２Ａに外部電源７の
給電端子が接続されて１両者の間に必要なスパッタリン
グ電圧が印加されるとともに、ノ、（板３ａ〜３ｄはそ
のホルダ３Ａと一体にターゲット２ａ〜２ｄと同心軸０
まわりに回転できるように構成されている。この場合具
体的には、ホルダ３Ａの支軸８をロータリジヨイント９
を介して回転自由に支持するとともに、外部モータｌ０
の駆動軸１１から変向ギヤ機構１２を介して支軸８にト
ルク伝達し、ホルダ３Ａと一体に基板３ａ〜３ｄを図示
の円周ｒ上で任意の角速度に回転できるようにしたもの
である。

このように構成した製膜装置を用いて基板３ａ〜３ｄに
ターゲツト材を成膜して行くときは、基板３ａ〜３ｄを
同心軸０まわりに適当な角速度で回転しつつスパッタリ
ングを実施する。すると、回転する４枚の基板３ａ〜３
ｄが周方向に４個に分割して配置されたターゲラ）２ａ
〜２ｄと間欠的に対面し、基板３ａ〜３ｄをグロー放電
積場に出入りさせながら成膜して行くことができるもの
となる。したがって、各基板３ａ〜３ｄは断続的に放電
積場に曝されてスパッタ粒子が間欠的に付着されること
になり、成ｎり中は加熱昇温されるものの、グロー放電
積場から外れたときにはプラズマ中から電子等の衝突が
シャッタ４で遮断されことになり、背面側の水冷作用に
チャンバｌ内でのＡｒガスによる冷却も加わって有効に
冷却されることになる。つまり、各基板３ａ〜３ｄは加
熱Ｑ冷却を交互に受けて、従来よりも遥かに低い温度で
シ１温を停止することかり能となるのである０図示実施
例の条件による場合の実例を示せば、基板温度を８０℃
以下に抑制することが可能であった。

ところで、この装置によりスパッタリングを実施した場
合には、各基板３ａ〜３ｄが放電積場を断続的に出入り
しスパッタ粒子が間欠的に付着されることになるため、
その成膜速度が低下することを免れないものとなる。し
かし、仮に各基板３ａ〜３ｄに対する成膜速度が連続ス
パッタ時のｌ／４に低ドしたとしても、この場合にはｌ
チャージで４個の製膜作業が同時に完遂できるから、こ
の点より操業ベースでの生産性を十分に維持することが
可能となる。

以上、一実施例について説明したが、本発明で真空チャ
ンバ内に対向配置するターゲットと基板の個数は勿論上
例の各４個に限るものではなく、条件に応じＪ５　（５
個でも６個でも）に増減できる。評言すれば、基板がそ
の耐熱温度を超えない範囲で最大の生産性が得られるタ
ーゲット又は基板の個数を選定するようにするのである
。なお、実施例ではたまたま基板とターゲットの個数が
一致しているが、必ずしもかかる条件には拘束されない
。

また、基板を複数ターゲットに対し同心軸まわりに回転
させるための機構は実施例で例示するものに限らず、そ
の他の適宜の機構が採用できる。

［発明の効果］ 本発明は、以上に説明した通りであって、スパッタリン
グによりプラスティック製基板にその耐熱温度以上に過
熱することなく、しかも高い生産性を確保して成膜する
ことができる磁気ディスク用の製膜装置が実現できたも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す装置の概略断面図であ
り、第２図はその要部の平面図である。 工・・・真空チャンバ、０・・・同心軸２（２ａ〜２ｄ
）・・・ターゲット ３（３ａ〜３ｄ）・・・基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. プラスティック製磁気ディスクを製膜するためのスパッ
   タリング装置であって、真空チャンバ内の同心軸まわり
   に各々複数個のターゲットと基板を対向配置するととも
   に、前記基板を前記同心軸のまわりに回転可能に設けた
   ことを特徴とする磁気ディスク製膜装置。