JPH10320852A - 薄膜形成方法およびそれを用いた光ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、一定の膜厚の薄膜を微細な凹凸が
形成された基板に形成することができる薄膜形成方法を
提供することを第１の目的とする。また、本発明は、そ
の薄膜形成方法を用いて、トラックピッチを狭くして記
録密度を高めた光ディスクの製造方法を提供することを
第２の目的とする。 【解決手段】 スパッタリング法を用いて基板１１に薄
膜を形成する薄膜形成方法において、基板１１とターゲ
ット１３との間の距離Ｌｔｓを、基板１１の中心軸とタ
ーゲット１３の中心軸とのずれ量Ｒ、基板１１とターゲ
ット１３との面積比、スパッタリング時のガス圧力のう
ち、少なくとも２つの条件に基づいて最適値に決定し、
この決定された最適値より大きい値に、基板１１とター
ゲット１３との間の距離Ｌｔｓを設定してスパッタリン
グを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
による薄膜形成方法およびそれを用いた光ディスクの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板上に薄膜を形成する方法
として多く用いられているスパッタリング法は、アルゴ
ンガス雰囲気中の真空放電によって発生したアルゴンイ
オンをターゲットに衝突させることによって、ターゲッ
トから飛び出した粒子を基板上に堆積し、薄膜を形成す
るものである。このようなスパッタリング法を用いて主
に製造されるものに、半導体デバイスや光ディスクなど
がある。

【０００３】このうち光ディスクは、スパッタリング法
によって記録膜などが光ディスク基板上に形成され、こ
の記録膜に照射されるレーザ光によって光学的に情報が
記録されるものであり、大容量メモリーとして民生用お
よび計算機用に実用化され普及しつつある。光ディスク
基板上に記録膜などの薄膜を形成するスパッタリング装
置には、例えば、ターゲットの背面にロータリーマグネ
ットを配置して成膜速度を高めるマグネトロンスパッタ
リング装置がある（例えば、TOKUDA製System502，ANELV
A製ILC）。

【０００４】マグネトロンスパッタリング装置は、図１
６に示されるように、スパッタリング時のガス圧力が一
定に保たれるスパッタリング室１１０内に、基板ホルダ
１１２と複数のターゲットホルダ１１４とが対向して配
置されている。そして、基板ホルダ１１２はその中心軸
Ｌ１１２を中心に回転可能であり、しかも、複数の基板
ホルダ１１２に配置された光ディスク基板１１１をその
中心軸Ｌ１１１を中心に回転できるようになっている。

【０００５】このマグネトロンスパッタリング装置によ
るスパッタリングが行われる際には、基板ホルダ１１２
に保持された光ディスク基板１１１は、それぞれターゲ
ット１１３に対して自転しつつ公転（自公転）すること
になる。この結果、各光ディスク基板１１１に対してタ
ーゲット１１３から薄膜を構成する粒子が満遍なく到達
し、均一な薄膜が形成されることになる。

【０００６】また、このマグネトロンスパッタリング装
置では、図１６に示すように、複数のターゲット１１
３，１１３が、各々のターゲットホルダ１１４，１１４
に配置されている。このように複数のターゲット１１
３，１１３を配置することによって、光ディスク基板１
１１上に形成される薄膜を構成する物質が多種の場合で
も、これら多種の物質で複数のターゲット１１３を用意
することにより、光ディスク基板１１１に効率よく多種
の物質からなる薄膜を形成することができる。また、記
録膜のようにこれを構成する元素の種類が多い場合で
も、ターゲット１１３の組み合わせを適宜選択すること
で、その組成比を容易に制御することができる。

【０００７】このような構成のマグネトロンスパッタリ
ング装置を用いて実際に光ディスク基板１１１に薄膜を
形成する際には、保持される光ディスク基板１１１とタ
ーゲット１１３間の距離Ｌｔｓ、ガス圧力Ｐ、基板ホル
ダ１１２の中心軸Ｌ１１２とターゲット１１３の中心軸
Ｌ１１３とのずれ量Ｒ、さらには、光ディスク基板１１
２に対するターゲット１１３の面積比Ｓｔ／Ｓｓ等の各
種パラメータが、形成される光ディスク基板１１１上の
薄膜の品質、薄膜形成の効率などを考慮して、互いに最
適値に設定される。

【０００８】代表的なマグネトロンスパッタリング装置
では、上記した各種パラメータのうち、ガス圧力Ｐの最
適値を１０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓの最適値Ｌｔｓ０を４０
ｍｍ、基板ホルダ１１２とターゲット１１３のずれ量Ｒ
の最適値Ｒ０を１００ｍｍ、面積比Ｓｔ／Ｓｓの最適値
を“２”としている。この従来のマグネトロンスパッタ
リング装置によって薄膜が形成される光ディスク基板１
１１には、渦巻き状にガイド溝が形成されて、その凸部
がランド部、凹部がグルーブ部となる。この場合、ガイ
ド溝は、記録再生装置の光ピックアップからのレーザ光
を正確に移動（トラッキング）させる機能を有する。

【０００９】一般的な光ディスクでは、上記したガイド
溝のランド部に情報を記録している（ランド記録方
式）。このランド記録方式の光ディスクでは、隣り合う
ランド部間のピッチ（ランドピッチ）がトラックピッチ
となる。一般的な光ディスクでは、トラックピッチは
１．４μｍ程度であり、グルーブ部の幅は０．４μｍ〜
０．６μｍである。なお、ランド部に代えて、グルーブ
部に情報を記録する方式も提案されている（グルーブ記
録方式）。

【００１０】ところで、最近の光ディスクでは、情報量
の増大や情報の多様化に対応するために、光ディスクの
記録密度を高めることによって大容量化を図ることが要
求されている。光ディスクの記録密度を高める１つの方
法としては、トラックピッチを狭くすることが考えら
れ、上記のランド記録方式の光ディスクでは、トラック
ピッチを１．１μｍ程度にして記録密度を高めたものが
提案されている。

【００１１】また、光ディスクの記録密度を高めるため
の別の方法として、光ディスクのランド部とグルーブ部
との両方に情報を記録するランド・グルーブ記録方式が
提案されている。このランド・グルーブ記録方式の光デ
ィスクでは、隣り合うランド部とグルーブ部との間のピ
ッチがトラックピッチとなる。したがって、この場合の
トラックピッチは、上記したランド記録方式の光ディス
クのトラックピッチ（ランドピッチ）の半分程度に狭く
なるので、記録密度を高めることができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近で
は、このようなランド・グルーブ記録方式を採用した光
ディスクにおいても、さらに記録密度を高めて大容量化
を図ることが望まれている。このために、ランド・グル
ーブ記録方式の光ディスクでも、そのトラックピッチを
さらに狭くして、記録密度を高めることが研究されてい
る。

【００１３】ところで、ランド・グルーブ記録方式の光
ディスクでは、例えばランド部に情報を記録したり消去
するときに、光ピックアップからのレーザ光の熱によっ
て、そのランド部に隣接するグルーブ部の温度も上昇し
てしまい、そのグルーブ部に記録された情報が部分的に
消去されてしまうことがある（クロスイレーズ）。この
ようなクロスイレーズは、情報の記録を、多数回繰り返
して行うときに特に起こりやすい。また、このクロスイ
レーズは、グルーブ部に情報を記録したり消去するとき
にも同様に生じる。

【００１４】したがって、ランド・グルーブ記録方式の
光ディスクで、記録密度を高めるべくトラックピッチを
狭くするのであれば、少なくとも上記のクロスイレーズ
が問題とならない程度のトラックピッチを確保すること
が必要である。因みに、ランド・グルーブ記録方式の光
ディスクでは、クロスイレーズが問題とならない最小の
トラックピッチを０．８μｍ程度にするのが限度である
と考えられていた。

【００１５】しかしながら、上記したクロスイレーズ
は、トラックピッチが同じ場合には、グルーブ部の深さ
（グルーブ深さ）が深いほど、その影響が小さくなるこ
とが知られている。そこで、本発明者等は、クロスイレ
ーズが問題とならないようなグルーブ深さが深く、かつ
トラックピッチが狭い光ディスク基板に上記した従来の
マグネトロンスパッタリング装置を用いて薄膜を形成し
た。このとき、互いにグルーブ深さが異なる光ディスク
基板を複数用意し、それら複数の光ディスク基板の各々
に実際に薄膜を形成してみた。

【００１６】そして、このように製造されたグルーブ深
さが深くトラックピッチが狭い複数のランド・グルーブ
記録方式の光ディスクについて、ランド部の記録感度と
グルーブ部の記録感度とを測定した結果、グルーブ深さ
が深くトラックピッチが狭い光ディスクでは、記録感度
がランド部とグルーブ部とで異なることがわかった。ま
た、ランド部とグルーブ部との記録感度の差は、グルー
ブ深さが深いものほど大きくなってしまい、実用化に向
かないこともわかった。

【００１７】これらの原因を解明するために、薄膜を形
成した光ディスク基板の断面構造を、高分解走査形電子
顕微鏡（HR-SEM：high-resolution scanning electron
microscope）で観察した。その結果、ランド部とグルー
ブ部とで記録感度が異なるのは、ランド部とグルーブ部
とで形成された薄膜の膜厚が異なるからであり、特に、
ランド部に比べてグルーブ部には薄膜が付着しにくいた
めであることがわかった。

【００１８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、第１の目的は、一定の膜厚の薄膜を微細な凹凸が形
成された基板に形成することができる薄膜形成方法を提
供することにある。また、本発明の第２の目的は、その
薄膜形成方法を用いて、トラックピッチを狭くして記録
密度を高めた光ディスクの製造方法を提供することにあ
る。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、スパッタリング法を用いて基板に薄膜を形成する薄
膜形成方法において、基板とターゲットとの間の距離
を、基板の中心軸とターゲットの中心軸とのずれ量、基
板とターゲットとの面積比、スパッタリング時のガス圧
力のうち、少なくとも２つの条件に基づいて最適値に決
定し、このように決定された最適値より大きい値に、基
板とターゲットとの間の距離を設定してスパッタリング
を行うものである。

【００２０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の薄膜形成方法において、最適値が、ほぼ４０ｍｍであ
る場合に、基板とターゲットとの間の距離を、１００ｍ
ｍ以上にしたものである。請求項３に記載の発明は、ス
パッタリング法を用いて基板に薄膜を形成する薄膜形成
方法において、基板の中心軸とターゲットの中心軸との
ずれ量を、基板とターゲットとの間の距離、基板とター
ゲットとの面積比、スパッタリング時のガス圧力のう
ち、少なくとも２つの条件に基づいて最適値に決定し、
前記決定された最適値より小さい値に、基板の中心軸と
ターゲットの中心軸とのずれ量を設定してスパッタリン
グを行うものである。

【００２１】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の薄膜形成方法において、最適値が、ほぼ１００ｍｍで
ある場合に、基板の中心軸とターゲットの中心軸とのず
れ量を、２０ｍｍ以下にしたものである。請求項５に記
載の発明は、請求項１から請求項４の何れか１項に記載
の薄膜形成方法において、基板に対するターゲットの面
積比を、１以上にしたものである。

【００２２】請求項６に記載の発明は、請求項１から請
求項４の何れか１項に記載の薄膜形成方法において、ガ
ス圧力を、１０^-3Ｐａ以下に設定したものである。請求
項７に記載の発明は、請求項１から請求項６の何れか１
項に記載の薄膜形成方法において、ターゲットとして、
基板に形成される薄膜と同じ組成比の合金を用いたもの
である。

【００２３】請求項８に記載の発明は、請求項１から請
求項７の何れか１項に記載の薄膜形成方法を用いて、グ
ルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７５）〜λ／（ｎ×
１．１３）で、かつグルーブピッチが２．３６×λ以下
の光ディスク基板に薄膜を形成するものである。（但
し、λは記録再生用の光束の波長、ｎは基板の屈折率） 請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の薄膜形成方
法を用いて、グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７５）
〜λ／（ｎ×１．１３）、グルーブピッチが２．３６×
λ以下で、かつグルーブ部の幅がランド部の幅より広い
光ディスク基板に薄膜を形成するに当たり、基板とター
ゲットとの間の距離を、決定された最適値より大きく、
かつ請求項１の薄膜形成方法で設定された距離より小さ
い値に再設定してスパッタリングを行うものである。
（但し、λは記録再生用の光束の波長、ｎは基板の屈折
率） 請求項１０に記載の発明は、請求項３に記載の薄膜形成
方法を用いて、グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７
５）〜λ／（ｎ×１．１３）、グルーブピッチが２．３
６×λ以下で、かつグルーブ部の幅がランド部の幅より
広い光ディスク基板に薄膜を形成するに当たり、基板の
中心軸とターゲットの中心軸とのずれ量を、決定された
最適値より小さく、かつ請求項３の薄膜形成方法で設定
されたずれ量より大きい値に再設定してスパッタリング
を行うものである。（但し、λは記録再生用の光束の波
長、ｎは基板の屈折率） 請求項１１に記載の発明は、請求項１に記載の薄膜形成
方法を用いて、グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７
５）〜λ／（ｎ×１．１３）、グルーブピッチが２．３
６×λ以下で、かつテーパ角が７０度以下の光ディスク
基板に薄膜を形成するに当たり、基板とターゲットとの
間の距離を、決定された最適値より大きく、かつ請求項
１の薄膜形成方法で設定された距離より小さい値に再設
定してスパッタリングを行うものである。（但し、λは
記録再生用の光束の波長、ｎは基板の屈折率） 請求項１２に記載の発明は、請求項３に記載の薄膜形成
方法を用いて、グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７
５）〜λ／（ｎ×１．１３）、グルーブピッチが２．３
６×λ以下で、かつテーパ角が７０度以下の光ディスク
基板に薄膜を形成するに当たり、基板の中心軸とターゲ
ットの中心軸とのずれ量を、決定された最適値より小さ
く、かつ請求項３の薄膜形成方法で設定されたずれ量よ
り大きい値に再設定してスパッタリングを行うものであ
る。（但し、λは記録再生用の光束の波長、ｎは基板の
屈折率）

【００２４】（作用）請求項１に記載の発明にかかわる
薄膜形成方法では、基板に形成される薄膜の品質や薄膜
形成の効率などを考慮して最適値に決定された各種パラ
メータ（基板とターゲットとの間の距離、基板の中心軸
とターゲットの中心軸とのずれ量、基板とターゲットと
の面積比、スパッタリング時のガス圧力）のうち、特
に、基板とターゲットとの間の距離を、上記決定された
最適値よりも大きい値に設定して、スパッタリングを行
うので、スパッタリングされたターゲット物質が基板に
垂直に入射することになり、基板上の微細な凸部および
凹部に、一定の膜厚の薄膜を形成することができる。

【００２５】請求項２に記載の発明にかかわる薄膜形成
方法では、基板とターゲットとの間の距離を、上記決定
された最適値（ほぼ４０ｍｍ）に対して、１００ｍｍ以
上に設定するので、基板上の微細な凸部および凹部に、
一定の膜厚の薄膜を確実に形成することができる。

【００２６】請求項３に記載の発明にかかわる薄膜形成
方法では、基板に形成される薄膜の品質や薄膜形成の効
率などを考慮して最適値に決定された各種パラメータ
（基板とターゲットとの間の距離、基板の中心軸とター
ゲットの中心軸とのずれ量、基板とターゲットとの面積
比、スパッタリング時のガス圧力）のうち、特に、基板
とターゲットの中心軸のずれ量を、上記決定された最適
値よりも小さい値に設定して、スパッタリングを行うの
で、スパッタリングされたターゲット物質が基板に垂直
に入射することになり、基板上の微細な凸部および凹部
に、一定の膜厚の薄膜を形成することができる。

【００２７】請求項４に記載の発明にかかわる薄膜形成
方法では、基板とターゲットの中心軸のずれ量を、上記
決定された最適値（ほぼ１００ｍｍ）に対して、２０ｍ
ｍ以下に設定するので、基板上の微細な凸部および凹部
に、一定の膜厚の薄膜を確実に形成することができる。
請求項５に記載の発明にかかわる薄膜形成方法では、基
板に対するターゲットの面積比を１以上に設定するの
で、基板上の微細な凸部および凹部に形成される薄膜の
膜厚をより理想的なものに近づけることができる。

【００２８】請求項６に記載の発明にかかわる薄膜形成
方法では、ガス圧力を、上記決定された最適値よりも小
さく、１０^-3Ｐａ以下に設定するので、スパッタリング
されたターゲット物質が基板に向かって直進し易くな
り、基板上の微細な凸部および凹部に形成される薄膜の
膜厚をより理想的なものに近づけることができる。請求
項７に記載の発明にかかわる薄膜形成方法では、基板に
形成される薄膜と同じ組成比の合金をターゲットに用い
るので、元素の数が多い薄膜を１つのターゲットで容易
に形成することができる。

【００２９】請求項８に記載の発明にかかわる光ディス
クの製造方法では、上記した請求項１〜請求項７の薄膜
形成方法を用いることにより、グルーブ部の深さがλ／
（ｎ×３．７５）〜λ／（ｎ×１．１３）で、かつグル
ーブピッチが２．３６×λ以下の光ディスク基板上のラ
ンド部およびグルーブ部に、一定の膜厚の薄膜を形成す
ることができる。したがって、このように製造されたグ
ルーブ深さが深くトラックピッチが狭い光ディスクにお
いても、ランド部の記録感度とグルーブ部の記録感度と
をほぼ等しくでき、記録密度が高くクロスイレーズが問
題とならないランド・グルーブ記録方式の光ディスクを
提供できる。

【００３０】請求項９に記載の発明にかかわる光ディス
クの製造方法では、グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．
７５）〜λ／（ｎ×１．１３）、グルーブピッチが２．
３６×λ以下で、かつグルーブ部の幅がランド部の幅よ
り広い光ディスク基板に薄膜を形成するに当たり、基板
とターゲットとの間の距離を、上記決定された最適値よ
り大きく、かつ請求項１の薄膜形成方法で設定された距
離より小さい値に再設定するので、この光ディスク基板
上のランド部およびグルーブ部に、一定の膜厚の薄膜を
形成する条件を緩和することができる。したがって、こ
のように製造されたグルーブ深さが深くトラックピッチ
が狭い光ディスクは、ランド部の記録感度とグルーブ部
の記録感度とがほぼ等しくなり、記録密度が高くクロス
イレーズが問題とならないランド・グルーブ記録方式の
光ディスクを提供できる。

【００３１】請求項１０に記載の発明にかかわる光ディ
スクの製造方法では、グルーブ部の深さがλ／（ｎ×
３．７５）〜λ／（ｎ×１．１３）、グルーブピッチが
２．３６×λ以下で、かつグルーブ部の幅がランド部の
幅より広い光ディスク基板に薄膜を形成するに当たり、
基板とターゲットの中心軸のずれ量を、上記決定された
最適値より小さく、かつ請求項３の薄膜形成方法で設定
されたずれ量より大きい値に再設定するので、この光デ
ィスク基板上のランド部およびグルーブ部に、一定の膜
厚の薄膜を形成する条件を緩和することができる。した
がって、このように製造されたグルーブ深さが深くトラ
ックピッチが狭い光ディスクは、ランド部の記録感度と
グルーブ部の記録感度とがほぼ等しくなり、記録密度が
高くクロスイレーズが問題とならないランド・グルーブ
記録方式の光ディスクを提供できる。

【００３２】請求項１１に記載の発明にかかわる光ディ
スクの製造方法では、グルーブ部の深さがλ／（ｎ×
３．７５）〜λ／（ｎ×１．１３）、グルーブピッチが
２．３６×λ以下で、かつテーパ角が７０度以下の光デ
ィスク基板に薄膜を形成するに当たり、基板とターゲッ
トとの間の距離を、上記決定された最適値より大きく、
かつ請求項１の薄膜形成方法で設定された距離より小さ
い値に再設定するので、この光ディスク基板上のランド
部およびグルーブ部に、一定の膜厚の薄膜を形成する条
件を緩和することができる。したがって、このように製
造されたグルーブ深さが深くトラックピッチが狭い光デ
ィスクは、ランド部の記録感度とグルーブ部の記録感度
とがほぼ等しくなり、記録密度が高くクロスイレーズが
問題とならないランド・グルーブ記録方式の光ディスク
を提供できる。

【００３３】請求項１２に記載の発明にかかわる光ディ
スクの製造方法では、グルーブ部の深さがλ／（ｎ×
３．７５）〜λ／（ｎ×１．１３）、グルーブピッチが
２．３６×λ以下で、かつテーパ角が７０度以下の光デ
ィスク基板に薄膜を形成するに当たり、基板とターゲッ
トの中心軸のずれ量を、上記決定された最適値より小さ
く、かつ請求項３の薄膜形成方法で設定されたずれ量よ
り大きい値に再設定するので、この光ディスク基板上の
ランド部およびグルーブ部に、一定の膜厚の薄膜を形成
する条件を緩和することができる。したがって、このよ
うに製造されたグルーブ深さが深くトラックピッチが狭
い光ディスクは、ランド部の記録感度とグルーブ部の記
録感度とがほぼ等しくなり、記録密度が高くクロスイレ
ーズが問題とならないランド・グルーブ記録方式の光デ
ィスクを提供できる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。 （第１実施形態）第１実施形態は、請求項１，請求項
２，請求項５，請求項７，請求項８に対応する。

【００３５】図１は、第１の実施形態に係るマグネトロ
ンスパッタリング装置を構成する第１〜第３スパッタリ
ング室のうち第１スパッタリング室１０のみを示す説明
図である。

【００３６】このマグネトロンスパッタリング装置は、
後述する光ディスク基板１１に透明誘電体膜２１、記録
膜２２、保護膜２３（図４参照）を形成するためもの
で、第１スパッタリング室１０で透明誘電体膜２１が形
成され、第２スパッタリング室（図示されない）で記録
膜２２が形成され、第３スパッタリング室（図示されな
い）で保護膜２３が形成される。なお、これら第１〜第
３スパッタリング室は、互いに直列的に連結されてい
る。

【００３７】以下、スパッタリング室の構造、および薄
膜形成時の各種パラメータについて説明する。なお、第
１〜第３スパッタリング室では、使用されるターゲット
が異なるだけで、その構造および薄膜形成時の各種パラ
メータが全て同一であるため、第１スパッタリング室１
０の構造、およびこの第１スパッタリング室１０で行わ
れる透明誘電体膜２１の形成時の各種パラメータについ
てのみ説明し、他の第２，第３スパッタリング室におけ
る記録膜２２、保護膜２３の形成時の各種パラメータの
詳細な説明は省略する。

【００３８】第１スパッタリング室１０内には、図１に
示されるように、光ディスク基板１１を保持するための
基板ホルダ１２が、ターゲット１３を保持するターゲッ
トホルダ１４に対向して配置されている。この場合、基
板ホルダ１２は、その中心軸Ｌ１２を中心に回転可能で
ある。一方、ターゲット１３を保持するターゲットホル
ダ１４内には、成膜速度を高めるためのマグネット１５
が、ターゲット１３の中心軸Ｌ１３に対して偏心して配
置されている。さらに、このマグネット１５はスパッタ
リング時に、その磁界がターゲット１３の表面に対して
均一に生じるように、偏心して回転するようになってい
る。このマグネット１５の回転によって、スパッタリン
グ時にターゲット１３から満遍なく粒子が飛び出して、
ターゲット１３を効率よく使用することができる。

【００３９】また、第１スパッタリング室１０は、図示
されないガスボンベから導入されるガスの流量と、図示
されない排気ポンプによって排気されるガスの流量とが
制御されて、スパッタリング時のガス圧力Ｐを所望の値
に保持できるようになっている。なお、基板ホルダ１２
とターゲットホルダ１４は互いの相対的な距離Ｌｔｓが
可変（３０ｍｍ〜２００ｍｍの範囲で可変）である。

【００４０】このように構成されたマグネトロンスパッ
タリング装置を用いて、光ディスク基板１１に実際に透
明誘電体膜２１を形成するに当っては、先ず、光ディス
ク基板１１とターゲット１３間の距離Ｌｔｓ、ガス圧力
Ｐ、基板ホルダ１２の中心軸Ｌ１２とターゲット１３の
中心軸Ｌ１３とのずれ量Ｒ、光ディスク基板１２に対す
るターゲット１３の面積比Ｓｔ／Ｓｓのパラメータの最
適値が決定される。これらの最適値は、形成される透明
誘電体膜２１の品質、薄膜形成の効率などを考慮した最
適な値である。

【００４１】この場合、透明誘電体膜２１の品質、薄膜
形成の効率などを考慮すると、例えば、ガス圧力Ｐの最
適値は１０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓの最適値Ｌｔｓ０は４０
ｍｍ、基板ホルダ１２とターゲット１３のずれ量Ｒの最
適値Ｒ０は１００ｍｍ、面積比Ｓｔ／Ｓｓの最適値は
“２”とすることが好ましい。しかし、上記したガス圧
力Ｐ、距離Ｌｔｓ、ずれ量Ｒ、面積比Ｓｔ／Ｓｓを、単
に、透明誘電体膜２１の品質、薄膜形成の効率などを考
慮した最適値に設定して実際に薄膜形成を行う場合、仮
に、光ディスク基板１１のトラックピッチが市販のもの
に比べて著しく狭くグルーブ深さも著しく深いと、一定
の膜厚の透明誘電体膜２１が得られない。

【００４２】そこで、この第１実施形態では、上記した
薄膜形成時の各種パラメータ（ガス圧力Ｐ、距離Ｌｔ
ｓ、ずれ量Ｒ、面積比Ｓｔ／Ｓｓ）のうち特に、距離Ｌ
ｔｓを、上記決定された最適値Ｌｔｓ０（４０ｍｍ）よ
り大きい値（例えば１００ｍｍ）に設定し直して、スパ
ッタリングを行うようにした（図１）。

【００４３】なお、第１スパッタリング室１０では、タ
ーゲット１３としてＳｉが用いられ、反応性スパッタリ
ングにより窒化シリコンの薄膜が形成される。スパッタ
リング時には、回転するマグネット１５から生じる漏洩
磁界によってターゲット１３がスパッタリングされる。
このときスパッタリングされて窒素と反応した窒化シリ
コン粒子は、距離Ｌｔｓが上記決定された最適値Ｌｔｓ
０（４０ｍｍ）より大きい値（例えば１００ｍｍ）に設
定し直されているので、光ディスク基板１１に垂直に入
射することになり、光ディスク基板１１の表面に満遍な
く堆積し、均一な膜質の透明誘電体膜２１が形成され
る。

【００４４】この第１スパッタリング室１０でのスパッ
タリングは、透明誘電体膜２１の膜厚がおよそ７０ｎｍ
になるまで行われる（工程１）。ここで、第１実施形態
の薄膜形成方法で、その表面に透明誘電体膜２１が形成
される光ディスク基板１１の形状について、図２，図３
を用いて説明する。図２に示すように、光ディスク基板
１１は、半径ｒ１が４３ｍｍ，孔径ｒ２が１５ｍｍ，厚
さｈが１．２ｍｍの円盤であり、その片面（図２の上
面）には渦巻き状にガイド溝１１ｃが形成されている。
なお、この光ディスク基板１１は、ガラス２Ｐ(photo-p
olymerization)基板にて構成されている。

【００４５】図３に、光ディスク基板１１の断面形状の
詳細を示す。この図に示すように、光ディスク基板１１
では、ランド部１１ａの幅（ランド幅）ＷＬとグルーブ
部１１ｂの幅（グルーブ幅）ＷＧとが共に０．５μｍ
（トラックピッチＬが０．５μｍ），テーパ角Θが８４
°，グルーブ部１１ｂの深さ（グルーブ深さ）Ｄが２０
０ｎｍである。

【００４６】この光ディスク基板１１は、そのトラック
ピッチＬ（０．５μｍ）が、従来のランド・グルーブ記
録方式の光ディスクのトラックピッチの限界値（０．８
μｍ）より著しく狭い値になっている。また、光ディス
ク基板１１のグルーブ深さＤ（２００ｎｍ）も、従来の
ランド・グルーブ記録方式の光ディスクのグルーブ深さ
（４０ｎｍ〜８５ｎｍ）よりも著しく深くなっている。

【００４７】このようなトラックピッチＬが市販のもの
に比べて著しく狭くグルーブ深さＤが著しく深い光ディ
スク基板１１では、その表面に透明誘電体膜２１を形成
するに当って、第１スパッタリング室１０で、上記のよ
うに距離Ｌｔｓを、最適値Ｌｔｓ０（４０ｍｍ）より意
図的に大きな値（１００ｍｍ）に設定し直すことによっ
て、詳細は後述するように、そのグルーブ部１１ｂにお
いても、透明誘電体膜２１が均一に形成されることが、
実験により確認された。

【００４８】このように透明誘電体膜２１が形成される
と、引き続き、同様の薄膜形成パラメータで、第２スパ
ッタリング室において記録膜２２が、第３スパッタリン
グ室で保護膜２３が、各々形成される。この場合、第２
スパッタリング室では、ターゲットとして記録膜２２と
同一の組成のＴｂＦｅＣｏ合金が用いられる、因みにそ
の組成は、原子百分率で表すと、Ｔｂ：２１％，Ｆｅ：
７１％，Ｃｏ：８％である。この第２スパッタリング室
でのスパッタリングは、記録膜２２の膜厚がおよそ５０
ｎｍになるまで行われる（工程２）。

【００４９】また、第３スパッタリング室では、ターゲ
ットとして、第１スパッタリング室１０と同様に、Ｓｉ
が用いられる。この第３スパッタリング室でのスパッタ
リングは、記録膜２２上に形成される保護膜２３の膜厚
がおよそ７０ｎｍになるまで行われる（工程３）。この
ように、工程１〜３を経ることによって、光ディスク基
板１１の表面に、図４に示すように、所定の膜厚の透明
誘電体膜２１、記録膜２２、保護膜２３が形成される。

【００５０】特に、この第１実施形態では、光ディスク
基板１１とターゲット１３との距離Ｌｔｓを、薄膜の品
質、薄膜形成の効率などを考慮して決定された最適値Ｌ
ｔｓ０（４０ｍｍ）より意図的に大きく１００ｍｍに設
定することで、図２，図３に示すような、トラックピッ
チＬが市販のものに比べて著しく狭く（０．５μｍ）か
つグルーブ深さＤが著しく深い（２００ｎｍ）光ディス
ク基板１１上にこれら透明誘電体膜２１、記録膜２２、
保護膜２３を均一に形成することができる。

【００５１】図５は、この第１実施形態の薄膜形成パラ
メータ（ガス圧力Ｐが１０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓが１００
ｍｍ、ずれ量Ｒが１００ｍｍ、面積比Ｓｔ／Ｓｓが
“２”）で製造された光磁気ディスクの記録感度比を、
他の薄膜形成パラメータで製造された他の光磁気ディス
クと比較した実験データを示すグラフである。この場
合、比較される他の光磁気ディスクは、各種パラメータ
のうち距離Ｌｔｓのみを変更して製造したもの（図５中
●で示す）である。この場合、光ディスク基板１１は全
て同一の形状、同一の大きさのものである。

【００５２】ここで、光磁気ディスクの薄膜形成状態を
評価するために用いられる記録感度比の測定方法につい
て説明する。記録感度比の測定は、例えばランド部また
はグルーブ部にマークを記録するときのレーザ光のピー
ク強度Ｐpの最適値（ランド部の最適記録パワー）Ｐp-
Ｌ、（グルーブ部の最適記録パワー）Ｐp-Ｇを測定し、
これら最適記録パワーＰp-Ｌ、Ｐp-Ｇの比（Ｐp-Ｇ／Ｐ
p-Ｌ）を取ることによって行われる。

【００５３】最適記録パワーＰp-Ｌ，Ｐp-Ｇを測定する
記録再生装置では、その光ピックアップからのレーザ光
の波長が６８０ｎｍで、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．が
０．５５のものが使用される。このレーザ光の強度は、
マーク記録時には、記録されるマークの間隔などに応じ
てピーク強度Ｐｐとボトム強度Ｐｂとの間で変調される
（ボトム強度Ｐｂは０．５ｍＷ）。ピーク強度Ｐｐは、
最適記録パワーＰp-Ｌ，Ｐp-Ｇの測定におけるパラメー
タとして用いられ、その測定時には一定範囲内のある値
に設定される。

【００５４】この記録再生装置を用いて、最適記録パワ
ーＰp-Ｌ，Ｐp-Ｇを測定する場合、測定される光磁気デ
ィスクは、記録再生装置内で線速度９ｍ／ｓｅｃで回転
される。ランド部の最適記録パワーＰp-Ｌを求める際に
は、レーザ光のピーク強度Ｐｐをある値に設定してラ
ンド部にマークを記録し、記録されたマークの状態を
測定するという一連の処理を、レーザ光のピーク強度Ｐ
ｐの設定値を変更しながら行い、最良のマークの状態が
得られたときのピーク強度Ｐｐを、ランド部の最適記録
パワーＰp-Ｌとして求める。

【００５５】具体的には、レーザ光を、設定されたピー
ク強度Ｐｐと０．５ｍＷのボトム強度Ｐｂとの間で変調
させながらランド部に照射することにより、単一記録周
波数が３．５ＭＨｚ（マーク長が１．２８μｍ）のマー
クがランド部に記録される（このとき記録磁界は３５０
Ｏｅ）。このようにランド部に記録されたマークの状態
の測定は、記録されたマークを再生したときに得られる
再生信号をスペクトラムアナライザーに入力し、第２次
高調波のレベルを測定することによって行われる（マー
ク再生時のレーザの光強度は１．０ｍＷ）。そして、ラ
ンド部へのマークの記録と、再生信号の第２次高調波の
レベルの測定とを、レーザ光のピーク強度Ｐｐの設定値
を変更して行い、再生信号の第２次高調波のレベルが最
小となるときのレーザ光のピーク強度Ｐｐを、ランド部
の最適記録パワーＰp-Ｌとする。全く同様の手法によっ
て、グルーブ部の最適記録パワーＰp-Ｇも測定される。

【００５６】このようにして求められたランド部の最適
記録パワーＰp-Ｌとグルーブ部の最適記録パワーＰp-Ｇ
に基づいて、これらの比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ、すなわち記録
感度比（Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ）が求められる。図５に示すよ
うに、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌは、光ディスク基板１
１とターゲット１３との距離Ｌｔｓの設定を大きくして
製造された光磁気ディスクほど、理想的な１．０に近づ
くことがわかった。

【００５７】具体的には、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ
は、距離Ｌｔｓを、上記した最適値Ｌｔｓ０（４０ｍ
ｍ）に設定して製造された光磁気ディスクでは０．８程
度で実用に耐えられないのに対し、距離Ｌｔｓを上記し
た最適値Ｌｔｓ０よりも大きい１００ｍｍに設定すると
０．９５程度となり実用に耐えられる結果が得られた。

【００５８】さらに距離Ｌｔｓを２００ｍｍまで大きく
すると、理想的な値（１．０）となることが分かった。
以上のことから、距離Ｌｔｓを、ガス圧力Ｐ、ずれ量
Ｒ、面積比Ｓｔ／Ｓｓ、形成される薄膜の品質、薄膜形
成の効率などを考慮した最適値Ｌｔｓ０（４０ｍｍ）に
設定するよりも、この最適値Ｌｔｓ０より大きい値にす
るほど（好ましくは１００ｍｍ以上）、より記録感度比
（Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ）が良好な光磁気ディスクを製造でき
ることが分かった。

【００５９】特に、市販のものに比べてトラックピッチ
Ｌが著しく狭く（０．５μｍ）グルーブ深さＤが著しく
深い（２００ｎｍ）光ディスク基板１１に、一定の膜厚
の薄膜を形成するに当っては、距離Ｌｔｓを上記最適値
Ｌｔｓ０より大きい値（好ましくは１００ｍｍ以上）に
することが必要条件となる。この条件で製造することに
よってはじめて、ランド・グルーブ記録方式の光磁気デ
ィスクにおいて、市販のものに比べてトラックピッチＬ
が著しく狭く（０．５μｍ）グルーブ深さＤが著しく深
い（２００ｎｍ）場合でも、記録感度比をほぼ一定の値
（少なくとも０．９５以上）とすることができ、クロス
イレーズ等の弊害が問題とならない、記録密度の高い光
磁気ディスクが提供されることになる。

【００６０】（第２実施形態）次に本発明の第２実施形
態について説明する。なおこの第２実施形態は、請求項
１，請求項２，請求項５，請求項７，請求項８に対応す
る。図６は、第２の実施形態に係るマグネトロンスパッ
タリング装置を構成する第１〜第３スパッタリング室の
うち第１スパッタリング室３０のみを示す説明図であ
る。

【００６１】この第２実施形態のマグネトロンスパッタ
リング装置も、第１実施形態のマグネトロンスパッタリ
ング装置と同様に、図２、図３に示す光ディスク基板１
１に透明誘電体膜２１、記録膜２２、保護膜２３（図４
参照）を形成するためものである。この場合にも、第１
スパッタリング室３０で透明誘電体膜２１が形成され、
第２スパッタリング室（図示されない）で記録膜２２が
形成され、第３スパッタリング室（図示されない）で保
護膜２３が形成される。なお、第２実施形態の第１〜第
３スパッタリング室も、互いに直列的に連結されてい
る。

【００６２】以下、第２実施形態のスパッタリング室の
構造および薄膜形成時の各種パラメータについて説明す
る。なお、第１〜第３スパッタリング室の構造、およ
び、薄膜形成時の各種パラメータなどは、使用されるタ
ーゲットを除いて全て同一であるため、第１スパッタリ
ング室３０の構造、およびこの第１スパッタリング室３
０で行われる透明誘電体膜２１の形成時の各種パラメー
タについてのみ説明し、他の第２，第３スパッタリング
室における記録膜２２、保護膜２３の形成時の各種パラ
メータの詳細な説明は省略する。

【００６３】第１スパッタリング室３０内には、光ディ
スク基板１１を保持するための基板ホルダ３２が、ター
ゲット３３を保持するターゲットホルダ３４に対向して
配置されている。この場合、基板ホルダ３２は、その中
心軸Ｌ３２を中心に回転可能である。一方、ターゲット
ホルダ３４には、第１実施形態と同様に、成膜速度を高
めるためのマグネット３５が配置されている。

【００６４】また、第１スパッタリング室３０は、図示
されないガスボンベから導入されるガスの流量と、図示
されない排気ポンプによって排気されるガスの流量とが
制御されて、スパッタリング時のガス圧力Ｐを所望の値
に保持できるようになっている。なお、光ディスク基板
１１および基板ホルダ３２の中心軸Ｌ３２とターゲット
３３の中心軸Ｌ３３は互いの相対的なずれ量Ｒが可変
（０ｍｍ〜１２０ｍｍの範囲で可変）である。

【００６５】このように構成されたマグネトロンスパッ
タリング装置を用いて、光ディスク基板１１に実際に透
明誘電体膜２１を形成するに当っては、第１実施形態と
同様に、先ず、光ディスク基板１１とターゲット３３間
の距離Ｌｔｓ、ガス圧力Ｐ、基板ホルダ３２の中心軸Ｌ
３２とターゲット３３の中心軸Ｌ３３とのずれ量Ｒ、光
ディスク基板１１に対するターゲット３３の面積比Ｓｔ
／Ｓｓの最適値が、例えば、形成される透明誘電体膜２
１の品質、薄膜形成の効率などを考慮した最適な値に決
定される。

【００６６】この場合、透明誘電体膜２１の品質、薄膜
形成の効率などを考慮すると、第１実施形態と同様に、
例えばガス圧力Ｐの最適値は１０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓの
最適値Ｌｔｓ０は４０ｍｍ、基板ホルダ３２とターゲッ
ト３３の中心軸のずれ量Ｒの最適値Ｒ０は１００ｍｍ、
面積比Ｓｔ／Ｓｓの最適値は“２”とすることが好まし
い。

【００６７】しかし、上記したガス圧力Ｐ、距離Ｌｔ
ｓ、ずれ量Ｒ、面積比Ｓｔ／Ｓｓを、単に、透明誘電体
膜２１の品質、薄膜形成の効率などを考慮した最適値に
設定して実際に薄膜形成を行った場合には、図２、図３
に示すような、市販のものに比べてトラックピッチＬが
著しく狭くグルーブ深さＤも著しく深い光ディスク基板
１１に、一定の膜厚の透明誘電体膜２１を形成すること
ができない。

【００６８】そこで、この第２実施形態では、上記した
薄膜形成時の各種パラメータ（ガス圧力Ｐ、距離Ｌｔ
ｓ、ずれ量Ｒ、面積比Ｓｔ／Ｓｓ）のうち特に、ずれ量
Ｒを、上記決定された最適値Ｒ０（１００ｍｍ）より小
さい値（例えば６０ｍｍ、好ましくは２０ｍｍ）に設定
し直して、スパッタリングを行うようにした。なお、第
１スパッタリング室３０では、スパッタリング時に、タ
ーゲット３３を構成するＳｉが、回転するマグネット３
５から生じる漏洩磁界によってスパッタリングされる。

【００６９】このときスパッタリングされた窒化シリコ
ン粒子は、ずれ量Ｒが上記決定された最適値Ｒ０（１０
０ｍｍ）より小さい値（例えば６０ｍｍ、好ましくは２
０ｍｍ）に設定し直されているので、光ディスク基板１
１に垂直に入射することになり、光ディスク基板１１の
表面に満遍なく堆積し、均一な膜質の透明誘電体膜２１
が形成される。

【００７０】この第１スパッタリング室３０でのスパッ
タリングは、透明誘電体膜２１の膜厚がおよそ７０ｎｍ
になるまで行われる（工程１）。このような市販のもの
に比べてトラックピッチＬが著しく狭くグルーブ深さＤ
が著しく深い光ディスク基板１１の表面に透明誘電体膜
２１を形成するに当って、上記のようにずれ量Ｒを、最
適値Ｒ０（１００ｍｍ）より意図的に小さな値（６０ｍ
ｍ、好ましくは２０ｍｍ）に設定し直すことによって、
詳細は後述するように、そのグルーブ部１１ｂにおいて
も、透明誘電体膜２１が均一に形成されることが、実験
により確認された。

【００７１】このように透明誘電体膜２１が形成される
と、引き続き、同様の薄膜形成パラメータで、第２スパ
ッタリング室において記録膜２２が、第３スパッタリン
グ室で保護膜２３が、各々形成される（工程２，工程
３）。この工程２で、第２スパッタリング室に配置され
るターゲットは、上記した第１実施形態と同一である。
また、この第２スパッタリング室でのスパッタリング
は、記録膜２２の膜厚がおよそ５０ｎｍになるまで行わ
れる。

【００７２】また、工程３で、第３スパッタリング室に
配置されるターゲットは、第１スパッタリング室３０と
同様、ＳｉＮである。この第３スパッタリング室でのス
パッタリングは、記録膜２２上に形成される保護膜２３
の膜厚がおよそ７０ｎｍになるまで行われる。このよう
に、工程１〜３を経ることによって、光ディスク基板１
１の表面に、所定の膜厚の透明誘電体膜２１、記録膜２
２、保護膜２３が形成される（図４）。

【００７３】特に、この第２実施形態では、光ディスク
基板１１とターゲット３３とのずれ量Ｒを６０ｍｍ（好
ましくは２０ｍｍ）にすることで、図２，図３に示すよ
うな、市販のものに比べてトラックピッチＬが著しく狭
く（０．５μｍ）かつグルーブ深さＤが著しく深い（２
００ｎｍ）光ディスク基板１１上にも、これら透明誘電
体膜２１、記録膜２２、保護膜２３を均一に形成するこ
とができる。

【００７４】図７は、この第２実施形態の薄膜形成パラ
メータ（ガス圧力が１０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓが４０ｍ
ｍ、ずれ量Ｒが６０ｍｍ、面積比Ｓｔ／Ｓｓが“２”）
で製造された光磁気ディスクの記録感度比を、他の薄膜
形成パラメータで製造された他の光磁気ディスクと比較
した実験データを示すグラフである。この場合、比較さ
れる他の光磁気ディスクは、各種パラメータのうち、ず
れ量Ｒのみを変更して製造したもの（図７中●で示
す）、光ディスク基板１１のグルーブ部の深さＤをさら
に小さくして（４００ｎｍ）さらにずれ量Ｒを変更して
製造したもの（図７中■で示す）である。

【００７５】このグラフが示す記録感度比も、上記した
第１実施形態と同様に、各々の光磁気ディスクに対して
ランド部の最適記録パワーＰp-Ｌとグルーブ部の最適記
録パワーＰp-Ｇを求め、これらの比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌで表
される。図７に示すように、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ
は、光ディスク基板１１とターゲット３３とのずれ量Ｒ
を小さく設定して製造された光磁気ディスクほど、理想
的な１．０に近づくことがわかった。

【００７６】具体的には、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ
は、光ディスク基板１１のグルーブ深さＤが２００ｎｍ
の場合（図７中●）、そのずれ量Ｒを上記した最適値Ｒ
０（１００ｍｍ）に設定して製造された光磁気ディスク
では０．８程度で実用に耐えられないのに対し、ずれ量
Ｒを上記した最適値Ｒ０よりも小さい６０ｍｍに設定す
ると０．９程度となり実用に耐え得る結果が得られた。
特に、ずれ量Ｒをさらに小さく２０ｍｍに設定した場合
には、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌは、ほぼ理想的な１．
０となった。

【００７７】また、光ディスク基板１１のグルーブ深さ
Ｄが４００ｎｍの場合（図７中■）でも、そのずれ量Ｒ
を上記した最適値Ｒ０（１００ｍｍ）に設定すると記録
感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが０．８程度で実用に耐えられな
いのに対し、ずれ量Ｒを２０ｍｍ〜０ｍｍまで小さくす
ると、理想的な値（１．０）となることが分かった。以
上のことから、ずれ量Ｒを、ガス圧力Ｐ、距離Ｌｔｓ、
面積比Ｓｔ／Ｓｓ、形成される薄膜の品質、薄膜形成の
効率などを考慮した最適値Ｒ０（１００ｍｍ）に設定す
るよりも、この最適値Ｒ０より小さい値（例えば６０ｍ
ｍ、好ましくは２０ｍｍ以下）にするほど、より記録感
度比（Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ）が良好な光磁気ディスクを製造
できることが分かった。

【００７８】特に、市販のものに比べてトラックピッチ
Ｌが著しく狭く（０．５μｍ）グルーブ深さＤが著しく
深い（２００ｎｍ〜４００ｎｍ）光ディスク基板１１
に、一定の膜厚の薄膜を形成するに当っては、ずれ量Ｒ
を上記最適値Ｒ０より小さい値（好ましくは２０ｍｍ以
下）にすることで、ランド・グルーブ記録方式の光磁気
ディスクにおいて、トラックピッチを０．５μｍ、グル
ーブ深さＤを２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度としても、記
録感度比をほぼ一定の値（少なくとも０．９５以上）と
することができ、クロスイレーズ等の弊害が問題となら
ない、記録密度の高い光磁気ディスクが提供されること
になる。

【００７９】（第３実施形態）次に第３実施形態につい
て説明する。なお、この第３実施形態は、請求項１〜請
求項５，請求項７，請求項８に対応する。この第３実施
形態は、薄膜形成時の各種パラメータのうち、距離Ｌｔ
ｓを４０ｍｍ、面積比Ｓｔ／Ｓｓを“２”とし、ずれ量
Ｒを上記した最適値Ｒ０（１００ｍｍ）より小さな値
（３０ｍｍ）とすると共に、ガス圧力Ｐを、形成される
薄膜の品質、薄膜形成の効率などに関わらずに変化させ
て、光ディスク基板１１に実際に透明誘電体膜２１、記
録膜２２、保護膜２３を形成したものである。

【００８０】図８は、この第３実施形態によって薄膜形
成して製造された光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／
Ｐp-Ｌを示すグラフである（図８中●で示される）。こ
の図８のグラフに示されるように、記録感度比Ｐp-Ｇ／
Ｐp-Ｌは、ガス圧力Ｐが低いほど理想的な値（１．０）
に近づく。これは、ガス圧力Ｐが低いと、スパッタリン
グされたターゲットの粒子が基板に向かって直進し易く
なり、光ディスク基板の表面に満遍なく堆積するからで
ある。

【００８１】すなわち、距離Ｌｔｓを４０ｍｍ、面積比
をＳｔ／Ｓｓを“２”、ずれ量Ｒを３０ｍｍとし、これ
らの条件の下で、ガス圧力Ｐを１０^-1Ｐａにして製造さ
れた光磁気ディスクでは、記録感度比は０．９５程度で
あり十分に実用に耐えられることが確認された。そし
て、ガス圧力Ｐの値をさらに小さくして光磁気ディスク
を製造すると、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌは、より理想
的な１．０に近づくことがわかった。

【００８２】以上のことから、ガス圧力Ｐを、形成され
る薄膜の品質、薄膜形成の効率などを考慮した設定値
（１０^-1Ｐａ）より小さく（好ましくは１０^-3Ｐａ以
下）設定することによって、ランド・グルーブ方式の光
磁気ディスクにおいて、そのトラックピッチＬを市販の
ものに比べて著しく狭くしグルーブ深さＤを著しく深く
し（トラックピッチＬ＝０．５μｍ，グルーブ深さＤ＝
２００ｎｍ）、記録密度を高めても、製造された光磁気
ディスクは、記録感度比が改善され、充分に実用に耐え
られるものとなる。

【００８３】（第４実施形態）次に第４実施形態につい
て説明する。なお、この第４実施形態は、請求項１〜請
求項４，請求項６〜請求項８に対応する。この第４実施
形態は、薄膜形成時の各種パラメータのうち、距離Ｌｔ
ｓを１００ｍｍ、ずれ量Ｒを０ｍｍ、ガス圧力Ｐを１０
^-1Ｐａとし、これらのパラメータに拘わらずに、ターゲ
ットと光ディスク基板１１の面積比Ｓｔ／Ｓｓを変化さ
せて、当該光ディスク基板１１に、透明誘電体膜２１、
記録膜２２、保護膜２３を形成したものである。

【００８４】図９には、面積比Ｓｔ／Ｓｓを１．０とし
て製造された光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-
Ｌと、面積比Ｓｔ／Ｓｓを１．０以外の値に設定して製
造された他の光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-
Ｌとが示されている（図９中●）。この図９のグラフに
示されるように、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌは、面積比
Ｓｔ／Ｓｓが０．６程度のときには実用化にほど遠い記
録感度比（０．８５）であるが、面積比Ｓｔ／Ｓｓが
１．０以上で製造された光磁気ディスクでは記録感度比
は０．９８程度であり、十分に実用に耐えられることが
確認された。そして、面積比Ｓｔ／Ｓｓが大きいほど記
録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌは、より理想的な１．０に近づ
くことがわかった。

【００８５】以上のことから、面積比Ｓｔ／Ｓｓを１．
０以上とする（ターゲットを光ディスク基板１１より大
きくする）ことで、ランド・グルーブ方式の光磁気ディ
スクにおいて、そのトラックピッチＬを著しく狭くしグ
ルーブ深さＤを著しく深くして（トラックピッチＬ＝
０．５μｍ，グルーブ深さＤ＝２００ｎｍ）、記録密度
を高めても、製造された光磁気ディスクは、記録感度比
Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが改善され、充分に実用に耐えられるも
のとなることが分かった。

【００８６】（第５実施形態）次に、本発明の第５実施
形態について説明する。なお、この第５実施形態は、請
求項１，請求項３，請求項９，請求項１０に対応する。
図１０に示されるように、この第５実施形態の薄膜形成
方法が適用される光ディスク基板５１は、上記した第１
〜第４実施形態で用いられた光ディスク基板１１とは異
なり、グルーブ幅ＷＧがランド幅ＷＬより広くなってい
る（ＷＧ＞ＷＬ）。なお、この光ディスク基板５１は、
ランド幅ＷＬとグルーブ幅ＷＧとの和が１．０μｍ（ト
ラックピッチＬが０．５μｍ）、テーパ角Θが８４°、
グルーブ深さＤが２００ｎｍとなっている。

【００８７】この光ディスク基板５１は、市販のものに
比べてトラックピッチＬが著しく狭く、またグルーブ深
さＤも著しく深いが、その表面に薄膜（透明誘電体膜２
１，記録膜２２，保護膜２３の３種類）を形成するに当
っては、上記した第２実施形態の製造方法が適用され
る。すなわち、この第５実施形態では、ガス圧力Ｐを１
０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓを４０ｍｍ、面積比Ｓｔ／Ｓｓを
“２”とし、上記した第２実施形態と同様、ずれ量Ｒを
その最適値Ｒ０（１００ｍｍ）より小さな値（６０ｍ
ｍ）に設定している。

【００８８】上記したように第２実施形態の薄膜形成方
法を用いても、図２，図３に示す光ディスク基板１１に
よって記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌの良好な光磁気ディス
クを製造することができるが、この第５実施形態のよう
に、光ディスク基板５１のグルーブ幅ＷＧをランド幅Ｗ
Ｌより広くしておく（ＷＧ＞ＷＬ、好ましくは幅の比Ｗ
Ｇ／ＷＬを１．２以上とする）ことによって、図１１の
●で示されるように、さらに、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-
Ｌを、理想的な値１．０に近づけることができる（但
し、ランド幅ＷＬは、０．１μｍ以上が好ましい）。

【００８９】さらに、薄膜形成時の各種パラメータを、
仮に、形成される薄膜の品質、薄膜形成の効率などを考
慮した最適値に設定した場合（例えば、ガス圧力Ｐを１
０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓを４０ｍｍ、ずれ量Ｒを１００ｍ
ｍ、面積比Ｓｔ／Ｓｓを“２”とする）でも、幅の比Ｗ
Ｇ／ＷＬを２．０以上とすることで、ランド幅ＷＬとグ
ルーブ幅ＷＧとの和を著しく狭くし（１．０μｍ）、グ
ルーブ深さＤを著しく深く（２００ｎｍ）した光ディス
ク基板５１にも、良好な一定の膜厚の薄膜を形成するこ
とができ、これによって製造される光磁気ディスクの記
録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌを、実用に十分に耐えられるも
のとすることができる（図１１の■で示す）。

【００９０】（第６実施形態）次に本発明の第６実施形
態について説明する。なお、この第６実施形態は、請求
項１，請求項３，請求項１１，請求項１２に対応する。
図１２に示されるように、この第６実施形態の薄膜形成
方法が適用される光ディスク基板６１は、上記した第１
〜第５実施形態で用いられた何れの光ディスク基板とも
異なり、そのテーパ角Θが、一般的なテーパ角Θ（８４
°）より緩やかな角度（７０°、好ましくは６０°）と
なっている。なお、この光ディスク基板６１は、ランド
幅ＷＬとグルーブ幅ＷＧとテーパ部６１ｄの幅ＷＴ１，
ＷＴ２との和が１．０μｍ（トラックピッチＬが０．５
μｍ）、グルーブ深さＤが２００ｎｍとなっている。

【００９１】このように光ディスク基板６１は、市販の
ものに比べてトラックピッチＬが著しく狭く（０．５μ
ｍ）、またグルーブ深さＤも著しく深いが、その表面に
薄膜（透明誘電体膜２１，記録膜２２，保護膜２３の３
種類）を形成するに当っては、上記した第２実施形態の
製造方法が適用される。すなわち、この第６実施形態で
は、ガス圧力Ｐは１０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓは４０ｍｍ、
面積比Ｓｔ／Ｓｓを“２”とされ、上記した第２実施形
態と同様、ずれ量Ｒがその最適値Ｒ０（１００ｍｍ）よ
り小さな値（６０ｍｍ）となっている。

【００９２】上記したように第２実施形態の薄膜形成方
法によっても、図２，図３に示す光ディスク基板１１に
よって記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌの良好な光磁気ディス
クを製造することができるが、この第６実施形態のよう
に、光ディスク基板６１においてテーパ角Θを一般的な
テーパ角Θ（８４°）より緩やかな角度（７０°）とし
ておくことによって（好ましくは６０°）、さらに、記
録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌを、理想的な値１．０に近づけ
ることができる（図１３の●で示す）。

【００９３】さらに、薄膜形成時の各種パラメータを、
仮に、形成される薄膜の品質、薄膜形成の効率などを考
慮して最適値に設定した場合（例えば、ガス圧力Ｐを１
０^-1Ｐａ、距離Ｌｔｓを４０ｍｍ、ずれ量Ｒを１００ｍ
ｍ、面積比Ｓｔ／Ｓｓを“２”）でも、テーパ角Θを緩
やかな角度（７０°、好ましくは６０°）としておくこ
とで、市販のものに比べてトラックピッチＬを著しく狭
くし（０．５μｍ）、グルーブ深さＤを著しく深く（２
００ｎｍ）した光ディスク基板６１にも、良好な一定の
膜厚の薄膜を形成することができ、これによって製造さ
れる光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌを、実
用に十分に耐えられるものとすることができる（図１３
の■で示す）。

【００９４】以上説明したように、第１〜第６の実施形
態の薄膜形成方法によれば、光ディスク基板の形状が、
市販のものに比べてトラックピッチＬが著しく狭くグル
ーブ深さＤが著しく深いものであっても、良好な一定の
膜厚の薄膜を形成することができ、これによって記録感
度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが一定で記録密度の高いランド・グ
ルーブ記録方式の光磁気ディスクを製造することができ
る。なお、トラックピッチＬとグルーブ深さＤとの比Ｌ
／Ｄが１．３３〜２０の光磁気ディスクに対して良好な
性能のものが得られた。

【００９５】このように、第１〜第６の実施形態の何れ
かを用いて製造されたトラックピッチＬが著しく狭くグ
ルーブ深さＤが著しく深い光磁気ディスクは、記録感度
比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが実用に充分に耐えられる程度に良好
なものであるが、さらに、これら第１〜第６の実施形態
によって完成された光磁気ディスクについて、実際にラ
ンド・グルーブ記録方式として使用する際に問題となっ
ていたクロスイレーズ耐性についても確認してみた。

【００９６】図１４に示されるように、クロスイレーズ
耐性Ｐｅ／Ｐｐは、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが良好な
光磁気ディスクにおいて、トラックピッチＬが同じ場
合、グルーブ深さＤが深い光磁気ディスクほど大きい
（クロスイレーズの影響が小さい）ことが確認された。
特に、図１４中の●で示されるように、市販のものに比
べてトラックピッチＬが著しく狭く（０．５μｍ）グル
ーブ深さＤが著しく深い（２００ｎｍ〜４００ｎｍ）光
ディスク基板で製造された記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが
良好な光磁気ディスクでは、実用のために最低限必要と
なるクロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐ（１．１５以上）が
充分に確保されていることが確認された。

【００９７】また、図１５に●で示されるように、グル
ーブ深さＤが２８０ｎｍで、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ
が良好な光磁気ディスクの場合には、実用のために最低
限必要となるクロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐ（１．１５
以上）を維持しつつ、トラックピッチＬを０．５μｍよ
りさらに狭く（０．４５μｍ程度）でき、記録密度をる
さらに高めた光磁気ディスクが提供されることになる。
なお、図１５中、○はグルーブ深さＤが２２５ｎｍ、■
は１７５ｎｍ、□は１３５ｎｍ、▽は８５ｎｍ、△は４
５ｎｍで、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが良好な光磁気デ
ィスクについて、各々クロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐを
測定した結果を表している。

【００９８】なお、クロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐの測
定は、 製造された光磁気ディスクのランド部およびグルーブ
部の記録膜の磁化の方向を一方向に揃えて消去状態とし
てから、ランド部の１トラックに、マーク（マーク長が
０．６４μｍ）を記録し（レーザ光のピーク強度Ｐｐは
最適記録パワー、ボトム強度Ｐｂは０．５ｍＷ）、 マークが記録されたランド部の両隣のグルーブ部の各
々に、レーザ光（消去パワー）をＤＣ点灯させながら照
射して（数１０回転の間）マークを消去し、 ランド部に記録されたマークを再生して得られる再生
信号をスペクトラムアナライザーに入力して、キャリア
レベルとノイズレベルを測定し、 そして、〜の一連処理を、レーザ光の消去パワー
の設定値を変更しながら行い、測定したキャリアレベル
が落ち始めるときの消去パワーＰｅを求め、この消去パ
ワーＰｅとピーク強度Ｐｐとの比Ｐｅ／Ｐｐを算出する
ことにより行われる。グルーブ部のクロスイレーズ耐性
の測定も同様に行われる。

【００９９】なお、上記した実施形態では、記録再生装
置の光ピックアップのレーザ光として波長λが６８０ｎ
ｍのものを用いたが、このレーザ光には、さらに短い波
長λ（例えば、４２０ｎｍなど）のものを用いることも
できる。このように、トラックピッチＬがさらに狭く
（２．３６×λ以下）、グルーブ深さＤが（λ／（ｎ×
３．７５）〜λ／（ｎ×１．１３））の光ディスク基板
に対しても、上記した第１〜第６の実施形態の薄膜形成
方法の何れかを用れば、良好な一定の膜厚の薄膜が形成
されて記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが一定の、記録密度が
高く、クロスイレーズの弊害が問題とならないランド・
グルーブ記録方式の光磁気ディスクを製造することがで
きる。

【０１００】また、上記した実施形態では、光磁気ディ
スク（記録膜がＴｂＦｅＣｏ合金で構成される）を製造
する場合について説明したが、本発明は、相変化型の光
ディスクの製造に適用することもできる。この場合に
も、同様に、市販のものに比べてトラックピッチＬが著
しく狭くグルーブ深さＤが著しく深い光ディスク基板
に、良好な一定の膜厚の薄膜を形成することができ、こ
れによって記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが一定で記録密度
の高い、クロスイレーズの弊害が問題とならない相変化
型の光ディスクを製造することができる。さらに、波長
λが６８０ｎｍよりも短い光源を用いることもできる。

【０１０１】なお、上記した実施形態では、光ディスク
基板を、ガラス２Ｐ(photo-polymerization)基板にて構
成したが、ポリカーボネート基板で構成してもよい。

【０１０２】

【発明の効果】上述したように、請求項１，請求項２に
記載の発明によれば、薄膜形成時の各種パラメータ（基
板とターゲットとの間の距離、基板の中心軸とターゲッ
トの中心軸とのずれ量、基板とターゲットとの面積比、
スパッタリング時のガス圧力）を、薄膜の品質や形成効
率などを考慮して最適値に決定し、これらのパラメータ
のうちの距離を、決定された最適値から意図的に大きな
値に設定するので、基板上の微細な凸部だけでなく凹部
にも、ほぼ一定の膜厚の薄膜を形成することができる。

【０１０３】また、請求項３，請求項４に記載の発明に
よれば、薄膜形成時の各種パラメータ（基板とターゲッ
トとの間の距離、基板の中心軸とターゲットの中心軸と
のずれ量、基板とターゲットとの面積比、スパッタリン
グ時のガス圧力）を、薄膜の品質や形成効率などを考慮
して最適値に決定し、これらのパラメータのうちのずれ
量を、決定された最適値から意図的に小さな値に設定す
るので、基板上の微細な凸部だけでなく凹部にも、ほぼ
一定の膜厚の薄膜を形成することができる。

【０１０４】さらに、請求項５，請求項６に記載の発明
によれば、基板上の微細な凹部および凸部に形成される
薄膜の膜厚をより理想的なものに近づけることができる
ので、請求項１〜請求項４の薄膜形成方法の条件を緩和
することができる。また、請求項７に記載の発明によれ
ば、基板に形成される薄膜と同じ組成比の合金をターゲ
ットに用いるので、元素数が多い複雑な薄膜も簡単な構
成の装置で容易に形成することができる。

【０１０５】さらに、請求項８に記載の発明によれば、
市販のものに比べてグルーブ部の深さが深く、グルーブ
ピッチが狭い光ディスク基板において、ランド部と同様
にグルーブ部にも、一定の膜厚の薄膜を形成することが
できるので、ランド・グルーブ記録方式の光ディスクに
おいて、その記録密度がさらに高められ、光ディスクの
大容量化が図られる。

【０１０６】また、請求項９，請求項１０に記載の発明
によれば、市販のものに比べてグルーブ部の深さが深
く、グルーブピッチが狭い光ディスク基板において、そ
のグルーブ部の幅をランド部の幅より広くしたので、請
求項８の薄膜形成方法の条件を緩和することができる。
また、請求項１１，請求項１２に記載の発明によれば、
市販のものに比べてグルーブ部の深さが深く、グルーブ
ピッチが狭い光ディスク基板において、そのテーパ角を
７０度以下としたので、請求項８の薄膜形成方法の条件
を緩和することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、第１実施形態に係るマグネトロンスパ
ッタリング装置の第１スパッタリング室１０を示す説明
図である。

【図２】図２は、光ディスク基板１１の形状を説明する
外観図である。

【図３】図３は、光ディスク基板１１の断面形状を説明
する断面図である。

【図４】図４は、光ディスク基板１１上に形成される薄
膜の構成を説明する断面図である。

【図５】図５は、第１実施形態の薄膜形成方法を用いて
製造された光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ
に関する実験データを示す図である。

【図６】図６は、第２実施形態に係るマグネトロンスパ
ッタリング装置の第１スパッタリング室３０を示す説明
図である。

【図７】図７は、第２実施形態の薄膜形成方法を用いて
製造された光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ
に関する実験データを示す図である。

【図８】図８は、第３実施形態の薄膜形成方法を用いて
製造された光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ
に関する実験データを示す図である。

【図９】図９は、第４実施形態の薄膜形成方法を用いて
製造された光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌ
に関する実験データを示す図である。

【図１０】図１０は、光ディスク基板５１の断面形状を
説明する断面図である。

【図１１】図１１は、第５実施形態の薄膜形成方法を用
いて製造された光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐ
p-Ｌに関する実験データを示す図である。

【図１２】図１２は、光ディスク基板６１の断面形状を
説明する断面図である。

【図１３】図１３は、第６実施形態の薄膜形成方法を用
いて製造された光磁気ディスクの記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐ
p-Ｌに関する実験データを示す図である。

【図１４】図１４は、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが良好
な光磁気ディスクのクロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐに関
する実験データを示す図である。

【図１５】図１５は、記録感度比Ｐp-Ｇ／Ｐp-Ｌが良好
な光磁気ディスクのクロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐに関
する実験データを示す図である。

【図１６】図１６は、従来のマグネトロンスパッタリン
グ装置の第１スパッタリング室１１０を示す説明図であ
る。

【符号の説明】 １０，３０，１１０ 第１スパッタリング室 １１，５１，６１，１１１ 光ディスク基板 １１ａ，５１ａ，６１ａ ランド部 １１ｂ，５１ｂ，６１ｂ グルーブ部 １１ｃ ガイド溝 ６１ｄ テーパ部 １２，３２，１１２ 基板ホルダ １３，３３，１１３ ターゲット １４，３４，１１４ ターゲットホルダ １５，３５ マグネット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古田 正寛 東京都千代田区丸の内３丁目２番３号 株 式会社ニコン内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スパッタリング法を用いて基板に薄膜を
   形成する薄膜形成方法において、 前記基板とターゲットとの間の距離を、前記基板の中心
   軸と前記ターゲットの中心軸とのずれ量、前記基板と前
   記ターゲットとの面積比、スパッタリング時のガス圧力
   のうち、少なくとも２つの条件に基づいて最適値に決定
   し、 前記決定された最適値より大きい値に、前記基板と前記
   ターゲットとの間の距離を設定してスパッタリングを行
   うことを特徴とする薄膜形成方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜形成方法におい
   て、 前記最適値は、ほぼ４０ｍｍであり、 前記設定された前記基板と前記ターゲットとの間の距離
   は、１００ｍｍ以上であることを特徴とする薄膜形成方
   法。
3. 【請求項３】 スパッタリング法を用いて基板に薄膜を
   形成する薄膜形成方法において、 前記基板の中心軸とターゲットの中心軸とのずれ量を、
   前記基板と前記ターゲットとの間の距離、前記基板と前
   記ターゲットとの面積比、スパッタリング時のガス圧力
   のうち、少なくとも２つの条件に基づいて最適値に決定
   し、 前記決定された最適値より小さい値に、前記基板の中心
   軸と前記ターゲットの中心軸とのずれ量を設定してスパ
   ッタリングを行うことを特徴とする薄膜形成方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の薄膜形成方法におい
   て、 前記最適値は、ほぼ１００ｍｍであり、 前記設定された前記基板の中心軸と前記ターゲットの中
   心軸とのずれ量は、２０ｍｍ以下であることを特徴とす
   る薄膜形成方法。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４の何れか１項に記
   載の薄膜形成方法において、 前記基板に対する前記ターゲットの面積比は、１以上で
   あることを特徴とする薄膜形成方法。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項４の何れか１項に記
   載の薄膜形成方法において、 前記ガス圧力は、１０^-3Ｐａ以下に設定されることを特
   徴とする薄膜形成方法。
7. 【請求項７】 請求項１から請求項６の何れか１項に記
   載の薄膜形成方法において、 前記ターゲットには、前記基板に形成される薄膜と同じ
   組成比の合金が用いられることを特徴とする薄膜形成方
   法。
8. 【請求項８】 請求項１から請求項７の何れか１項に記
   載の薄膜形成方法を用いて、 グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７５）〜λ／（ｎ×
   １．１３）で、かつグルーブピッチが２．３６×λ以下
   の光ディスク基板に薄膜を形成することを特徴とする光
   ディスクの製造方法。（但し、λは記録再生用の光束の
   波長、ｎは基板の屈折率）
9. 【請求項９】 請求項１に記載の薄膜形成方法を用い
   て、 グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７５）〜λ／（ｎ×
   １．１３）、グルーブピッチが２．３６×λ以下で、か
   つ前記グルーブ部の幅が前記ランド部の幅より広い光デ
   ィスク基板に薄膜を形成するに当たり、 前記基板と前記ターゲットとの間の距離を、前記決定さ
   れた最適値より大きく、かつ前記設定された距離より小
   さい値に再設定してスパッタリングを行うことを特徴と
   する光ディスクの製造方法。（但し、λは記録再生用の
   光束の波長、ｎは基板の屈折率）
10. 【請求項１０】 請求項３に記載の薄膜形成方法を用い
    て、 グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７５）〜λ／（ｎ×
    １．１３）、グルーブピッチが２．３６×λ以下で、か
    つ前記グルーブ部の幅が前記ランド部の幅より広い光デ
    ィスク基板に薄膜を形成するに当たり、 前記基板の中心軸と前記ターゲットの中心軸とのずれ量
    を、前記決定された最適値より小さく、かつ前記設定さ
    れたずれ量より大きい値に再設定してスパッタリングを
    行うことを特徴とする光ディスクの製造方法。（但し、
    λは記録再生用の光束の波長、ｎは基板の屈折率）
11. 【請求項１１】 請求項１に記載の薄膜形成方法を用い
    て、 グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７５）〜λ／（ｎ×
    １．１３）、グルーブピッチが２．３６×λ以下で、か
    つテーパ角が７０度以下の光ディスク基板に薄膜を形成
    するに当たり、 前記基板と前記ターゲットとの間の距離を、前記決定さ
    れた最適値より大きく、かつ前記設定された距離より小
    さい値に再設定してスパッタリングを行うことを特徴と
    する光ディスクの製造方法。（但し、λは記録再生用の
    光束の波長、ｎは基板の屈折率）
12. 【請求項１２】 請求項３に記載の薄膜形成方法を用い
    て、 グルーブ部の深さがλ／（ｎ×３．７５）〜λ／（ｎ×
    １．１３）、グルーブピッチが２．３６×λ以下で、か
    つテーパ角が７０度以下の光ディスク基板に薄膜を形成
    するに当たり、 前記基板の中心軸と前記ターゲットの中心軸とのずれ量
    を、前記決定された最適値より小さく、かつ前記設定さ
    れたずれ量より大きい値に再設定してスパッタリングを
    行うことを特徴とする光ディスクの製造方法。（但し、
    λは記録再生用の光束の波長、ｎは基板の屈折率）